【課題】本発明の目的は、移動度が高く、高ＯＮ／ＯＦＦ比を示す薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置を提供することである。
【解決手段】基板１上に、少なくとも、ゲート電極２、ゲート絶縁膜３、活性層４、ソース電極５−１及びドレイン電極５−２を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、前記活性層が酸化物半導体層であり、前記活性層と前記ソース電極及びドレイン電極の少なくとも一方との間に酸化物半導体層からなる抵抗層６を有し、前記活性層の電気伝導度が１０^−４Ｓｃｍ^−１以上１０^２Ｓｃｍ^−１未満であり、且つ、前記抵抗層の電気伝導度に対する前記活性層の電気伝導度の比率（活性層の電気伝導度／抵抗層の電気伝導度）が、１０^１以上１０^１０以下であり、前記ソース電極及びドレイン電極の少なくとも一方の前記抵抗層と接する面側がＴｉ又はＴｉ合金層８−１，８−２である薄膜電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】オン電流が大きな薄膜トランジスタを安価な印刷プロセスにより提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ１は、絶縁基板２、ゲート電極３、ゲート絶縁膜４、下層の半導体層５、ソース電極６、ドレイン電極７、上層の半導体層８からなっている。特に特徴的な構造として、半導体層が２層構成であり、下層の半導体層５とソース電極６及びドレイン電極７と上層の半導体層８が順次積層された構造をしている。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、移動度が高く、高ＯＮ／ＯＦＦ比を示す薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置を提供することである。
【解決手段】基板上に、少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁膜、活性層、ソース電極及びドレイン電極を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、前記活性層が酸化物半導体層であり、前記活性層と前記ソース電極及び前記ドレイン電極の少なくとも一方との間に前記活性層より電気伝導度の低い抵抗層を有し、前記活性層と前記抵抗層との間に前記活性層の酸化物半導体よりも酸素との結合力の強い元素種を含む酸化物を含有する中間層を有する薄膜電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】活性層にアモルファス酸化物半導体を用いたＴＦＴであって、駆動耐久性及び駆動安定性に優れたＴＦＴを提供する。
【解決手段】少なくとも、ゲート電極２、ゲート絶縁膜３、活性層４、ソース電極５−１及びドレイン電極５−２を有し、前記活性層が少なくともＩｎ及びＺｎを含有するアモルファス酸化物半導体を含有し、ゲート絶縁膜と活性層との間で少なくとも活性層と接するように積層されている第１界面層６１を有し、該第１界面層は活性層のアモルファス酸化物半導体よりＧａ又はＡｌを高い含有率で含有するアモルファス酸化物半導体を含有し、第１界面層とは反対側で活性層と接するように積層されている第２界面層６２を有し、該第２界面層は活性層のアモルファス酸化物半導体よりＧａ又はＡｌを高い含有率で含有するアモルファス酸化物半導体を含有する薄膜電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】 厚膜銅のパタン加工した断面を順テーパ形状にエッチングすることができ、配線パタンの上に積層する絶縁膜などのカバレッジを良くし、層間短絡などの不良発生を大きく低減可能な液晶表示装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 ガラス基板やインジウムを主成分とする透明導電膜を形成した基板上に、第一層を下層とし、第二層を上層とする積層膜から構成され、第一層は純銅、第二層は銅よりもウェットエッチング加工における溶解度が大きい銅を主成分とする合金で形成する。 （もっと読む）

【課題】１回のインクジェット吐出により基板上に、分離された複数の薄膜を成膜可能な有機薄膜トランジスタの製造方法を提供し、該製造方法によりＯｆｆ電流が低く、且つ、平均移動度が良好な有機薄膜トランジスタを提供し、且つ、該トランジスタを具備する表示装置を提供する。
【解決手段】基板上に、導電層、絶縁層、有機半導体層の少なくとも一層をインクジェットプロセスで成膜する工程を有する有機薄膜トランジスタの製造方法において、
該導電層、該絶縁層及び該有機半導体層の少なくとも一層を成膜する際、１回のインクジェット吐出によって、該基板上に、分離された複数の薄膜を成膜する工程を有することを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法。 （もっと読む）

【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置、及び該半導体装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】半導体層としてＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜を用い、半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との間にバッファ層が設けられた順スタガ型（トップゲート構造）の薄膜トランジスタを含むことを要旨とする。ソース電極層及びドレイン電極層と半導体層との間に、半導体層よりもキャリア濃度の高い金属酸化物層をバッファ層として意図的に設けることによってオーミック性のコンタクトを形成する。 （もっと読む）

【課題】強誘電体膜及びゲート電極間のリーク電流値を低減させると共に耐絶縁性を向上させる。
【解決手段】Ｓｉ基板１と、Ｓｉ基板１上に少なくともＨｆＳｉＯＮ膜２、強誘電体膜３ＨｆＳｉＯＮ膜４及びＣ_６０膜６が、この順で積層されたゲート構造を有しており、強誘電体膜３の、ＨｆＳｉＯＮ膜４と接する側の表面におけるＲａ値とＲｍｓ値との和の第１絶対値が、ＨｆＳｉＯＮ膜４の膜厚以下であり、かつ、ＨｆＳｉＯＮ膜４の、Ｃ_６０膜６と接している側の表面におけるＲａ値とＲｍｓ値との和の第２絶対値が３．０ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置、及び該半導体装置を量産性高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】ゲート電極層と、該ゲート電極層上にゲート絶縁層と、該ゲート絶縁層上に該ソース電極層及び該ドレイン電極層と、ソース電極層及びドレイン電極層上にバッファ層と、該バッファ層上に半導体層とを含む薄膜トランジスタを有し、ゲート電極層と重なる半導体層の一部は、ゲート絶縁層上に接し、且つ、ソース電極層とドレイン電極層の間に設けられ、半導体層はインジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む酸化物半導体層であり、バッファ層はｎ型の導電型を有する金属酸化物を含み、半導体層とソース電極層及びドレイン電極層とはバッファ層を介して電気的に接続する。 （もっと読む）

【解決手段】導電体層／絶縁体層／半導体層構造を有する有機電界効果トランジスターにおいて、式（１）及び／又は（２）のモノマーを重合又は共重合して得られる高分子物質と式（１）及び（２）以外の重合性及び／又は架橋性を示す有機化合物とを混合して形成された絶縁体層と、有機化合物からなる半導体層を含んでなる有機電界効果トランジスター。
ＣＨ₂＝ＣＨＣＯＯ−（ＣＨ₂）₂−ＣＮ （１）
ＣＨ₂＝Ｃ（ＣＨ₃）ＣＯＯ−（ＣＨ₂）₂−ＣＮ （２）
【効果】本発明によれば、導電体層／絶縁体層／半導体層構造を有するＴＦＴにおいて、半導体層及び絶縁体層材料の両者を有機化合物とし、絶縁体層を形成する物質として大きな比誘電率を有し、かつ水酸基を有さない高分子物質とこれとは別の重合性及び／又は架橋性を示す有機化合物とを混合した系で絶縁体層を形成することにより、通常アモルファスシリコン並の低電圧で動作するＯＦＥＴを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】集積密度の向上が容易に図れる半導体トランジスタ素子の製造方法及び半導体トランジスタ素子を提供する。
【解決手段】半導体トランジスタ素子１０においては、製造時において、ソース電極１８及びドレイン電極２０を、半導体インク滴を保持しうる凹部Ｐを有する構成とし、この凹部Ｐを有するソース電極１８及びドレイン電極２０の間に、半導体インク滴２２Ａを滴下することで半導体層２２を形成する。 （もっと読む）

【課題】 安定した特性を有する酸化物薄膜トランジスタ、およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】
酸化物半導体層９上面に積層するゲート絶縁層５を、酸化物半導体層９を覆う非フッ素系有機樹脂層５１と、非フッ素系有機樹脂層５１を覆うアモルファスパーフルオロ樹脂層５２とから構成した。ゲート絶縁層５の構成要素としてアモルファスパーフルオロ樹脂層５２を用いることにより、安定した特性を有する酸化物薄膜トランジスタ１が得られることが確認された。また、非フッ素系有機樹脂層５１の材質として、アモルファスパーフルオロ樹脂よりも誘電率の高いＰＶＰを採用したことにより、駆動電圧の低い酸化物薄膜トランジスタ１が得られることが確認された。これにより、性能の良い酸化物薄膜トランジスタ１を、簡単、且つ安価に得ることができる。 （もっと読む）

【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置、及び該半導体装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】半導体層としてＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜を用い、半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との間にバッファ層が設けられた順スタガ型（トップゲート構造）の薄膜トランジスタを含むことを要旨とする。ソース電極層及びドレイン電極層と半導体層との間に、半導体層よりもキャリア濃度の高いバッファ層を意図的に設けることによってオーミック性のコンタクトを形成する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体をチャネル形成領域とする薄膜トランジスタのオフ電流を低減することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体層をチャネル形成領域とする薄膜トランジスタであって、該酸化物半導体層のゲート絶縁層とは反対側（バックチャネル側）であって、保護膜である絶縁膜と接する面の酸素濃度を制御することを要旨とする。すなわち、当該酸化物半導体層のバックチャネル側の面の酸素濃度を高くして、オフ電流の低減を図らんとするものである。酸化物半導体の酸素濃度を高くすることで微結晶の生成が抑制され非晶質化する。酸化物半導体において酸素濃度が高く非晶質化した領域は高抵抗化するので、電流は流れにくくなる。 （もっと読む）

【課題】インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物半導体膜を用いる薄膜トランジスタにおいて、ソース電極またはドレイン電極のコンタクト抵抗を低減した薄膜トランジスタ及びその作製方法を提供することを課題の一つとする。
【解決手段】ソース電極層及びドレイン電極層とＩＧＺＯ半導体層との間に、ＩＧＺＯ半導体層よりもキャリア濃度の高いバッファ層を意図的に設けることによってオーミック性のコンタクトを形成する。 （もっと読む）

有機半導体材料を、共有結合により結合する少なくとも１つの電子吸引置換基を有し、かつ、前記有機半導体材料の最高被占分子軌道（ＨＯＭＯ）から最低空分子軌道（ＬＵＭＯ）への電子移動を可能にするために十分である前記ＬＵＭＯを有するフラーレン誘導体によりドープすることを含む、半導体材料を製造する方法が提供される。また、これらの半導体材料からなる、トランジスタ、太陽電池、照明装置、ＯＬＥＤおよび検出器のような電子デバイスも提供される。 （もっと読む）

【課題】ゲート構造にＩＦＩ構造が含まれるＭＦＳ型メモリの強誘電体ゲート電界効果トランジスタにおいて、強誘電体膜の強誘電体特性及びトランジスタの電気特性の劣化を防止する。
【解決手段】Ｓｉ基板１と、Ｓｉ基板１上に少なくともＨｆＳｉＯＮ膜２、強誘電体膜３及びＨｆＳｉＯＮ膜４が、この順で積層されたゲート構造を有しており、ＨｆＳｉＯＮ膜２及びＨｆＳｉＯＮ膜４は、強誘電体膜３を加熱処理によって形成する焼成温度で非晶質である。 （もっと読む）

【課題】構造的に安定でありながらもチャネル部におけるキャリア移動度が確保された特性の良好なボトムコンタクト・トップゲート型の薄膜トランジスタを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】基板１１の表面側に埋め込まれたソース電極１３ｓおよびドレイン電極１３ｄと、ソース電極１３ｓおよびドレイン電極１３ｄとこれらの間の基板１１とに接する状態で基板１１上に設けられた半導体層１５と、半導体層１５上に設けられたゲート絶縁膜１７と、ソース電極１３ｓ−ドレイン電極１３ｄ間における半導体層１５上にゲート絶縁膜１７を介して設けられたゲート電極１９とを備えた半導体装置１である。 （もっと読む）

【課題】絶縁体上にもグラファイト層を容易に形成することができる集積回路装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁基板１上に触媒層２を形成し、その上にサポート層３を形成しておく。触媒層２としてＣｏ層を形成し、サポート層としてＴｉＮ層を形成する。これらは、例えばスパッタリング法により形成する。次いで、アセチレンを含む原料ガスを用いて熱ＣＶＤ処理を行う。この結果、触媒層２が絶縁基板１及びサポート層３に挟み込まれているが、カーボン原料はサポート層３を透過して触媒層２まで到達するので、グラファイト１１が絶縁基板１と触媒層２との間に成長する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、アモルファス酸化物半導体を用いたＴＦＴ、閾値電圧変動のない安定した性能のＴＦＴを提供することにある。
することにある。
【解決手段】基板上に、アモルファス酸化物半導体層を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、前記アモルファス酸化物半導体層の上に低分子有機物からなる保護層を有することを特徴とする薄膜電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）