【課題】従来の横型ＭＯＳＦＥＴ２０は、オン抵抗低減のために配置された比較的高い不純物濃度を有するＮ型不純物領域４４の近傍で空乏層ａが延びにくく、ゲート電極３９のドレイン側端部まで達せず、ドレイン側端部に集中する高電界でホットキャリアが発生し、Ｖｔが変動するという不具合があった。
【解決手段】本発明の横型ＭＯＳＦＥＴ１は、Ｐ^＋型ベース領域３５とＮ^＋＋型ドレイン領域３６の間のＮ⁻型半導体層３３の表面層に、Ｎ⁻型半導体層３３より高い不純物濃度を有するＮ^＋型高濃度領域５と、その表面層に、一端をＰ^＋型ベース領域３５に接しつつＮ^＋＋型ドレイン領域３６に向かって延在するＮ^＋型高濃度領域５よりも低い不純物濃度を有する複数のＮ⁻型低濃度領域６とを有する。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板などの耐熱性の低い支持基板にバッファ層を介して単結晶半導体層が固定された半導体基板を作製する。
【解決手段】加速された水素イオンを半導体基板に照射し、水素を多量に含んだ損傷領域を形成する。単結晶半導体基板と支持基板を接合させた後、半導体基板を加熱して損傷領域で単結晶半導体基板を分離する。単結晶半導体基板から分離された単結晶半導体層にレーザビームを照射する。レーザビームの照射により単結晶半導体層を溶融させることで、再結晶化することでその結晶性を回復させ、かつ単結晶半導体層の表面を平坦化させる。レーザビームの照射後、単結晶半導体層を溶融させない温度で加熱し、そのライフタイムを向上させる。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板など耐熱温度が低い基板を用いた場合にも、実用に耐えうる単結晶半導体層を備えた半導体基板の作製方法を提供することを目的の一とする。また、そのような半導体基板を用いた信頼性の高い半導体装置を作製することを目的の一とする。
【解決手段】単結晶半導体基板より支持基板に転載され、全領域においてレーザ光照射による溶融状態を経て再単結晶化された単結晶半導体層を有する半導体基板を用いる。従って、単結晶半導体層は結晶欠陥も低減され結晶性が高く、かつ平坦性も高い。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の大面積化を課題の一とする。または、大面積化に際して生じる問題点を解決することを課題の一とする。または、上記の半導体基板を用いた半導体装置の信頼性を向上することを課題の一とする。
【解決手段】半導体基板の大面積化を図るために、ベース基板としてガラス基板等の絶縁表面を有する基板を用いる。そして、該ベース基板に大型の半導体基板を用いて単結晶半導体層を形成する。なお、ベース基板には複数の単結晶半導体層を設けることが好ましい。その後、単結晶半導体層を、パターニングにより複数の単結晶半導体領域に切り分ける。そして、表面の平坦性を向上し、欠陥を低減するために、単結晶半導体領域に対してレーザー光を照射する、又は加熱処理を施す。該単結晶半導体領域の周縁部は半導体素子として用いずに、中央部を半導体素子として用いる。 （もっと読む）

【課題】耐熱性の低い基板をベース基板とするＳＯＩ基板で、レーザ光で表面を溶融させることにより、機械的な研磨が不要な半導体装置を提供する。
【解決手段】ベース基板１０１、絶縁層１１６、接合層１１４、半導体層１１５を有するＳＯＩ基板に、レーザー光１２２を照射することにより半導体層１１５上面を溶融させ、冷却、固化することで、機械的な研磨を行わなくても、平坦性が優れたＳＯＩ半導体装置を提供できる。また、レーザー光の端部が照射された領域の半導体層は半導体素子として用いずに、レーザー光の端部以外が照射された領域の半導体層を半導体素子として用いることにより、半導体装置の性能を大きく向上することができる。 （もっと読む）

【課題】表面の平坦性が高い単結晶半導体層を有するＳＯＩ基板を作製する。
【解決手段】半導体基板に水素をドープして、水素を多量に含んだ損傷領域を形成する。単結晶半導体基板と支持基板を接合させた後、半導体基板を加熱して損傷領域で単結晶半導体基板を分離する。単結晶半導体基板から分離された単結晶半導体層の分離面に加熱した高純度の窒素ガスを吹き付けながら、レーザビームを照射する。レーザビームの照射により単結晶半導体層を溶融させることで、単結晶半導体層の表面の平坦性を向上させ、かつ再単結晶化させる。 （もっと読む）

【課題】資源を有効活用でき、スループット良くＳＯＩ基板を製造できる技術を提供する。
【解決手段】イオンドーピング装置を用いてクラスターイオンを半導体ウェーハの一表面側から照射することにより、半導体ウェーハの一表面から所定の深さの領域に分離層を形成した後、絶縁表面を有する基板の一表面側と、半導体ウェーハの一表面側と、を重ね合わせて接合し、熱処理を行うことにより、分離層又は当該分離層の近傍を分離面として半導体ウェーハを分離させる工程Ａと、該工程Ａで分離された剥離ウェーハを再生処理する工程Ｂと、を含む。 （もっと読む）

高エネルギー注入プロセス（２０３）中に、高度な半導体デバイス（２００）のゲート電極構造（２５２）上に注入ブロック材料（２５８）を設けることによって、トランジスタ（２５０Ａ，２５０Ｂ）のチャネル領域（２５５）に対する必要な遮蔽効果を得ることができる。後の製造段階において、層間絶縁材料（２１０）の堆積時のプロセス条件を向上させるために、注入ブロック部分（２５８）が除去されてゲート電極高さ（２５３Ｈ）が所望の高さに低減され、これにより、高密度のデバイス領域であっても、層間絶縁材料（２１０）内にボイドなどの不規則性が形成されるリスクを大幅に低減することができる。
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【課題】配線に低抵抗な材料を用いることにより、画素部の大面積化に対応し得る半導体装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】
ゲート電極及び第１の配線上に形成された絶縁膜と、絶縁膜上にゲート電極と重なって形成された半導体層と、絶縁膜上に形成され、かつ、半導体層に電気的に接続された接続電極と、を有し、接続電極は、絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して第１の配線に電気的に接続され、ゲート電極及び第１の配線は、第１の導電層と、第１の導電層上の第２の導電層と、第２の導電層上の第３の導電層とでなる積層構造を有し、第２の導電層は、第１の導電層及び第３の導電層より低抵抗であり、第１の導電層及び第３の導電層は、第２の導電層より高融点の導電材料からなり、第２の導電層の端部における断面形状はテーパー形状であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】動作性能及び信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】スイッチング用ＴＦＴ４８０２及び消去用ＴＦＴ４８０７のＬＤＤ領域は、ゲート電極に重ならないように形成されており、オフ電流値の低減に重点を置いた構造となっている。電流制御用ＴＦＴ４８０４のＬＤＤ領域は、その一部又は全部がゲート電極に重なるように形成されており、オン電流値の確保と、ホットキャリア注入の防止に重点を置いた構造となっている。各部に求められる機能に応じて、同一基板上に異なる構造のＴＦＴを、共通の工程にて形成することで、半導体装置の動作性能及び信頼性を向上する。 （もっと読む）

【課題】生産コストを削減することができる半導体装置の作製方法の提案を課題とする。
【解決手段】ボンド基板の下に容器を配置した後、ボンド基板を劈開させることでボンド基板から形成される複数の第１の半導体膜を、容器に載置し、複数の第１の半導体膜を容器から拾い上げて、複数の第１の半導体膜どうしが離隔するようにベース基板に貼り、複数の第１の半導体膜をエッチングすることで、複数の第２の半導体膜を形成する半導体装置の作製方法。 （もっと読む）

【課題】生産コストを削減することができる半導体装置の作製方法、及び該作製方法を用いる製造装置の提案を課題とする。
【解決手段】ボンド基板（半導体基板）をベース基板（支持基板）に貼り合わせた後に、該ボンド基板を劈開させて半導体膜を形成するのではなく、先にボンド基板を複数箇所において劈開することで複数の第１の半導体膜（マザーアイランド）を形成してから、該複数の第１の半導体膜をベース基板に貼り合わせる。そして、上記複数の第１の半導体膜をそれぞれ部分的にエッチングすることで、１つの第１の半導体膜から単数または複数の第２の半導体膜（アイランド）を形成し、該第２の半導体膜を用いて半導体素子を作製する。複数の第１の半導体膜は、半導体素子が有する第２の半導体膜がレイアウトされるべき領域を少なくともカバーするように、上記レイアウトに合わせてベース基板に貼り合わせる。 （もっと読む）

【課題】スループット良くＳＯＩ基板を製造できる方法を提供する。
【解決手段】支持基板に半導体基板から分離させた半導体層を転置して、ＳＯＩ基板を製造する。まず、半導体層の基となる半導体基板を準備する。該半導体基板には所定の深さの領域に脆化層を形成し、且つ、一表面上に絶縁層を形成する。半導体基板と支持基板とを、絶縁層を間に挟んで重ね合わせて接合した後、半導体基板にレーザビームを選択的に照射して脆化層の脆化を進行させる。そして、物理的手段又は加熱処理により、脆化層の脆化を進行させた領域を始点として、半導体基板を分離する。 （もっと読む）

【課題】小面積化が可能、素子数が少なく構成が簡易、低消費電力動作、製造における高歩留まりが見込める電流記憶回路を実現する。また、この電流記憶回路をＯＬＥＤ表示装置等の電流駆動型の表示装置に適用することにより、表示装置の画素開口率の向上、高信頼性化、高性能化等を実現する。
【解決手段】ドレインまたはソースを複数有するトランジスタのような形状の新規な半導体素子を用いることを特徴とする。この半導体素子を書込み用素子と駆動用素子に用いる場合、電流値の読込み、記憶、そして電流出力が、この半導体素子二つで行うことができ、小面積化が著しく容易となる。 （もっと読む）

【課題】複数箇所に転置される半導体膜どうしの間隔が抑えられる、半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】第１の凸部を複数有する第１のボンド基板を、ベース基板に貼り合わせる。そして、第１のボンド基板を複数の第１の凸部において分離させることで、ベース基板上に複数の第１の半導体膜を形成する。次に、第２の凸部を複数有する第２のボンド基板を、ベース基板の第１の半導体膜とは異なる領域に、複数の第２の凸部が重なるよう、ベース基板に貼り合わせる。そして、第２のボンド基板を複数の第２の凸部において分離させることで、ベース基板上に複数の第２の半導体膜を形成する。第２のボンド基板は、複数の第２の凸部の、第２のボンド基板に対して垂直方向（深さ方向）における幅が、先に形成される第１の半導体膜の膜厚より大きいものとする。 （もっと読む）

【課題】イオンの照射に起因する問題を解決した、良好な特性が得られる半導体基板を提供することを課題とする。
【解決手段】単結晶半導体基板の表面から所定の深さに損傷領域を形成し、単結晶半導体基板の表面をプラズマ処理し、プラズマ処理された単結晶半導体基板の表面に、絶縁層を形成し、絶縁層を介して、単結晶半導体基板を、絶縁表面を有する基板に貼り合わせ、単結晶半導体基板を、損傷領域で分離して、絶縁表面を有する基板上に単結晶半導体層を形成する。これにより、単結晶半導体層と絶縁層との界面における欠陥を低減した半導体基板を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】電気的特性の向上した半導体装置を製造することが可能な半導体装置製造用基板を提供する。
【解決手段】単結晶半導体基板の一表面上にシリコンと酸素とを組成に含む絶縁膜及びシリコンと窒素とを組成に含む絶縁膜を順に積層形成し、単結晶半導体基板に分離層を形成し、シリコンと酸素とを組成に含む絶縁膜にハロゲンイオンを照射して該シリコンと酸素とを組成に含む絶縁膜にハロゲンを含ませた後、シリコンと窒素とを組成に含む絶縁膜上に絶縁膜を形成する。半導体基板及び支持基板を、半導体基板側から順に積層されたシリコンと酸素とを組成に含む絶縁膜、シリコンと窒素とを組成に含む絶縁膜、及び絶縁膜を間に挟んで重ね合わせて接合し、分離層を境として半導体基板の一部を分離させる。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＯＳトランジスタを形成する場合、ＮＭＯＳトランジスタのソース／ドレイン領域とＰＭＯＳトランジスタのソース／ドレイン領域とは別々の露光工程を用いて形成されており、ＮＭＯＳトランジスタとＰＭＯＳトランジスタの少なくとも片方のＭＯＳトランジスタの特性が低下する頻度は増える。よってＣＭＯＳトランジスタの特性がばらつくという課題がある。
【解決手段】各々厚みが異なる第１レジスト層４１、第２レジスト層４２、第３レジスト層４３を用い、ＰＭＯＳ領域４４のソース／ドレイン領域４４ｓｄと、ＮＭＯＳ領域４５のソース／ドレイン領域４５ｓｄとを、同一のレジストマスクを用いて形成する。１度のフォトリソグラフ工程で、ソース／ドレイン領域４４ｓｄと４５ｓｄを形成することができる。そのため、位置合わせ工程でのずれに起因する性能の低下が抑えられ、高性能な半導体装置の製造方法を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】結晶の面方位が制御された結晶性半導体膜を用いることで、均一なシリサイド膜を作製する方法及び、該シリサイド膜を用いた絶縁基板に形成された電気的特性のばらつきの小さい薄膜トランジスタの作製方法に関する。
【解決手段】キャップ膜を有する半導体膜を所定の条件でレーザ結晶化することにより結晶の面方位が一方向に制御された大粒径結晶からなる結晶性半導体膜を形成し、その結晶性半導体膜をシリサイドに用いることで、均一なシリサイド膜を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の動作特性を向上させ、かつ、低消費電力化を図る。特に、オフ電流値が低く、バラツキの抑えられたＴＦＴを得ることを課題とする。
【解決手段】シリコンの結晶化を助長する金属元素を用いて結晶化された第１のシリコン膜の金属元素をゲッタリングするために、希ガスを含み且つ非晶質構造を有する第２のシリコン膜を使用する。また、雰囲気を変えて２回レーザー照射を行う。２回目のレーザー照射は照射領域が不活性気体雰囲気となるようにして行うと第１のシリコン膜の平坦性が向上される。 （もっと読む）