【課題】誘電体層と半導体層の間の所定の構造の２つの界面層を有する、オン／オフ比や移動度の改良された薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ＯＴＦＴ１０は、誘電体層４０と半導体層７０の間に２つの界面層８０，９０があり、一方の界面層が、シロキサンポリマーまたはシルセスキオキサンポリマーから形成されており、他方の界面層が、式（Ｉ）のシランから形成されている。


式（Ｉ）
（上記式（Ｉ）中、Ｒ’は、約１個から約２４個までの炭素原子を有するアルキルであり、Ｒ”は、約１個から約２４個までの炭素原子を有するアルキル、ハロゲン、アルコキシ、ヒドロキシルまたはアミノであり、Ｌは、ハロゲン、酸素、アルコキシ、ヒドロキシル、またはアミノであり、ｋは、１または２であり、ｍは、１、２または３である。） （もっと読む）

【課題】配線抵抗を低下させて、均一かつ確実に動作させる透明薄膜トランジスタ及び画像表示装置を提供すること。
【解決手段】実質的に透明な基板と、基板上に実質的に透明な導電材料の第１の薄膜と金属材料の第２の薄膜とを２層以上積層して形成されたゲート配線と、ゲート配線上に形成された実質的に透明なゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成された実質的に透明な半導体活性層と、実質的に透明な半導体活性層を挟んで離間して形成された実質的に透明な導電材料の第５の薄膜と金属材料の第６の薄膜とを２層以上積層して形成されたソース配線と、実質的に透明な半導体活性層を挟み、ソース配線に離間して実質的に透明な導電材料の第７の薄膜で形成されたドレイン電極と、を備えることを特徴とする透明薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】バルク基板を用いてもショートチャネル効果の抑制を効果的に発揮することができるＦｉｎＦＥＴ構造を有する半導体装置及びその製造方法を得る。
【解決手段】Ｓｉ基板１上にＳｉＣエピタキシャル層２が形成され、ＳｉＣエピタキシャル層２の突出部２ｔ上にＳｉエピタキシャル層３が形成される。突出部２ｔ及びＳｉエピタキシャル層３は共に第１の方向に延びて、一方向延在形状を呈している。Ｓｉエピタキシャル層３の上面上及び両側面上には酸化膜８，窒化膜９及びゲート酸化膜２０が形成される。酸化膜８，窒化膜９及びゲート酸化膜２０を介して、Ｓｉエピタキシャル層３の上面上及び側面上にゲート電極Ｇ２が形成される。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの製造において有用な半導体インク配合物を提供する。
【解決手段】半導体インク配合物は、構造式（Ａ）のチオフェン部分を含む半導体材料と、第１の溶媒と、第１の溶媒と混和性であり、第１の溶媒の表面張力に等しいかまたはそれより大きい表面張力を有する第２の溶媒とを含み、該半導体材料が室温にて０．１重量％未満の溶解度を有する。


（上記構造式（Ａ）中、Ｒ_１は、アルキルおよび置換アルキルから選択される。） （もっと読む）

【課題】液晶表示装置用アレイ基板及びその製造方法、これを具備した液晶表示装置を得る。
【解決手段】本発明に係る液晶表示装置用アレイ基板及びその製造方法、これを具備した液晶表示装置は、光漏洩電流を減少させることができる遮断膜（Ｓｈｉｅｌｄｉｎｇ Ｍｅｔａｌ）を利用して光損失を除去することで、光漏洩電流を最小化して画質を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 電界効果型半導体装置に関し、従来の作製方法を大幅に変更することなく、サブスレッショルド電流によるｏｆｆ時のリーク電流を抑制して、ｏｎ−ｏｆｆ比を高くする。
【解決手段】 ソース領域及び第１ドレイン領域の少なくとも一方が金属或いは多結晶半導体からなるとともに、前記金属或いは多結晶半導体と半導体チャネル層との間に形成されたトンネル絶縁膜を有する。 （もっと読む）

【課題】動作特性に優れ低温で製造可能な酸化物半導体を用いた表示装置の特性を活かすには、適切な構成を備えた保護回路等が必要となる。
【解決手段】ゲート電極１５を被覆するゲート絶縁層３７と、ゲート絶縁層３７上においてゲート電極１５と端部が重畳し、第２酸化物半導体層４０と導電層４１が積層された一対の第１配線層３８及び第２配線層３９と、少なくともゲート電極１５と重畳しゲート絶縁層３７及び該第１配線層３８及び該第２配線層３９における導電層４１の側面部及び上面部の一部と第２酸化物半導体層４０の側面部と接する第１酸化物半導体層３６とを有する非線形素子３０ａを用いて保護回路を構成する。
ゲート絶縁層３７上において物性の異なる酸化物半導体層同士の接合を形成することで、ショットキー接合に比べて安定動作をさせることが可能となり、接合リークが低減し、非線形素子３０ａの特性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物半導体膜を用いる薄膜トランジスタにおいて、ソース電極層またはドレイン電極層のコンタクト抵抗を低減した薄膜トランジスタ及びその作製方法を提供することを課題の一つとする。
【解決手段】ソース電極層及びドレイン電極層上にＩＧＺＯ半導体層を設け、ソース電極層及びドレイン電極層とゲート絶縁層との間に、ＩＧＺＯ半導体層よりも酸素濃度の低いソース領域及びドレイン領域を意図的に設けることによってオーミック性のコンタクトを形成する。 （もっと読む）

【課題】透明導電性微粒子を含む流動性材料の塗布により、ゲート電極を形成する方法において、従来よりも低抵抗、かつ充分な表面平滑性をもった透明導電膜の製造方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板１０６上に、金属酸化物微粒子（ＩＴＯ）及び金属酸化物の前駆体を含む薄膜１０４”を塗布する。この薄膜にマイクロ波を照射することにより、前駆体が発熱体として作用し、焼成され、導電性薄膜を形成する。これをパターンニングしゲート電極１０４とする。ついで、ゲート絶縁膜１０５を形成し、半導体前駆体を塗布、乾燥し、半導体前駆体材料薄膜１０１’を得る。これにマイクロ波を照射することにより、ゲート電極が発熱し、この熱により半導体前駆体材料薄膜が加熱され、酸化物半導体膜に変換され半導体層１０１が形成される。マスクを介して金を蒸着し、ソース、ドレイン電極１０２，１０３を形成し、薄膜トランジスタとする。 （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層に式（１）で表される化合物を含有する有機トランジスタ。


（Ｘ_１〜Ｘ_９は、水素、ハロゲン、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、あるいはアリール基を、ｒ及びｓは０又は１を表すが同時に０となることはない。環Ａはチオフェン環を、Ｒ_１はアルキル基又はアリール基を、Ｒ_２は水素、ハロゲン、アルキル基、直鎖、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、あるいはアリール基を、Ｙ_１、Ｙ_２は、−ＣＨ＝ＣＨ−あるいは−Ｃ≡Ｃ−を、ｎは０又は１を表す） （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ用薄膜トランジスタ基板の製造工程を単純化する。
【解決手段】ゲート線及びゲート電極を含むゲート配線と、共通電極を含む共通配線とを絶縁基板の上に形成し、前記ゲート配線及び共通配線を覆うゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜の上に半導体パターン、前記半導体パターンの上に接触層パターン、前記接触層の上にソース電極及びドレーン電極をそれぞれ形成し、前記ソース電極と連結されたデータ線を含むデータ配線とを形成し、前記ドレーン電極の一部以外の前記データ配線を覆う保護膜パターンを形成し、前記データ配線と異なる層に画素電極を形成する段階とを含み、前記ソース及びドレーン電極の分離は、前記ソース電極及びドレーン電極の間に位置する第１部分と前記第１部分より厚い第２部分と前記第１部分より薄い第３部分とを含む感光膜パターンを用いた写真エッチングによって行う液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】１回の不純物導入工程により、低濃度不純物導入領域および高濃度不純物導入領域を同時形成することができるとともに、ＬＤＤ長を確実に制御することのできる半導体装置の製造方法、該製造方法により得た半導体装置、および該半導体装置を備えた電気光学装置を提供すること。
【解決手段】半導体装置の製造工程において、厚さが異なる第１マスク部分７１と第２マスク部分７２を備えたレジストマスク７０を介して半導体層１ｊに不純物イオンを導入する。その結果、厚さが厚い第１マスク部分７１と重なる部分に低濃度不純物導入領域（低濃度ソース領域１ｕおよび低濃度ドレイン領域１ｖ）が形成されると同時に、厚さが薄い第２マスク部分７２と重なる領域に高濃度不純物導入領域（高濃度ソース領域１ｔおよび高濃度ドレイン領域１ｗ）が形成される。 （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_１０はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、環Ａは置換または未置換のチエノチオフェン環、置換または未置換のジチエノチオフェン環、置換または未置換のベンゾジチオフェン環、置換または未置換のチエノベンゾチオフェン環、あるいは置換または未置換のナフトチエノチオフェン環を表す） （もっと読む）

【課題】ソース−ドレイン領域の半導体膜と走査線の下にある半導体膜とが接続されていることに起因して生じる不具合をなくすことができる、アクティブマトリクス方式のディスプレイ用薄膜トランジスタ基板を提供する。
【解決手段】基板１０側から、少なくとも、半導体膜１３、ゲート絶縁膜１４ｇ、ゲート電極１５ｇの順で設けられたＴＦＴ２０を有するアクティブマトリクス方式のディスプレイ用薄膜トランジスタ基板１において、ゲート電極１５ｇをその一部として含む走査線３１が所定の隙間Ｇを隔てて分断された導電性パターン３２と、その導電性パターン３２の下に設けられた半導体膜１３と、分断された導電性パターン３２を接続する配線膜３３とを有するように構成した。 （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_１４はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、さらに、隣接するＸ_１〜Ｘ_８は互いに結合して置換または未置換のベンゼン環を形成していてもよい） （もっと読む）

【課題】有機トランジスタ用の有機半導体材料として有用な化合物、及び該化合物を用いる有機半導体薄膜等を提供すること。
【解決手段】式（１）


（式中、環構造Ａ及び環構造Ｂは、独立して、芳香族環又は複素環を表し；
環構造Ｃは、ベンゼン環、ヘテロ［３，２−ｂ］ヘテロール環、又はベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジヘテロール環を表し、
Ｗ，Ｘ，Ｙ及びＺのうち、少なくともいずれか１つは、Ｎ−（Ｒ^５）である。）
で表される化合物、当該化合物を含む有機トランジスタ、有機半導体薄膜等の提供。 （もっと読む）

【課題】移動度、電流オン／オフ比、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層に式（１）の化合物を含む有機トランジスタ。


［環Ａは式（ａ）または式（ｂ）で表される構造。］ （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_８はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、環Ａは置換または未置換のチエノチオフェン環、置換または未置換のジチエノチオフェン環、置換または未置換のベンゾジチオフェン環、置換または未置換のチエノベンゾチオフェン環、あるいは置換または未置換のナフトチエノチオフェン環を表す） （もっと読む）

【課題】リーク電流が小さく、スイッチング特性の高い薄膜トランジスタの作製方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタの作製方法において、レジストマスクを用いてエッチングを行うことで薄膜トランジスタにバックチャネル部を形成し、このレジストマスクを剥離等により除去し、バックチャネル部の表層部に更なるエッチングを行う。これにより、バックチャネル部の表層部に存在する剥離に用いた薬液の成分又はレジストマスクの残渣等を除去し、リーク電流を低減することができる。バックチャネル部の更なるエッチングにはＮ_２ガス又はＣＦ_４ガスにより無バイアスで行うドライエッチングを用いることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ＳＩＭＳにおける積層膜の深さ方向測定時に積層膜界面の帯電による強度低下を利用し薄膜トランジスタの特性を予測する方法を提供。
【解決手段】薄膜トランジスタの積層構造と同じ積層構造で、それぞれ、オン電流が異なる複数の試料に対し、表面帯電状態を非中和にした状態で１次イオン照射し飛散した２次イオンにより深さ方向プロファイルを作成する第１工程と、プロファイルに基づいてシリコンの２次イオン強度の低下率を求める第２工程と、２次イオン強度の低下率とオン電流低下度の相関曲線を作成する第３工程と、第１及び第２工程の手順により半導体層界面前後におけるシリコンの２次イオン強度の低下率を求める第４工程（Ｓ２，Ｓ５）と、第４工程において求められた試料の２次イオン強度の低下率を、シリコンの２次イオン強度の低下率とオン電流低下度の相関曲線に照らして試料のオン電流低下度を求める（Ｓ６）。 （もっと読む）