【課題】コンタクト抵抗の低減を図る。
【解決手段】基板上に、導電層４０２と、透明電極９ａと、前記導電層と透明電極との間に形成される層間絶縁膜４４と、前記導電層と前記透明電極とをコンタクト部において電気的に接続するために前記層間絶縁膜に開孔されたコンタクトホール８９と、少なくとも前記コンタクト部において、前記導電層と前記透明電極との間に設けられる酸化チタン膜１７と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】非感光性のシロキサン樹脂を用いて、ウェットエッチング法で所望の形状に形成された絶縁膜を形成することができる、絶縁膜の作製方法を提供する。
【解決手段】有機溶媒中にシロキサン樹脂またはシロキサン系材料を有する懸濁液を用いて薄膜を形成し、薄膜に第１の加熱処理を施し、第１の加熱処理後の薄膜上にマスクを形成し、有機溶媒を用いてウェットエッチングすることで、第１の加熱処理後の薄膜の形状を加工し、加工された薄膜に第２の加熱処理を施す。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、ダミー画素部のトランジスタの誤動作を防止しつつ、表示画像の縁付近においても高品位の画像を表示する。
【解決手段】ＴＦＴアレイ基板１０上における複数の画素が配列されてなる画像表示領域１０ａに、画素毎に設けられており、画素電極９ａをスイッチング制御するＴＦＴ３０ａを含む画素部と、画像表示領域１０ａの周囲を占めるダミー画素領域１０ｄに、画素を模擬するダミー画素毎に設けられており、ＴＦＴ３０ａを模擬するダミーＴＦＴ３０ｄ及び該ダミーＴＦＴ３０ｄが有する半導体層１ａのうち少なくともチャネル領域１ａ'を遮光する二層以上の遮光膜１１ａ、１１ｂ、７１、３００又は３００ｂを含むダミー画素部とを備えており、二層以上の遮光膜１１ａ、１１ｂ、７１、３００又は３００ｂは夫々、ダミー画素部の開口領域９９ｄのうち少なくとも一部を覆うように形成される。 （もっと読む）

【課題】一方は高速動作が可能で駆動電圧の低い薄膜トランジスタ、他方は電圧に対して高耐圧で信頼性の高い薄膜トランジスタの両方を有する半導体装置を提供することを目的とする。従って、低消費電力かつ高信頼性を付与された半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁表面を有する同一基板上に半導体層の膜厚の異なる複数種の薄膜トランジスタを有する。高速動作を求められる薄膜トランジスタの半導体層のチャネル形成領域を、電圧に対して高い耐圧性を求められる薄膜トランジスタの半導体層のチャネル形成領域より薄膜化し、チャネル形成領域の膜厚を薄くする。また、ゲート絶縁層においても、高速動作を求められる薄膜トランジスタは、電圧に対して高い耐圧性を求められる薄膜トランジスタより膜厚が薄くてもよい。 （もっと読む）

【課題】半導体膜の活性化を効果的に行う半導体装置の作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】基板上に剥離層を形成し、前記剥離層上に第１の絶縁膜を介して半導体膜を形成し、前記半導体膜上に第２の絶縁膜を介して第１の導電膜を形成し、前記第１の導電膜をマスクとして、前記半導体膜に選択的に不純物元素を導入し、前記第１の導電膜及び前記半導体膜を覆うように第２の絶縁膜を形成し、前記第２の絶縁膜上に第２の導電膜を形成し、前記第２の導電膜を覆うように第３の絶縁膜を形成し、前記基板を剥離して前記第１の絶縁膜を露出させ、前記第１の絶縁膜の露出面側から前記半導体膜にレーザー光を照射する。 （もっと読む）

【課題】歩留まり良く製造することができ、特性のばらつきを抑制することができる半導体装置の構造及び製造技術を提供する。
【解決手段】島状の半導体層を形成し、該半導体層上に酸化膜を用いて第１絶縁層を形成し、該第１絶縁層上に窒化膜を用いて第２絶縁層を形成し、半導体層上に、第１絶縁層及び第２絶縁層を介してゲート電極を形成し、該ゲート電極を覆うように酸化膜を用いて第３絶縁層を形成し、第３絶縁層を選択的にエッチングして、ゲート電極の側面にサイドウォール絶縁層を形成する。 （もっと読む）

【課題】アンテナを複数設ける場合であっても、アンテナの配置が制限されず集積回路部とアンテナの接続不良を低減し、且つ通信機との通信距離の低減を防止することが可能な半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁性を有する基体の第１の面上に薄膜トランジスタを具備する集積回路部を設け、当該集積回路部上に第１のアンテナを設け、基体の第２の面上に第２のアンテナを設け、第１のアンテナを集積回路部と接続させ、第２のアンテナを基体に形成された貫通孔を介して集積回路部と接続させ、第１のアンテナ及び第２のアンテナを集積回路部と重畳させて設ける。 （もっと読む）

【課題】ゲート−ドレイン間のブレークダウン電圧を向上させることができ、パワーデバイスへの適用に適した窒化物半導体素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】この電界効果トランジスタは、ｎ型ＧａＮ層２、ｐ型ＧａＮ層３およびｎ型ＧａＮ層４が、順に積層された窒化物半導体積層構造部１を備えている。窒化物半導体積層構造部１には、壁面７および引き出し部５が形成されている。壁面７および引き出し部５にはゲート絶縁膜８が形成され、このゲート絶縁膜８上にはゲート電極９が形成されている。また、引き出し部５にはドレイン電極６が形成され、ｎ型ＧａＮ層４にはソース電極１１が形成されている。そして、ゲート絶縁膜８は、ｎ型ＧａＮ層４の上面および引き出し部５の上面に形成された第２部分１４と、壁面７に形成された第１部分１５とに区別され、第２部分１４の厚みが第１部分１５の厚みより厚くなるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、配線の断線や容量耐圧の低下などの不具合を低減する。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に、複数の画素電極（９ａ）と、複数の画素電極に電気的に接続された第１導電膜（１ａ）と、第１導電膜の上層側に配置された第１絶縁膜（４１）と、第１絶縁膜の上側表面に形成された本体部（７１ａ）及びこの本体部から第１絶縁膜に開孔されたコンタクトホール（８３）の内表面に延設された延設部（７１ｂ）を有し、第１導電膜にコンタクトホールを介して電気的に接続された第２導電膜（７１）とを備える。更に、延設部上に且つコンタクトホールの内部を埋めるように形成されると共に、基板上で平面的に見て、本体部に少なくとも部分的に重ならないように形成された第２絶縁膜（６１０）を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体装置において、製造プロセスにおける工程数を削減可能とする。
【解決手段】半導体装置は、基板（１０）上に、第１チャネル領域（１ａ’）、第１ソース・ドレイン領域（１ｄ、１ｅ）、並びに第１チャネル領域及び第１ソース・ドレイン領域間に形成されたＬＤＤ領域（１ｂ、１ｃ）を有する第１半導体層（１ａ）を含む第１トランジスタ（３０）と、第１チャネル領域と互いに異なる導電型を有する第２チャネル領域（４１０ｃ）、及び第２チャネル領域に隣接する第２ソース・ドレイン領域（４１０ｓ、４１０ｄ）を有する第２半導体層（４１０）を含む第２トランジスタ（４００）とを備える。更に、第２ソース・ドレイン領域には、第１半導体層におけるＬＤＤ領域に所定濃度で含まれる不純物と同一種類の不純物が、少なくとも所定濃度に等しい濃度で含まれる。 （もっと読む）

【課題】画素の積層構造の単純化を図りつつ、トランジスタのオン電流を増加させる。
【解決手段】電気光学装置は、半導体層１ａよりも上層側に配置され、チャネル領域１ａ’に重なると共に走査線１１ａに電気的に接続された第１ゲート電極３ａと、半導体層１ａよりも下層側に配置され、チャネル領域１ａ’に重なると共に走査線１１ａに電気的に接続された第２ゲート電極３ｂとを有するＴＦＴ３０と、第２ゲート電極３ｂと同層に配置されるデータ線６ａとを備える。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、画素内のＴＦＴにおける光リーク電流の発生を低減する。
【解決手段】電気光学装置用基板は、本体部３１ａと、この本体部３１ａから半導体層１ａの脇でＹ方向に沿って画素電極側ＬＤＤ領域１ｃの側へ少なくとも画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに隣接するように延設された第１延設部３２ａと、この第１延設部３２ａのうち本体部３１ａよりも画素電極側ソースドレイン領域１ｅの側寄りに位置する部分うち少なくとも一部からＸ方向に沿って延設された第２延設部３２ｂとを有するゲート電極３ａを含むＴＦＴ３０を備える。 （もっと読む）

ゲート電極とゲート誘電体との間のバリア体を含む、III族半導体デバイス。
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【課題】信頼性の高い半導体装置を歩留まり良く製造する技術を提供する。
【解決手段】基板上に設けられ、一対の不純物領域の間に設けられたチャネル形成領域を含む島状の半導体層と、半導体層の側面に接して設けられた第１絶縁層と、チャネル形成領域上に設けられ、半導体層を横断するように設けられたゲート電極と、チャネル形成領域及びゲート電極の間に設けられた第２絶縁層と、半導体層及び前記ゲート電極上に形成された第３絶縁層と、第３絶縁層を介して、不純物領域と電気的に接続される導電層と、を有する。不純物領域はチャネル形成領域と比較して膜厚が大きい領域を有し、且つ該膜厚が大きい領域で導電層が接続されている。第２絶縁層は、少なくともゲート電極が重畳する領域の半導体層の側面に設けられた第１絶縁層を覆う。 （もっと読む）

【課題】予備メモリセルの使用を容易な構成とすることにより、効率的な歩留まり向上が可能なメモリを搭載した半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】メモリセルと、予備メモリセルとを有するメモリセルアレイと、メモリセル及び予備メモリセルに接続されたデコーダと、デコーダと接続されたデータ保持回路と、データ保持回路に電力を供給するバッテリーとを設け、データ保持回路からの出力に応じて予備メモリセルを動作させる。 （もっと読む）

【課題】駆動回路領域においては、高速動作が可能で駆動電圧の低い薄膜トランジスタを、一方画素領域においては、高耐圧で信頼性の高い薄膜トランジスタを有する表示装置を提供することを目的とする。従って、低消費電力かつ高信頼性を付与された表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】画素領域及び駆動回路領域にそれぞれ薄膜トランジスタを有しており、駆動回路領域に設けられた薄膜トランジスタの半導体層の膜厚は、画素領域に設けられた薄膜トランジスタの半導体層の膜厚より薄い表示装置とする。また、ゲート絶縁層においても、駆動回路領域に設けられた薄膜トランジスタは、画素領域に設けられた薄膜トランジスタより膜厚が薄くてもよい。 （もっと読む）

【課題】フォトレジストの回数を削減し、且つ微細な薄膜加工を容易に行う方法を提供することを課題とする。
【解決手段】基板上に形成された第１の層及び光吸収性を有する第２の層上に選択的にレーザービーム照射を行い、光吸収層の一部を除去し、光吸収層をマスクとして第１の層の露出させた部分をエッチングにより除去する。次に少なくとも第１の層及び第２の層の除去された部分を覆うように第２の層上の一部にマスクとなる層を液滴吐出法により形成し、マスクとなる層をマスクとして第１の層及び第２の層をエッチングする。所定の場所に適した方法を選択して薄膜加工を行うことができるため、スループットが向上する。 （もっと読む）

【課題】部分分離領域によって素子分離された素子形成領域におけるボディ領域の電位を安定性の良く固定できるＳＯＩ構造の半導体装置を得る。
【解決手段】部分酸化膜３１によって素子分離された素子形成領域に、ソース領域５１、ドレイン領域６１及びＨゲート電極７１からなるＭＯＳトランジスタを形成する。Ｈゲート電極７１は左右（図中は上下）の“Ｉ”によって、ソース領域５１及びドレイン領域６１にゲート幅Ｗ方向に隣接して形成されるボディー領域１３とドレイン領域６１及びソース領域５１とを電気的に分離し、中央の“−”が本来のＭＯＳトランジスタのゲート電極として機能する。 （もっと読む）

【課題】島状に設けられた半導体層の端部に起因する不良を防止し、信頼性の向上した半導体装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】基板上に設けられた島状の半導体層と、島状の半導体層の一表面上及び側面に設けられた絶縁層と、絶縁層を介して島状の半導体層上に設けられたゲート電極と、を有する構造とする。このとき、島状の半導体層に接して設けた絶縁層において、島状の半導体層の一表面上と比較して、島状の半導体層の側面と接する領域の誘電率を小さくする。 （もっと読む）

【課題】例えば、ＳＯＱ基板を用いてＴＦＴ等の半導体素子を形成することによってデジタル駆動方式の利点を生かし、高品位の画像を表示する。
【解決手段】液晶装置１によれば、１フレームを分割する複数のサブフレーム毎にＨｉｇｈおよびＬｏｗの一方の電位を有するデジタル信号である画像信号Ｓｎの電位Ｖｓｉｇに応じて、理想波形に近い波形を有する駆動電圧Ｖｉを各画素部の液晶に印加できる。したがって、画像信号に応じた駆動電圧で液晶を駆動でき、画素スイッチング用ＴＦＴ等の半導体素子における光リーク電流の影響を低減し、画像信号に含まれる階調データに応じて高品位で画像を表示できる。このようなデジタル駆動方式は、単結晶シリコン基板を用いて高速駆動が可能な半導体素子によって可能になる。 （もっと読む）