【課題】 信頼性の高いＴＦＴ構造を用いた半導体装置を実現する。
【解決手段】 ＴＦＴに利用する絶縁膜、例えばゲート絶縁膜、保護膜、下地膜、層間絶縁膜等として、ボロンを含む窒化酸化珪素膜（ＳｉＮ_Ｘ Ｂ_Ｙ Ｏ_Ｚ ）をスパッタ法で形成する。その結果、この膜の内部応力は、代表的には−５×１０^１０ｄｙｎ／ｃｍ^２ 〜５×１０^１０ｄｙｎ／ｃｍ^２ 、好ましくは−１０^１０ｄｙｎ／ｃｍ^２ 〜１０^１０ｄｙｎ／ｃｍ^２ となり、高い熱伝導性を有するため、ＴＦＴのオン動作時に発生する熱による劣化を防ぐことが可能となった。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板と単結晶半導体基板とを貼り合わせてＳＯＩ基板を作製する際のシリコン層の表面の荒れを抑制することを目的の一とする。または、上記荒れを抑えて歩留まりの高い半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】ボンド基板に加速されたイオンを照射して該ボンド基板に脆化領域を形成し、ボンド基板またはベース基板の表面に絶縁層を形成し、絶縁層を介してボンド基板とベース基板を貼り合わせると共に、ボンド基板とベース基板の一部に貼り合わない領域を形成し、熱処理を施すことにより、脆化領域においてボンド基板を分離して、ベース基板上に半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】素子面積の増大を抑制しつつ、高いＯＮ／ＯＦＦ比と安定動作を実現できるようにした半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＢＯＸ層１と、ＢＯＸ層１上に形成されたＳＯＩ層２と、ＳＯＩ層２に形成された部分空乏型のトランジスター１０と、を備え、トランジスター１０は、ＳＯＩ層２上に絶縁膜を介して形成されたゲート電極１４と、ゲート電極１４の両側下のＳＯＩ層２に形成されたＮ型のソース１５又はドレイン１６と、ソース１５の下部に設けられたＮ型の不純物層１７、とを有し、不純物層１７は、ボディ領域２と接し、且つ、ソース１５よりもＮ型の不純物濃度が低い。 （もっと読む）

【課題】フローティングゲート電極を備えた不揮発性メモリ素子の駆動電圧を高くすることなく、不揮発性メモリ素子、および厚いゲート絶縁膜を備えた高耐圧型トランジスタを同一基板上に形成する。
【解決手段】不揮発性メモリ素子の島状半導体領域とフローティングゲート電極間、および、トランジスタの島状半導体領域とゲート電極間には、第１の絶縁膜と第２の絶縁膜の積層膜が形成されている。第１の絶縁膜はフローティングゲート電極と重なる部分が除去されており、島状半導体領域とフローティングゲート電極間の絶縁膜が、トランジスタのゲート絶縁膜よりも薄くされている。トランジスタはフローティングゲート電極と同じ層に形成されている導電膜と、コントロールゲート電極と同じ層に形成されている導電膜とを有し、これら２つの導電膜は電気的に接続され、トランジスタのゲート電極として機能する。 （もっと読む）

【課題】高精彩・高解像度・高画質・低消費電力の小型半導体表示装置を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体表示装置は、画素マトリクス回路、データ線駆動回路、および走査線駆動回路を有しており、これらの構成要素が多結晶ＴＦＴによって同一基板上に形成される。また、その製造方法における、触媒元素を用いた結晶性の助長化プロセス、および触媒元素のゲッタリングプロセスによって、小型にもかかわらず、高精細・高解像度・高画質の半導体表示装置が提供される。 （もっと読む）

【解決手段】
トランジスタのドーパントプロファイルは、その場で(in situ)ドープされた歪誘起半導体合金に基いて得ることができ、段階的なドーパント濃度が高さ方向に沿って確立され得る。その結果、半導体合金をチャネル領域にごく近接して位置させることができ、それにより全体的な歪誘起効果を高めることができる一方で、最終的に得られるドーパントプロファイルについて過度に妥協しなくてよい。更に、半導体合金を選択的に成長させるのに先立ち追加的な注入種が組み込まれてよく、それにより内部歪の注入誘起緩和を回避することができる。 （もっと読む）

【課題】平坦性の向上により、ＴＦＴの移動度を向上させ、ＴＦＴのオフ電流を低減する
。
【解決手段】基板上に非晶質構造の半導体膜を形成する工程と、前記半導体膜上に結晶化
を促進する金属元素を添加する工程と、加熱処理を行って、前記半導体膜を結晶構造の半
導体膜とする工程と、前記結晶構造の半導体膜に第１のレーザー光を照射する工程と、前
記結晶構造の半導体膜に第２のレーザー光を照射する工程とを有する。レーザー光を照射
する工程を２回設けることにより、結晶構造の半導体膜の平坦化を向上させることができ
る。その結果、ＴＦＴの移動度を向上させ、ＴＦＴのオフ電流を低減させることができる
。 （もっと読む）

【課題】イオン注入によりアモルファス化された領域に光照射による活性化を行った場合に、表面に凹凸が発生するのを防止した薄膜半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上にそれぞれ形成されたｎチャネル島状半導体層４ａ及びｐチャネル島状半導体層４ｂ、前記島状半導体層４ａ，４ｂ上に形成されたゲート絶縁膜５、及び前記ゲート絶縁膜５上にそれぞれ形成されたゲート電極６ａ，６ｂを具備し、前記ｎチャネル島状半導体層４ａへのｎ型不純物のイオン注入によりアモルファス化された領域の深さｔ１，ｔ３と、前記ｐチャネル島状半導体層４ｂへのｐ型不純物のイオン注入によりアモルファス化された領域の深さｔ１，ｔ２とは、それぞれほぼ同じであるようにイオン注入を行なう。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ層のばらつきによる耐圧の依存性が低く、素子面積を小さくすることが可能なＥＳＤ保護素子を提供すること。
【解決手段】ＢＯＸ酸化膜、Ｎ＋埋込層、及びＰ型ＳＯＩ層が順に積層された略直方体形状のＳＯＩ基板と、前記ＳＯＩ基板におけるＰ型ＳＯＩ層側の第１の矩形面において、対向する二辺に沿ってそれぞれ形成されたドレイン及びソースと、前記ＳＯＩ基板における、前記第１の面の前記ドレイン及びソースが沿って形成された二辺に直交する二面に形成された絶縁ゲートと、保護対象装置の入力端子における電圧を検出する電圧検出手段と、を備え、前記電圧検出手段により閾値電圧を超える電圧が検出されたときに、前記絶縁ゲートが駆動されることを特徴とする、ＥＳＤ保護素子。 （もっと読む）

【課題】表示領域の周辺にＣＭＯＳＴＦＴ用いて駆動回路を形成した表示装置において、ＣＭＯＳＴＦＴを構成するＰＭＯＳＴＦＴの特性を安定化させる。
【解決手段】ＣＭＯＳＴＦＴにおける右側のＰＭＯＳＴＦＴにおいて、Ｎ型のチャネル領域８とチャネル幅方向周辺にＰ型領域７ｂが形成されている。Ｐ型であるソース領域１４において、第１のＮ型領域１２ｂをチャネル領域のＰ型領域７ｂに接して形成し、第１のＮ型領域１２ｂに接してそれよりも不純物密度の大きい第２のＮ型領域１１ａを形成する。第１および第２のＮ型領域とＰ型であるソース領域１４に形成されるＰＮ接合によってチャネル部周辺のＰ型領域７ｂを通過する電流を抑制し、ＰＭＯＳＴＦＴの特性を安定化する。 （もっと読む）

【課題】良好な結晶性を有し高性能な半導体素子を形成することを可能とする半導体基板を提供する。
【解決手段】脆化層を有する単結晶半導体基板と、ベース基板とを絶縁層を介して貼り合わせ、熱処理によって、脆化層を境として単結晶半導体基板を分離して、ベース基板上に単結晶半導体層を固定し、単結晶半導体層にレーザ光を照射し、単結晶半導体層を部分溶融状態として再結晶化し、結晶欠陥を修復する。また、単結晶半導体層の結晶性を最良とするレーザ光のエネルギー密度をマイクロ波光導電減衰法によって検出する。 （もっと読む）

【課題】例えば液晶装置等の電気光学装置などに用いる薄膜トランジスタとその製造方法および電気光学装置とその製造方法ならびに電子機器に係り、上記トランジスタのリーク電流を充分に低減できると共に、充分なオン電流を確保できるようにする。
【解決手段】半導体層３と、前記半導体層３に絶縁膜４を介して設けられたゲート電極５とを備えた薄膜トランジスタ１であって、前記半導体層３は、前記ゲート電極５と重なる領域において、チャネル領域３０と、前記チャネル領域３０よりも不純物濃度の大きい高濃度不純物領域３１ａ、３５を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板が設置されたステージをＸ方向やＹ方向に移動させるレーザー照射装置は、基板が大型化した場合、比例してフットプリント（処理に必要とされる平面での面積）が格段に大きくなり、装置全体の巨大化を招く問題が生じてしまう。
【解決手段】本発明のレーザ照射装置は、ガルバノミラーやポリゴンミラーによりレーザー光を半導体膜に照射して走査させ、さらにレーザー光照射の際は、常に半導体膜への入射角度θをある角度に一定に保つ。 （もっと読む）

【解決手段】
ＦｉｎＦＥＴＳ及びトライゲートトランジスタのような三次元トランジスタ構造が、強化されたマスキング形態によって形成することができ、それによりバルク半導体材質内での自己整合手法によるドレイン及びソース区域（２１１Ｄ，２１１Ｓ）、フィン（２１０）並びに分離構造（２０８Ａ）の形成が可能になる。基本フィン構造（２１０）を画定した後、プレーナトランジスタ構造の高度に効率的な製造技術を用いることができ、それにより三次元トランジスタ構造の総合的な性能を更に高めることができる。 （もっと読む）

【課題】樹脂基板等の可撓性を有する基板を用いて、柔軟性を有する半導体装置を作製するための技術を提供する。
【解決手段】分離層を有する固定基板上に樹脂基板を形成する工程と、前記樹脂基板上に少なくともＴＦＴ素子を形成する工程と、前記分離層にレーザー光を照射することにより、前記分離層の層内または界面において前記固定基板から前記樹脂基板を剥離する工程とを行い、前記樹脂基板を用いた柔軟性を有する表示装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】高性能な半導体素子を形成することを可能とする半導体基板および半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】脆化層を有する単結晶半導体基板と、ベース基板とを絶縁層を介して貼り合わせ、熱処理によって、脆化層を境として単結晶半導体基板を分離して、ベース基板上に単結晶半導体層を固定する。次いで、モニタ基板の複数の領域に対して互いに異なるエネルギー密度条件でレーザ光を照射し、レーザ光を照射後の単結晶半導体層のそれぞれの領域の炭素濃度及び水素濃度の深さ方向の濃度分布を測定し、炭素濃度が極大を有し、且つ水素濃度がショルダーピークを有するレーザ光の照射強度を最適なレーザ光の照射強度とする。モニタ基板を用いて検出した最適のエネルギー密度で、単結晶半導体層にレーザ光を照射し、半導体基板を作製する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板における半導体層表面の平坦性を向上させることを目的の一とする。又は、半導体基板の生産性を向上させることを目的の一とする。
【解決手段】単結晶半導体基板の一表面にイオンを照射して損傷領域を形成し、単結晶半導体基板の一表面上に絶縁層を形成し、絶縁表面を有する基板の表面と絶縁層の表面とを接触させて、絶縁表面を有する基板と単結晶半導体基板とを貼り合わせ、加熱処理を施すことにより、損傷領域において単結晶半導体基板を分離して絶縁表面を有する基板上に単結晶半導体層を形成し、単結晶半導体層をパターニングして複数の島状半導体層を形成し、島状半導体層の一に、該島状半導体層の全面を覆うように成形されたレーザ光を照射する。 （もっと読む）

【課題】貼り合わせに係る不良を低減した均質な半導体基板を提供することを課題の一とする。
【解決手段】基板配置領域に複数の開口が設けられた基板支持台と、複数の開口の各々に配置された基板支持機構と、基板支持機構を昇降させる昇降機構と、基板支持台に対する基板支持機構と昇降機構の位置を調節する位置調節機構と、を有する基板貼り合わせ室の基板配置領域に第１の基板を配置し、第１の基板の上方に、第１の基板と接触しないように第２の基板を配置し、基板支持機構を上昇させることにより、第１の基板と前記第２の基板を接触させて、第１の基板と第２の基板の貼り合わせを行い、貼り合わせの後、第１の基板と前記第２の基板を搬送する前に、１５０℃以上４５０℃以下の加熱処理を施す。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板等の耐熱性の低いベース基板にバッファ層を介して、複数の単結晶半導体層が固定された半導体基板を作製する。
【解決手段】水素イオンを半導体基板に添加し、水素を多量に含んだ損傷領域と、バッファ層が形成された単結晶半導体基板を複数枚準備する。ベース基板に、この単結晶半導体基板を１枚または複数固定し、周波数が３００ＭＨｚ以上３００ＧＨｚ以下の電磁波を照射してベース基板上の単結晶半導体基板を損傷領域で分割する。単結晶半導体基板の固定と、電磁波の照射を繰り返して、ベース基板上に、必要な数の単結晶半導体基板が固定された半導体基板を作製する。さらに、この半導体基板の単結晶半導体層にレーザ光を照射して、溶融させ、再結晶化させる。 （もっと読む）

【課題】本来、露光光の一部を残すべく配置された半透過パターンとなる狭いライン＆スペースパターンに、例えば別のレイヤに位置するコンタクト領域が重なった場合、電気的には断線と判断されるため、ルール違反として排除されてしまう。即ち、デザインルールチェッカを用いて検証することが困難であるという課題がある。
【解決手段】狭いライン＆スペースパターンを含む領域を第２領域とし、第２領域に隣接する通常パターンとを一つの集合パターンとして扱う。第２パターンを含むマスクを用いた場合、第２の黒領域と白領域とを透過する光強度が平均化されて中間調の光強度を得る正常なパターンとして扱うことができるため、ＤＲＣや、ＬＶＳ、及びＥＲＣ等、ルールチェッカにより処理することが可能となり、バグ発生を抑え、より正確なレイアウトパターンを得ることができる。 （もっと読む）