【課題】画質劣化を抑制することが可能な表示装置および電子機器を提供する。
【解決手段】有機ＥＬ表示装置１は、駆動側基板１０上に、有機ＥＬ素子１０Ａと、トランジスタ１０Ｂと、映像信号に対応する電荷を保持する保持容量素子１０Ｃとを備えたものである。保持容量素子１０Ｃは、酸化物半導体よりなる半導体層１１上に絶縁膜１２Ｂを介して導電膜１３Ｂを有し、かつ半導体層１１上の選択的な領域に、導電膜１３Ｂおよび絶縁膜１２Ｂのうちの少なくとも一部が除去されてなる凹部を有している。保持容量素子１０Ｃでは、そのような凹部を通じて、半導体層１１の酸化物半導体から酸素が離脱し易くなり、これにより、印加電圧に依存する容量変動が抑制される。 （もっと読む）

【課題】微細化による電気特性の変動が生じにくい半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の領域と、第１の領域を介して対向する一対の第２の領域と、を含む酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上に設けられるゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられて、かつ第１の領域に重畳する第１の電極と、を有し、第１の領域は、ｃ軸配向した結晶部を有する非単結晶の酸化物半導体領域であり、一対の第２の領域は、ドーパントを含んで、かつ複数の結晶部を有する酸化物半導体領域であることを特徴とする半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】特性の異なるＴＦＴを同一基板上に形成する場合、フォトマスク数を増やすことで特性の異なるＴＦＴを形成すると、ＴＡＴが延び、価格も高騰するという課題があった。
【解決手段】１つのハーフトーンマスクを用いて、第２領域１５６とチャネル前駆体１６１ａとソース・ドレイン前駆体１６５ａとで膜厚の異なる段差レジストを形成する。ＮＭＯＳＴＦＴのチャネル前駆体１６１ａには低加速エネルギーでは不純物が透過せず、高加速エネルギーでは不純物が通るレジスト膜厚の設定とし、ソース・ドレイン前駆体１６５ａではレジストを開口させた。まず低加速エネルギーでソース・ドレイン前駆体１６５ａにイオン注入し、次に、高加速エネルギーでチャネル前駆体１６１ａにイオン注入する。第２領域１５６では２回の注入で、不純物が透過しないレジスト膜厚に設定する。 （もっと読む）

【課題】駆動用トランジスタと、スイッチング用トランジスタを有する発光装置において、トランジスタのばらつきを低減する。
【解決手段】駆動用トランジスタと、スイッチング用トランジスタを有する発光装置において、駆動用トランジスタのチャネル幅をチャネル長よりも小さくする。その際、ゲート配線と平行にアノード側電源線を設けて、フルカラー表示を行う。 （もっと読む）

【課題】工程を複雑にすることなく、多結晶シリコン膜に回路特性に適した複数の異なる
ゲート絶縁膜厚を有する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を同一基板に形成することができる
薄膜半導体装置とその製造方法を提供。
【解決手段】ガラス基板上に形成した多結晶シリコン膜に駆動電圧が異なるＴＦＴを混載
する際に、低電圧駆動ＴＦＴではチャネル領域の不純物をアクセプタがより多くなるよう
にしあるいはドナーがより少なくなるようにし、高電圧駆動ＴＦＴではチャネル領域の不
純物をドナーがより多くなるようにしあるいはアクセプタがより少なくなるようにする。 （もっと読む）

【課題】発光装置を製造するときに生じ得る静電気に起因した素子の損傷を低減することのできる発光装置の製造方法について提供することを課題とする。また、静電気に起因した素子の損傷による不良が低減された発光装置を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明の発光装置の製造方法は、発光素子を駆動するためのプレーナ型のトランジスタを作製する工程を有する。そして、トランジスタを作製する工程において、活性層として機能する半導体層を形成するときに、行方向及び列方向に延びた格子状の第１の半導体層を基板上に形成すると共に、前記第１の半導体層の間に、島状に分離した第２の半導体層を複数形成することを特徴としている。ここで、第２の半導体層は、トランジスタの活性層として機能する層である。 （もっと読む）

【課題】チャネルドープを含む製造工程を簡略化できる半導体装置の製造方法、半導体装置、電気光学装置および電子機器を提供すること。
【解決手段】本適用例の半導体装置の製造方法は、基板に半導体膜としての多結晶半導体膜１４ａを形成する工程と、多結晶半導体膜１４ａ上に、少なくとも２つの異なる膜厚を有し、それぞれが孤立したレジストパターン１６，１７を形成するレジスト形成工程と、該レジストパターン１６，１７をマスクとして多結晶半導体膜１４ａに第一不純物の注入を行う第一不純物注入工程と、該レジストパターン１６，１７に沿って多結晶半導体膜１４ａをエッチングするエッチング工程と、該レジストパターン１６，１７を剥離する工程とを有し、第一不純物注入工程は、レジストパターン１６，１７の膜厚の差に基づいて、第一不純物の注入、非注入を制御することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高温処理プロセスを適用することなく、酸化物半導体膜を効率的に製造できる薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】
基板１上にゲート電極２を所定のパターンで形成する工程と、ゲート電極２を覆うゲート絶縁膜３を所定のパターンで形成する工程と、ゲート絶縁膜３上にアモルファス酸化物膜４’を所定のパターンで形成する工程と、アモルファス酸化物膜４’上にソース電極６Ｓ及びドレイン電極６Ｄを所定のパターンで形成する工程と、ソース・ドレイン電極６Ｓ，６Ｄ間で露出するアモルファス酸化物膜４’を少なくとも覆う保護膜７を形成する工程とを有する。このアモルファス酸化物膜４’の形成工程では、ＲＦスパッタリング法でアモルファス酸化物膜４’を成膜し、保護膜７の形成工程では、ＲＦスパッタリング法で保護膜７を成膜して、アモルファス酸化物膜４’を半導体化する。 （もっと読む）

【課題】被剥離層に損傷を与えない剥離方法を提供し、小さな面積を有する被剥離層の剥離だけでなく、大きな面積を有する被剥離層を全面に渡って歩留まりよく剥離することを可能とすることを目的としている。また、様々な基材に被剥離層を貼りつけ、軽量された半導体装置およびその作製方法を提供することを課題とする。特に、フレキシブルなフィルムにＴＦＴを代表とする様々な素子を貼りつけ、軽量された半導体装置およびその作製方法を提供する。
【解決手段】基板上に第１の材料層１１を設け、前記第１の材料層１１に接して第２の材料層１２を設け、さらに積層成膜または５００℃以上の熱処理やレーザー光の照射処理を行っても、剥離前の第１の材料層が引張応力を有し、且つ第２の材料層が圧縮応力であれば、物理的手段で容易に第２の材料層１２の層内または界面において、きれいに分離することができる。 （もっと読む）

【課題】さらなる低温プロセス（３５０℃以下、好ましくは３００℃以下）を実現し、安
価な半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明は、結晶構造を有する半導体層１０３を形成した後、イオンドーピン
グ法を用いて結晶質を有する半導体層１０３の一部にｎ型不純物元素及び水素元素を同時
に添加して不純物領域１０７（非晶質構造を有する領域）を形成した後、１００〜３００
℃の加熱処理を行うことにより、低抵抗、且つ非晶質な不純物領域１０８を形成し、非晶
質な領域のままでＴＦＴのソース領域またはドレイン領域とする。 （もっと読む）

【課題】動作性能および信頼性の高い液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第１のチャネル形成領域７１３と、第１のソース領域及び第１のドレイン領域と、ゲート絶縁膜と、第１のゲート電極とを備えた第１のＴＦＴと、第２のチャネル形成領域７１４と、第２のソース領域及び第２のドレイン領域と、ゲート絶縁膜と、第２のゲート電極とを備えた第２のＴＦＴと、第１のＴＦＴ及び第２のＴＦＴ上に設けられた第１の絶縁膜６６４と、第１のソース領域及び第１のドレイン領域の一方と接続されたソース配線６６８と、第１のソース領域及び第１のドレイン領域の他方と接続し、且つ第２のゲート電極に接続された第１のドレイン配線と、第１の絶縁膜上に設けられ、第２のソース領域及び第２のドレイン領域の一方に接続された第２のドレイン配線６７２と、第１の絶縁膜上に設けられ、第２のソース領域及び第２のドレイン領域の他方に接続された電流供給線と、を有する。 （もっと読む）

【課題】安定した特性を有するセルフアライン構造の薄膜トランジスタを備えた表示装置、およびこの表示装置を備えた電子機器を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ１の第１酸化物半導体膜２０のソース領域２０Ｓおよびドレイン領域２０Ｄの上面から深さ方向における少なくとも一部に、チャネル領域２０Ａよりも酸素濃度が低い第１低抵抗領域２１を設ける。基板１１の薄膜トランジスタ１が設けられた領域以外の領域に第２酸化物半導体膜８０を設け、上面から深さ方向における少なくとも一部に、チャネル領域２０Ａよりも酸素濃度が低い第２低抵抗領域８１を設ける。薄膜トランジスタ１，第２酸化物半導体膜８０および基板１１を高抵抗膜５０で覆い、この高抵抗膜５０のうち、第１低抵抗領域２１に接する領域に第１透光領域５１を設け、第２低抵抗領域８１に接する領域に第２透光領域５２を設ける。 （もっと読む）

【課題】本発明は、良質な酸化物半導体のチャネル領域と、チャネル領域の抵抗率よりも低い抵抗率でソース・ドレイン領域にも適用可能な低抵抗領域とが形成され、オン電流、キャリア移動度及び信頼性が高く、ヒステリシス性が小さい良好な電気特性を、工程数を増やすことなく実現できる半導体デバイス及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】酸化物半導体をチャネル材料に用いた半導体デバイスの製造方法であって、
薄膜領域２１と、該薄膜領域よりも膜厚の厚い厚膜領域２２、２３とを有する酸化物半導体膜２０を形成する工程と、
前記酸化物半導体膜にエネルギービームを照射し、前記薄膜領域と前記厚膜領域の抵抗率を膜厚に応じて変化させる工程と、
前記薄膜領域をチャネル領域２１ａとし、前記厚膜領域を低抵抗領域２２ａ、２３ａとして前記半導体デバイスを形成する工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】製造コストの削減が可能であるとともに、安定したトランジスタ特性を得ることを可能とする。
【解決手段】 絶縁基板上に酸化物半導体薄膜を形成し、前記酸化物半導体薄膜の第１領域上に積層されたゲート絶縁膜及びゲート電極を形成するとともに、前記酸化物半導体薄膜の前記第１領域を挟んだ両側に位置する第２領域及び第３領域を前記ゲート絶縁膜から露出し、前記酸化物半導体薄膜の前記第２領域及び前記第３領域、前記ゲート絶縁膜、及び、前記ゲート電極を覆う窒化シリコン（ＳｉＮ）からなる層間絶縁膜を形成し、前記層間絶縁膜に、前記第２領域に到達する第１コンタクトホール及び前記第３領域に到達する第２コンタクトホールを形成し、前記第１コンタクトホールから前記第２領域にコンタクトしたソース電極、及び、前記第２コンタクトホールから前記第３領域にコンタクトしたドレイン電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】動作速度を簡易に向上させることが可能な薄膜トランジスタ、ならびにそのような薄膜トランジスタを用いた表示装置および電子機器を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ１は、ゲート電極１４１と、チャネルを構成するキャリア走行層１２１とこのキャリア走行層１２１へキャリアを供給するためのキャリア供給層１２２とを含む多層膜からなる酸化物半導体層１２と、ゲート電極１４１と酸化物半導体層１２との間に設けられたゲート絶縁膜１３１と、ソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂとを備えている。酸化物半導体層１２におけるソース・ドレイン領域１２ＳＤとゲート電極１４１の形成領域とは、互いに離隔している。従来のような複雑な構造を形成することなく、キャリアに対する走行散乱およびチャネルに対するアクセス抵抗を抑えてキャリアの移動度を向上させることができると共に、寄生容量の形成も回避することができる。 （もっと読む）

【課題】照射された水素イオンの単結晶半導体基板からの脱離を抑制する。
【解決手段】半導体基板中に炭素イオンを照射し、当該炭素イオンが照射された半導体基板中に、水素イオンを照射することにより、当該半導体基板中に脆化領域を形成し、当該半導体基板の表面及びベース基板の表面を対向させ、接触させることにより、当該半導体基板及び当該ベース基板を貼り合わせ、貼り合わせた当該半導体基板及び当該ベース基板を加熱し、当該脆化領域において分離させることにより、当該ベース基板上に半導体層を形成するＳＯＩ基板の作製に関する。 （もっと読む）

【課題】薄膜の応力を用いて、トランジスタのしきい値電圧を変化させる。
【解決手段】第１のチャネル形成領域を有する第１の半導体層と、第２のチャネル形成領域を有する第２の半導体層に対して、それらの上に形成された薄膜の応力を用いて、トランジスタのしきい値電圧を異ならせることができる。これらを電気的に接続することで、Ｅ／Ｄ ＭＯＳ回路を提供できる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の開口率を向上することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に第１の薄膜トランジスタを有する画素部と第２の薄膜トランジ
スタを有する駆動回路を有し、画素部の薄膜トランジスタは、ゲート電極層、ゲート絶縁
層、膜厚の薄い領域を周縁に有する酸化物半導体層、酸化物半導体層の一部と接する酸化
物絶縁層、ソース電極層及びドレイン電極層、及び画素電極層とを有し、第１の薄膜トラ
ンジスタのゲート電極層、ゲート絶縁層、酸化物半導体層、ソース電極層、ドレイン電極
層、酸化物絶縁層、及び画素電極層は透光性を有し、駆動回路部の薄膜トランジスタのソ
ース電極層及びドレイン電極層は、保護絶縁層で覆われ、画素部のソース電極層及びドレ
イン電極層よりも低抵抗の導電材料である半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】樹脂基板等の可撓性を有する基板を用いて、柔軟性を有する半導体装置を作製す
るための技術を提供する。
【解決手段】分離層を有する固定基板上に樹脂基板を形成する工程と、前記樹脂基板上に
少なくともＴＦＴ素子を形成する工程と、前記分離層にレーザー光を照射することにより
、前記分離層の層内または界面において前記固定基板から前記樹脂基板を剥離する工程と
を行い、前記樹脂基板を用いた柔軟性を有する表示装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】気泡の除去を容易にするとともに変形を抑えた転写印刷用スタンプの製造方法および電子デバイスを提供する。
【解決手段】転写印刷用スタンプ５は、通気性シート３に樹脂を含浸させて通気性シート３を第１樹脂層１００中に含まれるように構成させている。これにより、第１樹脂層１００中に含まれる気泡を通気性シート３の隙間を通して容易に脱気させることができる。そのため、気泡によるパターン欠損などの問題を解消することができる。また、通気性シート３は、第１樹脂層１００中で骨格として機能するので、転写印刷用スタンプ５の強度を高めることができ、変形を抑えることができる。そのため、転写の寸法精度を高めることができ、大面積化させることができる。 （もっと読む）