改良ゲート構造を有する電子デバイスのための方法、システムおよび装置が記載される。電子デバイスは、少なくとも１つのナノワイヤを含む。ゲート接点は、少なくとも１つのナノワイヤの長さの一部分に沿って位置決めされる。誘電材料層は、ゲート接点と少なくとも１つのナノワイヤとの間にある。ソース接点およびドレイン接点は、少なくとも１つのナノワイヤと接触している。ソース接点またはドレイン接点の少なくとも一部分は、ナノワイヤ長さに沿ってゲート接点と重複する。電子デバイスは、絶縁シェル層によって取り囲まれた半導体コアを有するナノワイヤを含み得る。リング形状の第１のゲート領域は、ナノワイヤの長さの一部分に沿ってナノワイヤを取り囲む。第２のゲート領域は、ナノワイヤと基板との間のナノワイヤに沿って位置決めされる。ソース接点とドレイン接点は、半導体コアの個々の剥き出た部分でナノワイヤの半導体コアにカップルされる。
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【課題】透過型のアクティブマトリクス型液晶表示装置において、ブラックマトリクスと画素電極のコンタクト部とが接触してしまう問題を回避する。
【解決手段】ブラックマトリクスを構成する遮光材料を顔料を含有させ、遮光性を持たせた樹脂材料１１４でもって構成する。そしてこの樹脂材料に直接開口１１９を形成し、そこで画素電極１２０と薄膜トランジスタとのコンタクトを行わせる。こうすることにより、ブラックマトリクスを金属材料でもって構成していた場合における画素電極とブラックマトリクスとの接触の問題を解決することができる。 （もっと読む）

【課題】２種類の導電型のＦｉｎＦＥＴを最適、且つ高密度にレイアウトすることが困難であった。
【解決手段】ゲート電極１１は、基板１１の特定の結晶面方位に平行又は垂直に配置されている。第１導電型の第１のトランジスタＰＭＯＳは、ゲート電極と直交方向に配置された活性領域を有している。第２導電型の第２のトランジスタＮＭＯＳは、ゲート電極１１に対して斜めに配置された活性領域を有している。 （もっと読む）

【課題】 ＳＷＴを採用しつつ、リソグラフィのピッチ幅よりも狭いピッチ幅を有し、かつ均一な幅を有するＦｉｎを形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置の製造方法は、リソグラフィで形成可能な最小ピッチ幅よりも狭いピッチ幅で配列され半導体材料から成る複数のＦｉｎ５０を絶縁層４上に形成し、複数のＦｉｎの側壁にゲート絶縁膜６０を形成し、Ｆｉｎの配列方向に延び、Ｆｉｎとは電気的に絶縁され、かつＦｉｎに共通のゲート電極７０９を、ゲート絶縁膜上に形成し、ゲート電極をマスクとして用いて該ゲート電極の両側に延在するＦｉｎの部分に不純物を注入することによりソース・ドレイン層１００を形成し、Ｆｉｎのゲート電極を挟んだ両側に絶縁膜を介して導電体材料を堆積することにより、複数のＦｉｎを接続することを具備する。 （もっと読む）

【課題】 半導体層の不純物含有領域における不純物（ドーパント）濃度の不均一性に起因して発生する特性不良を低減することができる半導体素子の製造方法、半導体素子、半導体装置及び表示装置を提供する。
【解決手段】 不純物含有領域が形成された半導体層、ゲート絶縁膜及びゲート電極が積層された構造を有する半導体素子の製造方法であって、上記製造方法は、半導体層、ゲート絶縁膜、下層金属膜及び上層金属膜を形成する工程と、上層金属膜をエッチングして上層ゲート電極を形成する工程と、下層金属膜及びゲート絶縁膜を介して半導体層に不純物を注入して不純物含有領域を形成する工程とを含む半導体素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】表示装置において、画素電極面の平坦性を確保する。
【解決手段】反射画素電極６０２の下部にドレイン電極３０３を延在させる。このドレイン電極３０３は、補助容量電極４０１との間で補助容量を形成する。また、ドレイン電極３０３、ゲイト電極２０２及びソース配線３０５とが存在することで、樹脂層５０１が形成される面の凹凸が緩和され、樹脂層５０１による平坦性の確保が容易になる。こうして反射画素電極６０２を平坦な表面に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】素子特性にばらつきの少ないＴＦＴを得る技術を提供する。
【解決手段】半導体膜の結晶化を助長する金属元素を用いて結晶性半導体膜を形成し、結晶性半導体膜上にマスクを形成し、結晶性半導体膜に対して不純物元素を選択的にドーピングし、第１の加熱処理を施すことで、金属元素をドーピングされた領域にゲッタリングし、同一のマスクを利用してドーピングされた領域を除去した後、結晶性半導体膜を加工し、島状の半導体膜を形成し、同一のマスクをそのまま利用して島状の半導体膜をサイドエッチングする。その後、当該島状の半導体膜上にゲイト絶縁膜とゲイト電極を形成し、ゲイト電極を利用しゲイト絶縁膜を介して、島状の半導体膜に不純物元素をドーピングした後、第２の加熱処理を施し、前記金属元素を前記ドーピングされた領域にゲッタリングを行う。 （もっと読む）

【課題】セルギャップが均一で、液晶分子のスイッチング方向を制御した広視野角表示のマルチドメイン垂直配向型の液晶表示装置を実現する。
【解決手段】第１の基板及び第２基板間に保持された負の誘電性異方性を有する液晶と、第１の基板に設けられた逆スタガ型の薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタと電気的に接続され、第１の基板に設けられた第１の電極と、第１の電極に対向する第２の電極と、を有し、第１の電極は、第１の領域及び第２の領域に分割され、第１の領域の液晶の傾きと、第２の領域の液晶の傾きとは対称となる液晶表示装置である。 （もっと読む）

【課題】無線あるいは電磁誘導を利用して非接触で物体固有のデータを認識し、不揮発にデータを記憶及び読み出しする機能を持つ小型の無線信号処理装置（ＲＦタグ）に関し、ＲＦタグを飛躍的に低価格にする技術を提供する。
【解決手段】電波あるいは電磁波を非接触で受信するアンテナ部分、受信した無線信号を処理する制御部分、さらに制御された信号をデータとして記憶する部分が同一絶縁基板上に形成され、信号を処理する複数の素子要素が薄膜トランジスタと強誘電体不揮発性記憶素子からなることを特徴とする無線信号処理装置。 （もっと読む）

【課題】大画面に適用しうる配線の構造、特に液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板の端部に設けられ、他の基板に設けた回路の配線と電気的に接続するための入力端子部における配線の構造について提案する。
【解決手段】液晶表示装置に用いられるアクティブマトリクス基板の端子部において、Ｃｒを含有する第１の層と、ＡｌおよびＮｄを含有する第２の層とを積層してなる配線と、前記配線に電気的に接続された透明導電膜と、を有し、前記透明導電膜は、異方性導電材を介して、前記アクティブマトリクス基板とは異なる基板に設けられた回路に電気的に接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】絶縁表面を有する基板上に形成された薄膜トランジスタを有し、薄膜トランジスタを用いて形成されたメモリーを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】非晶質珪素膜の表面全体に、非晶質珪素膜の結晶化を助長する触媒元素を含む溶液を塗布し、加熱処理により触媒元素と非晶質珪素膜とを反応させてシリサイド化し、シリサイド化された表面から基板に向かって結晶成長させることによって結晶性珪素膜を形成し、結晶性珪素膜を用いて薄膜トランジスタを形成し、薄膜トランジスタを用いてメモリーを形成する。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＳＦＥＴに匹敵する性能を有した半導体装置を提供する。
【解決手段】絶縁表面を有する基体上に非晶質珪素膜を成膜し、非晶質珪素膜上に選択的にマスク絶縁膜を形成して結晶化を助長する金属元素を導入させ、第１の加熱処理により非晶質珪素膜の少なくとも一部を結晶性珪素膜にし、マスク絶縁膜を除去し、パターニングすることにより島状の結晶性珪素膜を形成し、ハロゲン元素を含む雰囲気中において第２の加熱処理を行うことにより、島状の結晶性珪素膜中の金属元素をゲッタリング除去すると共に、ゲイト絶縁膜として用いる熱酸化膜を島状の結晶性珪素膜の表面に形成し、熱酸化膜上にゲイト電極を形成し、一導電性を付与する不純物イオンを注入して島状の結晶性珪素膜にソース領域、ドレイン領域を形成し、ソース領域及び前記ドレイン領域上面に金属膜を形成し、ソース領域とドレイン領域をシリサイド化することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 異なるゲート長またはゲート幅を有し、フルシリサイド化されたゲート電極を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置１００は、半導体基板５と、半導体基板上に形成された第１のゲート絶縁膜５１と、半導体基板上に形成された第２のゲート絶縁膜５２と、第１のゲート絶縁膜上に形成され、フルシリサイド化された第１のゲート電極１１と、第２のゲート絶縁膜上に形成され、フルシリサイド化された第２のゲート電極１２であって、半導体基板の表面を占める面積が第１のゲート電極よりも大きく、なおかつ、第１のゲート電極よりも厚みが薄い第２のゲート電極１２とを備えている。 （もっと読む）

【課題】本質的に位置合わせ精度に誤差が存在する場合に、高抵抗領域の寸法の誤差による影響を抑制し、チラツキのない画質を得る。
【解決手段】半導体層をゲイト線に偶数回交差させ、各チャネル領域を挟んで配置された互いに寸法の異なる一対の高抵抗領域を形成する。そのため、ソース領域からドレイン領域への経路における高抵抗領域の存在と、ドレイン領域からソース領域への経路における高抵抗領域の存在とが同じ配置状態となり、信号電圧が反転してもリーク電流を抑制でき、位置合わせの誤差に起因して、画像のチラツキが生じてしまうことを防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板上に低コストで信頼性が高い半導体装置を提供する。
【解決手段】ガラス基板上に形成された下地膜と、下地膜上に形成されたＮチャネル型薄膜トランジスタ及びＰチャネル型薄膜トランジスタを有し、Ｎチャネル型薄膜トランジスタはドレイン領域及びチャネル形成領域の間にＬＤＤ領域が設けられた第１の結晶性珪素膜を有し、Ｐチャネル型薄膜トランジスタはチャネル形成領域に接してドレイン領域が設けられた第２の結晶性珪素膜を有し、ガラス基板、下地膜、第１の結晶性珪素膜及び第２の結晶性珪素膜はゲイト絶縁膜に覆われている。 （もっと読む）

【課題】短チャネル効果によるリーク電流の低減に優れた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶半導体基板上に形成された電界効果トランジスタの作成過程において、エクステンション領域を形成するために不純物を導入するとともに、単結晶格子を崩してアモルファス化させる。または、不純物および原子量の大きい元素を導入することによって、単結晶格子を崩してアモルファス化させる。そして、パルス幅が１ｆｓ以上１０ｐｓ以下、かつ波長が３７０ｎｍ以上６４０ｎｍ以下のレーザビームを照射することにより、アモルファス化した部分のみを選択的に活性化させ、エクステンション領域を２０ｎｍ以下の厚さで形成する。 （もっと読む）

【課題】多重チャネルにて曲がり半導体線と交差するゲート信号線の提供。
【解決手段】第一および第二結合点１８４・１８６に延びる第一の線１８０を具備でき、第一および第二結合点１８４・１８６にて、第一の線１８０は他の素子１９２と電気的に結合する。第一の線１８０は、半導体材料を含む回路の層にある。別の層にある第二の線１８２は、ゲート信号を受信するように結合できる。第二の線１８２は、複数個のチャネル域にて第一の線１８０と交差し、交差域の各々において、第一の線１８０はチャネルを具備している。チャネルは、第一および第二結合点１８４・１８６の間で直列である。第二の線１８２は導電性があり、ゲート信号を全部のチャネル域に伝える。第一の線１８０は、第一および第二結合点１８４・１８６のあいだの第一の線１８０の導電性が、第二の線１８２によってチャネル域に伝えられるゲート信号によって制御されるように位置決めされる。 （もっと読む）

【課題】 ＲＴＡによるアニール法は、微細化に限界がある。ＲＴＡによるアニール法は、加熱時間が数秒で、半導体基板全体が高温に加熱されるために不純物が半導体基板の深部へ拡散する恐れがあるため、今後のさらなる微細化に対応することが困難である。
【解決手段】レーザ光を非線形光学素子に通すことなく基本波のままとし、高強度、且つ、繰り返し周波数の高いパルスのレーザ光を不純物拡散層に照射してレーザアニールを行って不純物を電気的に活性化させることを特徴とする。本発明により、シリコン基板表面の薄い層を局所的に溶かして活性化することができる。また、一度のレーザ走査で活性化される領域の幅を拡大することができるため、格段に生産性を向上させることができる。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、改善されたコンタクトドーピングおよびアニール用システムならびにプロセスのために提供される。実施形態において、プラズマイオン浸漬注入（ＰＩＩＩ）プロセスは、ナノワイヤおよび他のナノ素子ベース薄膜デバイスのコンタクトドーピングのために用いられる。本発明のさらなる実施形態によれば、約１００ ｍＪ／ｃｍ^２未満（たとえば５０ｍＪ／ｃｍ^２未満、たとえば約２〜１８ｍＪ／ｃｍ^２）の比較的低いレーザフルエンスでレーザエネルギを用いるパルスレーザアニールを利用して、低温可撓性基板たとえばプラスチック基板などの基板上のナノワイヤおよび他のナノ素子ベースデバイスをアニールする。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタで構成された回路と積層素子とを集積化する。
【解決手段】絶縁性基板１０１上に形成された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ上に形成された層間絶縁膜と、コンタクト用の電極３０５が形成された積層素子とを有し、前記層間絶縁膜上に、前記薄膜トランジスタと接続する配線が設けられ、前記絶縁性基板１０１の裏面から前記絶縁性基板１０１と前記層間絶縁膜とを貫通しなおかつ前記配線と接続する端子２０６が設けられ、前記絶縁性基板１０１の裏面側にて前記端子２０６と前記コンタクト用の電極３０５が電気的に接続する。 （もっと読む）