【課題】ＴＦＴ−ＬＣＤアレー基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＴＦＴ−ＬＣＤアレー基板の製造方法は、基板にゲートライン及びそのゲートラインと接続するゲート電極を形成し、前記ゲート電極にゲート絶縁層と半導体層とを形成し、前記半導体層にオーム接触層を形成することにより、基板にトランジスタ部を形成する工程と、前記工程で作製された基板に、ゲートラインとゲート電極と電気的に絶縁し、オーム接触層を介して前記半導体層の両側にオーム接触する透明画素電極層とソース・ドレイン電極金属層と順次堆積する工程と、作製された基板に、グレートーンマスクでマスキング及びエッチングを行うことにより、透明画素電極及びソース・ドレイン電極が同時に形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛に代表される酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成すること
で、作製プロセスを複雑化することなく、尚かつコストを抑えることができる半導体装置
及びその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、
ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に第１の導電膜及び第２の
導電膜を形成する半導体装置であって、酸化物半導体膜は、チャネル形成領域において少
なくとも結晶化した領域を有する。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩデバイスにおいて生じやすい基板浮遊問題やホットキャリアの問題を充分に抑制することが可能で、広く分布する部分分離絶縁膜であっても周囲の構造に対し結晶欠陥を生じさせにくい半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】各ＭＯＳトランジスタＴＲ１の間に設けられた部分分離絶縁膜５ｂ内におよそ一定の間隔を置いて、素子としての機能を有しないダミー領域ＤＭ１を形成する。これにより、部分分離絶縁膜５ｂ下のシリコン層３ｂよりも抵抗値の低いダミー領域ＤＭ１の占める割合が増加して、基板浮遊問題やホットキャリアの問題の抑制が行えるようになる。 （もっと読む）

【課題】高解像度のイメージングセンサにおいても、十分な光電流を得ることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】薄膜ダイオード２００Ａは、第１および第２半導体領域２３３、２３４を有する第１半導体層２３０と、第１半導体層２３０上に形成された第２および第３半導体層２３６、２３８と、第１および第２コンタクトホール２４１、２４２とを有する。第１半導体領域２３３は、第１導電型不純物を含有し、第２半導体領域２３６および第３半導体層２３８は、第２導電型不純物を含有し、第２半導体層２３６は、第２導電型不純物とは異なる第３導電型不純物を含有し、第２および第３半導体層２３６、２３８は、選択成長により形成され、第２半導体領域２３４は第２コンタクトホール２４２に整合している。 （もっと読む）

【課題】ベース基板（例えばガラス基板）とボンド基板（例えば単結晶シリコン基板）とを貼り合わせてＳＯＩ基板を作製する際の半導体層（例えば単結晶シリコン層）の表面の荒れを抑制することを目的の一とする。または、上記荒れを抑えて半導体装置の歩留まりを向上することを目的の一とする。
【解決手段】ボンド基板にイオンを添加して該ボンド基板に脆化領域を形成し、ベース基板にレーザー光の照射による複数の凹凸部を形成し、絶縁層を介してボンド基板とベース基板とを貼り合わせる際に、複数の凹凸部をボンド基板とベース基板との位置合わせの指標として用いると共に、複数の凹凸部の一を含む領域に、ボンド基板とベース基板とが貼り合わない領域であってその外周が閉じられた領域を形成し、熱処理を施すことにより、脆化領域においてボンド基板を分離して、ベース基板上に半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】チャネルの閾値調整が容易で、オン抵抗の小さい高耐圧半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１導電型であるｐ型の半導体基板１００上に形成された第２導電型であるｎ型のソース領域２００と、半導体基板１００の表面から所定の深さまで形成された第２導電型であるｎ型の電界緩和層３００と、電界緩和層３００の領域内においてソース領域２００から遠い領域の上層領域に形成されたドレイン領域４００と、ドレイン領域４００とソース領域２００の間で半導体基板１００の表面の活性領域に形成されたゲート酸化膜５００と、ゲート酸化膜５００の下のチャネル部５５０の一部に形成される閾値調整用拡散部５５５と、ドレイン領域４００とゲート酸化膜５００の間の半導体層表面に形成されたＬＯＣＯＳ酸化膜６００と、ゲート酸化膜５００上からＬＯＣＯＳ酸化膜６００上に張り出して形成されたゲート電極５１０と、を有して構成する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、非破壊かつ簡便に、所望の電気特性を得るために最適なキャリア濃
度にドーピングできるドーピング装置、並びにドーピング方法、それを用いる薄膜トラン
ジスタの作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 本発明では、接触角を用いて、半導体素子の電気特性（トランジスタにお
けるしきい値電圧など）を正確かつ精密にモニタし、ドーピング方法を制御することによ
って、特性を制御する。また、本発明により、ｉｎ−ｓｉｔｕで特性をモニタすることを
よって、情報を時々刻々取得し、時間遅延なくフィードバックできる。 （もっと読む）

【課題】半導体膜の結晶性若しくは表面の平坦性、又は結晶性及び表面の平坦性を高めることのできるレーザ照射装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】レーザ発振器と、レーザ発振器から射出されたレーザ光を線状に成形する光学系と、光学系によって成形された線状のレーザ光が照射される被照射物を載置するステージと、を有し、ステージは、支持台上に、ヒータ、不純物吸着材及び被照射物を載置する載置台が順に固定されているレーザ照射装置を用いて、絶縁表面上に設けられた半導体膜にレーザ光を照射し、半導体膜を結晶化する。 （もっと読む）

【課題】炭化シリコンを含む半導体基板の新たな作製方法を提供することを目的の一とする。または、炭化シリコンを用いた半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】炭化シリコン基板にイオンを添加することにより、炭化シリコン基板中に脆化領域を形成し、炭化シリコン基板とベース基板とを絶縁層を介して貼り合わせ、炭化シリコン基板を加熱して、脆化領域において炭化シリコン基板を分離することにより、ベース基板上に絶縁層を介して炭化シリコン層を形成し、炭化シリコン層を１０００℃〜１３００℃の温度で熱処理して、炭化シリコン層の欠陥を低減することにより半導体基板を作製する。または、上述のようにして形成された半導体基板を用いて半導体装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】半導体層の界面に生じるダングリングボンドをフッ素で終端することで、界面準位を低減することができ、また、低熱履歴のプロセスでも活性領域のみへ効率よくフッ素を導入することができる半導体基板を提供する。
【解決手段】フッ素拡散防止膜６と該フッ素拡散防止膜６上に形成されたフッ素を含有するシリコン酸化膜７からなる絶縁層９と、前記絶縁層９上に形成された半導体層８と、を含み、前記半導体層８とフッ素を含有する前記シリコン酸化膜７とが接触していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型の表示装置においては、回路を構成する薄膜トランジスタの電気特性が重要であり、この電気特性が表示装置の性能を左右する。従って、逆スタガ型の薄膜トランジスタに水素を徹底的に排除した酸化物半導体膜を用い、電気特性のバラツキを低減する。
【解決手段】課題を解決するため、大気に触れることなくゲート絶縁膜と、酸化物半導体層と、チャネル保護膜との三層をスパッタ法により連続成膜を行う。また、酸化物半導体層の成膜は、酸素が流量比で５０％以上１００％以下含まれる雰囲気中で行う。また、酸化物半導体層のチャネル形成領域の上層及び下層が、窒素含有量が３原子％以上３０原子％以下の酸化窒化珪素膜であることを特徴的な構造とする。 （もっと読む）

【課題】単結晶シリコン基板よりも大面積な基板に、均一な質を有する複数の単結晶半導体層を貼り付けたＳＯＩ基板の作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】熱処理において、ベース基板支持及び単結晶半導体基板保持のトレイとして、凹部の底が深く、ベース基板に貼り付けられた単結晶半導体基板と接触しないトレイを用いて、単結晶半導体基板の熱分布の均一化を図る。また、該トレイの各々の凹部の間にベース基板支持部を設けることによって、該トレイとベース基板との接触面積を低減する。以上より、単結晶半導体基板から単結晶半導体層を分離する熱処理の際、単結晶半導体基板及びベース基板の熱分布が均一になるようにする。 （もっと読む）

【課題】例えば液晶装置等の電気光学装置に用いた際に、表示画像におけるフリッカの発生を効果的に抑制することで、高品位な画像表示を図る。
【解決手段】薄膜トランジスタ（３０）は、基板（１０）上に、ソース領域（１ｓ）、チャネル領域（１ｃ）、ドレイン領域（１ｄ）、第１ＬＤＤ領域（１ｓｃ）及び第２ＬＤＤ領域（１ｃｄ）を有する半導体層（１ａ）と、チャネル領域に対向配置されたゲート電極（２ａ）とを備える。第１ＬＤＤ領域及び第２ＬＤＤ領域のうち、一方はドープされた不純物の濃度が半導体層のチャネル長方向に沿って段階的に変化し、他方はドープされた不純物の濃度が前記一方と比べて段階的に変化しない。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板と単結晶半導体基板とを貼り合わせてＳＯＩ基板を作製する際のシリコン層の表面の荒れを抑制することを目的の一とする。または、上記荒れを抑えて歩留まりの高い半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】ボンド基板に加速されたイオンを照射して該ボンド基板に脆化領域を形成し、ボンド基板またはベース基板の表面に絶縁層を形成し、絶縁層を介してボンド基板とベース基板を貼り合わせると共に、ボンド基板とベース基板の一部に貼り合わない領域を形成し、熱処理を施すことにより、脆化領域においてボンド基板を分離して、ベース基板上に半導体層を形成する。 （もっと読む）

いくつかの実施例は、半導体デバイスを提供する方法を含む。当該方法は、
（ａ）フレキシブル基板を提供する段階、（ｂ）フレキシブル基板上に少なくとも１つの材料層を堆積させる段階であって、そのフレキシブル基板上の少なくとも１つの材料層の堆積は、少なくとも１８０℃の温度で生じる、段階、および（ｃ）金属層とａ−Ｓｉ層との間に拡散バリアを提供する段階を含む。他の実施例も本願において開示される。
（もっと読む）

【課題】
ボディ・コンタクトを半導体オン・インシュレータ・デバイスに設け、それにより、デバイスに寄生容量の低減をもたらすこと。
【解決手段】
１つの実施形態において、本発明は、絶縁層の上を覆うように配置された半導体層を含む基板であって、半導体層は、半導体ボディと、半導体ボディの外周の周りに存在する分離領域とを含む基板と、基板の半導体層の上を覆うゲート構造体であって、半導体ボディの上面の第１の部分上に存在するゲート構造体と、非シリサイド半導体領域によって半導体ボディの第１の部分から分離される半導体ボディの第２の部分と直接物理的に接触しているシリサイド・ボディ・コンタクトとを含む、半導体デバイスの製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】ウェル電位固定用のウェル給電用素子を設ける際に、縦型ＭＯＳトランジスタ間に素子分離用の埋込絶縁層を必要とせず、素子分離用の埋込絶縁層の形成に必要な面積を削減して、半導体装置の高集積化を図る。
【解決手段】半導体基板１に形成された第１導電型のウェル２内に、ウェル給電用素子Ｘと縦型ＭＯＳトランジスタＹとが備えられ、ウェル給電用素子Ｘは、ウェル２と同じ導電型のボディ領域からなるピラー部Ｐ１を有し、ピラー部Ｐ１の上部には、第１導電型のウェル２の濃度よりも高い濃度を有する第１導電型の第１不純物拡散層１３を備え、縦型ＭＯＳトランジスタＹは、ウェル２と同じ導電型のボディ領域からなるピラー部Ｐ２を有し、かつ縦型ＭＯＳトランジスタＹのピラー部Ｐ２の上部には、第２導電型の第２不純物拡散層７を備えることを特徴とする半導体装置を採用する。 （もっと読む）

【課題】絶縁表面を有する基板を用いる場合に生じうる課題を解決した半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】絶縁表面を有するベース基板と、絶縁表面上の導電層と、導電層上の絶縁層と、絶縁層上の、チャネル形成領域、第１の不純物領域、第２の不純物領域、およびチャネル形成領域と第２の不純物領域の間の第３の不純物領域と、を有する半導体層と、半導体層を覆うゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上のゲート電極と、第１の不純物領域に電気的に接続された第１の電極と、第２の不純物領域に電気的に接続された第２の電極とを有し、導電層は所定の電位に保持される。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用い、電気特性の優れた薄膜トランジスタを備えた半導体装置を提供することを課題の一つとする。
【解決手段】チャネル形成領域にＳｉＯｘを含むＩｎ−Ｓｎ−Ｏ系酸化物半導体層を用い、電気抵抗値の低い金属材料からなる配線層とのコンタクト抵抗を低減するため、ソース電極層及びドレイン電極層と上記ＳｉＯｘを含むＩｎ−Ｓｎ−Ｏ系酸化物半導体層との間にソース領域又はドレイン領域を設ける。ソース領域又はドレイン領域、及び画素領域は同一層のＳｉＯｘを含まないＩｎ−Ｓｎ−Ｏ系酸化物半導体層を用いる。 （もっと読む）

【課題】素子基板の基板本体として半導体基板を用いた場合でも、複雑なウエル構造や大掛かりな遮光構造を必要とせず、かつ、基板本体としてガラス基板などを用いた場合に比較して画素トランジスターの特性を大幅に向上することのできる電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置１００の素子基板１０では、基板本体として、単結晶シリコン基板からなる半導体基板１１を用い、半導体基板１１の表面に不純物を導入することによって、バックゲート構造を備えた画素トランジスター３０の第１ゲート電極１１ａ、および保持容量６０の第１保持容量電極１１ｂを同時形成する。また、第１ゲート絶縁層７０の一部を保持容量用誘電体層７０ｃとして利用する。 （もっと読む）