【課題】占有面積を増大させることなくオフリーク電流を低減できる薄膜トランジスタを備える表示装置の提供。
【解決手段】表示部が形成される基板に薄膜トランジスタを備える表示装置であって、
前記薄膜トランジスタは、ゲート電極と、前記ゲート電極を被って形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁間の上面に前記ゲート電極を跨って形成された半導体層と、前記半導体層を被って形成された絶縁膜と、前記絶縁膜の上面に前記ゲート電極と重畳する箇所に形成された一対のスルーホールのそれぞれを通して前記半導体層と電気的に接続される一対の電極とを備え、
前記一対の電極のそれぞれは、不純物がドープされた半導体層と金属層の順次積層体から構成されている。 （もっと読む）

【課題】チャネル層の厚さを１０ｎｍ程度以下とした酸化物ＴＦＴにおいて、チャネル層とソース電極との間やチャネル層とドレイン電極との間のコンタクト抵抗を低減して高速で動作することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物ＴＦＴのオフ状態において完全空乏化状態を実現できるように形成する。そして、チャネル層ＣＨＮとソース電極ＳＴの間にコンタクト層ＣＴＳを形成し、チャネル層ＣＨＮとドレイン電極ＤＴとの間にコンタクト層ＣＴＤを形成する。さらに、ゲート電極ＧＴとチャネル層ＣＨＮとの間のゲート絶縁膜容量をＣｇｉ、ゲート電極ＧＴ以外の構造物とチャネル層ＣＨＮとの間の寄生容量の総和をＣｐとしたとき、Ｃｇｉに対するＣｐの割合Ｃｐ／Ｃｇｉが０．７よりも小さくなるように形成する。 （もっと読む）

【課題】薄型化及び小型化を達成しながら、外部ストレスに耐性を有する信頼性の高い半導体装置を提供することを目的の一とする。また、作製工程においても外部ストレスに起因する形状や特性の不良を防ぎ、歩留まり良く半導体装置を作製することを目的の一とする。さらに低コストで生産性高く半導体装置を作製することを目的の一とする。
【解決手段】単結晶半導体基板を用いた半導体集積回路を、対向する一対の繊維体に有機樹脂が含浸された構造体の間に設ける。一対の繊維体に有機樹脂が含浸された構造体は中央部に半導体集積回路を配置し、端部において互いに接着して半導体集積回路を封止する。 （もっと読む）

【課題】薄型化及び小型化を達成しながら、外部ストレス、及び静電気放電に耐性を有する信頼性の高い半導体装置を提供することを目的の一とする。また、作製工程においても外部ストレス、又は静電気放電に起因する形状や特性の不良を防ぎ、歩留まり良く半導体装置を作製することを目的の一とする。さらに低コストで生産性高く半導体装置を作製することを目的の一とする。
【解決手段】半導体集積回路を囲いこむように覆う導電性遮蔽体により、半導体集積回路の静電気放電による静電気破壊（回路の誤動作や半導体素子の損傷）を防止する。導電性遮蔽体はめっき法により電気的に接続するように形成する。また、導電性遮蔽体の形成にめっき法を用いるために、低コストで生産性高く半導体装置を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】薄型化及び小型化を達成しながら、外部ストレス、及び静電気放電に耐性を有する信頼性の高い半導体装置を提供することを目的の一とする。または、作製工程においても外部ストレス、又は静電気放電に起因する形状や特性の不良を防ぎ、歩留まり良く半導体装置を作製することを目的の一とする。
【解決手段】互いに対向するように設けられた第１の絶縁体及び第２の絶縁体と、対向する第１の絶縁体と第２の絶縁体との間に設けられた半導体集積回路及びアンテナと、第１の絶縁体の一表面に設けられた導電性遮蔽体と、第２の絶縁体の一表面に設けられた導電性遮蔽体とを設け、第１の絶縁体の一表面に設けられた導電性遮蔽体と、第２の絶縁体の一表面に設けられた導電性遮蔽体を電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ構造を有するＲＣ型トランジスタにおいて、しきい値電圧の低下を防止でき、さらに、しきい値電圧の制御や調整が容易にできる。
【解決手段】電界効果トランジスタを備えた半導体装置であって、電界効果トランジスタは、半導体基板１に形成された素子分離領域３によって仕切られた拡散層領域と、
その拡散層領域と交差するように設けられ、少なくとも一部が半導体基板１に形成されたゲート溝内に埋め込まれたゲート電極５と、拡散層領域内において、一方の側面がゲート電極５のうちゲート溝内に埋め込まれた部分と対向し、他方の側面が素子分離領域３の側面と接触するように形成されたＳＯＩ構造のチャネル層４とを有し、ソース・ドレイン領域として機能する不純物拡散層５がチャネル層４よりも上部に配置され、不純物拡散層５とチャネル層４とが離間して形成されている。 （もっと読む）

【課題】外部ストレス、及び静電気放電による形状不良や特性不良などの半導体装置の不良を低減することを目的の一とする。よって、信頼性の高い半導体装置を提供することを目的の一とする。また、作製工程中においても上記不良を低減することで半導体装置の製造歩留まりを向上させることを目的の一とする。
【解決手段】外部ストレスに対する耐衝撃層、又はその衝撃を拡散する衝撃拡散層とで挟持された半導体集積回路と、半導体集積回路を覆う導電層とを有する。半導体集積回路を覆う導電層により、半導体集積回路の静電気放電（ＥＳＤ：Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｓｔａｔｉｃ Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ）による静電気破壊（回路の誤動作や半導体素子の損傷）を防止する。 （もっと読む）

【課題】シリコン膜の成膜性を向上させることができる前駆体液およびそれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、基板の上部にシリコンの前駆体液を配置する工程と、前記シリコンの前駆体液に熱処理を施すことによりシリコン膜を形成する工程と、を有し、前記シリコンの前駆体液は、高次シランを含む環状飽和炭化水素化合物の溶液である。このように、環状飽和炭化水素化合物を溶媒として用いることにより高次シラン（例えば、平均分子量が２６００を超えるポリシラン化合物）を溶解させることができ、前駆体液の均一性を向上させることができる。よって、形成されるシリコン膜の成膜性を向上させることができる。また、高次シランを用いることで、膜材料の揮発を低減でき、装置の生産性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】薄型化及び小型化を達成しながら、外部ストレス、及び静電気放電に耐性を有する信頼性の高い半導体装置を提供することを目的の一とする。また、作製工程においても外部ストレス、又は静電気放電に起因する形状や特性の不良を防ぎ、歩留まり良く半導体装置を作製することを目的の一とする。
【解決手段】半導体集積回路を挟むように覆う一対の導電性遮蔽体により、半導体集積回路の静電気放電による静電気破壊（回路の誤動作や半導体素子の損傷）を防止する。また半導体集積回路を挟持する一対の絶縁体によって、薄型化及び小型化を達成しながら耐性を有する信頼性の高い半導体装置を提供することができる。また、作製工程においても外部ストレス、又は静電気放電に起因する形状や特性の不良を防ぎ、歩留まり良く半導体装置を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】薄型化及び小型化を達成しながら、外部ストレス、及び静電気放電に耐性を有する信頼性の高い半導体装置を提供することを目的の一とする。また、作製工程においても外部ストレス、又は静電気放電に起因する形状や特性の不良を防ぎ、歩留まり良く半導体装置を作製することを目的の一とする。
【解決手段】半導体集積回路を覆う導電性遮蔽体により、半導体集積回路の静電気放電による静電気破壊（回路の誤動作や半導体素子の損傷）を防止する。また半導体集積回路を挟持する一対の絶縁体によって、薄型化及び小型化を達成しながら耐性を有する信頼性の高い半導体装置を提供することができる。また、作製工程においても外部ストレス、又は静電気放電に起因する形状や特性の不良を防ぎ、歩留まり良く半導体装置を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホールを埋める工程を利用して、隣接する画素電極の間に発生する凹部を平坦化した電気光学装置、その製造方法、およびかかる電気光学装置を用いた投射型表示装置を提供する。
【解決手段】電気光学装置において、画素電極９ａは、下層側に島状に形成された第１電極９１ａと、第１電極９１ａ上に島状に形成された上層側の第２電極９２ａとによって構成されている。第１電極９１ａの上層には絶縁膜７３が積層され、かかる絶縁膜７３によって、コンタクトホール７２ｂ内の凹部は完全に埋められ、隣接する第１電極９１ａの間も埋められている。従って、絶縁膜７３の表面と、第１電極９１ａにおいて絶縁膜７３から露出している表面とは連続した平坦面を構成しており、かかる平坦面上に第２電極７２ａが形成されている。 （もっと読む）

【課題】良好な結晶性を有し、Ｓ値において高性能な半導体素子を提供する。
【解決手段】脆化層を有する単結晶半導体基板と、ベース基板とを絶縁層を介して貼り合わせ、熱処理によって、脆化層を境として単結晶半導体基板を分離して、ベース基板上に単結晶半導体層を固定し、単結晶半導体層にレーザ光を照射し、単結晶半導体層を部分溶融状態として再単結晶化し、結晶欠陥を修復する。次いで、ｎ型トランジスタとなる島状単結晶半導体層にフォトマスクを用いてチャネルドープし、次いで該フォトマスクを用いて島状単結晶半導体層をエッチバックし、ｐ型トランジスタとなる島状単結晶半導体層の膜厚より薄くなるようにする。 （もっと読む）

【課題】迷光を発生させることなく、隣接するデータ線間の干渉を防止することのできる反射型電気光学装置および投射型表示装置を提供すること。
【解決手段】反射型電気光学装置１００において、素子基板１０では、Ｘ方向で隣接するデータ線６ａに挟まれた領域にＹ方向に延在する透光性導電膜からなるシールド線７ａが形成されているため、Ｘ方向で隣接するデータ線６ａ同士の間に寄生する容量が極めて小さい。素子基板１０において、基板１０ｄは透光性基板であり、シールド線７ａは透光性導電膜からなるため、対向基板２０側から入射した光が画素電極９ａで挟まれた隙間領域９ｓで漏れて素子基板１０側に入射した際、かかる光はシールド線７ａを透過した後、基板１０ｄを透過する。従って、シールド線７ａでの反射に起因する迷光の発生を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】 個々の半導体デバイス・コンポーネントの統合の強化、製造性の向上をもたらす、半導体構造体及びそれらの半導体構造体を製造する方法を提供する。
【解決手段】 半導体構造体及び半導体構造体を製造するための方法が、半導体基板の活性領域上に配置及び形成された電界効果デバイスと、半導体基板内の活性領域から横方向に分離された分離領域上に少なくとも部分的に同時に配置及び形成された、ヒューズ構造体、アンチヒューズ構造体及び抵抗器構造体の少なくとも１つとを提供する。電界効果デバイスは、高誘電率の誘電体材料を含むゲート誘電体と、金属材料を含むゲート電極とを含む。ヒューズ構造体、アンチヒューズ構造体及び抵抗器構造体の少なくとも１つは、ゲート誘電体と同じ材料を含むパッド誘電体と、随意的に、同様にゲート電極と同じ金属材料を含むことができるヒューズ、アンチヒューズ又は抵抗器とを含む。 （もっと読む）

【課題】 パンチスルー現象を改善し、ボディーの体積を増加させることのできる半導体素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体素子は、シリコン基板、埋め込み酸化膜およびシリコン層の積層構造からなり、前記シリコン層におけるゲート形成領域に、チャンネル幅方向に上端部よりも下端部の方が幅が広いフィンパターンが形成されたＳＯＩ基板と、前記フィンパターンを取り囲むように形成されたゲートと、前記ゲートの両側のシリコン層内に形成された接合領域とを含む。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、省スペースを実現しつつ、高品質な画像を表示可能とする。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上において、互いに交差して延在するデータ線（６ａ）及び走査線（３ａ）と、画素毎に設けられた画素電極（９ａ）と、チャネル領域（１ａ’）、データ線側ソースドレイン領域（１ｄ）及び画素電極側ソースドレイン領域（１ｅ）を有する半導体層（１ａ）と、半導体層の上層側に形成された遮光性を有する上部容量電極（３００）と、上部容量電極の下層側に容量絶縁膜（７５）を介して形成されており、上部容量電極と蓄積容量（７０）を構築する下部容量電極（７１）とを備える。上部容量電極は、半導体層及び下部容量電極と少なくとも部分的に重なる平面部、及び平面部から半導体層と同じ層又は半導体層より下層側の位置にわたって設けられる側壁部を有する。 （もっと読む）

【課題】膜厚バラツキを抑制し、かつドライエッチングダメージの発生を抑制できる優れた素子特性を兼ね備えた薄膜半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】透明絶縁性基板上に形成され、所定の間隔を隔てて第１導電型の不純物を含むソース領域及び第１導電型の不純物を含むドレイン領域を有する島状半導体層、前記ソース領域及びドレイン領域の間の島状半導体層上に形成されたゲート絶縁膜及びゲート電極、前記ゲート電極の側壁に形成された、低温酸化膜、低温窒化膜及び低温酸化膜の３層構造のサイドウォールスペーサー、及び島状半導体層及びゲート電極を覆う層間絶縁膜を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 微細化に伴うコンタクト抵抗の増加を防止した、信頼性の高い素子特性を有する薄膜半導体装置を提供すること。
【解決手段】 透明絶縁性基板上に形成され、所定の間隔を隔てて第１導電型の不純物を含むソース領域及び第１導電型の不純物を含むドレイン領域を有する島状半導体層、前記ソース領域及びドレイン領域の間の島状半導体層上に形成されたゲート絶縁膜、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極、前記島状半導体層及びゲート電極を覆う層間絶縁膜、及び前記ソース領域及びドレイン領域にそれぞれ接続する、前記層間絶縁膜に形成された第１及び第２のコンタクト孔内にそれぞれ埋め込まれた第１導電型の不純物を含む凸型ソース多結晶半導体層並びに第１導電型の不純物を含む凸型ドレイン多結晶半導体層を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥が存在する単結晶半導体基板を用いる場合においても優れた特性のＳＯＩ基板を提供することを目的の一とする。また、このようなＳＯＩ基板を用いた半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】単結晶半導体基板の一表面に、エピタキシャル成長法による単結晶半導体層を形成し、単結晶半導体層に第１の熱酸化処理を施して第１の酸化膜を形成し、第１の酸化膜の表面に対してイオンを照射することにより、単結晶半導体層にイオンを導入し、第１の酸化膜を介して、単結晶半導体層とベース基板を貼り合わせ、熱処理を施すことにより、イオンが導入された領域において単結晶半導体層を分離して、ベース基板上に単結晶半導体層の一部を残存させ、ベース基板上に残存した単結晶半導体層に対してレーザ光を照射し、ベース基板上に残存した単結晶半導体層に第２の熱酸化処理を施して第２の酸化膜を形成した後、該第２の酸化膜を除去する。 （もっと読む）

【課題】高性能な半導体素子を形成することを可能とする半導体基板および半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】脆化層を有する単結晶半導体基板と、ベース基板とを絶縁層を介して貼り合わせ、熱処理によって、脆化層を境として単結晶半導体基板を分離して、ベース基板上に単結晶半導体層を固定する。次いで、モニタ基板の複数の領域に対して互いに異なるエネルギー密度条件でレーザ光を照射し、レーザ光を照射後の単結晶半導体層のそれぞれの領域の炭素濃度及び水素濃度の深さ方向の濃度分布を測定し、炭素濃度が極大を有し、且つ水素濃度がショルダーピークを有するレーザ光の照射強度を最適なレーザ光の照射強度とする。モニタ基板を用いて検出した最適のエネルギー密度で、単結晶半導体層にレーザ光を照射し、半導体基板を作製する。 （もっと読む）