【課題】液晶装置等の電気光学装置において、電蝕の発生を防止すると共に発熱を抑制する。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に、複数の画素電極（９ａ）と、画素電極の下地として配置された絶縁膜（４３）と、絶縁膜に開孔されたコンタクトホール（８５）を介して画素電極に電気的に接続された第１導電膜（９３）とを備える。更に、画素電極より下層側且つ絶縁膜より上層側に、基板上で平面的に見て、コンタクトホールに重なるように島状に形成された第２導電膜（４１０）とを備える。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、画素内のＴＦＴにおける光リーク電流の発生を低減する。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）と、基板上で互いに交差して延在すると共に遮光性の導電膜を夫々含んでなるデータ線（６ａ）及び走査線（１１ａ）と、データ線及び走査線の交差に対応して設けられた画素電極（９ａ）と、半導体層（１ａ）と、基板上で平面的に見て、半導体層における第２の接合領域（１ｃ）を囲う環形状を有し、半導体層におけるチャネル領域（１ａ’）にゲート絶縁膜（２）を介して対向するように配置されたゲート電極（３ａ）とを備える。第２の接合領域は、基板上で平面的に見て、データ線及び走査線の交差する交差領域（９９ｃｒ）内に少なくとも部分的に配置されている。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、画素内のＴＦＴにおける光リーク電流の発生を低減する。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）と、互いに交差して延在すると共に遮光性の導電膜を夫々含んでなるデータ線（６ａ）及び走査線（１１ａ）と、データ線及び走査線の交差に対応して設けられた画素電極（９ａ）と、半導体層（１ａ）と、半導体層におけるチャネル領域（１ａ’）にゲート絶縁膜（２）を介して対向するように配置されたゲート電極（３ａ）と、画素電極に電気的に接続されると共に、半導体層における画素電極側ソースドレイン領域（１ｅ）を覆うように設けられた遮光膜（３１ａ）とを備える。半導体層における第２の接合領域（１ｃ）は、基板上で平面的に見て、データ線及び走査線の交差する交差領域（９９ｃｒ）内に少なくとも部分的に配置されている。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、画素内のＴＦＴにおける光リーク電流の発生を低減する。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）と、基板上に設けられるデータ線（６ａ）及び走査線（１１ａ）と、画素電極（９ａ）と、半導体層（１ａ）と、ゲート電極（３ａ）から画素電極側ソースドレイン領域（１ｅ）側に延設され、ゲート絶縁膜（２）より厚い第１層間絶縁膜部分（２０２）を介して半導体層の上又は下に積層された第１延設部分（３１ａ）と、ゲート電極から第１延設部分を介して更に延設され、第１層間絶縁膜部分よりも薄い第２層間絶縁膜部分（２０５）を介して半導体層の上又は下に積層された第２延設部分（３２ａ）とを備える。第１延設部分は、基板上で平面的に見て、走査線及びデータ線の交差する交差領域（９９ｃｒ）内に少なくとも部分的に配置されている （もっと読む）

【課題】特性が均一な微結晶半導体を有する半導体装置を効率良く提供することを課題とする。また、高品質な電子機器を効率良く提供することを課題とする。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に半導体層を形成し、半導体層が完全溶融する光強度のパルスレーザー光を照射することにより、微結晶半導体領域を形成する。これにより、特性が均一な微結晶半導体領域を有する半導体装置を作製することができ、また、これを用いて、高品質な電子機器を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】ソース領域及びドレイン領域よりチャネル形成領域の膜厚が薄いＳ値の向上されたボトムゲート型薄膜トランジスタを簡単な工程で作製可能な半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】絶縁性基板の表面のチャネル形成領域に対応する箇所に島状導電膜を形成し該島状導電膜を絶縁膜で覆って凸部を形成する。形成された凸部を覆うアモルファス半導体膜を成膜した後、レーザ光を照射して半導体膜を溶融状態にして結晶化する。凸部上の溶融した半導体は凸部の両側に隣接する領域へと流れ、それによって凸部上に位置する半導体膜（チャネル形成領域）が薄膜化される。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置の表示性能を高める。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）と、該基板上の画素領域（１０ａ）に配列された複数の画素電極（９ａ）と、該複数の画素電極を夫々スイッチング制御する複数の薄膜トランジスタ（３０）とを備える。薄膜トランジスタの半導体層（１ａ）は、チャネル領域（１ａ´）を中央にソース領域（１ｄ）及びドレイン領域（１ｅ）間で長手状に延び、薄膜トランジスタのゲート電極（３１ａ）は、チャネル領域に重なる部分の脇から、半導体層と距離を隔てたまま半導体層に沿って突出する突出部（３２ａ）を有する。該突出部は、その根元側におけるチャネル領域とソース又はドレイン領域との間にある接合領域（１ｃ）との第１距離（α）よりも、その先端側におけるソース又はドレイン領域との第２距離（β）の方が、短くなる形状を有する。 （もっと読む）

【課題】要求される特性を満たした半導体装置及びその作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に、単結晶半導体層を形成し、単結晶半導体層の一部の領域にレーザー光を照射し、単結晶半導体層のレーザー光が照射されていない領域を用いて画素部の回路を形成し、単結晶半導体層のレーザー光が照射された領域を用いて、画素部の回路を駆動する駆動回路を形成することを特徴としている。これにより、周辺回路領域と画素領域とに適した単結晶半導体層を用いた半導体装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】超短チャネル長化でき、Ｓｉ層厚一定によって閾値を変化させずにＯＮ電流を増加でき、さらにバックゲートにより閾値も動的に変更できる縦型トランジスタ構造を備えた半導体装置および半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板２上に、中心軸Ｍが基板２面と垂直方向に形成されてなる筒型の基柱３と、基柱３の上部と下部に、中心軸Ｍを中心とする同心形状に形成された第１導電型からなるソース・ドレイン拡散層４ａ，４ｂと、ソース・ドレイン拡散層４ａ，４ｂに挟まれた基柱３の中間部に形成された第１導電型からなるボディ層と、基柱３の側面にゲート絶縁膜６を介して形成されたフロントゲート電極７とを備えたことを特徴とする。また、第２導電型からなるバックゲート電極８が、基柱３の内側に上部から下部まで貫通する柱状に形成されてなることとする。 （もっと読む）

【課題】複数箇所に転置される半導体膜どうしの間隔が抑えられる、半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】第１の凸部を複数有する第１のボンド基板を、ベース基板に貼り合わせる。そして、第１のボンド基板を複数の第１の凸部において分離させることで、ベース基板上に複数の第１の半導体膜を形成する。次に、第２の凸部を複数有する第２のボンド基板を、ベース基板の第１の半導体膜とは異なる領域に、複数の第２の凸部が重なるよう、ベース基板に貼り合わせる。そして、第２のボンド基板を複数の第２の凸部において分離させることで、ベース基板上に複数の第２の半導体膜を形成する。第２のボンド基板は、複数の第２の凸部の、第２のボンド基板に対して垂直方向（深さ方向）における幅が、先に形成される第１の半導体膜の膜厚より大きいものとする。 （もっと読む）

【課題】複数箇所に転置される半導体膜どうしの間隔が抑えられる、半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】ボンド基板からベース基板への半導体膜の転置を複数回に渡って行う。そして、先に転置される半導体膜と後に転置される半導体膜とを隣接させる場合、後の転置は、端部が部分的に除去されたボンド基板を用いて行う。後の転置に用いられるボンド基板は、端部が除去された領域の、ボンド基板に対して垂直方向における幅が、先に転置される半導体膜の膜厚より大きいものとする。 （もっと読む）

【課題】レーザー光の照射に起因する問題を解決した、良好な特性が得られる半導体基板を提供することを課題とする。
【解決手段】単結晶半導体基板の表面にイオンを照射して、損傷領域を形成し、単結晶半導体基板の表面にレーザー光を照射し、単結晶半導体基板の表面に絶縁層を形成し、絶縁層と、絶縁表面を有する基板を接合させ、単結晶半導体基板を、損傷領域において分離することにより、絶縁表面を有する基板上に単結晶半導体層を形成し、単結晶半導体層の表面にレーザー光を照射する。これにより、単結晶半導体層の特性を均一にした半導体基板を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】接続孔内から無電解めっき層が剥がれて抜け落ちるのを防止できる半導体装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、半導体層３２上に形成された第１の絶縁層３３，２０３と、前記第１の絶縁層に形成され、前記第１の絶縁層の上面から途中まで異方性エッチングにより形成された第１の接続孔２０３ｃと、前記第１の絶縁層に形成され、前記第１の接続孔に繋げられ、前記第１の接続孔下の前記第１の絶縁層が等方性エッチングにより形成され、前記半導体層上に位置する第２の接続孔２０３ｇと、前記第１の接続孔内の側面及び前記第１の絶縁層上に形成された第２の絶縁層２０３ｄと、前記第２の接続孔の底面の前記半導体層から成長され、前記第２の接続孔内及び前記第１の接続孔内に埋め込まれた無電解めっき層２０４ａと、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】大型の半導体装置で、高速に動作する半導体装置を提供することを目的する。
【解決手段】単結晶の半導体層を有するトップゲート型のトランジスタと、アモルファスシリコン（またはマイクロクリスタルシリコン）の半導体層を有するボトムゲート型のトランジスタとを同一基板に形成する。そして、各々のトランジスタが有するゲート電極を同じレイヤーで形成し、ソース及びドレイン電極も同じレイヤーで形成する。このようにして、製造工程を削減する。つまり、ボトムゲート型のトランジスタの製造工程に、少しだけ工程を追加するだけで、２つのタイプのトランジスタを製造することが出来る。 （もっと読む）

【課題】工程の簡略化を図り、又は特性不良を抑制する半導体装置及びその作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】基板上に第１の導電膜と第２の導電膜を形成し、第１の導電膜上と第２の導電膜上に第１の絶縁膜を形成し、第１の導電膜上に第１の絶縁膜を介して電荷蓄積層を選択的に形成し、第１の絶縁膜上と電荷蓄積層上に第２の絶縁膜を形成し、第２の絶縁膜上に、第１の導電膜と重なる第１の半導体膜と、第２の導電膜と重なる第２の半導体膜と、第１の導電膜及び第２の導電膜と重ならない第３の半導体膜を形成し、第１の半導体膜、第２の半導体膜及び第３の半導体膜上に第３の絶縁膜を形成し、第３の半導体膜の上方に第３の絶縁膜を介して第３の導電膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板など耐熱温度が低い基板を用いた場合にも、実用に耐えうる単結晶半導体層を備えたＳＯＩ基板の製造方法を提供することを目的の一とする。また、そのようなＳＯＩ基板を用いた信頼性の高い半導体装置を作製することを目的の一とする。
【解決手段】半導体基板より分離され、絶縁表面を有する支持基板に接合された半導体層に電磁波を照射し、電磁波の照射された半導体層表面に研磨処理を行う。電磁波の照射により半導体層の少なくとも一部の領域を溶融させ、半導体層中の結晶欠陥を低減させることができる。さらに、研磨処理によって半導体層表面を研磨し、平坦化することができる。従って、電磁波の照射と研磨処理によって、結晶欠陥が低減され、かつ平坦性も高い半導体層を有するＳＯＩ基板を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】イオンの照射に起因する問題を解決した、良好な特性が得られる半導体基板を提供することを課題とする。
【解決手段】単結晶半導体基板の表面から所定の深さに損傷領域を形成し、単結晶半導体基板の表面をプラズマ処理し、プラズマ処理された単結晶半導体基板の表面に、絶縁層を形成し、絶縁層を介して、単結晶半導体基板を、絶縁表面を有する基板に貼り合わせ、単結晶半導体基板を、損傷領域で分離して、絶縁表面を有する基板上に単結晶半導体層を形成する。これにより、単結晶半導体層と絶縁層との界面における欠陥を低減した半導体基板を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板など耐熱温度が低い基板を用いた場合にも、実用に耐えうる単結晶半導体層を備えたＳＯＩ基板の製造方法を提供することを目的の一とする。また、そのようなＳＯＩ基板を用いた高性能な半導体装置を作製することを目的の一とする。
【解決手段】半導体基板より分離され、絶縁表面を有する支持基板に接合された半導体層に、波長３６５ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光を用いて半導体層に光照射を行い、かつ、光を照射する半導体層の膜厚ｄ（ｎｍ）が、光の波長をλ（ｎｍ）、半導体層の屈折率をｎ、ｍを１以上の自然数（ｍ＝１、２、３、４・・・）、０≦α≦１０とすると、ｄ＝λ／２ｎ×ｍ±α（ｎｍ）を満たすようにする。半導体層中で反射、共鳴し加熱処理を行うことのできる光を、半導体層の光吸収率が大きい最適な条件で半導体層へ照射することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置において、トランジスタの移動度を向上するために半導体層に歪を与える際、引っ張り歪を与えるのが好ましいトランジスタと、圧縮歪を与えるのが好ましいトランジスタとを同一基板上で効率良く形成するための構成および作製方法を提供する。
【解決手段】同一基板上に単結晶半導体基板より分離し、絶縁表面を有する基板に接合層を介して接合された単結晶半導体層を含む複数種のトランジスタを形成する。一のトランジスタは、引っ張り歪が与えられた単結晶半導体層を活性層として用い、他のトランジスタは、接合後に支持基板の加熱処理によって生ずる熱収縮の一部を利用した圧縮歪が与えられた単結晶半導体層を活性層として用いる。 （もっと読む）

【課題】トレンチゲートトランジスタにおいて、溝に埋め込まれたゲート電極とゲート絶縁膜との界面にボイドが形成されることを防止する。
【解決手段】半導体基板１に埋め込まれた素子分離絶縁膜３により絶縁分離された活性領域４と、ゲート絶縁膜５を介して活性領域４上を跨ぐように形成されたゲート電極６と、ゲート電極６を挟んだ両側の活性領域４に形成されたソース領域７ａ及びドレイン領域７ｂとを有し、活性領域４に溝８が設けられて、この溝８の内側にゲート絶縁膜５を介してゲート電極６の一部が埋め込まれてなるトレンチゲートトランジスタ５１を備える半導体装置であって、溝８が少なくとも上端開口部よりも下部側において幅広となる形状を有し、溝８に埋め込まれたゲート電極６内に外殻層１３ａで覆われた中空部（ボイド）１４が設けられている。 （もっと読む）