【課題】ガラス基板などの耐熱性の低い支持基板にバッファ層を介して単結晶半導体層が固定された半導体基板を作製する。
【解決手段】加速された水素イオンを半導体基板に照射し、水素を多量に含んだ損傷領域を形成する。単結晶半導体基板と支持基板を接合させた後、半導体基板を加熱して損傷領域で単結晶半導体基板を分離する。単結晶半導体基板から分離された単結晶半導体層にレーザビームを照射する。レーザビームの照射により単結晶半導体層を溶融させることで、再結晶化することでその結晶性を回復させ、かつ単結晶半導体層の表面を平坦化させる。レーザビームの照射後、単結晶半導体層を溶融させない温度で加熱し、そのライフタイムを向上させる。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板など耐熱温度が低い基板を用いた場合にも、実用に耐えうる単結晶半導体層を備えた半導体基板の作製方法を提供することを目的の一とする。また、そのような半導体基板を用いた信頼性の高い半導体装置を作製することを目的の一とする。
【解決手段】単結晶半導体基板より支持基板に転載され、全領域においてレーザ光照射による溶融状態を経て再単結晶化された単結晶半導体層を有する半導体基板を用いる。従って、単結晶半導体層は結晶欠陥も低減され結晶性が高く、かつ平坦性も高い。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板などの耐熱性の低い支持基板にバッファ層を介して単結晶半導体層が固定された半導体基板を作製する。
【解決手段】イオンドーピング装置により、水素ガスを励起して生成したイオンを加速し単結晶半導体基板に照射し、水素を多量に含んだ損傷領域を形成する。単結晶半導体基板と支持基板を接合させた後、単結晶半導体基板を加熱して、損傷領域で単結晶半導体基板を分離する。単結晶半導体基板から分離された単結晶半導体層を加熱しながら、この単結晶半導体層にレーザビームを照射する。レーザビームの照射により単結晶半導体層を溶融させることで、再単結晶化して、その結晶性を回復させ、かつ単結晶半導体層の表面を平坦化する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の大面積化を課題の一とする。または、大面積化に際して生じる問題点を解決することを課題の一とする。または、上記の半導体基板を用いた半導体装置の信頼性を向上することを課題の一とする。
【解決手段】半導体基板の大面積化を図るために、ベース基板としてガラス基板等の絶縁表面を有する基板を用いる。そして、該ベース基板に大型の半導体基板を用いて単結晶半導体層を形成する。なお、ベース基板には複数の単結晶半導体層を設けることが好ましい。その後、単結晶半導体層を、パターニングにより複数の単結晶半導体領域に切り分ける。そして、表面の平坦性を向上し、欠陥を低減するために、単結晶半導体領域に対してレーザー光を照射する、又は加熱処理を施す。該単結晶半導体領域の周縁部は半導体素子として用いずに、中央部を半導体素子として用いる。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置において、積層構造の単純化を図り、しかも高品質な表示を可能とする。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に、走査線（１１）と、走査線の上層側に設けられ、走査線と交差するデータ線（６ａ）と、データ線の上層側に、データ線及び走査線の交差に対応して設けられた画素電極（９ａ）と、画素電極の下層側に、画素電極に容量絶縁膜（７５）を介して対向するように設けられた容量電極（７１）と、走査線の上層側且つデータ線の下層側に設けられ、データ線に電気的に接続されたデータ線側ソースドレイン領域（１ｄ）、画素電極に電気的に接続された画素電極側ソースドレイン領域（１ｅ）、及びデータ線と同一層からなると共に走査線に電気的に接続されたゲート電極（３ａ）にゲート絶縁膜を介して対向するように配置されたチャネル領域（１ａ’）を有する半導体層（１ａ）とを備える。 （もっと読む）

【課題】表面の平坦性が高い単結晶半導体層を有するＳＯＩ基板を作製する。
【解決手段】半導体基板に水素をドープして、水素を多量に含んだ損傷領域を形成する。単結晶半導体基板と支持基板を接合させた後、半導体基板を加熱して損傷領域で単結晶半導体基板を分離する。単結晶半導体基板から分離された単結晶半導体層の分離面に加熱した高純度の窒素ガスを吹き付けながら、レーザビームを照射する。レーザビームの照射により単結晶半導体層を溶融させることで、単結晶半導体層の表面の平坦性を向上させ、かつ再単結晶化させる。 （もっと読む）

【課題】高い絶縁破壊耐圧特性、低い誘電率、及び、低い吸湿性を備えた絶縁層を有する半導体装置を提供することを課題とする。また、該半導体装置を用いた高性能且つ信頼性の高い電子機器を提供することを課題とする。
【解決手段】酸化窒化珪素や窒化酸化珪素のような窒素を含有する絶縁体と、フッ素が添加された酸化窒化珪素やフッ素が添加された窒化酸化珪素のような窒素及びフッ素を含有する絶縁体とを交互に堆積させて、絶縁層を形成する。窒素及びフッ素を含有する絶縁体を、窒素を含有する絶縁体により挟み込むことで、窒素及びフッ素を含有する絶縁体の吸湿を防ぐことができ、絶縁破壊耐圧を向上することができる。また、フッ素を含有させることにより、誘電率を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置において、画素内のＴＦＴにおける光リーク電流の発生を低減する。
【解決手段】電気光学装置は、基板１０と、データ線６ａ及び走査線１１と、データ線及び走査線の交差に対応して設けられた画素電極９ａと、半導体層１ａと、半導体層より第１の絶縁膜２を介して上層側に配置されると共に遮光性の導電膜を含んでなり、且つ、半導体層のチャネル領域に重なる本体部３ａと、この本体部から半導体層の脇で、半導体層の第２の接合領域１ｃの側へ少なくとも第２の接合領域に隣接するように延設された延設部３１とを有するゲート電極３とを備える。更に、ゲート電極と同一膜からなり、半導体層の画素電極側ソースドレイン領域１ｅと少なくとも部分的に重なると共に画素電極及び画素電極側ソースドレイン領域と電気的に接続された遮光部４１０を備える。 （もっと読む）

【課題】必要とされる機能に応じてトランジスタの電気特性を制御し、半導体装置の高性能化、低消費電力化を図ることを目的の一とする。また、そのような半導体装置を、作製工程を複雑化することなく、高い歩留まりで生産性よく作製することを目的の一とする。
【解決手段】半導体装置に含まれるトランジスタのしきい値電圧を制御するための一導電型を付与する不純物元素の添加を、第１の半導体ウエハーよりトランジスタのチャネル形成領域として用いる単結晶半導体層を分離し、第２の半導体ウエハー上に転載する前に、第１の半導体ウエハーへ行う。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板など耐熱温度が低い基板を用いた場合にも、実用に耐えうる半導体層を備えたＳＯＩ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体ウエハの一方の面からイオンを照射して、損傷層を形成し、半導体ウエハの一方の面上に絶縁層を形成し、支持基板の一方の面と、半導体ウエハに形成された絶縁層とを貼り合わせて熱処理を行い、支持基板と半導体ウエハを接着し、損傷層において、半導体ウエハと支持基板とに分離させることで、支持基板上に半導体層を転置し、半導体層に部分的に残存する損傷層をウェットエッチングにより除去し、半導体層の表面に対してレーザビームを照射する。 （もっと読む）

【課題】必要とされる機能に応じてトランジスタの電気特性を制御し、半導体装置の高性能化、低消費電力化を図ることを目的の一とする。また、そのような半導体装置を、作製工程を複雑化することなく、高い歩留まりで生産性よく作製することを目的の一とする。
【解決手段】半導体装置に含まれるトランジスタのしきい値電圧を制御するための一導電型を付与する不純物元素の添加を、半導体基板よりトランジスタの半導体層を分離し、絶縁表面を有する基板である支持基板上に転載する前に、半導体基板へ行う。 （もっと読む）

【課題】半導体基板（ＳＯＩ基板）の大面積化を課題とする。また、効率のよい半導体基板の作製方法を提案することを課題とする。また、上記の半導体基板の特性を向上することを課題とする。また、上記の半導体基板を用いた半導体装置及び電子機器を提供することを課題とする。
【解決手段】半導体基板（ＳＯＩ基板）の大面積化及び作製効率の向上を図るために、複数の単結晶半導体基板を同時に処理して、半導体基板を作製する。具体的には、複数の単結晶半導体基板の処理を同時に可能とするトレイを用いて、一連の工程を行う。また、ベース基板に形成した単結晶半導体層に対してエッチング処理又はエッチバック処理を施すことにより、単結晶半導体層に存在する損傷領域を除去すると共に、隣接する単結晶半導体層の間隙におけるベース基板の表面の一部を除去して、ベース基板に凹部を形成する。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板など耐熱温度が低い基板を用いた場合にも、実用に耐え、且つ安定した特性を示す半導体デバイスを作製することが可能なＳＯＩ層を備える半導体基板を提供することを目的とする。
【解決手段】ＳＯＩ層とガラス基板との間に有機シランを材料の一つとして用い、熱ＣＶＤ法により５００℃〜８００℃の温度範囲で成膜された、リンガラス、ボロンガラス、リンボロンガラスのいずれかからなる１層もしくは複数層により形成された接合層を設けることで上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】単結晶シリコン基板を劈開して剥離を行う場合であっても、剥離面の平坦性を保持したまま剥離が可能であるＳＯＩ基板の製造方法を提供することを目的の一とする。
【解決手段】面状、線状又は矩形状のイオンビームを半導体基板に照射して、半導体基板の主表面から所定の深さに第１のイオンを添加することにより剥離層を形成し、半導体基板に形成された剥離層の一部に第２のイオンを添加し、半導体基板の主表面とベース基板の一主表面とを対向させ、絶縁膜の表面とベース基板とを接合させ、半導体基板を、剥離層を劈開面として劈開させることにより、ベース基板上に単結晶半導体層を形成する工程を含み、第２のイオンの質量数を第１のイオンの質量数と同一又は第１のイオンの質量数より大きくする。 （もっと読む）

【課題】表示装置の画素を構成する電界効果トランジスタの高性能化を実現し、且つ電界効果トランジスタの微細加工技術に依拠することなく、画素内の電界効果トランジスタ数を増やしても電界効果トランジスタ数の増加に伴い低下した画素の開口率を向上及び画素に占める電界効果トランジスタの面積の削減を図ることのできる表示装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】半導体基板より分離され、絶縁表面を有する支持基板に接合された半導体層を有する電界効果トランジスタが、平坦化層を層間に設けて複数積層された画素を複数具備する表示装置とする。 （もっと読む）

【課題】大面積化が可能な半導体装置の作製方法を提供することを課題とする。また、効率のよい半導体装置の作製方法を提供することを課題とする。また、不純物元素を含有するような大面積基板を用いる場合において、信頼性の高い半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】半導体装置の大面積化及び作製効率の向上を可能とするために、複数の単結晶半導体基板を同時に処理して、ＳＯＩ基板を作製する。具体的には、複数の半導体基板の処理を同時に可能とするトレイを用いて、一連の工程を行う。ここで、トレイには単結晶半導体基板を保持するための凹部が設けられている。また、作製した半導体素子の特性に影響を与える不純物元素に対してバリア層として機能する絶縁層を設けることにより、半導体素子の特性の劣化を防止する。 （もっと読む）

【課題】単結晶シリコン基板を劈開して剥離を行う場合であっても、剥離面の平坦性を保持したまま剥離が可能であるＳＯＩ基板の製造方法を提供することを目的の一とする。
【解決手段】半導体基板の表面に窒素含有層を形成し、窒素含有層を介して半導体基板の所定の深さにイオンを添加して剥離層を形成し、窒素含有層上に絶縁層を形成し、絶縁層の表面とベース基板の表面とを接合させ、半導体基板を、剥離層を劈開面として劈開させることにより、ベース基板上に絶縁層を介して単結晶半導体層を形成する工程を有し、イオンの添加は、線状又は矩形状のイオンビームを半導体基板に照射しながら、半導体基板をイオンビームの短尺方向に相対的に移動させて行う。 （もっと読む）

【課題】大面積化を可能とし、生産性を向上させることができるＳＯＩ基板の作製方法を提供する。
【解決手段】複数の単結晶半導体基板を配列させた後、配列されたままの状態の複数の単結晶半導体基板に一のベース基板を重ね合わせることで、一のベース基板と該複数の単結晶半導体基板とを貼り合わせる。そして、複数の各単結晶半導体基板を分割することで、ベース基板上に複数の単結晶半導体層を形成する。なお、複数の単結晶半導体基板を配列させて一時的に収容するための容器（トレイ）を用意し、複数の単結晶半導体基板をトレイ内に配列させたまま、上記貼り合わせを行う。次に、複数の単結晶半導体層内に存在する結晶欠陥を低減させるために、複数の単結晶半導体層にレーザビームを照射するが、レーザビームの照射前或いは照射後に、複数の単結晶半導体層をエッチングにより薄膜化する。 （もっと読む）

【課題】液晶等の電気光学装置において、光リーク電流の発生を低減し、高品質な画像を表示可能とする。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）と、基板上において、互いに交差して延在するデータ線（６ａ）及び走査線（１１ａ）と、データ線及び走査線の交差に対応して規定される画素毎に設けられた画素電極（９ａ）と、チャネル領域（１ａ’）、データ線側ソースドレイン領域（１ｄ）、画素電極側ソースドレイン領域（１ｅ）、第１の接合領域（１ｂ）、及び第２の接合領域（１ｃ）を有する半導体層（１ａ）と、第１の接合領域を覆うように島状に設けられた第１絶縁膜（３１ａ）と、第２の接合領域を覆うように島状に設けられた第２絶縁膜（３１ｂ）と、チャネル領域にゲート絶縁膜（２）を介して対向すると共に、第１及び第２絶縁膜上に延在されているゲート電極（３ａ）とを備える。 （もっと読む）

【課題】生産コストを削減することができる半導体装置の作製方法の提案を課題とする。
【解決手段】ボンド基板の下に容器を配置した後、ボンド基板を劈開させることでボンド基板から形成される複数の第１の半導体膜を、容器に載置し、複数の第１の半導体膜を容器から拾い上げて、複数の第１の半導体膜どうしが離隔するようにベース基板に貼り、複数の第１の半導体膜をエッチングすることで、複数の第２の半導体膜を形成する半導体装置の作製方法。 （もっと読む）