新規化合物及び有機半導体材料
【課題】有機トランジスタ用の有機半導体材料として有用な化合物、及び該化合物を用いる有機半導体薄膜等を提供すること。
【解決手段】式（１）
（式中、環構造Ａ及び環構造Ｂは、独立して、芳香族環又は複素環を表し；
環構造Ｃは、ベンゼン環、ヘテロ［３，２−ｂ］ヘテロール環、又はベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジヘテロール環を表し、
Ｗ，Ｘ，Ｙ及びＺのうち、少なくともいずれか１つは、Ｎ−（Ｒ５）である。）
で表される化合物、当該化合物を含む有機トランジスタ、有機半導体薄膜等の提供。
【解決手段】式（１）
（式中、環構造Ａ及び環構造Ｂは、独立して、芳香族環又は複素環を表し；
環構造Ｃは、ベンゼン環、ヘテロ［３，２−ｂ］ヘテロール環、又はベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジヘテロール環を表し、
Ｗ，Ｘ，Ｙ及びＺのうち、少なくともいずれか１つは、Ｎ−（Ｒ５）である。）
で表される化合物、当該化合物を含む有機トランジスタ、有機半導体薄膜等の提供。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、新規化合物及び有機半導体材料に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機トランジスタ等の有機半導体デバイスは、電子ペーパーや大画面フラットパネルディスプレイなどの次世代の技術への応用が期待されている。有機トランジスタは、有機半導体活性層、基板、絶縁層、電極等、数種類の部材から構成される。このうち、有機半導体活性層は、キャリア輸送を担う重要な役割を有している。トランジスタの特性は、この有機半導体活性層を構成する有機材料（有機半導体材料）のキャリア輸送能に大きく依存する。
有機トランジスタ用の有機半導体材料として、ペンタセン、ジナフトチエノチオフェン、インドロ［３，２−ｂ］カルバゾールなどの多環縮環化合物、オリゴマーやポリマー系の材料等、種々の有機化合物が開示されている（例えば、非特許文献１〜６参照）。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００３】
【非特許文献１】Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．２００２，９２，５２５９．
【非特許文献２】Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．２００４，１２６，１３８５９．
【非特許文献３】Ｓｃｉｅｎｃｅ １９９８，２８０，１７４１．
【非特許文献４】Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．２００７，１２９，２２２４．
【非特許文献５】Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．２００５，１２７，６１４．
【非特許文献６】Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．２００７，１２９，９１２５．
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、有機トランジスタ用の有機半導体材料として有用な新規化合物、その製造方法、該化合物を含む有機半導体材料、有機薄膜及び有機トランジスタを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、以下の［１］〜［１６］の新規な化合物、［１７］〜［２０］の該化合物の製造方法、該製造方法に用いる［２１］〜［２４］のテトラハロゲン化合物、及び［２５］〜［３０］の該テトラハロゲン化合物の製造方法を提供する。
［１］：式（１）
（式中、環構造Ａ及び環構造Ｂは、独立して、置換基を有していていもよい芳香族環又は置換基を有していていもよい複素環を表し；
環構造Ｃは、置換されていてもよいベンゼン環、ヘテロ［３，２−ｂ］ヘテロール環、又は置換されていてもよいベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジヘテロール環を表し、
Ｗ，Ｘ，Ｙ及びＺは、独立して、硫黄原子、酸素原子、セレン原子、テルル原子、ＳＯ２、（Ｒ１）−Ｃ−（Ｒ２）、（Ｒ３）−Ｓｉ−（Ｒ４）、又はＮ−（Ｒ５）を表し、Ｗ，Ｘ，Ｙ及びＺのうち少なくともいずれか１つは、Ｎ−（Ｒ５）であり、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、独立して、水素原子、置換基ｉ、置換基ｉｉ、ハロゲン原子を置換基として有していてもよいアリール基、又はハロゲン原子を置換基として有していてもよいヘテロアリール基を表し、置換基ｉは下記群Ｐより選択される基であり、置換基ｉｉは置換基を有する下記群Ｐより選択される基であり、群Ｐは、アルキル基、アルコキシ基、アルキル置換アリール基、アルコキシ置換アリール基およびアルキル置換ヘテロアリール基からなる。）
で表される化合物。
［２］：環構造Ａ及び環構造Ｂが、独立して、芳香族環、複素環、置換基ｉｉｉを置換基として有する芳香族環、置換基ｉｖを置換基として有する芳香族環、置換基ｉｉｉを置換基として有する複素環、置換基ｉｖを置換基として有する複素環、ハロゲン置換芳香族環、又は、ハロゲン置換複素環であり、
置換基ｉｉｉは下記Ｑ群より選ばれる置換基であり、
置換基ｉｖは、フッ素原子を置換基として有する下記Ｑ群より選ばれる置換基であり、
Ｑ群は、アルキル基、アルコキシ基、アルキル置換アリール基、アルコキシ置換アリール基、アルコキシ置換へテロアリール基、アルキル置換へテロアリール基、アルケニル基、アルキニル基、アルキルチオ基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基、（トリアルキル）シリル基及び（ジアルキル）アミノ基からなる、［１］に記載される化合物。
［３］：環構造Ａ及び環構造Ｂは、独立して、ベンゼン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゼン環、置換基ｉｖを置換基として有するベンゼン環、ハロゲン置換ベンゼン環、ナフタレン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するナフタレン環、置換基ｉｖを置換基として有するナフタレン環、ハロゲン置換ナフタレン環、ベンゾ［ｂ］チオフェン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゾ［ｂ］チオフェン環、置換基ｉｖを置換基として有するベンゾ［ｂ］チオフェン環、ハロゲン置換ベンゾ［ｂ］チオフェン環、ベンゾ［ｂ］フラン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゾ［ｂ］フラン環、置換基ｉｖを置換基として有するベンゾ［ｂ］フラン環、又は、ハロゲン置換ベンゾ［ｂ］フラン環である、［２］に記載される化合物。
［４］：環構造Ａ及び環構造Ｂは、独立して、ベンゼン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゼン環、置換基ｉｖを置換基として有するベンゼン環、又は、ハロゲン置換ベンゼン環である、［２］に記載される化合物。
【０００６】
［５］：環構造Ｃが、ベンゼン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゼン環、置換基ｉｖを置換基として有するベンゼン環、ハロゲン置換ベンゼン環、チエノ［３，２−ｂ］チオフェン環、ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ‘］ジチオフェン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン環、置換基ｉｖを置換基として有するベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン環、ハロゲン置換ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン環、ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジフラン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジフラン環、置換基ｉｖを置換基として有するベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジフラン環、又は、ハロゲン置換ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジフラン環であり、
置換基ｉｉｉは下記Ｑ群より選ばれる置換基であり、
置換基ｉｖは、フッ素原子を置換基として有する下記Ｑ群より選ばれる置換基であり、
Ｑ群は、アルキル基、アルコキシ基、アルキル置換アリール基、アルコキシ置換アリール基、アルコキシ置換へテロアリール基、アルキル置換へテロアリール基、アルケニル基、アルキニル基、アルキルチオ基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基、（トリアルキル）シリル基、及び、（ジアルキル）アミノ基からなる、［１］〜［４］のいずれかに記載される化合物。
［６］：環構造Ｃが、ベンゼン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゼン環、置換基ｉｖを置換基として有するベンゼン環、ハロゲン置換ベンゼン環、又は、チエノ［３，２−ｂ］チオフェン環である、［１］〜［４］のいずれかに記載される化合物。
【０００７】
［７］：Ｗ及びＸのうちいずれか一方は、Ｎ−（Ｒ５）であり、
他方は硫黄原子、酸素原子、（Ｒ１）−Ｃ−（Ｒ２）又は（Ｒ３）−Ｓｉ−（Ｒ４）であり、
ＺはＷと同一であり、ＹはＸと同一である、［１］〜［６］のいずれかに記載される化合物。
［８］：Ｗ及びＸのうちいずれか一方は、Ｎ−（Ｒ５）であり、
他方は硫黄原子又は酸素原子であり、
ＺはＷと同一であり、ＹはＸと同一である、［１］〜［６］のいずれかに記載される化合物。
【０００８】
［９］：Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、独立して、水素原子、炭素数１〜３０のアルキル基、炭素数１〜３０のフルオロアルキル基、フェニル基、炭素数１〜３０のアルキル基を置換基として有するフェニル基、炭素数１〜３０のフルオロアルキル基を置換基として有するフェニル基、炭素数１〜３０のアルコキシ基を置換基として有するフェニル基、炭素数１〜３０のフルオロアルコキシ基を置換基として有するフェニル基、チエニル基、炭素数１〜３０のアルキル基を置換基として有するチエニル基、又は、炭素数１〜３０のフルオロアルキル基を置換基として有するチエニル基である、［１］〜［８］のいずれかに記載される化合物。
［１０］：Ｒ５は、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のフルオロアルキル基、フェニル基、炭素数１〜２０のアルキル基を置換基として有するフェニル基、炭素数１〜２０のフルオロアルキル基を置換基として有するフェニル基、又は、炭素数１〜２０のアルコキシ基を置換基として有するフェニル基である、［１］〜［９］のいずれかに記載される化合物。
【０００９】
［１１］：環構造Ａ、環構造Ｂ及び環構造Ｃは、独立して、ベンゼン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゼン環、又はハロゲン置換ベンゼン環であり、
Ｘ及びＹは同一で、Ｎ−（Ｒ５）であり、
Ｗ及びＺは同一で、硫黄原子又は酸素原子であり、
置換基ｉｉｉは下記Ｑ群より選ばれる置換基であり、
Ｑ群は、アルキル基、アルコキシ基、アルキル置換アリール基、アルコキシ置換アリール基、アルコキシ置換へテロアリール基、アルキル置換へテロアリール基、アルケニル基、アルキニル基、アルキルチオ基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基、（トリアルキル）シリル基及び（ジアルキル）アミノ基からなる、［１］に記載される化合物。
［１２］：環構造Ａ、環構造Ｂ及び環構造Ｃは、独立して、ベンゼン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゼン環、又は、ハロゲン置換ベンゼン環であり、
Ｘ及びＹは同一で、硫黄原子又は酸素原子であり、
Ｗ及びＺは同一で、Ｎ−（Ｒ５）であり、
置換基ｉｉｉは下記Ｑ群より選ばれる置換基であり、
Ｑ群は、アルキル基、アルコキシ基、アルキル置換アリール基、アルコキシ置換アリール基、アルコキシ置換へテロアリール基、アルキル置換へテロアリール基、アルケニル基、アルキニル基、アルキルチオ基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基、（トリアルキル）シリル基及び（ジアルキル）アミノ基からなる、［１］に記載される化合物。
【００１０】
［１３］：環構造Ａ及び環構造Ｂは、独立して、ベンゼン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゼン環、又はハロゲン置換ベンゼン環であり、
環構造Ｃは、チエノ［３，２−ｂ］チオフェン環であり、
Ｘ及びＹは同一で、Ｎ−（Ｒ５）であり、
Ｗ及びＺは同一で、硫黄原子又は酸素原子である、
［２］に記載される化合物。
［１４］：環構造Ａ及び環構造Ｂは、独立して、ベンゼン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゼン環、又は、ハロゲン置換ベンゼン環であり、
環構造Ｃは、チエノ［３，２−ｂ］チオフェン環であり、
Ｘ及びＹは同一で、硫黄原子又は酸素原子であり、
Ｗ及びＺは同一で、Ｎ−（Ｒ５）である、
［２］に記載される化合物。
【００１１】
［１５］：環構造Ａ及び環構造Ｂが、独立して、ベンゼン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゼン環、又はハロゲン置換ベンゼン環であり、
環構造Ｃは、ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン環、ハロゲン置換ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン環、ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジフラン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジフラン環、又は、ハロゲン置換ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジフラン環であり、
Ｘ及びＹは同一で、Ｎ−（Ｒ５）であり、
Ｗ及びＺは同一で、硫黄原子又は酸素原子であり、
置換基ｉｉｉは下記Ｑ群より選ばれる置換基であり、
Ｑ群は、アルキル基、アルコキシ基、アルキル置換アリール基、アルコキシ置換アリール基、アルコキシ置換へテロアリール基、アルキル置換へテロアリール基、アルケニル基、アルキニル基、アルキルチオ基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基、（トリアルキル）シリル基及び（ジアルキル）アミノ基からなる、
［１］に記載される化合物。
［１６］：環構造Ａ及び環構造Ｂは、独立して、ベンゼン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゼン環、又はハロゲン置換ベンゼン環であり、
環構造Ｃは、ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン環、ハロゲン置換ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン環、ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジフラン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジフラン環、又はハロゲン置換ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジフラン環であり、
Ｘ及びＹは同一で、硫黄原子又は酸素原子であり、
Ｗ及びＺは同一で、Ｎ−（Ｒ５）であり、
置換基ｉｉｉは下記Ｑ群より選ばれる置換基であり、
Ｑ群は、アルキル基、アルコキシ基、アルキル置換アリール基、アルコキシ置換アリール基、アルコキシ置換へテロアリール基、アルキル置換へテロアリール基、アルケニル基、アルキニル基、アルキルチオ基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基、（トリアルキル）シリル基及び（ジアルキル）アミノ基からなる、
［１］に記載される化合物。
【００１２】
［１７］：［１］〜［１６］のいずれかに記載される化合物の製造方法であって、
式（２）又は式（３）
（式中、環構造Ａ、環構造Ｂ及び環構造Ｃは、それぞれ［１］と同じ定義である。
Ｗ’，Ｘ’，Ｙ’及びＺ’は、独立して、硫黄原子、酸素原子、セレン原子、テルル原子、ＳＯ２、（Ｒ１）−Ｃ−（Ｒ２）、（Ｒ３）−Ｓｉ−（Ｒ４）、又はＮ−（Ｒ５）を表し、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、それぞれ請求項１と同じ定義である。
Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８及びＲ９は、独立して、ハロゲン原子を表す。）
で表されるテトラハロゲン化合物と、
Ｒ５−ＮＨ２
（式中、Ｒ５は、［１］と同じ定義である。）
と、の反応を行う工程を含む製造方法。
［１８］：Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８及びＲ９は、独立して、臭素原子又はヨウ素である［１７］に記載される製造方法。
［１９］：Ｘ’，Ｙ’，Ｗ’及びＺ’は、独立して、硫黄原子又は酸素原子である［１７］又は［１８］に記載される製造方法。
［２０］：Ｒ５は、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のフルオロアルキル基、フェニル基、炭素数１〜２０のアルキル基を置換基として有するフェニル基、炭素数１〜２０のフルオロアルキル基を置換基として有するフェニル基、又は、炭素数１〜２０のアルコキシ基を置換基として有するフェニル基である、［１７］〜［１９］のいずれかに記載される製造方法。
【００１３】
［２１］：式（２）
（式中、環構造Ａ及び環構造Ｂは、それぞれ［１］と同じ定義である。
環構造Ｃは、チエノ［３，２−ｂ］チオフェン環であり、
Ｗ’及びＺ’は、独立して硫黄原子又は酸素原子である。
Ｒ６及びＲ７は、独立して、ハロゲン原子を表す。）
で表されるテトラハロゲン化合物。
［２２］：環構造Ａ及び環構造Ｂは、独立して、ベンゼン環、ナフタレン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、フラン環、又は、ベンゾフラン環である、［２１］に記載されるテトラハロゲン化合物。
［２３］：式（３）
（式中、環構造Ａ及び環構造Ｂは、それぞれ［１］と同じ定義である。
環構造Ｃは、チエノ［３，２−ｂ］チオフェン環、フロ［３，２−ｂ］フラン環、置換基を有していてもよいベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン環、又は、置換基を有していてもよいベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジフラン環であり、
Ｘ’及びＹ’は、独立して、硫黄原子又は酸素原子である。
Ｒ８及びＲ９は、独立して、ハロゲン原子を表す。）
で表されるテトラハロゲン化合物。
［２４］：環構造Ａ及び環構造Ｂは、独立して、ベンゼン環、ナフタレン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、フラン環、又は、ベンゾフラン環である、［２３］に記載されるテトラハロゲン化合物。
【００１４】
［２５］：式（４）
（式中、環構造Ａ，環構造Ｂ，環構造Ｃ、Ｗ’及びＺ’は、それぞれ［１７］と同じ定義である。
Ｒ１０及びＲ１１は、独立して、水素原子又はハロゲン原子を表し、
Ｒ１０及びＲ１１のうち少なくとも１つは、水素原子である。）
で表される化合物と、
ハロゲン化剤と、の反応を行う工程を含む
式（２）
（式中、Ｗ’、Ｚ’、Ｒ６およびＲ７は、それぞれ［１７］と同じ定義である。）
で表されるテトラハロゲン化合物の製造方法。
［２６］：Ｒ１０及びＲ１１は、独立して水素原子、臭素原子、又はヨウ素原子を表し、
Ｒ１０及びＲ１１のうち少なくとも１つは水素原子である、［２５］に記載される製造方法。
［２７］：Ｗ’及びＺ’は、独立して、硫黄原子又は酸素原子である［２５］又は［２６］に記載される製造方法。
【００１５】
［２８］：式（５）
（式中、環構造Ａ，環構造Ｂ，環構造Ｃ、Ｘ’及びＹ’は、それぞれ［１７］と同じ定義である。
Ｒ１２及びＲ１３は、独立して、水素原子又はハロゲン原子を表し、
Ｒ１２及びＲ１３のうち少なくとも１つは、水素原子である。）
で表される化合物と、ハロゲン化剤と、の反応を行う工程を含む
式（３）
（式中、Ｘ’、Ｙ’、Ｒ８及びＲ９は、それぞれ［１７］と同じ定義である。）
で表されるテトラハロゲン化合物の製造方法。
［２９］：Ｒ１２及びＲ１３は、独立して、水素原子、臭素原子、又はヨウ素原子を表し、
Ｒ１２及びＲ１３のうち少なくとも１つは水素原子である、［２８］に記載される製造方法。
［３０］：Ｘ’及びＹ’は、独立して、硫黄原子又は酸素原子である、［２８］又は［２８］に記載される製造方法。
【００１６】
さらに本発明は、上記化合物を用いる、下記［３１］〜［３７］の薄膜、素子ならびに有機トランジスタを提供する。
［３１］：［１］〜［１６］のいずれかに記載される化合物を含む有機半導体デバイス。
［３２］：［１］〜［１６］のいずれかに記載される化合物を含有する導電性薄膜。
［３３］：［１］〜［１６］のいずれかに記載される化合物を含有する発光性薄膜。
［３４］：［１］〜［１６］のいずれかに記載される化合物を含有する有機半導体薄膜。
［３５］：キャリア移動度が１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上である［３４］に記載される有機半導体薄膜。
［３６］：［３４］又は［３５］に記載される有機半導体薄膜を有する有機トランジスタ。
［３７］：［３３］に記載される発光性薄膜を有する発光素子。
【発明の効果】
【００１７】
本発明により、有機トランジスタ用の有機半導体材料として有用な新規化合物及びその製造方法を提供できた。さらに、該化合物を含む有機半導体材料、有機薄膜及び有機トランジスタを提供できた。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】実施例１７、１９、２１、２３、および２５により得られる各有機トランジスタの模式図である。
【図２】実施例１５により得られる有機トランジスタの模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明について詳細に説明する。
【００２０】
＜化合物（１）＞
まず、上述の式（１）で表される化合物（以下、「化合物（１）」という。）について説明する。
【００２１】
上記化合物（１）は、上記式（１）に示されるように、ピロール環又は、窒素原子上に置換基を有するピロール環を含み、且つ７環以上からなるヘテロアセン骨格を基本構造とする。
上記式（１）において、環構造Ａ及び環構造Ｂは、独立して、置換基を有していていもよい芳香族環、又は置換基を有していていもよい複素環を表す。
本発明における芳香族環としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナンスレン環、及びフルオレン環等が挙げられ、好ましくはベンゼン環及びナフタレン環が挙げられる。
【００２２】
本発明における複素環は、構成原子数（環を構成している原子の数）５〜１２であって、炭素原子及び異種原子を含む環構造を有する。上記異種原子としては、酸素原子、セレン原子、硫黄原子、及び窒素原子などが挙げられる。上記複素環は、異種原子数が１個又は２個であることが好ましい。
上記複素環としては、チオフェン環、フラン環、セレノフェン環、ピロール環、オキサゾール環、チアゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環等の単環の複素環；チエノ［３，２−ｂ］チオフェン環、フロ［３，２−ｂ］フラン環、チエノ［３，２−ｂ］フラン環、ベンゾ［ｂ］チオフェン環、ベンゾ［ｂ］フラン環等の２環の複素環が挙げられる。
【００２３】
環構造Ａ及び環構造Ｂにおいて、芳香族環及び複素環は、好ましくは単環又は二環であり、より好ましくはベンゼン環、チオフェン環、フラン環、セレノフェン環、ピロール環、チアゾール環、チエノ［３，２−ｂ］チオフェン環、フロ［３，２−ｂ］フラン環、チエノ［３，２−ｂ］フラン環、ベンゾ［ｂ］チオフェン環、ベンゾ［ｂ］フラン環、及びナフタレン環であり、更に好ましくはベンゼン環、２，３位で縮環したチオフェン環、２，３位で縮環したフラン環、２，３位で縮環したベンゾ［ｂ］チオフェン環、及び、２，３位で縮環したベンゾ［ｂ］フラン環であり、特に好ましくはベンゼン環である。
【００２４】
本発明において、芳香族環及び複素環が有することもある置換基（以下、場合により「芳香族環及び複素環における置換基」という。）としては、ハロゲン原子；シアノ基；ニトロ基；ハロゲンで置換されていてもよいアリール基；ハロゲンで置換されていてもよいヘテロアリール基；置換基ｉｉｉ；置換基ｉｖなどが挙げられ、
好ましくは、ハロゲン原子、置換基ｉｉｉ及び置換基ｉｖが挙げられる。このハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子のいずれでもよいが、フッ素原子、臭素原子及びヨウ素原子が好ましい。
【００２５】
上記芳香族環及び複素環における置換基が、ハロゲン原子を置換基として有するアリール基である場合、そのアリール基は、フェニル基又はナフチル基であることが好ましい。
上記芳香族環及び複素環における置換基がハロゲン原子で置換されていてもよいヘテロアリール基である場合、そのヘテロアリール基は、好ましくは単環又は二環であり、より好ましくは、チオフェニル基、フリル基、チアゾリル基、チエノ［３，２−ｂ］チオフェニル基、フロ［３，２−ｂ］フラリル基、チエノ［３，２−ｂ］フラリル基、ベンゾ［ｂ］チオフェニル基、ベンゾ［ｂ］フラニル基であり、更に好ましくは、チオフェニル基、フリル基、チエノ［３，２−ｂ］チオフェニル基、ベンゾ［ｂ］チオフェニル基、ベンゾ［ｂ］フリル基である。
【００２６】
本発明において、置換基ｉｉｉは下記群Ｑより選択される基であり、置換基ｉｖはフッ素原子を置換基として有する下記群Ｑより選択される基である。
上記群Ｑは、アルキル基、アルコキシ基、アルキル基を置換基として有するアリール基（以下、場合により「アルキル置換アリール基」という。）、アルコキシ基を置換基として有するアリール基（以下、場合により「アルコキシ置換アリール基」という。）、アルキル基を置換基として有するへテロアリール基（以下、場合により「アルキル置換へテロアリール基」という。）、アルコキシ基を置換基として有するへテロアリール基（以下、場合により「アルコキシ置換ヘテロアリール基」という。）、アルケニル基、アルキニル基、アルキルチオ基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基、（トリアルキル）シリル基及び（ジアルキル）アミノ基からなる。上記群Ｑの各基は、それぞれ、好ましくは炭素数１〜３０であり、より好ましくは炭素数１〜２０である。
上記置換基ｉｉｉは、好ましくはアルキル基、アルコキシ基、アルキル置換アリール基、アルコキシ置換アリール基及びアルキル置換へテロアリール基からなる群Ｑ１から選択される基であり、より好ましくは炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数１〜２０のアルキル基を置換基として有するアリール基、炭素数１〜２０のアルコキシ基を置換基として有するアリール基および炭素数１〜２０のアルキル基を置換基として有するヘテロアリール基からなる群Ｑ２から選択される基である。上記置換基ｉｖは、好ましくは上記群Ｑ１から選択される基にフッ素原子が置換されたものであり、より好ましくは上記群Ｑ２から選択される基にフッ素原子が置換されたものである。
【００２７】
環構造Ａ及び環構造Ｂとしては、それぞれ、芳香族環、複素環、置換基ｉｉｉを置換基として有する芳香族環、置換基ｉｖを置換基として有する芳香族環、置換基ｉｉｉを置換基として有する複素環、置換基ｉｖを置換基として有する複素環、ハロゲン置換芳香族環、又は、ハロゲン置換複素環であることが好ましく、
ベンゼン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゼン環、置換基ｉｖを置換基として有するベンゼン環、ハロゲン置換ベンゼン環、ナフタレン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するナフタレン環、置換基ｉｖを置換基として有するナフタレン環、ハロゲン置換ナフタレン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゾ［ｂ］チオフェン環、置換基ｉｖを置換基として有するベンゾ［ｂ］チオフェン環、ベンゾ［ｂ］チオフェン環、ハロゲン置換ベンゾ［ｂ］チオフェン環、ベンゾ［ｂ］フラン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゾ［ｂ］フラン環、置換基ｉｖを置換基として有するベンゾ［ｂ］フラン環、又は、ハロゲン置換ベンゾ［ｂ］フラン環であることがより好ましく、
ベンゼン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゼン環、置換基ｉｖを置換基として有するベンゼン環または、ハロゲン置換ベンゼン環であることが更に好ましい。
【００２８】
環構造Ｃは、置換基を有していてもよいベンゼン環、ヘテロ［３，２−ｂ］ヘテロール環、又は、置換基を有していてもよいベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジヘテロール環を表す。
上記置換基を有していてもよいベンゼン環としては、ベンゼン環、又は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、置換基ｉｉｉもしくは置換基ｉｖを置換基として有するベンゼン環が挙げられ、好ましくは、ベンゼン環、又は、ハロゲン原子、置換基ｉｉｉもしくは置換基ｉｖを置換基として有するベンゼン環が挙げられる。
上記ヘテロ［３，２−ｂ］ヘテロール環及びベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジヘテロール環における異種原子としては、例えば、硫黄原子、セレン原子、窒素原子及び酸素原子が挙げられる。
上記ヘテロ［３，２−ｂ］ヘテロール環としては、チエノ［３，２−ｂ］チオフェン環、フロ［３，２−ｂ］フラン環、セレノ［３，２−ｂ］セレノフェン環、チエノ［３，２−ｂ］フラン環、チエノ［３，２−ｂ］セレノフェン環、セレノ［３，２−ｂ］フラン環、及びチエノ［２，３−ｆ］［１］ベンゾフランが挙げられる。
上記ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジヘテロール環としては、ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン環、ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジフラン環、又はベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジセレノフェン環、及び、これらの環が、上述の芳香族環及び複素環における置換基で置換されたものが挙げられる。
環構造Ｃにおける置換基としては、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、置換基ｉｉｉ、及び置換基ｉｖが挙げられる。
上記環構造Ｃは、好ましくは、置換基を有していてもよいベンゼン環、異種原子が酸素原子、硫黄原子及び／又は窒素原子であるヘテロ［３，２−ｂ］ヘテロール環、ならびに、異種原子が酸素原子、硫黄原子及び／又は窒素原子である置換基を有していてもよいベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジヘテロール環であり、
より好ましくは、置換基を有していてもよいベンゼン環、チエノ［３，２−ｂ］チオフェン環、フロ［３，２−ｂ］フラン環、置換基を有していてもよいベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン環、及び、置換基を有していてもよいベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジフラン環であり、
さらに好ましくは、ベンゼン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゼン環、置換基ｉｖを置換基として有するベンゼン環、ハロゲン置換ベンゼン環、チエノ［３，２−ｂ］チオフェン環、ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン環、置換基ｉｖを置換基として有するベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン環、ハロゲン置換ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン環、ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジフラン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジフラン環、置換基ｉｖを置換基として有するベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジフラン環、及び、ハロゲン置換ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジフラン環であり、
一層好ましくは、ベンゼン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゼン環、置換基ｉｖを置換基として有するベンゼン環、ハロゲン置換ベンゼン環、チエノ［３，２−ｂ］チオフェン環であり、
特に好ましくは、ベンゼン環、炭素数１〜１６のアルキル基を置換基として有するベンゼン環、フッ素原子を置換基として有するベンゼン環（以下、場合により「フルオロベンゼン環」という。）、チエノ［３，２−ｂ］チオフェン環である。
【００２９】
上記式（１）において、Ｗ，Ｘ，Ｙ及びＺは、独立して、硫黄原子、酸素原子、セレン原子、テルル原子、ＳＯ２、（Ｒ１）−Ｃ−（Ｒ２）、（Ｒ３）−Ｓｉ−（Ｒ４）、又はＮ−（Ｒ５）を表す。上記Ｗ，Ｘ，Ｙ及びＺのうち少なくともいずれか１つは、Ｎ−（Ｒ５）である。
上記化合物（１）は、その合成が容易となるので、ＷがＺと同一であり、且つＸがＹと同一であることが好ましい。
上記化合物（１）は、より好ましくは、Ｗ及びＸの一方がＮ−（Ｒ５）であり、他方が硫黄原子、酸素原子、（Ｒ１）−Ｃ−（Ｒ２）又は（Ｒ３）−Ｓｉ−（Ｒ４）であり、ＺはＷと同一であり、ＹはＸと同一である。さらに好ましくは、Ｗ及びＸの一方がＮ−（Ｒ５）であり、他方が硫黄原子又は酸素原子であり、ＺはＷと同一であり、ＹはＸと同一である。
【００３０】
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、独立して、水素原子、置換基ｉ、置換基ｉｉ、ハロゲン原子を置換基として有していてもよいアリール基、又はハロゲンを置換基として有していてもよいヘテロアリール基を表す。
【００３１】
本発明において、置換基ｉは下記群Ｐより選択される基であり、置換基ｉｉは置換基を有する下記群Ｐより選択される基である。上記群Ｐは、アルキル基、アルコキシ基、アルキル置換アリール基、アルコキシ置換アリール基、アルキル置換へテロアリール基、アルコキシ置換へテロアリール基からなる。上記群Ｐの各基は、それぞれ、好ましくは炭素数１〜４０であり、より好ましくは炭素数１〜３０であり、更に好ましくは炭素数１〜２０である。
【００３２】
本発明におけるアルキル基は、直鎖及び分枝鎖のいずれでもよく、例えば、炭素数１〜３０の直鎖もしくは分枝鎖状のアルキル基が挙げられる。
上記アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ネオペンチル基、ｎ−ヘキシル基、２−エチルヘキシル基、シクロヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、２−ヘキシルオクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ｎ−ノナデシル基、ｎ−イコシル基、ｎ−ヘンイコシル基、ｎ−ドコシル基、ｎ−トリコシル基、ｎ−テトラコシル基、ｎ−ペンタコシル基、ｎ−ヘキサコシル基、ｎ−ヘプタコシル基、ｎ−オクタコシル基、ｎ−ノナコシル基、及びｎ−トリアコンチル基が例示され、
好ましくはメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ネオペンチル基、ｎ−ヘキシル基、２−エチルヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、２−ヘキシルオクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ｎ−ノナデシル基、ｎ−イコシル基等の炭素数１〜２０のアルキル基が挙げられ、
より好ましくはメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、２−エチルヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、２−ヘキシルオクチル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、及びｎ−ヘキサデシル基等の炭素数１〜１６のアルキル基が挙げられる。
【００３３】
本発明におけるフルオロアルキル基は、直鎖及び分枝鎖のいずれでもよく、例えば、炭素数１〜３０の直鎖もしくは分枝鎖状のフルオロアルキル基が挙げられる。上記フルオロアルキル基としては、上述のアルキル基において１つ以上の水素原子がフッ素原子で置き換わった基が挙げられる。
【００３４】
本発明におけるアルコキシ基は、直鎖及び分岐のいずれでもよく、例えば、炭素数が通常１〜３０の直鎖もしくは分枝鎖状のアルコキシ基が挙げられる。
上記アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、ｎ−ウンデシルオキシ基、ｎ−ドデシルオキシ基、ｎ−トリデシルオキシ基、ｎ−テトラデシルオキシ基、２−ｎ−ヘキシル−ｎ−オクチルオキシ基、ｎ−ペンタデシルオキシ基、ｎ−ヘキサデシルオキシ基、ｎ−ヘプタデシルオキシ基、ｎ−オクタデシルオキシ基、ｎ−ノナデシルオキシ基、ｎ−イコシルオキシ基、ｎ−ヘンイコシルオキシ基、ｎ−ドコシルオキシ基、ｎ−トリコシルオキシ基、ｎ−テトラコシルオキシ基、ｎ−ペンタコシルオキシ基、ｎ−ヘキサコシルオキシ基、ｎ−ヘプタコシルオキシ基、ｎ−オクタコシルオキシ基、ｎ−ノナコシルオキシ基、ｎ−トリアコンチルオキシ基、メトキシメトキシ基、メトキシエトキシ基、メトキシメトキシメトキシ基、メトキシエトキシエトキシ基、ポリエチレングリコキシ基が挙げられ、
好ましくはエトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、ｎ−ウンデシルオキシ基、ｎ−ドデシルオキシ基、ｎ−トリデシルオキシ基、ｎ−テトラデシルオキシ基、ｎ−ペンタデシルオキシ基、ｎ−ヘキサデシルオキシ基、ｎ−ヘプタデシルオキシ基、ｎ−オクタデシルオキシ基、ｎ−ノナデシルオキシ基、ｎ−イコシルオキシ基、メトキシメトキシ基、メトキシエトキシ基、メトキシメトキシメトキシ基、メトキシエトキシエトキシ基等の炭素数１〜２０のアルコキシ基が挙げられ、
より好ましくはエトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、ｎ−ウンデシルオキシ基、ｎ−ドデシルオキシ基、ｎ−トリデシルオキシ基、ｎ−テトラデシルオキシ基、ｎ−ペンタデシルオキシ基、ｎ−ヘキサデシルオキシ基、メトキシメトキシ基、メトキシエトキシ基、メトキシメトキシメトキシ基、メトキシエトキシエトキシ基の炭素数１〜１６のアルコキシ基が挙げられる。
【００３５】
本発明におけるアリール基としては、フェニル基、ナフチル基、フェナンスレニル基及びフロレニル基などが挙げられ、好ましくはフェニル基及びナフチル基が挙げられる。
本発明におけるアルキル置換アリール基としては、上述のアルキル基を置換基として有するアリール基が挙げられる。アルキル置換アリール基におけるアリール基の例としては、上述のアリール基が挙げられる。
本発明におけるアルコキシ置換アリール基としては、上述のアルコキシ基を置換基として有するアリール基が挙げられる。アルコキシ置換アリール基におけるアリール基の例としては、上述のアリール基が挙げられる。
【００３６】
本発明におけるヘテロアリール基としては、好ましくは硫黄原子、窒素原子及び酸素原子からなる群より選ばれる少なくとも１種を、１個又は２個を含む単環又は二環の複素環基であり、より好ましくはチオフェニル基、フリル基、チアゾリル基、チエノ［３，２−ｂ］チオフェニル基、フロ［３，２−ｂ］フリル基、チエノ［３，２−ｂ］フリル基、ベンゾ［ｂ］チオフェニル基、及びベンゾ［ｂ］フリル基が挙げられ、更に好ましくはチオフェニル基、フリル基、チエノ［３，２−ｂ］チオフェニル基、ベンゾ［ｂ］チオフェニル基、及びベンゾ［ｂ］フリル基が挙げられる。
【００３７】
本発明におけるアルキル置換ヘテロアリール基としては、上述のアルキル基を置換基として有するヘテロアリール基が挙げられる。アルキル置換ヘテロアリール基におけるヘテロアリール基の例としては、上述のヘテロアリール基が挙げられる。
発明におけるアルコキシ置換ヘテロアリール基としては、上述のアルコキシ基を置換基として有するヘテロアリール基が挙げられる。アルコキシ置換ヘテロアリール基におけるヘテロアリール基の例としては、上述のヘテロアリール基が挙げられる。
【００３８】
本発明におけるアルケニル基は、直鎖及び分枝鎖のいずれでもよく、例えば、炭素数２〜３０の直鎖もしくは分枝鎖状のアルケニル基が挙げられる。
該アルケニル基としては、エテニル基、１−プロペニル基、１−ブテニル基、１−ペンテニル基、１−ヘキセニル基、１−シクロヘキセニル基、１−ヘプテニル基、１−オクテニル基、１−ノネニル基、１−デケニル基、１−ウンデケニル基、１−ドデケニル基、１−トリデケニル基、１−テトラデケニル基、１−ペンタデケニル基、１−ヘキサデケニル基、１−ヘプタデケニル基、１−オクタデケニル基、１−ノナデケニル基、１−イコセニル基、１−ヘンイコセニル基、１−ドコセニル基、１−トリコセニル基、１−テトラコセニル基、１−ペンタコセニル基、１−ヘキサコセニル基、１−ヘプタコセニル基、１−オクタコセニル基、１−ノナコセニル基、及び１−トリアコンテニル基が挙げられ、
好ましくはエテニル基、１−プロペニル基、１−ブテニル基、１−ペンテニル基、１−ヘキセニル基、１−ヘプテニル基、１−オクテニル基、１−ノネニル基、１−デケニル基、１−ウンデケニル基、１−ドデケニル基、１−トリデケニル基、１−テトラデケニル基、１−ペンタデケニル基、１−ヘキサデケニル基、１−ヘプタデケニル基、１−オクタデケニル基、１−ノナデケニル基、及び１−イコセニル基等の炭素数２〜２０のアルケニル基が挙げられ、
より好ましくはエテニル基、１−プロペニル基、１−ブテニル基、１−ペンテニル基、１−ヘキセニル基、１−ヘプテニル基、１−オクテニル基、１−ノネニル基、１−デケニル基、１−ウンデケニル基、１−ドデケニル基、１−トリデケニル基、１−テトラデケニル基、１−ペンタデケニル基、１−ヘキサデケニル基等の炭素数２〜１６のアルケニル基が挙げられる。
【００３９】
本発明におけるアルキニル基は、直鎖及び分枝鎖のいずれでもよく、例えば、炭素数２〜３０の直鎖もしくは分枝鎖状のアルキニルが挙げられる。
上記アルキニル基の具体例としては、エチニル基、１−プロピニル基、１−ブチニル基、１−ペンチニル基、１−ヘキシニル基、１−ヘプチニル基、１−オクチニル基、１−ノニニル基、１−デキニル基、１−ウンデキニル基、１−ドデキニル基、１−トリデキニル基、１−テトラデキニル基、１−ペンタデキニル基、１−ヘキサデキニル基、１−ヘプタデキニル基、１−オクタデキニル基、１−ノナデキニル基、１−イコシニル基、１−ヘンイコシニル基、１−ドコシニル基、１−トリコシニル基、１−テトラコシニル基、１−ペンタコシニル基、１−ヘキサコシニル基、１−ヘプタコシニル基、１−オクタコシニル基、１−ノナコシニル基、及び１−トリアコンチニル基が挙げられ、
好ましくはエチニル基、１−プロピニル基、１−ブチニル基、１−ペンチニル基、１−ヘキシニル基、１−ヘプチニル基、１−オクチニル基、１−ノニニル基、１−デキニル基、１−ウンデキニル基、１−ドデキニル基、１−トリデキニル基、１−テトラデキニル基、１−ペンタデキニル基、１−ヘキサデキニル基、１−ヘプタデキニル基、１−オクタデキニル基、１−ノナデキニル基、及び１−イコシニル基等の炭素数２〜２０のアルキニル基が挙げられ、
より好ましくはエチニル基、１−プロピニル基、１−ブチニル基、１−ペンチニル基、１−ヘキシニル基、１−ヘプチニル基、１−オクチニル基、１−ノニニル基、１−デキニル基、１−ウンデキニル基、１−ドデキニル基、１−トリデキニル基、１−テトラデキニル基、１−ペンタデキニル基、及び１−ヘキサデキニル基等の炭素数２〜１６のアルキニル基が挙げられる。
【００４０】
本発明におけるアルキルチオ基としては、直鎖及び分枝鎖のいずれでもよく、例えば、炭素数が１〜３０の直鎖もしくは分枝鎖状のアルキルチオが挙げられる。 上記アルキルチオ基としては、メチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−プロピルチオ基、イソプロピルチオ基、ｎ−ブチルチオ基、イソブチルチオ基、ｓ−ブチルチオ基、ｔ−ブチルチオ基、ｎ−ペンチルチオ基、シクロペンチルチオ基、ｎ−ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ｎ−ヘプチルチオ基、シクロヘプチルチオ基、ｎ−オクチルチオ基、シクロオクチルチオ基、２−エチル−ｎ−ヘキシルチオ基、ｎ−ノニルチオ基、ｎ−デシルチオ基、ｎ−ウンデシルチオ基、ｎ−ドデシルチオ基、ｎ−トリデシルチオ基、ｎ−テトラデシルチオ基、２−ｎ−ヘキシル−ｎ−オクチルチオ基、ｎ−ペンタデシルチオ基、ｎ−ヘキサデシルチオ基、ｎ−ヘプタデシルチオ基、ｎ−オクタデシルチオ基、ｎ−ノナデシルチオ基、ｎ−イコシルチオ基、ｎ−ヘンイコシルチオ基、ｎ−ドコシルチオ基、ｎ−トリコシルチオ基、ｎ−テトラコシルチオ基、ｎ−ペンタコシルチオ基、ｎ−ヘキサコシルチオ基、ｎ−ヘプタコシルチオ基、ｎ−オクタコシルチオ基、ｎ−ノナコシルチオ基、及びｎ−トリアコンチルチオ基などが挙げられ、
好ましくはエチルチオ基、ｎ−プロピルチオ基、イソプロピルチオ基、ｎ−ブチルチオ基、イソブチルチオ基、ｓ−ブチルチオ基、ｔ−ブチルチオ基、ｎ−ペンチルチオ基、ｎ−ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ｎ−ヘプチルチオ基、シクロヘプチルチオ基、ｎ−オクチルチオ基、シクロオクチルチオ基、２−エチル−ｎ−ヘキシルチオ基、ｎ−ノニルチオ基、ｎ−デシルチオ基、ｎ−ウンデシルチオ基、ｎ−ドデシルチオ基、ｎ−トリデシルチオ基、ｎ−テトラデシルチオ基、２−ｎ−ヘキシル−ｎ−オクチルチオ基、ｎ−ペンタデシルチオ基、ｎ−ヘキサデシルチオ基、ｎ−ヘプタデシルチオ基、ｎ−オクタデシルチオ基、ｎ−ノナデシルチオ基、及びｎ−イコシルチオ基等の炭素数２〜２０のアルキルチオ基が挙げられ、
より好ましくはエチルチオ基、ｎ−プロピルチオ基、ｎ−ブチルチオ基、ｎ−ペンチルチオ基、ｎ−ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ｎ−ヘプチルチオ基、シクロヘプチルチオ基、ｎ−オクチルチオ基、シクロオクチルチオ基、２−エチル−ｎ−ヘキシルチオ基、ｎ−ノニルチオ基、ｎ−デシルチオ基、ｎ−ウンデシルチオ基、ｎ−ドデシルチオ基、ｎ−トリデシルチオ基、ｎ−テトラデシルチオ基、２−ｎ−ヘキシル−ｎ−オクチルチオ基、ｎ−ペンタデシルチオ基、及びｎ−ヘキサデシルチオ基等の炭素数２〜１６のアルキルチオ基が挙げられる。
【００４１】
本発明におけるアルキルカルボニル基としては、直鎖及び分枝鎖のいずれでもよく、例えば、炭素数が２〜３０、好ましくは２〜１７の直鎖もしくは分枝鎖状のアルキルカルボニルが挙げられる。
上記アルキルカルボニル基としては、メチルカルボニル基、エチルカルボニル基、ｎ−ブチルカルボニル基、ｎ−ヘキシルカルボニル基、ｎ−オクチルカルボニル基、ｎ−ドデシルカルボニル基、ｎ−ペンタデシルカルボニ基、ｎ−イコシルカルボニル基などが例示され、好ましくは、ｎ−ヘキシルカルボニル基、ｎ−ドデシルカルボニル基、及びｎ−ペンタデシルカルボニ基などが挙げられる。
【００４２】
本発明におけるアルコキシカルボニル基としては、直鎖及び分枝鎖のいずれでもよく、例えば、炭素数が２〜３０の直鎖もしくは分枝鎖状のアルコキシカルボニル基が挙げられる。
上記アルコキシカルボニル基としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基、ｎ−ヘキシルオキシカルボニル基、ｎ−オクチルオキシカルボニル基、ｎ−ドデシルオキシカルボニル基、ｎ−ペンタデシルオキシカルボニル基、及びｎ−イコシルオキシカルボニル基などが例示され、
好ましくはｎ−ヘキシルオキシカルボニル基、ｎ−ドデシルオキシカルボニル基、及びｎ−ペンタデシルオキシカルボニル基など、炭素数２〜１７のアルコキシカルボニル基が挙げられる。
【００４３】
本発明における（トリアルキル）シリル基としては、例えば、３つの炭素数１〜３０のアルキル基がケイ素原子に結合している三置換シリル基が挙げられる。
上記（トリアルキル）シリル基としては、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリ−ｎ−プロピルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリ−ｎ−ブチルシリル基、トリ−ｓ−ブチルシリル基、トリ−ｔ−ブチルシリル基、トリ−イソブチルシリル基、ｔ−ブチル−ジメチルシリル基、トリ−ｎ−ペンチルシリル基、及びトリ−ｎ−ヘキシルシリル基などが例示され、
好ましくはトリメチルシリル基、トリ−ｎ−プロピルシリル基、トリ−ｎ−ブチルシリル基、トリ−ｎ−ペンチルシリル基、トリ−ｎ−ヘキシルシリル基など、３つの炭素数１〜６のアルキル基がケイ素原子に結合している三置換シリル基が挙げられる。
【００４４】
本発明における（ジアルキル）アミノ基としては、炭素数１〜３０、好ましくは炭素数１〜１０のアルキル基が２つ窒素原子に結合している二置換アミノ基が挙げられる。
上記（ジアルキル）アミノ基としては、好ましくは、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジ−ｎ−プロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ジ−ｎ−ブチルアミノ基、ジ−ｓ−ブチルアミノ基、ジ−ｔ−ブチルアミノ基、ジ−イソブチルアミノ基、ｔ−ブチルイソプロピルアミノ基、ジ−ｎ−ヘキシルアミノ基、ジ−ｎ−オクチルアミノ基、及びジ−ｎ−デシルアミノ基などが挙げられる。
【００４５】
上記Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、独立して、水素原子、炭素数１〜３０のアルキル基、炭素数１〜３０のフルオロアルキル基、フェニル基、炭素数１〜３０のアルキル基を置換基として有するフェニル基、炭素数１〜３０のフルオロアルキル基を置換基として有するフェニル基、炭素数１〜３０のアルコキシ基を置換基として有するフェニル基、炭素数１〜３０のフルオロアルコキシ基を置換基として有するフェニル基、チエニル基、炭素数１〜３０のアルキル基を置換基として有するチエニル基、または、炭素数１〜３０のフルオロアルキル基を置換基として有するチエニル基であることが好ましい。
上記Ｒ５は、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のフルオロアルキル基、フェニル基、炭素数１〜２０のアルキル基を置換基として有するフェニル基、炭素数１〜２０のフルオロアルキル基を置換基として有するフェニル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基を置換基として有するフェニル基であることが更に好ましい。
【００４６】
本発明の化合物（１）の好ましい態様を、以下に示す。
・環構造Ａ、環構造Ｂ及び環構造Ｃは、独立して、ベンゼン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゼン環、又はハロゲン置換ベンゼン環であり、
Ｘ及びＹは同一で、Ｎ−（Ｒ５）であり、
Ｗ及びＺは同一で、硫黄原子又は酸素原子である式（１）の化合物；
・環構造Ａ、環構造Ｂ及び環構造Ｃは、独立して、ベンゼン環、炭素数１〜２０のアルキル基若しくは炭素数１〜２０のフルオロアルキル基を置換基として有するベンゼン環、又はフルオロベンゼン環であり、
Ｘ及びＹは同一で、Ｎ−（Ｒ５）であり、
Ｗ及びＺは同一で、硫黄原子又は酸素原子であり、
Ｒ５は炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のフルオロアルキル基、フェニル基、炭素数１〜２０のアルキル基を置換基として有するフェニル基、炭素数１〜２０のフルオロアルキル基を置換基として有するフェニル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基を置換基として有するフェニル基である式（１）の化合物；
・環構造Ａ、環構造Ｂ及び環構造Ｃは、独立して、ベンゼン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゼン環、又は、ハロゲン置換ベンゼン環であり、
Ｘ及びＹは同一で、硫黄原子又は酸素原子であり、
Ｗ及びＺは同一で、Ｎ−（Ｒ５）である式（１）の化合物；
・環構造Ａ、環構造Ｂ及び環構造Ｃは、独立して、ベンゼン環、炭素数１〜２０のアルキル基若しくは炭素数１〜２０のフルオロアルキル基を置換基として有するベンゼン環、又はフルオロベンゼン環であり、
Ｘ及びＹは同一で、硫黄原子又は酸素原子であり、
Ｗ及びＺは同一で、Ｎ−（Ｒ５）であり、
Ｒ５は炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のフルオロアルキル基、フェニル基、炭素数１〜２０のアルキル基を置換基として有するフェニル基、炭素数１〜２０のフルオロアルキル基を置換基として有するフェニル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基を置換基として有するフェニル基である式（１）の化合物；
・環構造Ａ及び環構造Ｂは、独立して、ベンゼン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゼン環、又はハロゲン置換ベンゼン環であり、環構造Ｃは、チエノ［３，２−ｂ］チオフェン環であり、
Ｘ及びＹは同一で、Ｎ−（Ｒ５）であり、
Ｗ及びＺは同一で、硫黄原子又は酸素原子である式（１）の化合物；
・環構造Ａ及び環構造Ｂは、独立して、ベンゼン環、炭素数１〜２０のアルキル基若しくは炭素数１〜２０のフルオロアルキル基を置換基として有するベンゼン環、又はフルオロベンゼン環であり、
環構造Ｃは、チエノ［３，２−ｂ］チオフェン環であり、
Ｘ及びＹは同一で、Ｎ−（Ｒ５）であり、
Ｗ及びＺは同一で、硫黄原子又は酸素原子であり、
Ｒ５は炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のフルオロアルキル基、フェニル基、炭素数１〜２０のアルキル基を置換基として有するフェニル基、炭素数１〜２０のフルオロアルキル基、又は炭素数１〜２０のアルコキシ基を置換基として有するフェニル基である式（１）の化合物；
・環構造Ａ及び環構造Ｂは、独立して、ベンゼン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゼン環、又は、ハロゲン置換ベンゼン環であり、
環構造Ｃは、チエノ［３，２−ｂ］チオフェン環であり、
Ｘ及びＹは同一で、硫黄原子又は酸素原子であり、
Ｗ及びＺは同一で、Ｎ−（Ｒ５）である式（１）の化合物；
・環構造Ａ及び環構造Ｂは、独立して、ベンゼン環、炭素数１〜２０のアルキル基若しくは炭素数１〜２０のフルオロアルキル基を置換基として有するベンゼン環、又はフルオロベンゼン環であり、
環構造Ｃは、チエノ［３，２−ｂ］チオフェン環であり、
Ｘ及びＹは同一で、Ｎ−（Ｒ５）であり、
Ｗ及びＺは同一で、硫黄原子又は酸素原子であり、
Ｒ５は炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のフルオロアルキル基、フェニル基、炭素数１〜２０のアルキル基を置換基として有するフェニル基、炭素数１〜２０のフルオロアルキル基、又は、炭素数１〜２０のアルコキシ基を置換基として有するフェニル基である式（１）の化合物；
・環構造Ａ及び環構造Ｂが、独立して、ベンゼン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゼン環、又はハロゲン置換ベンゼン環であり、
環構造Ｃは、ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン環、ハロゲン置換ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン環、ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジフラン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジフラン環、又は、ハロゲン置換ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジフラン環であり、
Ｘ及びＹは同一で、Ｎ−（Ｒ５）であり、
Ｗ及びＺは同一で、硫黄原子又は酸素原子である式（１）の化合物；
・環構造Ａ及び環構造Ｂが、独立して、ベンゼン環、炭素数１〜２０のアルキル基若しくは炭素数１〜２０のフルオロアルキル基を置換基として有するベンゼン環、又はハロゲン置換ベンゼン環であり、
環構造Ｃは、ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン環、炭素数１〜２０のアルキル基若しくは炭素数１〜２０のフルオロアルキル基を置換基として有するベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン環、ハロゲン置換ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン環、ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジフラン環、炭素数１〜２０のアルキル基若しくは炭素数１〜２０のフルオロアルキル基を置換基として有するベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジフラン環、又は、フッ素置換ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジフラン環であり、
Ｘ及びＹは同一で、Ｎ−（Ｒ５）であり、
Ｗ及びＺは同一で、硫黄原子又は酸素原子であり、
Ｒ５は炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のフルオロアルキル基、フェニル基、炭素数１〜２０のアルキル基を置換基として有するフェニル基、炭素数１〜２０のフルオロアルキル基を置換基として有するフェニル基、又は、炭素数１〜２０のアルコキシ基を置換基として有するフェニル基である式（１）の化合物；
・環構造Ａ及び環構造Ｂは、独立して、ベンゼン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゼン環、又はハロゲン置換ベンゼン環であり、
環構造Ｃは、ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン環、ハロゲン置換ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン環、ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジフラン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジフラン環、又はハロゲン置換ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジフラン環であり、
Ｘ及びＹは同一で、硫黄原子又は酸素原子であり、
Ｗ及びＺは同一で、Ｎ−（Ｒ５）である式（１）の化合物；
・環構造Ａ及び環構造Ｂが、独立して、ベンゼン環、炭素数１〜２０のアルキル基若しくは炭素数１〜２０のフルオロアルキル基を置換基として有するベンゼン環、又はハロゲン置換ベンゼン環であり、
環構造Ｃは、ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン環、炭素数１〜２０のアルキル基若しくは炭素数１〜２０のフルオロアルキル基を置換基として有するベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン環、ハロゲン置換ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン環、ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジフラン環、炭素数１〜２０のアルキル基若しくは炭素数１〜２０のフルオロアルキル基を置換基として有するベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジフラン環、又は、フッ素置換ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジフラン環であり、
Ｘ及びＹは同一で、硫黄原子又は酸素原子であり、
Ｗ及びＺは同一で、Ｎ−（Ｒ５）であり、
Ｒ５は炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のフルオロアルキル基、フェニル基、炭素数１〜２０のアルキル基を置換基として有するフェニル基、炭素数１〜２０のフルオロアルキル基を置換基として有するフェニル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基を置換基として有するフェニル基である式（１）の化合物；
【００４７】
本発明の化合物（１）としては、以下に例示する化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではい。ただし、各式において、ｎは、０〜３０の整数を表す。
【００４８】
【００４９】
【００５０】
【００５１】
【００５２】
【００５３】
【００５４】
【００５５】
【００５６】
【００５７】
【００５８】
【００５９】
【００６０】
【００６１】
【００６２】
【００６３】
【００６４】
【００６５】
【００６６】
【００６７】
【００６８】
【００６９】
【００７０】
【００７１】
【００７２】
【００７３】
【００７４】
【００７５】
【００７６】
【００７７】
【００７８】
【００７９】
【００８０】
【００８１】
【００８２】
【００８３】
【００８４】
【００８５】
【００８６】
【００８７】
【００８８】
【００８９】
【００９０】
【００９１】
【００９２】
本発明の化合物（１）としては、好ましくは、（１−１）、（１−２）、（１−３）、（１−４）、（１−６）、（１−８）、（１−１３）、（１−１４）、（１−１５）、（１−１６）、（１−２１）、（１−２２）、（１−２３）、（１−２４）、（１−２９）、（１−３０）、（１−３１）、（１−３２）、（１−３４）、（１−３６）、（１−４１）、（１−４２）、（１−４３）、（１−４４）、（１−４９）、（１−５０）、（１−５１）、（１−５２）、（１−６５）、（１−６６）、（１−６７）、（１−６８）、（１−６９）、（１−７０）、（１−７２）、（１−７７）、（１−７８）、（１−７９）、（１−８０）、（１−８５）、（１−８６）、（１−８７）、（１−８８）、（１−１０１）、（１−１０２）、（１−１０３）、（１−１０４）、（１−１１５）、（１−１１６）、（１−１２１）、（１−１２２）、（１−１２３）、（１−１２４）、（１−１２９）、（１−１３０）、（１−１３１）、（１−１３２）、（１−１３７）、（１−１３８）、（１−１３９）、（１−１４０）、（１−１４６）、（１−１５３）、（１−１５４）、（１−１５５）、（１−１５６）、（１−１５７）、（１−１５８）、（１−１５９）、（１−１６０）、（１−１６１）、（１−１６２）、（１−１６３）、（１−１６４）、（１−１７３）、（１−１７４）、（１−１７５）、（１−１７６）、（１−１７７）、（１−１７８）、（１−１７９）、（１−１８０）、（１−１８１）、（１−１８２）、（１−１８５）、（１−１８６）、（１−１９３）、（１−１９４）、（１−１９５）、（１−１９６）、（１−２０１）、（１−２０２）、（１−２０５）、（１−２０６）、（１−２１５）、（１−２４３）、（１−２４４）、（１−２５０）、（１−２５１）、（１−２５６）、（１−２５７）、（１−２５８）、（１−２５９）、（１−２６２）、（１−２６４）、（１−２６５）、（１−２６８）、（１−２６９）、（１−２７０）、（１−２７１）、（１−２７４）、（１−２７５）、（１−２７６）、（１−２７７）、（１−２７８）、（１−２７９）、（１−２８０）、（１−２８１）、（１−２８２）、（１−２８３）、（１−２８４）、（１−２８５）、（１−２８６）、（１−２８７）、（１−２８８）、（１−２８９）、（１−２９０）、（１−２９１）、（１−２９２）、（１−２９３）、（１−２９４）、（１−２９５）、（１−２９６）、（１−２９７）、（１−２９８）、（１−２９９）、（１−３０５）、（１−３０６）、（１−３０７）、（１−３０９）、（１−３１０）、（１−３１１）、（１−３１３）、（１−３１５）、（１−３１６）、（１−３０４）、（１−３２１）、（１−３２２）、（１−３２３）、（１−３２４）、（１−３２７）、（１−３２８）、（１−３２９）、（１−３３０）、（１−３３１）、１−３３３）、（１−３３４）、（１−３３５）、（１−３３６）、（１−３６８）、（１−３６９）、（１−３７０）、（１−３７１）、（１−３７２）、（１−３７３）、（１−３７４）、（１−３７５）、（１−３７６）、（１−３７７）、（１−３７８）、（１−３７９）、（１−３８０）、（１−３８１）、（１−３８２）、（１−３８３）、（１−３８４）、（１−３８５）、（１−３８６）、（１−３８７）、（１−３８８）、（１−３８９）、（１−３９０）、（１−３９１）、（１−３９２）、（１−３９４）、（１−３９５）、（１−３９７）、及び（１−３９８）が挙げられ、
さらに好ましくは、（１−１）、（１−２）、（１−３）、（１−４）、（１−２１）、（１−２２）、（１−２３）、（１−２４）、（１−２９）、（１−３０）、（１−３１）、（１−３２）、（１−４９）、（１−５０）、（１−５１）、（１−５２）、（１−６５）、（１−６６）、（１−６７）、（１−６８）、（１−８５）、（１−８６）、（１−８７）、（１−８８）、（１−１０１）、（１−１０２）、（１−１０３）、（１−１０４）、（１−１２１）、（１−１２２）、（１−１２３）、（１−１２４）、（１−１２９）、（１−１３０）、（１−１３１）、（１−１３２）、（１−１３７）、（１−１３８）、（１−１３９）、（１−１４０）、（１−１５３）、（１−１５４）、（１−１５５）、（１−１５６）、（１−１６１）、（１−１６２）、（１−１６４）、（１−１７３）、（１−１７４）、（１−１７５）、（１−１７６）、（１−１７８）、（１−１８０）、（１−１８１）、（１−１８２）、（１−１９３）、（１−１９４）、（１−１９５）、（１−１９６）、（１−２０１）、（１−２０２）、（１−２０５）、（１−２０６）、（１−２５０）、（１−２５１）、（１−２５６）、（１−２５７）、（１−２５８）、（１−２５９）、（１−２６４）、（１−２６５）、（１−２６８）、（１−２６９）、（１−２７０）、（１−２７１）、（１−２７４）、（１−２７５）、（１−２７８）、（１−２７９）、（１−２８０）、（１−２８１）、（１−２８２）、（１−２８３）、（１−２８４）、（１−２８５）、（１−２８６）、（１−２８７）、（１−２８８）、（１−２８９）、（１−２９２）、（１−２９３）、（１−２９６）、（１−２９７）、（１−３０５）、（１−３０６）、（１−３０７）、（１−３０９）、（１−３１０）、（１−３１１）、（１−３１３）、（１−３１５）、（１−３１６）、（１−３２１）、（１−３２２）、（１−３２３）、（１−３２４）、（１−３２７）、（１−３２８）、（１−３２９）、（１−３３０）、（１−３３３）、（１−３３４）、（１−３３５）、（１−３３６）、（１−３９２）、（１−３９４）、及び（１−３９５）が挙げられる。
【００９３】
＜化合物（１）の製造方法＞
本発明の化合物（１）は、たとえば、式（２）又は式（３）で表されるテトラハロゲン化合物（以下、この化合物を「テトラハロゲン化合物Ａ」と称す。）と、
Ｒ５−ＮＨ２
（Ｒ５は、上記と同じ定義である。）
で示されるアミン化合物と、の反応により得られる。該反応を行う工程を含む化合物（１）の製造方法（以下、場合により、「本発明の製造方法」という。）もまた、本発明の１つである。
（各式中、環構造Ａ、環構造Ｂ及び環構造Ｃは、それぞれ上記と同じ定義である。
Ｗ’，Ｘ’，Ｙ’及びＺ’は、独立して、硫黄原子、酸素原子、セレン原子、テルル原子、ＳＯ２、（Ｒ１）−Ｃ−（Ｒ２）、（Ｒ３）−Ｓｉ−（Ｒ４）、又はＮ−（Ｒ５）を表し、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、それぞれ上記と同じ定義である。
Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８及びＲ９は、独立して、ハロゲン原子を表す。）
【００９４】
本発明の製造方法における反応は、有機溶媒中で行うことが好ましい。
上記有機溶媒としては、上記反応に不活性な有機溶媒であればよく、トルエン、キシレン、等の芳香族炭化水素系溶媒；クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素系溶媒；ヘキサン、ヘプタン、ジメトキシエタン等の脂肪族炭化水素系溶媒；クロロホルム、１，２−ジクロロエタン等のハロゲン化脂肪族炭化水素系溶媒；メタノール、イソプロパノール、ｔ−ブタノール等の炭素数１〜４のアルコール；テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒；等の単独もしくは混合溶媒が挙げられ、好ましくは芳香族炭化水素系溶媒及び脂肪族炭化水素系溶媒が挙げられ、より好ましくはトルエンやキシレンが挙げられる。
【００９５】
本発明の製造方法において、上記アミン化合物のＲ５は、炭素数１〜３０のアルキル基、炭素数１〜３０のフルオロアルキル基、フェニル基、炭素数１〜３０のアルキル基を置換基として有するフェニル基、炭素数１〜３０のフルオロアルキル基を置換基として有するフェニル基、又は、炭素数１〜３０のアルコキシ基を置換基として有するフェニル基であることが好ましく、
炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のフルオロアルキル基，炭素数１〜２０のアルキル基を置換基として有するフェニル基、炭素数１〜２０のフルオロアルキル基を置換基として有するフェニル基、又は、炭素数１〜２０のアルコキシ基を置換基として有するフェニル基であることがより好ましく、
炭素数１〜１６のアルキル基、炭素数１〜１６のアルキル基を置換基として有するフェニル基、又は、炭素数１〜１６のアルコキシ基を置換基として有するフェニル基であることが更に好ましい。
【００９６】
上記アミン化合物の使用量は、テトラハロゲン化合物Ａに対して０．５〜５０モル倍であり、好ましくは１〜２０モル倍、より好ましくは１〜１５モル倍である。
【００９７】
上記テトラハロゲン化合物Ａは、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８及びＲ９が、独立して、臭素又はヨウ素であることが好ましい。上記Ｘ’，Ｙ’，Ｗ’及びＺ’は、独立して、硫黄原子又は酸素原子であることが好ましい。
【００９８】
本発明の製造方法に係る反応において、反応溶液におけるテトラハロゲン化合物Ａの濃度は特に限定されないが、溶媒１リットル当たり０．０００１〜２０モルが好ましく、より好ましくは０．００１〜１０モル、更に好ましくは０．０１〜５モルの範囲である。
【００９９】
上記反応は、パラジウム触媒および塩基性試薬の存在下で行われる。
上記反応において、パラジウム触媒は、テトラハロゲン化合物Ａに対して、パラジウム換算で０．０１〜３０モル％であり、好ましくは０．０１〜２０モル％で用いることができる。
【０１００】
上記パラジウム触媒は、配位子とパラジウム化合物とを予め有機溶媒中で接触させることにより調製してもよいし、配位子とパラジウム化合物とを反応系内で接触させることにより調製してもよい。
【０１０１】
上記配位子としては、パラジウムに配位可能であって有機溶媒に可溶であればよく、例えば単座ホスフィン系配位子、多座配位子、カルベン系配位子等が挙げられ、単座配位子が好ましく、単座ホスフィン系配位子がより好ましい。
単座ホスフィン系配位子としては、例えばトリ（ｎ−ブチル）ホスフィン、トリ（ｔ−ブチル）ホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリ（ｏ−トリル）ホスフィン、トリナフチルホスフィン、ジフェニルナフチルホスフィン、及びジシクロヘキシルナフチルホスフィン等が挙げられ、トリ（ｔ−ブチル）ホスフィンが好ましい。
【０１０２】
二座配位子としては、２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル、１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン、１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン、１，４−ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン、１，１’−（ジフェニルホスフィノ）フェロセン、４，５−ビス（ジフェニルホスフィノ）−９，９−ジメチルキサンテン、２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）ジフェニルエーテル、５，５’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−４，４’−ビ（１，３−ベンゾジオキソール）等のリン原子を２つ有する二座ホスフィン系配位子；２−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）−２’−（ジシクロヘキシルアミノ）ビフェニル等の窒素原子及びリン原子をそれぞれ１つずつ有する二座アミノホスフィン系配位子；等が挙げられる。
【０１０３】
かかる配位子は、市販されているものを用いてもよいし、公知の方法により製造したものを用いてもよい。
かかる配位子の使用量は、パラジウム化合物のパラジウムに対して、０．５〜２０モル倍であればよい。
【０１０４】
上記パラジウム化合物としては、酢酸パラジウム、塩化パラジウム、ジクロロビス（アセトニトリル）パラジウム、パラジウムアセチルアセトナート、ジクロロ（シクロオクタ−１，５−ジエン）パラジウム、ジブロモビス（ベンゾニトリル）パラジウム、ジ−μ−クロロビス（π−アリル）ジパラジウム、ジクロロビス（ピリジン）パラジウム、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、ジクロロ−［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム・ジクロロメタン錯体等の２価のパラジウム化合物； トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム・クロロホルム錯体、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム等の０価のパラジウム化合物；等が挙げられ、中でもトリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム・クロロホルム錯体が好ましい。かかるパラジウム化合物は、通常、市販されているものを用いてもよいし、公知の方法により製造したものを用いてもよい。
【０１０５】
上記塩基性試薬としては、水酸化カルシウム等のアルカリ土類金属水酸化物；炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸セシウム等のアルカリ金属炭酸塩；炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸バリウム等のアルカリ土類金属炭酸塩；リン酸リチウム、リン酸カリウム、リン酸ナトリウム等のアルカリ金属リン酸塩；ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、ナトリウムｔ−ブトキシド、カリウムメトキシド、カリウムエトキシド、カリウムｔ−ブトキシド、リチウムｔ−ブトキシド等のアルカリ金属アルコキシド；等が挙げられ、好ましくは、アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属アルコキシドが挙げられ、より好ましくはアルカリ金属アルコキシド、更に好ましくは炭素数１〜６のアルカリ金属アルコキシドが挙げられる。塩基性試薬は単独で用いてもよいし、２種類以上を混合してもよい。
【０１０６】
塩基性試薬の使用量は、テトラハロゲン化合物Ａに対して０．１〜２５モル倍であればよく、好ましくは１〜２０モル倍、更に好ましくは２〜１０モル倍である。塩基性試薬の使用量が少なすぎると、未反応のアミン化合物の割合が増加することがある。
【０１０７】
反応温度は、０℃〜反応溶液の還流温度の範囲から選ばれるが、より好ましくは４０〜２００℃の範囲である。反応時間は特に制限されないが、１分から１２０時間である。
【０１０８】
本発明の製造方法に係る反応を停止させる場合は、反応液に例えば、水、希塩酸などを添加すればよい。反応停止後、例えば抽出、洗浄等の後処理操作を行うことで、化合物（１）の粗生成物を得ることができる。該粗生成物は、晶析、昇華、又は各種クロマトグラフィーなどの精製操作、若しくはこれらを組み合わせた精製操作を行うことにより精製を行ってもよい。
【０１０９】
＜テトラハロゲン化合物Ａ＞
上記テトラハロゲン化合物Ａである式（２）で表される化合物（以下、「テトラハロゲン化合物（２）」という。）及び式（３）で表される化合物（以下、「テトラハロゲン化合物（３）」という。）のそれぞれもまた、本発明の一つである。
【０１１０】
テトラハロゲン化合物（２）及びテトラハロゲン化合物（３）における環構造Ａ及び環構造Ｂとしては、それぞれ本発明の化合物（１）と同様のものが挙げられ、それぞれベンゼン環、チオフェン環、又はフラン環であることが好ましい。Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８及びＲ９が独立してハロゲン原子である。
【０１１１】
上述のテトラハロゲン化合物（２）において、環構造Ｃがチエノ［３，２−ｂ］チオフェン環であり、
Ｗ’及びＺ’が独立して硫黄原子又は酸素原子であるものが好ましい。
【０１１２】
上述のテトラハロゲン化合物（３）において、環構造Ｃがチエノ［３，２−ｂ］チオフェン環、フロ［３，２−ｂ］フラン環、置換基を有していてもよいベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン環、又は、置換基を有していてもよいベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジフラン環であり、
Ｘ’及びＹ’は、独立して、硫黄原子又は酸素原子であるものが好ましい。
テトラハロゲン化合物（３）における環構造Ｃとしては、好ましくは、チエノ［３，２−ｂ］チオフェン環、フロ［３，２−ｂ］フラン環、置換基を有していてもよいベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン環、及び、置換基を有していてもよいベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジフラン環、より好ましくは、チエノ［３，２−ｂ］チオフェン環、及び、置換基を有していてもよいベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン環、さらに好ましくはチエノ［３，２−ｂ］チオフェン環が挙げられる。
【０１１３】
テトラハロゲン化合物（２）におけるＷ’及びＺ’、ならびに、テトラハロゲン化合物（３）におけるＸ’及びＹ’としては、本発明の化合物（１）と同様のものが挙げられる。
Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８及びＲ９のハロゲン原子を表し、好ましくは臭素原子、及びヨウ素原子である。
【０１１４】
本発明のテトラハロゲン化合物（２）としては、以下に例示する化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。ただし、ｎは、それぞれ０〜３０の整数を表す。
【０１１５】
【０１１６】
【０１１７】
【０１１８】
【０１１９】
【０１２０】
【０１２１】
【０１２２】
【０１２３】
【０１２４】
上記テトラハロゲン化合物（２）としては、好ましくは（２−１）、（２−４）、（２−７）、 （２−１０）、（２−１３）、（２−１５）、（２−１９）、（２−２２）、（２−２５）、（２−２８）、（２−３１）、（２−３４）、（２−３７）、（２−３８）、（２−３９）、（２−４０）、（２−４９）、（２−５１）、（２−５２）、（２−５３）、及び（２−５４）が挙げられ、
より好ましくは（２−１）、（２−４）、（２−７）、（２−１０）、（２−１３）、（２−１９）、（２−２２）、（２−３１）、（２−３４）、（２−４９）、及び（２−５３）が挙げられる。
【０１２５】
上記テトラハロゲン化合物（３）としては、具体的には、以下に例示する化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。ただし、ｎは、それぞれ０〜３０の整数を表す。
【０１２６】
【０１２７】
【０１２８】
【０１２９】
【０１３０】
【０１３１】
【０１３２】
【０１３３】
【０１３４】
【０１３５】
【０１３６】
【０１３７】
【０１３８】
【０１３９】
【０１４０】
【０１４１】
【０１４２】
【０１４３】
【０１４４】
【０１４５】
【０１４６】
【０１４７】
【０１４８】
【０１４９】
テトラハロゲン化合物（３）としては、好ましくは（３−１）、（３−４）、（３−７）、（３−１０）、（３−１３）、（３−１５）、（３−１９）、（３−２２）、（３−２５）、（３−３１）、（３−３４）、（３−３７）、（３−４６）、（３−５５）、（３−５８）、（３−６１）、（３−６４）、（３−６７）、（３−６９）、（３−７３）、（３−７９）、（３−８５）、（３−８８）、（３−９１）、（３−９７）、（３−１００）、（３−１０１）、（３−１０７）、及び（３−１０８）が挙げられ、
より好ましくは（３−１）、（３−４）、（３−７）、（３−１０）、（３−１３）、（３−１９）、（３−３１）、（３−３４）、（３−３７）、（３−４６）、（３−５５）、（３−５８）、（３−６１）、（３−６４）、（３−６７）、（３−８５）、（３−８８）、（３−９１）、（３−１００）、（３−１０１）、（３−１０７）、及び（３−１０８）が挙げられる。
【０１５０】
上記テトラハロゲン化合物（２）は、式（４）で表される化合物と、ハロゲン化剤と、の反応により製造することができる。
式（４）
（式中、環構造Ａ，環構造Ｂ，環構造Ｃ，Ｗ’及びＺ’は上記と同じ定義である。Ｒ１０及びＲ１１は、それぞれ水素原子又はハロゲン原子を表す。但し、Ｒ１０及びＲ１１の少なくとも１つは水素原子を表す。）
【０１５１】
上記テトラハロゲン化合物（３）は、式（５）で表される化合物と、ハロゲン化剤と、の反応により製造することができる。
式（５）
（式中、環構造Ａ，環構造Ｂ，環構造Ｃ，Ｘ’及びＹ’は、上記と同じ定義である。Ｒ１２及びＲ１３は、それぞれ水素原子又はハロゲン原子を表す。但し、Ｒ１２及びＲ１３の少なくとも一つは水素原子を表す。）
【０１５２】
上記式（４）で表される化合物と、ハロゲン化剤と、の反応を行う工程を含むテトラハロゲン化合物（２）の製造方法、及び、
上記式（５）で表される化合物と、ハロゲン化剤と、の反応を行う工程を含むテトラハロゲン化合物（３）の製造方法もまた、それぞれ本発明の一つである。
【０１５３】
上記式（４）において、Ｒ１０及びＲ１１は、独立して水素原子、臭素原子、又はヨウ素原子を表し、Ｒ１０及びＲ１１の少なくとも１つは水素原子である。
上記式（５）において、Ｒ１２およびＲ１３は、独立して水素、臭素、又はヨウ素原子を表し、Ｒ１２およびＲ１３の少なくとも１つは水素原子である。
【０１５４】
上記式（４）及び上記式（５）において、Ｗ’、Ｘ’Ｙ’及びＺ’は、独立して、硫黄原子又は酸素原子であることが好ましい。
【０１５５】
上記式（４）で表される化合物としては、例えば、２,２’−（２,５−ジブロモベンゼン−１,４−ジイル）ビス（１−ベンゾチオフェン）、２,２’−（２,５−ジヨードベンゼン−１,４−ジイル）ビス（１−ベンゾチオフェン）、２,２’−（２,５−ジクロロベンゼン−１,４−ジイル）ビス（１−ベンゾチオフェン）、
２,２’−（２,５−ジブロモベンゼン−１,４−ジイル）ビス（１−ベンゾフラン）、２,２’−（２,５−ジヨードベンゼン−１,４−ジイル）ビス（１−ベンゾフラン）、２,２’−（２,５−ジクロロベンゼン−１,４−ジイル）ビス（１−ベンゾフラン）、２，５−ビス（１−ベンゾチオフェン−２−イル）チエノ［３，２−ｂ］チオフェン、２，５−ビス（１−ベンゾフラン−２−イル）チエノ［３，２−ｂ］チオフェン、２，５−ビス（１−ベンゾチオフェン−２−イル）フロ［３，２−ｂ］フラン、２，５−ビス（１−ベンゾフラン−２−イル）フロ［３，２−ｂ］フラン、２，５−ビス（３−ブロモ−１−ベンゾチオフェン−２−イル）チエノ［３，２−ｂ］チオフェン、２，６−ビス（１−ベンゾチオフェン−２−イル）ベンゾ［１，２−ｂ；４，５−ｂ’］ジチオフェン、２，６−ビス（１−ベンゾフラン−２−イル）ベンゾ［１，２−ｂ；４，５−ｂ’］ジチオフェン、２，６−ビス（１−ベンゾチオフェン−２−イル）ベンゾ［１，２−ｂ；４，５−ｂ’］ジフラン、２，６−ビス（１−ベンゾフラン−２−イル）ベンゾ［１，２−ｂ；４，５−ｂ’］ジフラン、２，６−ビス（３−ブロモ−１−ベンゾチオフェン−２−イル）ベンゾ［１，２−ｂ；４，５−ｂ’］ジチオフェンが挙げられる。
【０１５６】
上記式（５）で表される化合物としては、例えば、２，６−ジフェニルベンゾ［１，２−ｂ；４，５−ｂ’］ジチオフェン、２，６−ビス（２−ブロモフェニル）ベンゾ［１，２−ｂ；４，５−ｂ’］ジチオフェン、２，６−ジフェニル−３，７−ジブロモベンゾ［１，２−ｂ；４，５−ｂ’］ジチオフェン、２，６−ジフェニルベンゾ［１，２−ｂ；４，５−ｂ’］ジフラン、２，６−ビス（２−ブロモフェニル）ベンゾ［１，２−ｂ；４，５−ｂ’］ジフラン、２，６−ビス（１−ベンゾチオフェン−２−イル）ベンゾ［１，２−ｂ；４，５−ｂ’］ジチオフェン、２，６−ビス（３−ブロモ−１−ベンゾチオフェン−２−イル）ベンゾ［１，２−ｂ；４，５−ｂ’］ジチオフェン、２，６−ビス（１−ベンゾフラン−２−イル）ベンゾ［１，２−ｂ；４，５−ｂ’］ジチオフェン、２，６−ビス（３−ブロモ−１−ベンゾフラン−２−イル）ベンゾ［１，２−ｂ；４，５−ｂ’］ジチオフェン、２，６−ビス（１−ベンゾチオフェン−２−イル）ベンゾ［１，２−ｂ；４，５−ｂ’］ジフラン、２，６−ビス（３−ブロモ−１−ベンゾチオフェン−２−イル）ベンゾ［１，２−ｂ；４，５−ｂ’］ジフラン、が挙げられる。
【０１５７】
式（４）で表される化合物、及び式（５）で表される化合物はそれぞれ
Ｓｙｎｔｈ．Ｍｅｔ．２００２，１３０，１３９；
Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．２００３，６８，９８１３；
Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．２００７，１２９，１２３８６等に記載された方法に従い、合成することができる。
【０１５８】
式（４）で表される化合物とハロゲン化剤との反応、及び、式（５）で表される化合物とハロゲン化剤との反応は、それぞれ、有機溶媒中で行うことが好ましい。
これらの各反応における有機溶媒としては、上記本発明の製造方法（化合物（１）の製造方法）で例示したものと同じ溶媒が挙げられ、好ましくはトルエン、クロロホルム、四塩化炭素、及びＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドが挙げられる。
【０１５９】
上記各反応において、ハロゲン化剤の使用量は、式（４）で表される化合物または式（５）で表される化合物に対して０．１〜５０モル倍であり、好ましくは０．５〜２０モル倍、更に好ましくは１〜１０モル倍である。
【０１６０】
上記各反応において、式（４）で表される化合物、又は式（５）で表される化合物の反応溶液における濃度は特に限定されないが、それぞれ、溶媒１リットル当たり０．０００１モルから２０モル、好ましくは０．００１モルから１０モル、更に好ましくは０．０１モルから５モルの範囲である。
【０１６１】
上記ハロゲン化剤として、Ｎ−ブロモスクシンイミド、２−ブロモアセトアミド、臭素、ヨウ素、ヨウ素−過ヨウ素酸の組み合わせ、一塩化ヨウ素−過酢酸の組み合わせ、ベンジルトリメチルアンモニウムジクロロヨージド−塩化亜鉛（ＩＩ）の組み合わせなどが挙げられ、好ましくはＮ−ブロモスクシンイミド、臭素、ヨウ素−過ヨウ素酸の組み合わせが挙げられる。
なお、反応が進行しにくい場合は、過酸化ベンゾイルやアゾビスブチロニトリルなどの添加剤を触媒量加えてもよい。
【０１６２】
上記各反応において、反応温度は、−７８℃〜反応溶液の還流温度から選択されるが、より好ましくは−２０℃〜５０℃の範囲である。反応時間は制限されないが、１分から４８時間である。
【０１６３】
これらの反応を停止させる場合は、反応溶液に水などを添加する。反応停止後、例えば抽出、洗浄等の後処理操作を行うことで、粗生成物を得ることができる。該粗生成物は、晶析、昇華、又は各種クロマトグラフィーなどの精製操作、若しくはこれらを組み合わせた精製操作を行うことにより精製を行ってもよい。
【０１６４】
＜薄膜、素子及び有機トランジスタ＞
本発明の化合物（１）は、厚み１ｎｍ〜１０μｍ、好ましくは厚み５ｎｍ〜１μｍの膜に加工すると、発光性や、半導体と同様の導電性を示す。ゆえに、本発明の化合物（１）は、有機半導体材料として優れている。
本発明の化合物（１）を含む有機半導体デバイス、該化合物（１）を含有する有機半導体薄膜、該化合物（１）を含有する導電性薄膜、及び、該化合物（１）を含有する発光性薄膜もまた、それぞれ本発明の一つである。
【０１６５】
本発明において、発光性薄膜とは、厚み１ｎｍ〜１０μｍの膜であって、光や電気的刺激の条件下で発光する膜を意味する。上記発光性薄膜は、発光素子の材料として有用である。上記発光性薄膜を有する発光素子もまた、本発明の一つである。本発明の発光素子は、例えば有機発光ダイオード等の材料として有用である。
本発明において、発光素子とは該発光性薄膜を用いたデバイスのことを意味する。
【０１６６】
本発明において、導電性薄膜とは、厚み１ｎｍ〜１０μｍの膜であって、光や電気的刺激の条件下で導電性を示す膜を意味する。上記導電性薄膜は、後述の有機半導体デバイス等の材料として有用である。
本発明の有機半導体薄膜、導電性薄膜及び発光性薄膜は、それぞれ、本発明の化合物（１）を材料として用いる以外は、従来公知の方法と同様に製造することができる。
【０１６７】
次に、有機半導体デバイスについて説明する。
本発明の有機半導体デバイスは、本発明の化合物（１）を含む。該有機半導体デバイスは、一般に、有機トランジスタを含んでおり、該有機トランジスタは、該化合物（１）を含む有機半導体薄膜を有する。上記化合物（１）を含有する有機半導体薄膜もまた、本発明の一つである。
【０１６８】
上記該有機トランジスタは、本発明の化合物（１）を含んでいるので、キャリア移動度が高い。上記該有機トランジスは、キャリア移動度を１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上とすることができる。ここでキャリア移動度は、パラメータアナライザー等を用いて測定したドレイン電流及びゲート電圧について、下記式（ａ）を適用することにより測定することができる。
Ｉｄ＝（Ｗ／２Ｌ）μＣｉ（Ｖｇ−Ｖｔ）２ ・・・（ａ）
（式中、Ｉｄ＝電気的特性の飽和領域におけるドレイン電流、Ｌ＝有機トランジスタのチャネル長、Ｗ＝有機トランジスタのチャネル幅、Ｃｉ＝ゲート絶縁膜の単位面積当たりの容量、Ｖｇ＝ゲート電圧、Ｖｔ＝ゲート電圧のしきい値電圧）
【０１６９】
本発明の有機トランジスタとしては、有機電界効果トランジスタが挙げられる。
該有機電界効果トランジスタは、通常、ソース電極及びドレイン電極が半導体層に接しており、さらに活性層に接した絶縁層（誘電体層）を挟んでゲート電極が設けられていればよい。
上記有機トランジスタの素子構造としては、例えば、
（１）基板／ゲート電極／絶縁体層／ソース電極・ドレイン電極／半導体層からなる構造；
（２）基板／半導体層＋ソース電極・ドレイン電極／絶縁体層／ゲート電極からなる構造；
（３）基板／ソース電極（又はドレイン電極）／半導体層＋絶縁体層＋ゲート電極／ドレイン電極（又はソース電極）からなる構造；
（４）基板／ゲート電極／絶縁体層／半導体層／ソース電極（又はドレイン電極）からなる構造、
が挙げられる。
上記各構造において、半導体層は、本発明の有機半導体薄膜を有する。各構造において該半導体層が複数である場合、同一平面内に設けてもよいし、積層して設けてもよい。上記各構造において、ソース電極、ドレイン電極、及びゲート電極は、それぞれ複数設けてもよい。
【０１７０】
上記有機半導体薄膜を半導体層に形成する方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、分子線エピタキシャル成長法などの真空プロセスでの形成法が挙げられ、好ましくは真空蒸着法が挙げられる。
【０１７１】
真空蒸着法にとは、化合物（１）などの有機半導体材料をルツボや金属ボート中で真空下、加熱し、蒸発した有機半導体材料を基板もしくは絶縁体材料に蒸着させる方法である。
蒸着時の真空度は、１×１０−１Ｐａ以下、好ましくは１×１０−３Ｐａ以下である。
蒸着時の基板温度は０℃〜３００℃、好ましくは２０℃〜２００℃である。
蒸着速度は、０．００１ｎｍ／ｓｅｃ〜１０ｎｍ／ｓｅｃであり、好ましくは０．０１ｎｍ／ｓｅｃ〜１ｎｍ／ｓｅｃである。上記有機半導体薄膜の膜厚は、１ｎｍ〜１０μｍであり、好ましくは５ｎｍ〜１μｍである。
【０１７２】
有機半導体薄膜を形成する方法として、溶液プロセスを用いてもよい。溶液プロセスとは、溶媒に溶解又は分散させた有機半導体材料を、基板もしくは絶縁体層に塗布する方法である。
上記塗布の方法としては、キャスティング法、ディップコート法、ダイコーター法、ロールコーター法、バーコーター法、スピンコート法などの塗布法；インクジェット法、スクリーン印刷法、オフセット印刷法、マイクロコンタクト印刷法などが挙げられる。これらの手法は、単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせてもよい。
【０１７３】
本発明において、ソース電極、ドレイン電極及びゲート電極を構成する材料は、一般的な導電性材料であれば特に限定されず、白金、金、銀、ニッケル、クロム、銅、鉄、錫、アンチモン鉛、タンタル、インジウム、パラジウム、テルル、レニウム、イリジウム、アルミニウム、ルテニウム、ゲルマニウム、モリブデン、タングステン、酸化スズ・アンチモン、酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）、フッ素ドープ酸化亜鉛、亜鉛、炭素、グラファイト、グラッシーカーボン、銀ペースト及びカーボンペースト、リチウム、ベリリウム、ナトリウム、マグネシウム、カリウム、カルシウム、スカンジウム、チタン、マンガン、ジルコニウム、ガリウム、ニオブ、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、アルミニウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム混合物、及びリチウム／アルミニウム混合物等が用いられるが、
特に、白金、金、銀、銅、アルミニウム、インジウム、ＩＴＯ、及び炭素が好ましい。あるいはドーピング等で導電率を向上させた公知の導電性ポリマー、例えば、導電性ポリアニリン、導電性ポリピロール、導電性ポリチオフェン、ポリエチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルホン酸の錯体等も好適に用いられる。中でも半導体層との接触面において電気抵抗が少ないものが好ましい。これらの電極材料は単独で使用してもよいし、２種類以上を混合して使用してもよい。
【０１７４】
電極の膜厚は、材料によっても異なるが、０．１ｎｍ〜１０μｍであればよく、好ましくは０．５ｎｍ〜５μｍであり、より好ましくは１ｎｍ〜３μｍである。また、ゲート電極と基板を兼ねる場合は上記の膜厚より大きくてもよい。
【０１７５】
電極膜の形成方法としては、公知の種々の方法が挙げられる。具体的には、真空蒸着法、スパッタ法、塗布法、熱転写法、印刷法、ゾルゲル法などが挙げられる。成膜時又は成膜後に、パターニングを必要に応じて行うことが好ましい。パターニングの方法としても、種々の方法を用いることができる。具体的には、フォトレジストのパターニングとエッチングを組み合わせたフォトリソグラフィー法などが挙げられる。また、インクジェット印刷、スクリーン印刷、オフセット印刷、凸版印刷などの印刷法、マイクロコンタクトプリンティング法などのソフトリソグラフィーの手法なども挙げられる。これらの手法は単独で用いてもよいし、２種類以上を混合してパターニングを行うことも可能である。
【０１７６】
絶縁層としては、無機酸化物や有機化合物皮膜などの種々の絶縁膜を用いることができる。無機酸化物としては、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化チタン、酸化スズ、酸化バナジウム、チタン酸バリウムストロンチウム、ジルコニウム酸チタン酸バリウム、ジルコニウム酸チタン酸鉛、チタン酸鉛ランタン、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム、フッ化バリウムマグネシウム、チタン酸ビスマス、チタン酸ストロンチウムビスマス、タンタル酸ストロンチウムビスマス、タンタル酸ニオブ酸ビスマス、トリオキサイドイットリウムなどが挙げられ、好ましいのは、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化チタンである。窒化ケイ素、窒化アルミニウム等の無機窒化物が挙げられる。有機化合物皮膜としては、ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリアクリレート、光ラジカル重合系、光カチオン重合系の光硬化性樹脂、アクリロニトリル成分を含有する共重合体、ポリビニルフェノール、ポリビニルアルコール、ノボラック樹脂、シアノエチルプルランなどが挙げられ、好ましくは、ポリイミド、ポリビニルフェノール、ポリビニルアルコールが挙げられる。
これらの絶縁層材料は単独で使用してもよいし、２種類以上を組み合わせて使用してもよい。絶縁層の膜厚は、材料によっても異なるが、通常０．１ｎｍ〜１００μｍであり、好ましくは０．５ｎｍ〜５０μｍであり、より好ましくは５ｎｍ〜１０μｍである。
【０１７７】
絶縁層の形成方法としては、公知の種々の方法を用いることができる。具体的には、スピンコーティング、スプレーコーティング、ディップコーティング、キャスト、バーコート、ブレードコーティングなどの塗布法、スクリーン印刷、オフセット印刷、インクジェットなどの印刷法、真空蒸着法、分子線エピタキシャル成長法、イオンクラスタービーム法、イオンプレーティング法、スパッタリング法、大気圧プラズマ法、ＣＶＤ法などのドライプロセス法が挙げられる。その他、ゾルゲル法やアルミニウム上のアルマイト、シリコンの熱酸化膜のように金属上に酸化物膜を形成する方法などが挙げられる。
【０１７８】
基板としては、ガラス、紙、石英、セラミック、又はフレキシブルな樹脂の基板材料から構成された板又はシートなどが挙げられる。樹脂フィルムとしては、具体的には、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、ポリイミド、ボリカーボネート（ＰＣ）、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）などが挙げられる。基板の厚さとしては１μｍ〜１０ｍｍが好ましく、５μｍ〜５ｍｍがさらに好ましい。
【０１７９】
半導体層と接触する絶縁体層や基板の部分において、絶縁体層や基板上に表面処理を行ってもよい。半導体層が積層される絶縁体層上に表面処理を行うことにより、素子のトランジスタ特性を向上させることができる。表面処理としては、具体的には、ヘキサメチルジシラザン、オクタデシルトリクロロシラン、オクチルトリクロロシランなどによる疎水化処理、塩酸、硫酸、過酸化水素水などによる酸処理、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウム、アンモニアなどによるアンモニア処理、オゾン処理、フッ素化処理、酸素やアルゴンなどのプラズマ処理、ラングミュラー・ブロジェット膜の形成処理、その他の絶縁体等や半導体の薄膜の形成処理、機械的処理、コロナ放電などの電気的処理、繊維などを利用したラビング処理などが挙げられる。
表面処理を行う方法としては、例えば、真空蒸着法、スパッタ法、塗布法、印刷法、ゾルゲル法などが挙げられる。
半導体層上に樹脂もしくは無機化合物からなる保護膜を設けてもよい。保護膜の形成により、外気の影響を抑制してトランジスタの駆動を安定化することができる。
【実施例】
【０１８０】
以下、本発明を実施例により更に詳しく説明する。
【０１８１】
なお、各実施例において、化合物の測定は、以下の方法で行った。
１．１Ｈ−ＮＭＲ：ＥＸ２７０（日本電子株式会社製）を用いて測定した。
２．ＨＲＭＳ：ＪＭＳ−Ｔ１００ＧＣ（日本電子株式会社製）を用いて測定した。
【０１８２】
［実施例１］ ２，２’−（２，５−ジブロモベンゼン−１，４−ジイル）ビス（１−ベンゾチオフェン）の製造
１，４−ジブロモ−２，５−ジヨードベンゼン（１．３８ｇ、２．８３ｍｍｏｌ）、ベンゾ［ｂ］チオフェン−２−イルボロン酸（１．５ｇ、８．４３ｍｍｏｌ）、ジクロロ−［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム・ジクロロメタン錯体（０．２６ｇ、０．２３ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン（１６ｍＬ）及び炭酸ナトリウム水溶液（２Ｍ、８ｍＬ）の混合液を窒素雰囲気下、約６５℃で１２時間還流させた。室温まで放冷した後、反応混合液に水を加え、クロロホルムにより抽出した。得られた有機層を硫酸ナトリウムで乾燥し、ろ過後、溶媒を減圧下留去した。得られた混合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで分離精製することにより、２，２’−（２，５−ジブロモベンゼン−１，４−ジイル）ビス（１−ベンゾチオフェン）（１．２ｇ、２．４ｍｍｏｌ）を収率８５％で得た。
２，２’−（２，５−ジブロモベンゼン−１，４−ジイル）ビス（１−ベンゾチオフェンの物性は以下の通りであった。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、δｐｐｍ）：７．９１（ｓ、２Ｈ）、７．８４−７．９０（ｍ、４Ｈ）、７．５９（ｓ、２Ｈ）、７．３５−７．４５（ｍ、４Ｈ）
【０１８３】
［実施例２］ ２，２’−（２，５−ジブロモベンゼン−１，４−ジイル）ビス（３−ブロモ−１−ベンゾチオフェン）の製造
２，２’−（２，５−ジブロモベンゼン−１，４−ジイル）ビス（１−ベンゾチオフェン（０．４７ｇ、０．９４ｍｍｏｌ）、Ｎ−ブロモスクシンイミド（０．３７ｇ、２．０７ｍｍｏｌ）、過酸化ベンゾイル（触媒量）、及びクロロホルム（７１ｍＬ）の混合液を室温（２０〜２５℃）で８時間攪拌した。溶媒を留去した後、得られた固体をエタノールで洗浄し、減圧下で乾燥することにより、２，２’−（２，５−ジブロモベンゼン−１，４−ジイル）ビス（３−ブロモ−１−ベンゾチオフェン）を収率７３％で得た。
２，２’−（２，５−ジブロモベンゼン−１，４−ジイル）ビス（３−ブロモ−１−ベンゾチオフェン）の物性は以下の通りであった。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、δｐｐｍ）：７．８６−７．９３（ｍ、４Ｈ）、７．８１（ｓ、２Ｈ）、７．４１−７．５７（ｍ、４Ｈ）
【０１８４】
［実施例３］ 化合物１の製造
２，２’−（２，５−ジブロモベンゼン−１，４−ジイル）ビス（３−ブロモ−１−ベンゾチオフェン）（０．１ｇ、０．１５ｍｍｏｌ）、４−ヘキシルアニリン（０．０５９ｇ、０．３３ｍｍｏｌ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０．０２８ｇ、０．０３ｍｍｏｌ）、トリｔｅｒｔ−ブチルホスフィン（０．０２５ｇ、０．１２ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（０．３８ｇ、４ｍｍｏｌ）及びトルエン（５ｍＬ）の混合液を窒素雰囲気下、約１１０℃で４８時間還流させた。室温まで放冷した後、反応混合液に水を加え、クロロホルムにより抽出した。得られた有機層を硫酸ナトリウムで乾燥し、ろ過後、溶媒を減圧下留去した。得られた混合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで分離精製することにより、下記式１で示される化合物１（０．６３ｇ、０．９ｍｍｏｌ）を収率６０％で得た。
化合物１の物性は以下の通りであった。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、δｐｐｍ）：７．８６（ｄ、２Ｈ）、７．６８（ｓ、２Ｈ）、７．５７（ｄ、４Ｈ）、７．４７（ｄ、４Ｈ）、７．１７−７．３３（ｍ、６Ｈ）、２．８１（ｔ、４Ｈ）、１．７４−１．８５（ｍ、４Ｈ）、１．３８−１．５３（ｍ、１２Ｈ）、０.９５（ｔ、６Ｈ）
ＨＲＭＳ（ＭＬＤＩ−ＴＯＦ）：ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ４６Ｈ４４Ｎ２Ｓ２、６８８．２９４６；ｆｏｕｎｄ ６８８．２９１３
【０１８５】
［実施例４］ 化合物２の製造
２,２’−（２,５−ジブロモベンゼン−１,４−ジイル）ビス（３−ブロモ−１−ベンゾチオフェン）（８．８ｇ、１３．４ｍｍｏｌ）、４−ｎ−ドデシルアニリン（３８．５ｇ、１４７．１ｍｍｏｌ）、トリス（ ジベンジリデンアセトン） ジパラジウム（２．４５ｇ、２．７ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（１１．３１ｇ、１１７．７ｍｍｏｌ）、トリｔｅｒｔ−ブチルホスフィン（２．１６ｇ、１０．７ｍｍｏｌ）及びトルエン（４３０ｍＬ）の混合液を窒素雰囲気下、約１１０℃で１５時間還流させた。室温まで放冷した後、反応混合液に水を加え、クロロホルムにより抽出した。得られた有機層を硫酸ナトリウムで乾燥し、ろ過後、溶媒を減圧下留去した。得られた混合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーおよびクロロホルムから再結晶することで、下記式２で示される化合物２（５．１１ｇ、５．９６ｍｍｏｌ）を収率４５％で得た。
化合物２の物性は以下の通りであった。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、δｐｐｍ）：７.８７（ｄ、２Ｈ）、７.６９（ｓ、２Ｈ）、７.５８（ｄ、４Ｈ）、７.４９（ｄ、４Ｈ）、７.１８−７.３３（ｍ、６Ｈ）、２．８２（ｔ、４Ｈ）、１.７６−１.８２（ｍ、４Ｈ）、１.２９−１.５５（ｍ、３６Ｈ）、０.９１（ｔ、６Ｈ）
ＨＲＭＳ（ＭＬＤＩ−ＴＯＦ）：ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ５８Ｈ６８Ｎ２Ｓ２、８５６．４８２４；ｆｏｕｎｄ ８５６．４７８３
【０１８６】
［実施例５］ 化合物３の製造
２,２’−（２,５−ジブロモベンゼン−１,４−ジイル）ビス（３−ブロモ−１−ベンゾチオフェン）（８．８ｇ、１３．４ｍｍｏｌ）、４−ｎ−オクチルアニリン（３０．２１ｇ、１４７．１ｍｍｏｌ）、トリス（ ジベンジリデンアセトン） ジパラジウム（２．４５ｇ、２．７ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（１１．３１ｇ、１１７．７ｍｍｏｌ）、トリｔｅｒｔ−ブチルホスフィン（２．１６ｇ、１０．７ｍｍｏｌ）及びトルエン（４３０ｍＬ）の混合液を窒素雰囲気下、約１１０℃で１８時間還流させた。室温まで放冷した後、反応混合液に水を加え、クロロホルムにより抽出した。得られた有機層を硫酸ナトリウムで乾燥し、ろ過後、溶媒を減圧下留去した。得られた混合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで分離精製することで、下記式３で示される化合物３（４．３４ｇ、５．８２ｍｍｏｌ）を収率４４％で得た。
化合物３の物性は以下の通りであった。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、δｐｐｍ）：７．８７（ｄ、２Ｈ）、７.６９（ｓ、２Ｈ）、７.５８（ｄ、４Ｈ）、７.４９（ｄ、４Ｈ）、７.１８−７.３３（ｍ、６Ｈ）、２．８２（ｔ、４Ｈ）、１.７８−１.８４（ｍ、４Ｈ）、１.３４−１.５５（ｍ、２０Ｈ）、０.９２（ｔ、６Ｈ）
ＨＲＭＳ（ＭＬＤＩ−ＴＯＦ）：ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ５０Ｈ５２Ｎ２Ｓ２、７４４．３５７２；ｆｏｕｎｄ ７４４．３５５５
【０１８７】
［実施例６］ 化合物４の製造
２,２’−（２,５−ジブロモベンゼン−１,４−ジイル）ビス（３−ブロモ−１−ベンゾチオフェン）（８．８ｇ、１３．４ｍｍｏｌ）、４−ｎ−オクチルオキシアニリン（３２．５６ｇ、１４７．１ｍｍｏｌ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（２．４５ｇ、２．７ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（１１．３１ｇ、１１７．７ｍｍｏｌ）、トリｔｅｒｔ−ブチルホスフィン（２．１６ｇ、１０．７ｍｍｏｌ）及びトルエン（４３０ｍＬ）の混合液を窒素雰囲気下、約１１０℃で８時間還流させた。室温まで放冷した後、反応混合液に水を加え、クロロホルムにより抽出した。得られた有機層を硫酸ナトリウムで乾燥し、ろ過後、溶媒を減圧下留去した。得られた混合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで分離精製し、さらにクロロホルムから再結晶することで、下記式４で示される化合物４（４．５６ｇ、５．８７ｍｍｏｌ）を収率４３％で得た。
化合物４の物性は以下の通りであった。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、δｐｐｍ）：７.８７（ｄ、２Ｈ）、７.６２（ｓ、２Ｈ）、７.５８（ｄ、４Ｈ）、７.１６−７.５６（ｍ、１０Ｈ）、４．１３（ｔ、４Ｈ）、１．８６−１．９４（ｍ、４Ｈ）、１.３４−１.５９（ｍ、２０Ｈ）、０.９３（ｔ、６Ｈ）
ＨＲＭＳ（ＭＬＤＩ−ＴＯＦ）：ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ５０Ｈ５２Ｎ２Ｏ２Ｓ２、７７６．３４７０；ｆｏｕｎｄ ７７６．３４５０
【０１８８】
［実施例７］ 化合物５の製造
２,２’−（２,５−ジブロモベンゼン−１,４−ジイル）ビス（３−ブロモ−１−ベンゾチオフェン）（０．３ｇ、０．４６ｍｍｏｌ）、４−ｎ−ヘキシルオキシアニリン（０．９７ｇ、５．０１ｍｍｏｌ）、トリス（ ジベンジリデンアセトン） ジパラジウム（０．０８ｇ、０．０９ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（０．３９ｇ、４．０１ｍｍｏｌ）、トリｔｅｒｔ−ブチルホスフィン（０．０７ｇ、０．３６ｍｍｏｌ）及びトルエン（１５ｍＬ）の混合液を窒素雰囲気下、約１１０℃で２５．５時間還流させた。室温まで放冷した後、反応混合液に水を加え、クロロホルムにより抽出した。得られた有機層を硫酸ナトリウムで乾燥し、ろ過後、溶媒を減圧下留去した。得られた混合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで分離精製し、さらにクロロホルムから再結晶することで、下記式５で示される化合物５（０．１４ｇ、０．２ｍｍｏｌ）を収率４４％で得た。
化合物５の物性は以下の通りであった。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、δｐｐｍ）：７.８７（ｄ、２Ｈ）、７.６２（ｓ、２Ｈ）、７．５６（ｄ、４Ｈ）、７.１６−７.３１（ｍ、１０Ｈ）、４．１４（ｔ、４Ｈ）、１．８６−１．９７（ｍ、４Ｈ）、１．３９−１．６０（ｍ、１２Ｈ）、０．９８（ｔ、６Ｈ）
ＨＲＭＳ（ＭＬＤＩ−ＴＯＦ）：ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ４６Ｈ４４Ｎ２Ｏ２Ｓ２、７２０．２８４４；ｆｏｕｎｄ ７２０．２８３３
【０１８９】
［実施例８］ 化合物６の製造
２,２’−（２,５−ジブロモベンゼン−１,４−ジイル）ビス（３−ブロモ−１−ベンゾチオフェン）（１０．０ｇ、１５．２ｍｍｏｌ）、ｎ−ドデシルアミン（３１．０ｇ、１６７．２ｍｍｏｌ）、トリス（ ジベンジリデンアセトン） ジパラジウム（２．８ｇ、３．０４ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（１２．９ｇ、１３３．７ｍｍｏｌ）、（±）−２，２’−Ｂｉｓ（ｄｉｐｈｅｎｙｌｐｈｏｓｐｈｉｎｏ）−１，１’−ｂｉｎａｐｈｔｈｙｌ（７．６ｇ、１２．２ｍｍｏｌ）及びトルエン（５００ｍＬ）の混合液を窒素雰囲気下、約１１０℃で２１時間還流させた。室温まで放冷した後、反応混合液に水を加え、クロロホルムにより抽出した。得られた有機層を硫酸ナトリウムで乾燥し、ろ過後、溶媒を減圧下留去した。得られた混合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで分離精製し、さらにクロロホルムから再結晶することで、下記式６で示される化合物６（４．９１ｇ、７．０ｍｍｏｌ）を収率４６％で得た。
化合物６の物性は以下の通りであった。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、δｐｐｍ）：８．０３（ｄ、２Ｈ）、７.９４（ｄ、２Ｈ）、７．３３（ｓ、２Ｈ）、７．４６（ｄｄ、２Ｈ）、７．３３（ｄｄ、２Ｈ）、４．６５（ｔ、４Ｈ）、１．９７−２．０５（ｍ、４Ｈ）１．２０−１．５０（ｍ、３６Ｈ）、０．８６（ｔ、６Ｈ）
ＨＲＭＳ（ＭＬＤＩ−ＴＯＦ）：ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ４６Ｈ６０Ｎ２Ｏ２Ｓ２、７０４．４１９８；ｆｏｕｎｄ ７０４．４１９４
【０１９０】
［実施例９］ ２，５−ビス（１−ベンゾチオフェン−２−イル）チエノ［３，２−ｂ］チオフェンの製造
実施例１において、１，４−ジブロモ−２，５−ジヨードベンゼンの代わりに２，５−ジブロモチエノ［３，２−ｂ］チオフェンを用いることで、２，５−ビス（１−ベンゾチオフェン−２−イル）チエノ［３，２−ｂ］チオフェンが得られる。
【０１９１】
［実施例１０］ ２，５−ビス（３−ブロモ−１−ベンゾチオフェン−２−イル）−３， ６−ジブロモチエノ［３，２−ｂ］チオフェンの製造
実施例２において、２,２’−（２,５−ジブロモベンゼン−１,４−ジイル）ビス（１−ベンゾチオフェンの代わりに２，５−ビス（１−ベンゾチオフェン−２−イル）チエノ［３，２−ｂ］チオフェンを用い、Ｎ−ブロモスクシンイミドを２，５−ビス（１−ベンゾチオフェン−２−イル）チエノ［３，２−ｂ］チオフェンの４モル倍用いることで、２，５−ビス（３−ブロモ−１−ベンゾチオフェン−２−イル）−３，６−ジブロモチエノ［３，２−ｂ］チオフェンが得られる。
【０１９２】
［実施例１１］ 化合物７の製造
実施例３において、２,２’−（２,５−ジブロモベンゼン−１,４−ジイル）ビス（３−ブロモ−１−ベンゾチオフェン）の代わりに２，５−ビス（３−ブロモ−１−ベンゾチオフェン−２−イル）−３，６−ジブロモチエノ［３，２−ｂ］チオフェンを用いることで、下記式７で示される化合物７が得られる。
【０１９３】
［実施例１２］ ２，６−ビス（１−ベンゾチオフェン−２−イル）ベンゾ［１，２−ｂ；４，５−ｂ’］ジチオフェンの製造
実施例１において、１，４−ジブロモ−２，５−ジヨードベンゼンの代わりに２，６−ジブロモベンゾ［１，２−ｂ；４，５−ｂ’］ジチオフェンを用いることで、２，６−ビス（１−ベンゾチオフェン−２−イル）ベンゾ［１，２−ｂ；４，５−ｂ’］ジチオフェンが得られる。
【０１９４】
［実施例１３］ ２，６−ビス（３−ブロモ−１−ベンゾチオフェン−２−イル）−３，７−ジブロモベンゾ［１，２−ｂ；４，５−ｂ’］ジチオフェンの製造
実施例２において、２,２’−（２,５−ジブロモベンゼン−１,４−ジイル）ビス（１−ベンゾチオフェンの代わりに２，６−ビス（１−ベンゾチオフェン−２−イル）ベンゾ［１，２−ｂ；４，５−ｂ’］ジチオフェンを用い、Ｎ−ブロモスクシンイミドを２，６−ビス（１−ベンゾチオフェン−２−イル）ベンゾ［１，２−ｂ；４，５−ｂ’］ジチオフェンの４モル倍用いることで、２，６−ビス（３−ブロモ−１−ベンゾチオフェン−２−イル）−３，７−ジブロモベンゾ［１，２−ｂ；４，５−ｂ’］ジチオフェンが得られる。
【０１９５】
［実施例１４］ 化合物８の製造
実施例３において、２,２’−（２,５−ジブロモベンゼン−１,４−ジイル）ビス（３−ブロモ−１−ベンゾチオフェン）の代わりに２，６−ビス（３−ブロモ−１−ベンゾチオフェン−２−イル）−３，７−ジブロモベンゾ［１，２−ｂ；４，５−ｂ’］ジチオフェンを用いることで、下記式８で示される化合物８が得られる。
【０１９６】
［実施例１５］ 有機トランジスタＩの作製
厚さ３００ｎｍの熱酸化膜を有する高濃度にドーピングされたｎ−型シリコン基板をアセトン中で１０分間超音波洗浄した後、オゾンＵＶを２０分間照射した。その後、ベータフェネチルトリクロロシランのトルエン希釈液をスピンコートすることにより熱酸化膜表面をシラン処理した。
次に実施例４で製造した化合物２をクロロホルムに溶解して、化合物２の濃度が０．８重量％の溶液を調製し、該溶液をメンブランフィルターでろ過して塗布液を作製した。該塗布液を、上記表面処理した基板上にスピンコート法により塗布し、化合物２の塗布膜（厚み：約６０ｎｍ）を形成した。さらに該塗布膜を窒素雰囲気中で１２０℃にて３０分熱処理することにより、化合物２の有機半導体薄膜を形成した。
更に、メタルマスクを用いた真空蒸着法により、有機半導体薄膜上に、有機半導体薄膜側から三酸化モリブデン及び金の積層構造を有するソース電極及びドレイン電極（各電極のサイズ：チャネル長２０μｍ、チャネル幅２ｍｍ）を作製することにより、図２の構造を有する有機トランジスタＩを製造することができた。
【０１９７】
［実施例１６］ 有機トランジスタＩの電気特性
有機トランジスタＩの電気特性を、半導体パラメータ４２００（ＫＥＩＴＨＬＥＹ社製）を用いて測定した。その結果、あるゲート電圧（Ｖｇ）において、ドレイン電圧（Ｖｄ）に対するドレイン電流（Ｉｄ）の変化曲線は、良好であり、高いドレイン電圧において飽和領域を有していた。また、ゲート電極に印加する負のゲート電圧を増加させると、負のドレイン電流も増加することから、有機トランジスタIは、ｐ型の有機トランジスタであることを確認することができた。
有機トランジスタＩにおけるキャリアの飽和電界効果移動度μは、有機トランジスタの電気特性の飽和領域におけるドレイン電流Ｉｄを表す式を用いて算出した。
」
Ｉｄ＝（Ｗ／２Ｌ）μＣｉ（Ｖｇ−Ｖｔ）２ ・・・（ａ）
（式中、Ｌ＝有機トランジスタのチャネル長、Ｗ＝有機トランジスタのチャネル幅、Ｃｉ＝ゲート絶縁膜の単位面積当たりの容量、Ｖｇ＝ゲート電圧、Ｖｔ＝ゲート電圧のしきい値電圧）
キャリアの電界効果移動度（キャリア移動度）は１×１０−３ｃｍ２／Ｖｓ、及びオン／オフ電流比は１０５であった。
【０１９８】
［実施例１７］ 有機トランジスタIIの作製
チャネル幅２ｍｍ及びチャネル長２０μｍの金電極を有する熱酸化膜（ＳｉＯ２）付高濃度ドープｎ−型シリコン基板（熱酸化膜３００ｎｍ）を、アセトン中で１０分間超音波洗浄した後、オゾンＵＶを２０分間照射した。その後、ベータフェネチルトリクロロシランのトルエン希釈液をスピンコートすることによりシラン処理した。さらに、ペンタフルオロベンゼンチオールのイソプロピルアルコール希釈液をスピンコートして、金電極表面をチオール処理した。
次に、実施例４で合成した化合物２を石英るつぼに入れ、表面処理した基板とともに真空蒸着装置にセットした。装置チェンバ内の真空度１×１０−４Ｐａ以下、基板温度６０℃の条件で、るつぼを加熱して化合物２を揮発させ、基板上に析出させることによって化合物２からなる有機半導体薄膜を形成させた。以上の工程により、図１の構造を有する有機トランジスタIIを製造することができた。有機半導体薄膜の膜厚は、約１００ｎｍであった。
【０１９９】
［実施例１８］ 有機トランジスタIIの電気特性
有機トランジスタIIの電気特性を実施例１６と同様に測定した結果、キャリアの電界効果移動度は１．４×１０−３ｃｍ２／Ｖｓ、オン／オフ電流比は１０５であった。
【０２００】
［実施例１９］ 有機トランジスタIIIの作製
チャネル幅２ｍｍ及びチャネル長２０μｍの金電極を有する熱酸化膜（ＳｉＯ２）付高濃度ドープｎ−型シリコン基板（熱酸化膜３００ｎｍ）を、アセトン中で１０分間超音波洗浄した後、オゾンＵＶを２０分間照射した。その後、ベータフェネチルトリクロロシランのトルエン希釈液をスピンコートすることによりシラン処理した。さらに、ペンタフルオロベンゼンチオールのイソプロピルアルコール希釈液をスピンコートして、金電極表面をチオール処理した。
次に実施例５で製造した化合物３をキシレンに溶解して、化合物３の濃度が１．０重量％の溶液を調製し、該溶液をメンブランフィルターでろ過して塗布液を作製した。
この塗布液を、上記基板にスピンコート法により塗布することにより塗布膜（厚み：約６０ｎｍ）を得、さらに該塗布膜を窒素雰囲気中で１２０℃にて３０分熱処理することにより、化合物３の有機半導体薄膜を形成した。以上の工程により、図１の構造を有する有機トランジスタIIIを製造することができた。
【０２０１】
［実施例２０］ 有機トランジスタIIIの電気特性
有機トランジスタIIIの電気特性を実施例１６と同様に測定した結果、キャリアの電界効果移動度は５×１０−５ｃｍ２／Ｖｓ、オン／オフ電流比は１０５であった。
【０２０２】
［実施例２１］ 有機トランジスタIVの作製
化合物２の代わりに化合物３を用いた以外は実施例１７と同様に操作することにより、図１の構造を有する有機トランジスタIVを製造することができた。
【０２０３】
［実施例２２］ 有機トランジスタIVの電気特性
有機トランジスタIVの電気特性を実施例１６と同様に測定した結果、キャリアの電界効果移動度は３．３×１０−３ｃｍ２／Ｖｓ、オン／オフ電流比は１０６であった。
【０２０４】
［実施例２３］ 有機トランジスタＶの作製
チャネル幅２ｍｍ及びチャネル長２０μｍの金電極を有する熱酸化膜（ＳｉＯ２）付高濃度ドープｎ−型シリコン基板（熱酸化膜３００ｎｍ）を、アセトン中で１０分間超音波洗浄した後、オゾンＵＶを２０分間照射した。
次に実施例６で製造した化合物４をキシレンに溶解して、化合物４の濃度が０．５重量％の溶液を調製し、これをメンブランフィルターでろ過して塗布液を作製した。
この塗布液を上記基板上にキャスト法により塗布し、化合物４からなる膜厚約９０ｎｍの薄膜を形成した。さらに該薄膜を窒素雰囲気中で６０℃にて３０分熱処理することにより、図１の構造を有する有機トランジスタＶを製造することができた。
【０２０５】
［実施例２４］ 有機トランジスタＶの電気特性
有機トランジスタＶの電気特性を実施例１６と同様に測定した結果、キャリアの電界効果移動度は１．１×１０−４ｃｍ２／Ｖｓ、オン／オフ比電流は１０３であった。
【０２０６】
［実施例２５］ 有機トランジスタVIの作製
化合物２の代わりに化合物４を用いた以外は実施例１７と同様に操作し、更に、有機半導体薄膜を窒素雰囲気中で１１０℃にて３０分熱処理することにより、図１の構造を有する有機トランジスタVIを製造することができた。
【０２０７】
［実施例２６］ 有機トランジスタVIの電気特性
有機トランジスタVIの電気特性を実施例１６と同様に測定した結果、キャリアの電界効果移動度は５．６×１０−４ｃｍ２／Ｖｓ、オン／オフ電流比は１０４であった。
【産業上の利用可能性】
【０２０８】
本発明の化合物は、有機トランジスタ等、有機半導体材料に適用することができる。本発明の製造方法は、上記化合物を簡便に製造する方法として有用である。
【符号の説明】
【０２０９】
１１、２１ 基板
１２、２２ ゲート電極
１３、２３ ゲート絶縁膜
１４ 、２４ ソース電極
１５、２５ ドレイン電極
１６、２６ 有機半導体層
【技術分野】
【０００１】
本発明は、新規化合物及び有機半導体材料に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機トランジスタ等の有機半導体デバイスは、電子ペーパーや大画面フラットパネルディスプレイなどの次世代の技術への応用が期待されている。有機トランジスタは、有機半導体活性層、基板、絶縁層、電極等、数種類の部材から構成される。このうち、有機半導体活性層は、キャリア輸送を担う重要な役割を有している。トランジスタの特性は、この有機半導体活性層を構成する有機材料（有機半導体材料）のキャリア輸送能に大きく依存する。
有機トランジスタ用の有機半導体材料として、ペンタセン、ジナフトチエノチオフェン、インドロ［３，２−ｂ］カルバゾールなどの多環縮環化合物、オリゴマーやポリマー系の材料等、種々の有機化合物が開示されている（例えば、非特許文献１〜６参照）。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００３】
【非特許文献１】Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．２００２，９２，５２５９．
【非特許文献２】Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．２００４，１２６，１３８５９．
【非特許文献３】Ｓｃｉｅｎｃｅ １９９８，２８０，１７４１．
【非特許文献４】Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．２００７，１２９，２２２４．
【非特許文献５】Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．２００５，１２７，６１４．
【非特許文献６】Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．２００７，１２９，９１２５．
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、有機トランジスタ用の有機半導体材料として有用な新規化合物、その製造方法、該化合物を含む有機半導体材料、有機薄膜及び有機トランジスタを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、以下の［１］〜［１６］の新規な化合物、［１７］〜［２０］の該化合物の製造方法、該製造方法に用いる［２１］〜［２４］のテトラハロゲン化合物、及び［２５］〜［３０］の該テトラハロゲン化合物の製造方法を提供する。
［１］：式（１）
（式中、環構造Ａ及び環構造Ｂは、独立して、置換基を有していていもよい芳香族環又は置換基を有していていもよい複素環を表し；
環構造Ｃは、置換されていてもよいベンゼン環、ヘテロ［３，２−ｂ］ヘテロール環、又は置換されていてもよいベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジヘテロール環を表し、
Ｗ，Ｘ，Ｙ及びＺは、独立して、硫黄原子、酸素原子、セレン原子、テルル原子、ＳＯ２、（Ｒ１）−Ｃ−（Ｒ２）、（Ｒ３）−Ｓｉ−（Ｒ４）、又はＮ−（Ｒ５）を表し、Ｗ，Ｘ，Ｙ及びＺのうち少なくともいずれか１つは、Ｎ−（Ｒ５）であり、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、独立して、水素原子、置換基ｉ、置換基ｉｉ、ハロゲン原子を置換基として有していてもよいアリール基、又はハロゲン原子を置換基として有していてもよいヘテロアリール基を表し、置換基ｉは下記群Ｐより選択される基であり、置換基ｉｉは置換基を有する下記群Ｐより選択される基であり、群Ｐは、アルキル基、アルコキシ基、アルキル置換アリール基、アルコキシ置換アリール基およびアルキル置換ヘテロアリール基からなる。）
で表される化合物。
［２］：環構造Ａ及び環構造Ｂが、独立して、芳香族環、複素環、置換基ｉｉｉを置換基として有する芳香族環、置換基ｉｖを置換基として有する芳香族環、置換基ｉｉｉを置換基として有する複素環、置換基ｉｖを置換基として有する複素環、ハロゲン置換芳香族環、又は、ハロゲン置換複素環であり、
置換基ｉｉｉは下記Ｑ群より選ばれる置換基であり、
置換基ｉｖは、フッ素原子を置換基として有する下記Ｑ群より選ばれる置換基であり、
Ｑ群は、アルキル基、アルコキシ基、アルキル置換アリール基、アルコキシ置換アリール基、アルコキシ置換へテロアリール基、アルキル置換へテロアリール基、アルケニル基、アルキニル基、アルキルチオ基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基、（トリアルキル）シリル基及び（ジアルキル）アミノ基からなる、［１］に記載される化合物。
［３］：環構造Ａ及び環構造Ｂは、独立して、ベンゼン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゼン環、置換基ｉｖを置換基として有するベンゼン環、ハロゲン置換ベンゼン環、ナフタレン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するナフタレン環、置換基ｉｖを置換基として有するナフタレン環、ハロゲン置換ナフタレン環、ベンゾ［ｂ］チオフェン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゾ［ｂ］チオフェン環、置換基ｉｖを置換基として有するベンゾ［ｂ］チオフェン環、ハロゲン置換ベンゾ［ｂ］チオフェン環、ベンゾ［ｂ］フラン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゾ［ｂ］フラン環、置換基ｉｖを置換基として有するベンゾ［ｂ］フラン環、又は、ハロゲン置換ベンゾ［ｂ］フラン環である、［２］に記載される化合物。
［４］：環構造Ａ及び環構造Ｂは、独立して、ベンゼン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゼン環、置換基ｉｖを置換基として有するベンゼン環、又は、ハロゲン置換ベンゼン環である、［２］に記載される化合物。
【０００６】
［５］：環構造Ｃが、ベンゼン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゼン環、置換基ｉｖを置換基として有するベンゼン環、ハロゲン置換ベンゼン環、チエノ［３，２−ｂ］チオフェン環、ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ‘］ジチオフェン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン環、置換基ｉｖを置換基として有するベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン環、ハロゲン置換ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン環、ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジフラン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジフラン環、置換基ｉｖを置換基として有するベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジフラン環、又は、ハロゲン置換ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジフラン環であり、
置換基ｉｉｉは下記Ｑ群より選ばれる置換基であり、
置換基ｉｖは、フッ素原子を置換基として有する下記Ｑ群より選ばれる置換基であり、
Ｑ群は、アルキル基、アルコキシ基、アルキル置換アリール基、アルコキシ置換アリール基、アルコキシ置換へテロアリール基、アルキル置換へテロアリール基、アルケニル基、アルキニル基、アルキルチオ基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基、（トリアルキル）シリル基、及び、（ジアルキル）アミノ基からなる、［１］〜［４］のいずれかに記載される化合物。
［６］：環構造Ｃが、ベンゼン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゼン環、置換基ｉｖを置換基として有するベンゼン環、ハロゲン置換ベンゼン環、又は、チエノ［３，２−ｂ］チオフェン環である、［１］〜［４］のいずれかに記載される化合物。
【０００７】
［７］：Ｗ及びＸのうちいずれか一方は、Ｎ−（Ｒ５）であり、
他方は硫黄原子、酸素原子、（Ｒ１）−Ｃ−（Ｒ２）又は（Ｒ３）−Ｓｉ−（Ｒ４）であり、
ＺはＷと同一であり、ＹはＸと同一である、［１］〜［６］のいずれかに記載される化合物。
［８］：Ｗ及びＸのうちいずれか一方は、Ｎ−（Ｒ５）であり、
他方は硫黄原子又は酸素原子であり、
ＺはＷと同一であり、ＹはＸと同一である、［１］〜［６］のいずれかに記載される化合物。
【０００８】
［９］：Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、独立して、水素原子、炭素数１〜３０のアルキル基、炭素数１〜３０のフルオロアルキル基、フェニル基、炭素数１〜３０のアルキル基を置換基として有するフェニル基、炭素数１〜３０のフルオロアルキル基を置換基として有するフェニル基、炭素数１〜３０のアルコキシ基を置換基として有するフェニル基、炭素数１〜３０のフルオロアルコキシ基を置換基として有するフェニル基、チエニル基、炭素数１〜３０のアルキル基を置換基として有するチエニル基、又は、炭素数１〜３０のフルオロアルキル基を置換基として有するチエニル基である、［１］〜［８］のいずれかに記載される化合物。
［１０］：Ｒ５は、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のフルオロアルキル基、フェニル基、炭素数１〜２０のアルキル基を置換基として有するフェニル基、炭素数１〜２０のフルオロアルキル基を置換基として有するフェニル基、又は、炭素数１〜２０のアルコキシ基を置換基として有するフェニル基である、［１］〜［９］のいずれかに記載される化合物。
【０００９】
［１１］：環構造Ａ、環構造Ｂ及び環構造Ｃは、独立して、ベンゼン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゼン環、又はハロゲン置換ベンゼン環であり、
Ｘ及びＹは同一で、Ｎ−（Ｒ５）であり、
Ｗ及びＺは同一で、硫黄原子又は酸素原子であり、
置換基ｉｉｉは下記Ｑ群より選ばれる置換基であり、
Ｑ群は、アルキル基、アルコキシ基、アルキル置換アリール基、アルコキシ置換アリール基、アルコキシ置換へテロアリール基、アルキル置換へテロアリール基、アルケニル基、アルキニル基、アルキルチオ基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基、（トリアルキル）シリル基及び（ジアルキル）アミノ基からなる、［１］に記載される化合物。
［１２］：環構造Ａ、環構造Ｂ及び環構造Ｃは、独立して、ベンゼン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゼン環、又は、ハロゲン置換ベンゼン環であり、
Ｘ及びＹは同一で、硫黄原子又は酸素原子であり、
Ｗ及びＺは同一で、Ｎ−（Ｒ５）であり、
置換基ｉｉｉは下記Ｑ群より選ばれる置換基であり、
Ｑ群は、アルキル基、アルコキシ基、アルキル置換アリール基、アルコキシ置換アリール基、アルコキシ置換へテロアリール基、アルキル置換へテロアリール基、アルケニル基、アルキニル基、アルキルチオ基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基、（トリアルキル）シリル基及び（ジアルキル）アミノ基からなる、［１］に記載される化合物。
【００１０】
［１３］：環構造Ａ及び環構造Ｂは、独立して、ベンゼン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゼン環、又はハロゲン置換ベンゼン環であり、
環構造Ｃは、チエノ［３，２−ｂ］チオフェン環であり、
Ｘ及びＹは同一で、Ｎ−（Ｒ５）であり、
Ｗ及びＺは同一で、硫黄原子又は酸素原子である、
［２］に記載される化合物。
［１４］：環構造Ａ及び環構造Ｂは、独立して、ベンゼン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゼン環、又は、ハロゲン置換ベンゼン環であり、
環構造Ｃは、チエノ［３，２−ｂ］チオフェン環であり、
Ｘ及びＹは同一で、硫黄原子又は酸素原子であり、
Ｗ及びＺは同一で、Ｎ−（Ｒ５）である、
［２］に記載される化合物。
【００１１】
［１５］：環構造Ａ及び環構造Ｂが、独立して、ベンゼン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゼン環、又はハロゲン置換ベンゼン環であり、
環構造Ｃは、ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン環、ハロゲン置換ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン環、ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジフラン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジフラン環、又は、ハロゲン置換ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジフラン環であり、
Ｘ及びＹは同一で、Ｎ−（Ｒ５）であり、
Ｗ及びＺは同一で、硫黄原子又は酸素原子であり、
置換基ｉｉｉは下記Ｑ群より選ばれる置換基であり、
Ｑ群は、アルキル基、アルコキシ基、アルキル置換アリール基、アルコキシ置換アリール基、アルコキシ置換へテロアリール基、アルキル置換へテロアリール基、アルケニル基、アルキニル基、アルキルチオ基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基、（トリアルキル）シリル基及び（ジアルキル）アミノ基からなる、
［１］に記載される化合物。
［１６］：環構造Ａ及び環構造Ｂは、独立して、ベンゼン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゼン環、又はハロゲン置換ベンゼン環であり、
環構造Ｃは、ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン環、ハロゲン置換ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン環、ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジフラン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジフラン環、又はハロゲン置換ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジフラン環であり、
Ｘ及びＹは同一で、硫黄原子又は酸素原子であり、
Ｗ及びＺは同一で、Ｎ−（Ｒ５）であり、
置換基ｉｉｉは下記Ｑ群より選ばれる置換基であり、
Ｑ群は、アルキル基、アルコキシ基、アルキル置換アリール基、アルコキシ置換アリール基、アルコキシ置換へテロアリール基、アルキル置換へテロアリール基、アルケニル基、アルキニル基、アルキルチオ基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基、（トリアルキル）シリル基及び（ジアルキル）アミノ基からなる、
［１］に記載される化合物。
【００１２】
［１７］：［１］〜［１６］のいずれかに記載される化合物の製造方法であって、
式（２）又は式（３）
（式中、環構造Ａ、環構造Ｂ及び環構造Ｃは、それぞれ［１］と同じ定義である。
Ｗ’，Ｘ’，Ｙ’及びＺ’は、独立して、硫黄原子、酸素原子、セレン原子、テルル原子、ＳＯ２、（Ｒ１）−Ｃ−（Ｒ２）、（Ｒ３）−Ｓｉ−（Ｒ４）、又はＮ−（Ｒ５）を表し、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、それぞれ請求項１と同じ定義である。
Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８及びＲ９は、独立して、ハロゲン原子を表す。）
で表されるテトラハロゲン化合物と、
Ｒ５−ＮＨ２
（式中、Ｒ５は、［１］と同じ定義である。）
と、の反応を行う工程を含む製造方法。
［１８］：Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８及びＲ９は、独立して、臭素原子又はヨウ素である［１７］に記載される製造方法。
［１９］：Ｘ’，Ｙ’，Ｗ’及びＺ’は、独立して、硫黄原子又は酸素原子である［１７］又は［１８］に記載される製造方法。
［２０］：Ｒ５は、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のフルオロアルキル基、フェニル基、炭素数１〜２０のアルキル基を置換基として有するフェニル基、炭素数１〜２０のフルオロアルキル基を置換基として有するフェニル基、又は、炭素数１〜２０のアルコキシ基を置換基として有するフェニル基である、［１７］〜［１９］のいずれかに記載される製造方法。
【００１３】
［２１］：式（２）
（式中、環構造Ａ及び環構造Ｂは、それぞれ［１］と同じ定義である。
環構造Ｃは、チエノ［３，２−ｂ］チオフェン環であり、
Ｗ’及びＺ’は、独立して硫黄原子又は酸素原子である。
Ｒ６及びＲ７は、独立して、ハロゲン原子を表す。）
で表されるテトラハロゲン化合物。
［２２］：環構造Ａ及び環構造Ｂは、独立して、ベンゼン環、ナフタレン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、フラン環、又は、ベンゾフラン環である、［２１］に記載されるテトラハロゲン化合物。
［２３］：式（３）
（式中、環構造Ａ及び環構造Ｂは、それぞれ［１］と同じ定義である。
環構造Ｃは、チエノ［３，２−ｂ］チオフェン環、フロ［３，２−ｂ］フラン環、置換基を有していてもよいベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン環、又は、置換基を有していてもよいベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジフラン環であり、
Ｘ’及びＹ’は、独立して、硫黄原子又は酸素原子である。
Ｒ８及びＲ９は、独立して、ハロゲン原子を表す。）
で表されるテトラハロゲン化合物。
［２４］：環構造Ａ及び環構造Ｂは、独立して、ベンゼン環、ナフタレン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、フラン環、又は、ベンゾフラン環である、［２３］に記載されるテトラハロゲン化合物。
【００１４】
［２５］：式（４）
（式中、環構造Ａ，環構造Ｂ，環構造Ｃ、Ｗ’及びＺ’は、それぞれ［１７］と同じ定義である。
Ｒ１０及びＲ１１は、独立して、水素原子又はハロゲン原子を表し、
Ｒ１０及びＲ１１のうち少なくとも１つは、水素原子である。）
で表される化合物と、
ハロゲン化剤と、の反応を行う工程を含む
式（２）
（式中、Ｗ’、Ｚ’、Ｒ６およびＲ７は、それぞれ［１７］と同じ定義である。）
で表されるテトラハロゲン化合物の製造方法。
［２６］：Ｒ１０及びＲ１１は、独立して水素原子、臭素原子、又はヨウ素原子を表し、
Ｒ１０及びＲ１１のうち少なくとも１つは水素原子である、［２５］に記載される製造方法。
［２７］：Ｗ’及びＺ’は、独立して、硫黄原子又は酸素原子である［２５］又は［２６］に記載される製造方法。
【００１５】
［２８］：式（５）
（式中、環構造Ａ，環構造Ｂ，環構造Ｃ、Ｘ’及びＹ’は、それぞれ［１７］と同じ定義である。
Ｒ１２及びＲ１３は、独立して、水素原子又はハロゲン原子を表し、
Ｒ１２及びＲ１３のうち少なくとも１つは、水素原子である。）
で表される化合物と、ハロゲン化剤と、の反応を行う工程を含む
式（３）
（式中、Ｘ’、Ｙ’、Ｒ８及びＲ９は、それぞれ［１７］と同じ定義である。）
で表されるテトラハロゲン化合物の製造方法。
［２９］：Ｒ１２及びＲ１３は、独立して、水素原子、臭素原子、又はヨウ素原子を表し、
Ｒ１２及びＲ１３のうち少なくとも１つは水素原子である、［２８］に記載される製造方法。
［３０］：Ｘ’及びＹ’は、独立して、硫黄原子又は酸素原子である、［２８］又は［２８］に記載される製造方法。
【００１６】
さらに本発明は、上記化合物を用いる、下記［３１］〜［３７］の薄膜、素子ならびに有機トランジスタを提供する。
［３１］：［１］〜［１６］のいずれかに記載される化合物を含む有機半導体デバイス。
［３２］：［１］〜［１６］のいずれかに記載される化合物を含有する導電性薄膜。
［３３］：［１］〜［１６］のいずれかに記載される化合物を含有する発光性薄膜。
［３４］：［１］〜［１６］のいずれかに記載される化合物を含有する有機半導体薄膜。
［３５］：キャリア移動度が１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上である［３４］に記載される有機半導体薄膜。
［３６］：［３４］又は［３５］に記載される有機半導体薄膜を有する有機トランジスタ。
［３７］：［３３］に記載される発光性薄膜を有する発光素子。
【発明の効果】
【００１７】
本発明により、有機トランジスタ用の有機半導体材料として有用な新規化合物及びその製造方法を提供できた。さらに、該化合物を含む有機半導体材料、有機薄膜及び有機トランジスタを提供できた。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】実施例１７、１９、２１、２３、および２５により得られる各有機トランジスタの模式図である。
【図２】実施例１５により得られる有機トランジスタの模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明について詳細に説明する。
【００２０】
＜化合物（１）＞
まず、上述の式（１）で表される化合物（以下、「化合物（１）」という。）について説明する。
【００２１】
上記化合物（１）は、上記式（１）に示されるように、ピロール環又は、窒素原子上に置換基を有するピロール環を含み、且つ７環以上からなるヘテロアセン骨格を基本構造とする。
上記式（１）において、環構造Ａ及び環構造Ｂは、独立して、置換基を有していていもよい芳香族環、又は置換基を有していていもよい複素環を表す。
本発明における芳香族環としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナンスレン環、及びフルオレン環等が挙げられ、好ましくはベンゼン環及びナフタレン環が挙げられる。
【００２２】
本発明における複素環は、構成原子数（環を構成している原子の数）５〜１２であって、炭素原子及び異種原子を含む環構造を有する。上記異種原子としては、酸素原子、セレン原子、硫黄原子、及び窒素原子などが挙げられる。上記複素環は、異種原子数が１個又は２個であることが好ましい。
上記複素環としては、チオフェン環、フラン環、セレノフェン環、ピロール環、オキサゾール環、チアゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環等の単環の複素環；チエノ［３，２−ｂ］チオフェン環、フロ［３，２−ｂ］フラン環、チエノ［３，２−ｂ］フラン環、ベンゾ［ｂ］チオフェン環、ベンゾ［ｂ］フラン環等の２環の複素環が挙げられる。
【００２３】
環構造Ａ及び環構造Ｂにおいて、芳香族環及び複素環は、好ましくは単環又は二環であり、より好ましくはベンゼン環、チオフェン環、フラン環、セレノフェン環、ピロール環、チアゾール環、チエノ［３，２−ｂ］チオフェン環、フロ［３，２−ｂ］フラン環、チエノ［３，２−ｂ］フラン環、ベンゾ［ｂ］チオフェン環、ベンゾ［ｂ］フラン環、及びナフタレン環であり、更に好ましくはベンゼン環、２，３位で縮環したチオフェン環、２，３位で縮環したフラン環、２，３位で縮環したベンゾ［ｂ］チオフェン環、及び、２，３位で縮環したベンゾ［ｂ］フラン環であり、特に好ましくはベンゼン環である。
【００２４】
本発明において、芳香族環及び複素環が有することもある置換基（以下、場合により「芳香族環及び複素環における置換基」という。）としては、ハロゲン原子；シアノ基；ニトロ基；ハロゲンで置換されていてもよいアリール基；ハロゲンで置換されていてもよいヘテロアリール基；置換基ｉｉｉ；置換基ｉｖなどが挙げられ、
好ましくは、ハロゲン原子、置換基ｉｉｉ及び置換基ｉｖが挙げられる。このハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子のいずれでもよいが、フッ素原子、臭素原子及びヨウ素原子が好ましい。
【００２５】
上記芳香族環及び複素環における置換基が、ハロゲン原子を置換基として有するアリール基である場合、そのアリール基は、フェニル基又はナフチル基であることが好ましい。
上記芳香族環及び複素環における置換基がハロゲン原子で置換されていてもよいヘテロアリール基である場合、そのヘテロアリール基は、好ましくは単環又は二環であり、より好ましくは、チオフェニル基、フリル基、チアゾリル基、チエノ［３，２−ｂ］チオフェニル基、フロ［３，２−ｂ］フラリル基、チエノ［３，２−ｂ］フラリル基、ベンゾ［ｂ］チオフェニル基、ベンゾ［ｂ］フラニル基であり、更に好ましくは、チオフェニル基、フリル基、チエノ［３，２−ｂ］チオフェニル基、ベンゾ［ｂ］チオフェニル基、ベンゾ［ｂ］フリル基である。
【００２６】
本発明において、置換基ｉｉｉは下記群Ｑより選択される基であり、置換基ｉｖはフッ素原子を置換基として有する下記群Ｑより選択される基である。
上記群Ｑは、アルキル基、アルコキシ基、アルキル基を置換基として有するアリール基（以下、場合により「アルキル置換アリール基」という。）、アルコキシ基を置換基として有するアリール基（以下、場合により「アルコキシ置換アリール基」という。）、アルキル基を置換基として有するへテロアリール基（以下、場合により「アルキル置換へテロアリール基」という。）、アルコキシ基を置換基として有するへテロアリール基（以下、場合により「アルコキシ置換ヘテロアリール基」という。）、アルケニル基、アルキニル基、アルキルチオ基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基、（トリアルキル）シリル基及び（ジアルキル）アミノ基からなる。上記群Ｑの各基は、それぞれ、好ましくは炭素数１〜３０であり、より好ましくは炭素数１〜２０である。
上記置換基ｉｉｉは、好ましくはアルキル基、アルコキシ基、アルキル置換アリール基、アルコキシ置換アリール基及びアルキル置換へテロアリール基からなる群Ｑ１から選択される基であり、より好ましくは炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数１〜２０のアルキル基を置換基として有するアリール基、炭素数１〜２０のアルコキシ基を置換基として有するアリール基および炭素数１〜２０のアルキル基を置換基として有するヘテロアリール基からなる群Ｑ２から選択される基である。上記置換基ｉｖは、好ましくは上記群Ｑ１から選択される基にフッ素原子が置換されたものであり、より好ましくは上記群Ｑ２から選択される基にフッ素原子が置換されたものである。
【００２７】
環構造Ａ及び環構造Ｂとしては、それぞれ、芳香族環、複素環、置換基ｉｉｉを置換基として有する芳香族環、置換基ｉｖを置換基として有する芳香族環、置換基ｉｉｉを置換基として有する複素環、置換基ｉｖを置換基として有する複素環、ハロゲン置換芳香族環、又は、ハロゲン置換複素環であることが好ましく、
ベンゼン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゼン環、置換基ｉｖを置換基として有するベンゼン環、ハロゲン置換ベンゼン環、ナフタレン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するナフタレン環、置換基ｉｖを置換基として有するナフタレン環、ハロゲン置換ナフタレン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゾ［ｂ］チオフェン環、置換基ｉｖを置換基として有するベンゾ［ｂ］チオフェン環、ベンゾ［ｂ］チオフェン環、ハロゲン置換ベンゾ［ｂ］チオフェン環、ベンゾ［ｂ］フラン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゾ［ｂ］フラン環、置換基ｉｖを置換基として有するベンゾ［ｂ］フラン環、又は、ハロゲン置換ベンゾ［ｂ］フラン環であることがより好ましく、
ベンゼン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゼン環、置換基ｉｖを置換基として有するベンゼン環または、ハロゲン置換ベンゼン環であることが更に好ましい。
【００２８】
環構造Ｃは、置換基を有していてもよいベンゼン環、ヘテロ［３，２−ｂ］ヘテロール環、又は、置換基を有していてもよいベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジヘテロール環を表す。
上記置換基を有していてもよいベンゼン環としては、ベンゼン環、又は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、置換基ｉｉｉもしくは置換基ｉｖを置換基として有するベンゼン環が挙げられ、好ましくは、ベンゼン環、又は、ハロゲン原子、置換基ｉｉｉもしくは置換基ｉｖを置換基として有するベンゼン環が挙げられる。
上記ヘテロ［３，２−ｂ］ヘテロール環及びベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジヘテロール環における異種原子としては、例えば、硫黄原子、セレン原子、窒素原子及び酸素原子が挙げられる。
上記ヘテロ［３，２−ｂ］ヘテロール環としては、チエノ［３，２−ｂ］チオフェン環、フロ［３，２−ｂ］フラン環、セレノ［３，２−ｂ］セレノフェン環、チエノ［３，２−ｂ］フラン環、チエノ［３，２−ｂ］セレノフェン環、セレノ［３，２−ｂ］フラン環、及びチエノ［２，３−ｆ］［１］ベンゾフランが挙げられる。
上記ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジヘテロール環としては、ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン環、ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジフラン環、又はベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジセレノフェン環、及び、これらの環が、上述の芳香族環及び複素環における置換基で置換されたものが挙げられる。
環構造Ｃにおける置換基としては、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、置換基ｉｉｉ、及び置換基ｉｖが挙げられる。
上記環構造Ｃは、好ましくは、置換基を有していてもよいベンゼン環、異種原子が酸素原子、硫黄原子及び／又は窒素原子であるヘテロ［３，２−ｂ］ヘテロール環、ならびに、異種原子が酸素原子、硫黄原子及び／又は窒素原子である置換基を有していてもよいベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジヘテロール環であり、
より好ましくは、置換基を有していてもよいベンゼン環、チエノ［３，２−ｂ］チオフェン環、フロ［３，２−ｂ］フラン環、置換基を有していてもよいベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン環、及び、置換基を有していてもよいベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジフラン環であり、
さらに好ましくは、ベンゼン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゼン環、置換基ｉｖを置換基として有するベンゼン環、ハロゲン置換ベンゼン環、チエノ［３，２−ｂ］チオフェン環、ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン環、置換基ｉｖを置換基として有するベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン環、ハロゲン置換ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン環、ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジフラン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジフラン環、置換基ｉｖを置換基として有するベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジフラン環、及び、ハロゲン置換ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジフラン環であり、
一層好ましくは、ベンゼン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゼン環、置換基ｉｖを置換基として有するベンゼン環、ハロゲン置換ベンゼン環、チエノ［３，２−ｂ］チオフェン環であり、
特に好ましくは、ベンゼン環、炭素数１〜１６のアルキル基を置換基として有するベンゼン環、フッ素原子を置換基として有するベンゼン環（以下、場合により「フルオロベンゼン環」という。）、チエノ［３，２−ｂ］チオフェン環である。
【００２９】
上記式（１）において、Ｗ，Ｘ，Ｙ及びＺは、独立して、硫黄原子、酸素原子、セレン原子、テルル原子、ＳＯ２、（Ｒ１）−Ｃ−（Ｒ２）、（Ｒ３）−Ｓｉ−（Ｒ４）、又はＮ−（Ｒ５）を表す。上記Ｗ，Ｘ，Ｙ及びＺのうち少なくともいずれか１つは、Ｎ−（Ｒ５）である。
上記化合物（１）は、その合成が容易となるので、ＷがＺと同一であり、且つＸがＹと同一であることが好ましい。
上記化合物（１）は、より好ましくは、Ｗ及びＸの一方がＮ−（Ｒ５）であり、他方が硫黄原子、酸素原子、（Ｒ１）−Ｃ−（Ｒ２）又は（Ｒ３）−Ｓｉ−（Ｒ４）であり、ＺはＷと同一であり、ＹはＸと同一である。さらに好ましくは、Ｗ及びＸの一方がＮ−（Ｒ５）であり、他方が硫黄原子又は酸素原子であり、ＺはＷと同一であり、ＹはＸと同一である。
【００３０】
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、独立して、水素原子、置換基ｉ、置換基ｉｉ、ハロゲン原子を置換基として有していてもよいアリール基、又はハロゲンを置換基として有していてもよいヘテロアリール基を表す。
【００３１】
本発明において、置換基ｉは下記群Ｐより選択される基であり、置換基ｉｉは置換基を有する下記群Ｐより選択される基である。上記群Ｐは、アルキル基、アルコキシ基、アルキル置換アリール基、アルコキシ置換アリール基、アルキル置換へテロアリール基、アルコキシ置換へテロアリール基からなる。上記群Ｐの各基は、それぞれ、好ましくは炭素数１〜４０であり、より好ましくは炭素数１〜３０であり、更に好ましくは炭素数１〜２０である。
【００３２】
本発明におけるアルキル基は、直鎖及び分枝鎖のいずれでもよく、例えば、炭素数１〜３０の直鎖もしくは分枝鎖状のアルキル基が挙げられる。
上記アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ネオペンチル基、ｎ−ヘキシル基、２−エチルヘキシル基、シクロヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、２−ヘキシルオクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ｎ−ノナデシル基、ｎ−イコシル基、ｎ−ヘンイコシル基、ｎ−ドコシル基、ｎ−トリコシル基、ｎ−テトラコシル基、ｎ−ペンタコシル基、ｎ−ヘキサコシル基、ｎ−ヘプタコシル基、ｎ−オクタコシル基、ｎ−ノナコシル基、及びｎ−トリアコンチル基が例示され、
好ましくはメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ネオペンチル基、ｎ−ヘキシル基、２−エチルヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、２−ヘキシルオクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ｎ−ノナデシル基、ｎ−イコシル基等の炭素数１〜２０のアルキル基が挙げられ、
より好ましくはメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、２−エチルヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、２−ヘキシルオクチル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、及びｎ−ヘキサデシル基等の炭素数１〜１６のアルキル基が挙げられる。
【００３３】
本発明におけるフルオロアルキル基は、直鎖及び分枝鎖のいずれでもよく、例えば、炭素数１〜３０の直鎖もしくは分枝鎖状のフルオロアルキル基が挙げられる。上記フルオロアルキル基としては、上述のアルキル基において１つ以上の水素原子がフッ素原子で置き換わった基が挙げられる。
【００３４】
本発明におけるアルコキシ基は、直鎖及び分岐のいずれでもよく、例えば、炭素数が通常１〜３０の直鎖もしくは分枝鎖状のアルコキシ基が挙げられる。
上記アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、ｎ−ウンデシルオキシ基、ｎ−ドデシルオキシ基、ｎ−トリデシルオキシ基、ｎ−テトラデシルオキシ基、２−ｎ−ヘキシル−ｎ−オクチルオキシ基、ｎ−ペンタデシルオキシ基、ｎ−ヘキサデシルオキシ基、ｎ−ヘプタデシルオキシ基、ｎ−オクタデシルオキシ基、ｎ−ノナデシルオキシ基、ｎ−イコシルオキシ基、ｎ−ヘンイコシルオキシ基、ｎ−ドコシルオキシ基、ｎ−トリコシルオキシ基、ｎ−テトラコシルオキシ基、ｎ−ペンタコシルオキシ基、ｎ−ヘキサコシルオキシ基、ｎ−ヘプタコシルオキシ基、ｎ−オクタコシルオキシ基、ｎ−ノナコシルオキシ基、ｎ−トリアコンチルオキシ基、メトキシメトキシ基、メトキシエトキシ基、メトキシメトキシメトキシ基、メトキシエトキシエトキシ基、ポリエチレングリコキシ基が挙げられ、
好ましくはエトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、ｎ−ウンデシルオキシ基、ｎ−ドデシルオキシ基、ｎ−トリデシルオキシ基、ｎ−テトラデシルオキシ基、ｎ−ペンタデシルオキシ基、ｎ−ヘキサデシルオキシ基、ｎ−ヘプタデシルオキシ基、ｎ−オクタデシルオキシ基、ｎ−ノナデシルオキシ基、ｎ−イコシルオキシ基、メトキシメトキシ基、メトキシエトキシ基、メトキシメトキシメトキシ基、メトキシエトキシエトキシ基等の炭素数１〜２０のアルコキシ基が挙げられ、
より好ましくはエトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、ｎ−ウンデシルオキシ基、ｎ−ドデシルオキシ基、ｎ−トリデシルオキシ基、ｎ−テトラデシルオキシ基、ｎ−ペンタデシルオキシ基、ｎ−ヘキサデシルオキシ基、メトキシメトキシ基、メトキシエトキシ基、メトキシメトキシメトキシ基、メトキシエトキシエトキシ基の炭素数１〜１６のアルコキシ基が挙げられる。
【００３５】
本発明におけるアリール基としては、フェニル基、ナフチル基、フェナンスレニル基及びフロレニル基などが挙げられ、好ましくはフェニル基及びナフチル基が挙げられる。
本発明におけるアルキル置換アリール基としては、上述のアルキル基を置換基として有するアリール基が挙げられる。アルキル置換アリール基におけるアリール基の例としては、上述のアリール基が挙げられる。
本発明におけるアルコキシ置換アリール基としては、上述のアルコキシ基を置換基として有するアリール基が挙げられる。アルコキシ置換アリール基におけるアリール基の例としては、上述のアリール基が挙げられる。
【００３６】
本発明におけるヘテロアリール基としては、好ましくは硫黄原子、窒素原子及び酸素原子からなる群より選ばれる少なくとも１種を、１個又は２個を含む単環又は二環の複素環基であり、より好ましくはチオフェニル基、フリル基、チアゾリル基、チエノ［３，２−ｂ］チオフェニル基、フロ［３，２−ｂ］フリル基、チエノ［３，２−ｂ］フリル基、ベンゾ［ｂ］チオフェニル基、及びベンゾ［ｂ］フリル基が挙げられ、更に好ましくはチオフェニル基、フリル基、チエノ［３，２−ｂ］チオフェニル基、ベンゾ［ｂ］チオフェニル基、及びベンゾ［ｂ］フリル基が挙げられる。
【００３７】
本発明におけるアルキル置換ヘテロアリール基としては、上述のアルキル基を置換基として有するヘテロアリール基が挙げられる。アルキル置換ヘテロアリール基におけるヘテロアリール基の例としては、上述のヘテロアリール基が挙げられる。
発明におけるアルコキシ置換ヘテロアリール基としては、上述のアルコキシ基を置換基として有するヘテロアリール基が挙げられる。アルコキシ置換ヘテロアリール基におけるヘテロアリール基の例としては、上述のヘテロアリール基が挙げられる。
【００３８】
本発明におけるアルケニル基は、直鎖及び分枝鎖のいずれでもよく、例えば、炭素数２〜３０の直鎖もしくは分枝鎖状のアルケニル基が挙げられる。
該アルケニル基としては、エテニル基、１−プロペニル基、１−ブテニル基、１−ペンテニル基、１−ヘキセニル基、１−シクロヘキセニル基、１−ヘプテニル基、１−オクテニル基、１−ノネニル基、１−デケニル基、１−ウンデケニル基、１−ドデケニル基、１−トリデケニル基、１−テトラデケニル基、１−ペンタデケニル基、１−ヘキサデケニル基、１−ヘプタデケニル基、１−オクタデケニル基、１−ノナデケニル基、１−イコセニル基、１−ヘンイコセニル基、１−ドコセニル基、１−トリコセニル基、１−テトラコセニル基、１−ペンタコセニル基、１−ヘキサコセニル基、１−ヘプタコセニル基、１−オクタコセニル基、１−ノナコセニル基、及び１−トリアコンテニル基が挙げられ、
好ましくはエテニル基、１−プロペニル基、１−ブテニル基、１−ペンテニル基、１−ヘキセニル基、１−ヘプテニル基、１−オクテニル基、１−ノネニル基、１−デケニル基、１−ウンデケニル基、１−ドデケニル基、１−トリデケニル基、１−テトラデケニル基、１−ペンタデケニル基、１−ヘキサデケニル基、１−ヘプタデケニル基、１−オクタデケニル基、１−ノナデケニル基、及び１−イコセニル基等の炭素数２〜２０のアルケニル基が挙げられ、
より好ましくはエテニル基、１−プロペニル基、１−ブテニル基、１−ペンテニル基、１−ヘキセニル基、１−ヘプテニル基、１−オクテニル基、１−ノネニル基、１−デケニル基、１−ウンデケニル基、１−ドデケニル基、１−トリデケニル基、１−テトラデケニル基、１−ペンタデケニル基、１−ヘキサデケニル基等の炭素数２〜１６のアルケニル基が挙げられる。
【００３９】
本発明におけるアルキニル基は、直鎖及び分枝鎖のいずれでもよく、例えば、炭素数２〜３０の直鎖もしくは分枝鎖状のアルキニルが挙げられる。
上記アルキニル基の具体例としては、エチニル基、１−プロピニル基、１−ブチニル基、１−ペンチニル基、１−ヘキシニル基、１−ヘプチニル基、１−オクチニル基、１−ノニニル基、１−デキニル基、１−ウンデキニル基、１−ドデキニル基、１−トリデキニル基、１−テトラデキニル基、１−ペンタデキニル基、１−ヘキサデキニル基、１−ヘプタデキニル基、１−オクタデキニル基、１−ノナデキニル基、１−イコシニル基、１−ヘンイコシニル基、１−ドコシニル基、１−トリコシニル基、１−テトラコシニル基、１−ペンタコシニル基、１−ヘキサコシニル基、１−ヘプタコシニル基、１−オクタコシニル基、１−ノナコシニル基、及び１−トリアコンチニル基が挙げられ、
好ましくはエチニル基、１−プロピニル基、１−ブチニル基、１−ペンチニル基、１−ヘキシニル基、１−ヘプチニル基、１−オクチニル基、１−ノニニル基、１−デキニル基、１−ウンデキニル基、１−ドデキニル基、１−トリデキニル基、１−テトラデキニル基、１−ペンタデキニル基、１−ヘキサデキニル基、１−ヘプタデキニル基、１−オクタデキニル基、１−ノナデキニル基、及び１−イコシニル基等の炭素数２〜２０のアルキニル基が挙げられ、
より好ましくはエチニル基、１−プロピニル基、１−ブチニル基、１−ペンチニル基、１−ヘキシニル基、１−ヘプチニル基、１−オクチニル基、１−ノニニル基、１−デキニル基、１−ウンデキニル基、１−ドデキニル基、１−トリデキニル基、１−テトラデキニル基、１−ペンタデキニル基、及び１−ヘキサデキニル基等の炭素数２〜１６のアルキニル基が挙げられる。
【００４０】
本発明におけるアルキルチオ基としては、直鎖及び分枝鎖のいずれでもよく、例えば、炭素数が１〜３０の直鎖もしくは分枝鎖状のアルキルチオが挙げられる。 上記アルキルチオ基としては、メチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−プロピルチオ基、イソプロピルチオ基、ｎ−ブチルチオ基、イソブチルチオ基、ｓ−ブチルチオ基、ｔ−ブチルチオ基、ｎ−ペンチルチオ基、シクロペンチルチオ基、ｎ−ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ｎ−ヘプチルチオ基、シクロヘプチルチオ基、ｎ−オクチルチオ基、シクロオクチルチオ基、２−エチル−ｎ−ヘキシルチオ基、ｎ−ノニルチオ基、ｎ−デシルチオ基、ｎ−ウンデシルチオ基、ｎ−ドデシルチオ基、ｎ−トリデシルチオ基、ｎ−テトラデシルチオ基、２−ｎ−ヘキシル−ｎ−オクチルチオ基、ｎ−ペンタデシルチオ基、ｎ−ヘキサデシルチオ基、ｎ−ヘプタデシルチオ基、ｎ−オクタデシルチオ基、ｎ−ノナデシルチオ基、ｎ−イコシルチオ基、ｎ−ヘンイコシルチオ基、ｎ−ドコシルチオ基、ｎ−トリコシルチオ基、ｎ−テトラコシルチオ基、ｎ−ペンタコシルチオ基、ｎ−ヘキサコシルチオ基、ｎ−ヘプタコシルチオ基、ｎ−オクタコシルチオ基、ｎ−ノナコシルチオ基、及びｎ−トリアコンチルチオ基などが挙げられ、
好ましくはエチルチオ基、ｎ−プロピルチオ基、イソプロピルチオ基、ｎ−ブチルチオ基、イソブチルチオ基、ｓ−ブチルチオ基、ｔ−ブチルチオ基、ｎ−ペンチルチオ基、ｎ−ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ｎ−ヘプチルチオ基、シクロヘプチルチオ基、ｎ−オクチルチオ基、シクロオクチルチオ基、２−エチル−ｎ−ヘキシルチオ基、ｎ−ノニルチオ基、ｎ−デシルチオ基、ｎ−ウンデシルチオ基、ｎ−ドデシルチオ基、ｎ−トリデシルチオ基、ｎ−テトラデシルチオ基、２−ｎ−ヘキシル−ｎ−オクチルチオ基、ｎ−ペンタデシルチオ基、ｎ−ヘキサデシルチオ基、ｎ−ヘプタデシルチオ基、ｎ−オクタデシルチオ基、ｎ−ノナデシルチオ基、及びｎ−イコシルチオ基等の炭素数２〜２０のアルキルチオ基が挙げられ、
より好ましくはエチルチオ基、ｎ−プロピルチオ基、ｎ−ブチルチオ基、ｎ−ペンチルチオ基、ｎ−ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ｎ−ヘプチルチオ基、シクロヘプチルチオ基、ｎ−オクチルチオ基、シクロオクチルチオ基、２−エチル−ｎ−ヘキシルチオ基、ｎ−ノニルチオ基、ｎ−デシルチオ基、ｎ−ウンデシルチオ基、ｎ−ドデシルチオ基、ｎ−トリデシルチオ基、ｎ−テトラデシルチオ基、２−ｎ−ヘキシル−ｎ−オクチルチオ基、ｎ−ペンタデシルチオ基、及びｎ−ヘキサデシルチオ基等の炭素数２〜１６のアルキルチオ基が挙げられる。
【００４１】
本発明におけるアルキルカルボニル基としては、直鎖及び分枝鎖のいずれでもよく、例えば、炭素数が２〜３０、好ましくは２〜１７の直鎖もしくは分枝鎖状のアルキルカルボニルが挙げられる。
上記アルキルカルボニル基としては、メチルカルボニル基、エチルカルボニル基、ｎ−ブチルカルボニル基、ｎ−ヘキシルカルボニル基、ｎ−オクチルカルボニル基、ｎ−ドデシルカルボニル基、ｎ−ペンタデシルカルボニ基、ｎ−イコシルカルボニル基などが例示され、好ましくは、ｎ−ヘキシルカルボニル基、ｎ−ドデシルカルボニル基、及びｎ−ペンタデシルカルボニ基などが挙げられる。
【００４２】
本発明におけるアルコキシカルボニル基としては、直鎖及び分枝鎖のいずれでもよく、例えば、炭素数が２〜３０の直鎖もしくは分枝鎖状のアルコキシカルボニル基が挙げられる。
上記アルコキシカルボニル基としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基、ｎ−ヘキシルオキシカルボニル基、ｎ−オクチルオキシカルボニル基、ｎ−ドデシルオキシカルボニル基、ｎ−ペンタデシルオキシカルボニル基、及びｎ−イコシルオキシカルボニル基などが例示され、
好ましくはｎ−ヘキシルオキシカルボニル基、ｎ−ドデシルオキシカルボニル基、及びｎ−ペンタデシルオキシカルボニル基など、炭素数２〜１７のアルコキシカルボニル基が挙げられる。
【００４３】
本発明における（トリアルキル）シリル基としては、例えば、３つの炭素数１〜３０のアルキル基がケイ素原子に結合している三置換シリル基が挙げられる。
上記（トリアルキル）シリル基としては、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリ−ｎ−プロピルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリ−ｎ−ブチルシリル基、トリ−ｓ−ブチルシリル基、トリ−ｔ−ブチルシリル基、トリ−イソブチルシリル基、ｔ−ブチル−ジメチルシリル基、トリ−ｎ−ペンチルシリル基、及びトリ−ｎ−ヘキシルシリル基などが例示され、
好ましくはトリメチルシリル基、トリ−ｎ−プロピルシリル基、トリ−ｎ−ブチルシリル基、トリ−ｎ−ペンチルシリル基、トリ−ｎ−ヘキシルシリル基など、３つの炭素数１〜６のアルキル基がケイ素原子に結合している三置換シリル基が挙げられる。
【００４４】
本発明における（ジアルキル）アミノ基としては、炭素数１〜３０、好ましくは炭素数１〜１０のアルキル基が２つ窒素原子に結合している二置換アミノ基が挙げられる。
上記（ジアルキル）アミノ基としては、好ましくは、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジ−ｎ−プロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ジ−ｎ−ブチルアミノ基、ジ−ｓ−ブチルアミノ基、ジ−ｔ−ブチルアミノ基、ジ−イソブチルアミノ基、ｔ−ブチルイソプロピルアミノ基、ジ−ｎ−ヘキシルアミノ基、ジ−ｎ−オクチルアミノ基、及びジ−ｎ−デシルアミノ基などが挙げられる。
【００４５】
上記Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、独立して、水素原子、炭素数１〜３０のアルキル基、炭素数１〜３０のフルオロアルキル基、フェニル基、炭素数１〜３０のアルキル基を置換基として有するフェニル基、炭素数１〜３０のフルオロアルキル基を置換基として有するフェニル基、炭素数１〜３０のアルコキシ基を置換基として有するフェニル基、炭素数１〜３０のフルオロアルコキシ基を置換基として有するフェニル基、チエニル基、炭素数１〜３０のアルキル基を置換基として有するチエニル基、または、炭素数１〜３０のフルオロアルキル基を置換基として有するチエニル基であることが好ましい。
上記Ｒ５は、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のフルオロアルキル基、フェニル基、炭素数１〜２０のアルキル基を置換基として有するフェニル基、炭素数１〜２０のフルオロアルキル基を置換基として有するフェニル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基を置換基として有するフェニル基であることが更に好ましい。
【００４６】
本発明の化合物（１）の好ましい態様を、以下に示す。
・環構造Ａ、環構造Ｂ及び環構造Ｃは、独立して、ベンゼン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゼン環、又はハロゲン置換ベンゼン環であり、
Ｘ及びＹは同一で、Ｎ−（Ｒ５）であり、
Ｗ及びＺは同一で、硫黄原子又は酸素原子である式（１）の化合物；
・環構造Ａ、環構造Ｂ及び環構造Ｃは、独立して、ベンゼン環、炭素数１〜２０のアルキル基若しくは炭素数１〜２０のフルオロアルキル基を置換基として有するベンゼン環、又はフルオロベンゼン環であり、
Ｘ及びＹは同一で、Ｎ−（Ｒ５）であり、
Ｗ及びＺは同一で、硫黄原子又は酸素原子であり、
Ｒ５は炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のフルオロアルキル基、フェニル基、炭素数１〜２０のアルキル基を置換基として有するフェニル基、炭素数１〜２０のフルオロアルキル基を置換基として有するフェニル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基を置換基として有するフェニル基である式（１）の化合物；
・環構造Ａ、環構造Ｂ及び環構造Ｃは、独立して、ベンゼン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゼン環、又は、ハロゲン置換ベンゼン環であり、
Ｘ及びＹは同一で、硫黄原子又は酸素原子であり、
Ｗ及びＺは同一で、Ｎ−（Ｒ５）である式（１）の化合物；
・環構造Ａ、環構造Ｂ及び環構造Ｃは、独立して、ベンゼン環、炭素数１〜２０のアルキル基若しくは炭素数１〜２０のフルオロアルキル基を置換基として有するベンゼン環、又はフルオロベンゼン環であり、
Ｘ及びＹは同一で、硫黄原子又は酸素原子であり、
Ｗ及びＺは同一で、Ｎ−（Ｒ５）であり、
Ｒ５は炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のフルオロアルキル基、フェニル基、炭素数１〜２０のアルキル基を置換基として有するフェニル基、炭素数１〜２０のフルオロアルキル基を置換基として有するフェニル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基を置換基として有するフェニル基である式（１）の化合物；
・環構造Ａ及び環構造Ｂは、独立して、ベンゼン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゼン環、又はハロゲン置換ベンゼン環であり、環構造Ｃは、チエノ［３，２−ｂ］チオフェン環であり、
Ｘ及びＹは同一で、Ｎ−（Ｒ５）であり、
Ｗ及びＺは同一で、硫黄原子又は酸素原子である式（１）の化合物；
・環構造Ａ及び環構造Ｂは、独立して、ベンゼン環、炭素数１〜２０のアルキル基若しくは炭素数１〜２０のフルオロアルキル基を置換基として有するベンゼン環、又はフルオロベンゼン環であり、
環構造Ｃは、チエノ［３，２−ｂ］チオフェン環であり、
Ｘ及びＹは同一で、Ｎ−（Ｒ５）であり、
Ｗ及びＺは同一で、硫黄原子又は酸素原子であり、
Ｒ５は炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のフルオロアルキル基、フェニル基、炭素数１〜２０のアルキル基を置換基として有するフェニル基、炭素数１〜２０のフルオロアルキル基、又は炭素数１〜２０のアルコキシ基を置換基として有するフェニル基である式（１）の化合物；
・環構造Ａ及び環構造Ｂは、独立して、ベンゼン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゼン環、又は、ハロゲン置換ベンゼン環であり、
環構造Ｃは、チエノ［３，２−ｂ］チオフェン環であり、
Ｘ及びＹは同一で、硫黄原子又は酸素原子であり、
Ｗ及びＺは同一で、Ｎ−（Ｒ５）である式（１）の化合物；
・環構造Ａ及び環構造Ｂは、独立して、ベンゼン環、炭素数１〜２０のアルキル基若しくは炭素数１〜２０のフルオロアルキル基を置換基として有するベンゼン環、又はフルオロベンゼン環であり、
環構造Ｃは、チエノ［３，２−ｂ］チオフェン環であり、
Ｘ及びＹは同一で、Ｎ−（Ｒ５）であり、
Ｗ及びＺは同一で、硫黄原子又は酸素原子であり、
Ｒ５は炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のフルオロアルキル基、フェニル基、炭素数１〜２０のアルキル基を置換基として有するフェニル基、炭素数１〜２０のフルオロアルキル基、又は、炭素数１〜２０のアルコキシ基を置換基として有するフェニル基である式（１）の化合物；
・環構造Ａ及び環構造Ｂが、独立して、ベンゼン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゼン環、又はハロゲン置換ベンゼン環であり、
環構造Ｃは、ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン環、ハロゲン置換ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン環、ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジフラン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジフラン環、又は、ハロゲン置換ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジフラン環であり、
Ｘ及びＹは同一で、Ｎ−（Ｒ５）であり、
Ｗ及びＺは同一で、硫黄原子又は酸素原子である式（１）の化合物；
・環構造Ａ及び環構造Ｂが、独立して、ベンゼン環、炭素数１〜２０のアルキル基若しくは炭素数１〜２０のフルオロアルキル基を置換基として有するベンゼン環、又はハロゲン置換ベンゼン環であり、
環構造Ｃは、ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン環、炭素数１〜２０のアルキル基若しくは炭素数１〜２０のフルオロアルキル基を置換基として有するベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン環、ハロゲン置換ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン環、ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジフラン環、炭素数１〜２０のアルキル基若しくは炭素数１〜２０のフルオロアルキル基を置換基として有するベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジフラン環、又は、フッ素置換ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジフラン環であり、
Ｘ及びＹは同一で、Ｎ−（Ｒ５）であり、
Ｗ及びＺは同一で、硫黄原子又は酸素原子であり、
Ｒ５は炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のフルオロアルキル基、フェニル基、炭素数１〜２０のアルキル基を置換基として有するフェニル基、炭素数１〜２０のフルオロアルキル基を置換基として有するフェニル基、又は、炭素数１〜２０のアルコキシ基を置換基として有するフェニル基である式（１）の化合物；
・環構造Ａ及び環構造Ｂは、独立して、ベンゼン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゼン環、又はハロゲン置換ベンゼン環であり、
環構造Ｃは、ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン環、ハロゲン置換ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン環、ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジフラン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジフラン環、又はハロゲン置換ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジフラン環であり、
Ｘ及びＹは同一で、硫黄原子又は酸素原子であり、
Ｗ及びＺは同一で、Ｎ−（Ｒ５）である式（１）の化合物；
・環構造Ａ及び環構造Ｂが、独立して、ベンゼン環、炭素数１〜２０のアルキル基若しくは炭素数１〜２０のフルオロアルキル基を置換基として有するベンゼン環、又はハロゲン置換ベンゼン環であり、
環構造Ｃは、ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン環、炭素数１〜２０のアルキル基若しくは炭素数１〜２０のフルオロアルキル基を置換基として有するベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン環、ハロゲン置換ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン環、ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジフラン環、炭素数１〜２０のアルキル基若しくは炭素数１〜２０のフルオロアルキル基を置換基として有するベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジフラン環、又は、フッ素置換ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジフラン環であり、
Ｘ及びＹは同一で、硫黄原子又は酸素原子であり、
Ｗ及びＺは同一で、Ｎ−（Ｒ５）であり、
Ｒ５は炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のフルオロアルキル基、フェニル基、炭素数１〜２０のアルキル基を置換基として有するフェニル基、炭素数１〜２０のフルオロアルキル基を置換基として有するフェニル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基を置換基として有するフェニル基である式（１）の化合物；
【００４７】
本発明の化合物（１）としては、以下に例示する化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではい。ただし、各式において、ｎは、０〜３０の整数を表す。
【００４８】
【００４９】
【００５０】
【００５１】
【００５２】
【００５３】
【００５４】
【００５５】
【００５６】
【００５７】
【００５８】
【００５９】
【００６０】
【００６１】
【００６２】
【００６３】
【００６４】
【００６５】
【００６６】
【００６７】
【００６８】
【００６９】
【００７０】
【００７１】
【００７２】
【００７３】
【００７４】
【００７５】
【００７６】
【００７７】
【００７８】
【００７９】
【００８０】
【００８１】
【００８２】
【００８３】
【００８４】
【００８５】
【００８６】
【００８７】
【００８８】
【００８９】
【００９０】
【００９１】
【００９２】
本発明の化合物（１）としては、好ましくは、（１−１）、（１−２）、（１−３）、（１−４）、（１−６）、（１−８）、（１−１３）、（１−１４）、（１−１５）、（１−１６）、（１−２１）、（１−２２）、（１−２３）、（１−２４）、（１−２９）、（１−３０）、（１−３１）、（１−３２）、（１−３４）、（１−３６）、（１−４１）、（１−４２）、（１−４３）、（１−４４）、（１−４９）、（１−５０）、（１−５１）、（１−５２）、（１−６５）、（１−６６）、（１−６７）、（１−６８）、（１−６９）、（１−７０）、（１−７２）、（１−７７）、（１−７８）、（１−７９）、（１−８０）、（１−８５）、（１−８６）、（１−８７）、（１−８８）、（１−１０１）、（１−１０２）、（１−１０３）、（１−１０４）、（１−１１５）、（１−１１６）、（１−１２１）、（１−１２２）、（１−１２３）、（１−１２４）、（１−１２９）、（１−１３０）、（１−１３１）、（１−１３２）、（１−１３７）、（１−１３８）、（１−１３９）、（１−１４０）、（１−１４６）、（１−１５３）、（１−１５４）、（１−１５５）、（１−１５６）、（１−１５７）、（１−１５８）、（１−１５９）、（１−１６０）、（１−１６１）、（１−１６２）、（１−１６３）、（１−１６４）、（１−１７３）、（１−１７４）、（１−１７５）、（１−１７６）、（１−１７７）、（１−１７８）、（１−１７９）、（１−１８０）、（１−１８１）、（１−１８２）、（１−１８５）、（１−１８６）、（１−１９３）、（１−１９４）、（１−１９５）、（１−１９６）、（１−２０１）、（１−２０２）、（１−２０５）、（１−２０６）、（１−２１５）、（１−２４３）、（１−２４４）、（１−２５０）、（１−２５１）、（１−２５６）、（１−２５７）、（１−２５８）、（１−２５９）、（１−２６２）、（１−２６４）、（１−２６５）、（１−２６８）、（１−２６９）、（１−２７０）、（１−２７１）、（１−２７４）、（１−２７５）、（１−２７６）、（１−２７７）、（１−２７８）、（１−２７９）、（１−２８０）、（１−２８１）、（１−２８２）、（１−２８３）、（１−２８４）、（１−２８５）、（１−２８６）、（１−２８７）、（１−２８８）、（１−２８９）、（１−２９０）、（１−２９１）、（１−２９２）、（１−２９３）、（１−２９４）、（１−２９５）、（１−２９６）、（１−２９７）、（１−２９８）、（１−２９９）、（１−３０５）、（１−３０６）、（１−３０７）、（１−３０９）、（１−３１０）、（１−３１１）、（１−３１３）、（１−３１５）、（１−３１６）、（１−３０４）、（１−３２１）、（１−３２２）、（１−３２３）、（１−３２４）、（１−３２７）、（１−３２８）、（１−３２９）、（１−３３０）、（１−３３１）、１−３３３）、（１−３３４）、（１−３３５）、（１−３３６）、（１−３６８）、（１−３６９）、（１−３７０）、（１−３７１）、（１−３７２）、（１−３７３）、（１−３７４）、（１−３７５）、（１−３７６）、（１−３７７）、（１−３７８）、（１−３７９）、（１−３８０）、（１−３８１）、（１−３８２）、（１−３８３）、（１−３８４）、（１−３８５）、（１−３８６）、（１−３８７）、（１−３８８）、（１−３８９）、（１−３９０）、（１−３９１）、（１−３９２）、（１−３９４）、（１−３９５）、（１−３９７）、及び（１−３９８）が挙げられ、
さらに好ましくは、（１−１）、（１−２）、（１−３）、（１−４）、（１−２１）、（１−２２）、（１−２３）、（１−２４）、（１−２９）、（１−３０）、（１−３１）、（１−３２）、（１−４９）、（１−５０）、（１−５１）、（１−５２）、（１−６５）、（１−６６）、（１−６７）、（１−６８）、（１−８５）、（１−８６）、（１−８７）、（１−８８）、（１−１０１）、（１−１０２）、（１−１０３）、（１−１０４）、（１−１２１）、（１−１２２）、（１−１２３）、（１−１２４）、（１−１２９）、（１−１３０）、（１−１３１）、（１−１３２）、（１−１３７）、（１−１３８）、（１−１３９）、（１−１４０）、（１−１５３）、（１−１５４）、（１−１５５）、（１−１５６）、（１−１６１）、（１−１６２）、（１−１６４）、（１−１７３）、（１−１７４）、（１−１７５）、（１−１７６）、（１−１７８）、（１−１８０）、（１−１８１）、（１−１８２）、（１−１９３）、（１−１９４）、（１−１９５）、（１−１９６）、（１−２０１）、（１−２０２）、（１−２０５）、（１−２０６）、（１−２５０）、（１−２５１）、（１−２５６）、（１−２５７）、（１−２５８）、（１−２５９）、（１−２６４）、（１−２６５）、（１−２６８）、（１−２６９）、（１−２７０）、（１−２７１）、（１−２７４）、（１−２７５）、（１−２７８）、（１−２７９）、（１−２８０）、（１−２８１）、（１−２８２）、（１−２８３）、（１−２８４）、（１−２８５）、（１−２８６）、（１−２８７）、（１−２８８）、（１−２８９）、（１−２９２）、（１−２９３）、（１−２９６）、（１−２９７）、（１−３０５）、（１−３０６）、（１−３０７）、（１−３０９）、（１−３１０）、（１−３１１）、（１−３１３）、（１−３１５）、（１−３１６）、（１−３２１）、（１−３２２）、（１−３２３）、（１−３２４）、（１−３２７）、（１−３２８）、（１−３２９）、（１−３３０）、（１−３３３）、（１−３３４）、（１−３３５）、（１−３３６）、（１−３９２）、（１−３９４）、及び（１−３９５）が挙げられる。
【００９３】
＜化合物（１）の製造方法＞
本発明の化合物（１）は、たとえば、式（２）又は式（３）で表されるテトラハロゲン化合物（以下、この化合物を「テトラハロゲン化合物Ａ」と称す。）と、
Ｒ５−ＮＨ２
（Ｒ５は、上記と同じ定義である。）
で示されるアミン化合物と、の反応により得られる。該反応を行う工程を含む化合物（１）の製造方法（以下、場合により、「本発明の製造方法」という。）もまた、本発明の１つである。
（各式中、環構造Ａ、環構造Ｂ及び環構造Ｃは、それぞれ上記と同じ定義である。
Ｗ’，Ｘ’，Ｙ’及びＺ’は、独立して、硫黄原子、酸素原子、セレン原子、テルル原子、ＳＯ２、（Ｒ１）−Ｃ−（Ｒ２）、（Ｒ３）−Ｓｉ−（Ｒ４）、又はＮ−（Ｒ５）を表し、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、それぞれ上記と同じ定義である。
Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８及びＲ９は、独立して、ハロゲン原子を表す。）
【００９４】
本発明の製造方法における反応は、有機溶媒中で行うことが好ましい。
上記有機溶媒としては、上記反応に不活性な有機溶媒であればよく、トルエン、キシレン、等の芳香族炭化水素系溶媒；クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素系溶媒；ヘキサン、ヘプタン、ジメトキシエタン等の脂肪族炭化水素系溶媒；クロロホルム、１，２−ジクロロエタン等のハロゲン化脂肪族炭化水素系溶媒；メタノール、イソプロパノール、ｔ−ブタノール等の炭素数１〜４のアルコール；テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒；等の単独もしくは混合溶媒が挙げられ、好ましくは芳香族炭化水素系溶媒及び脂肪族炭化水素系溶媒が挙げられ、より好ましくはトルエンやキシレンが挙げられる。
【００９５】
本発明の製造方法において、上記アミン化合物のＲ５は、炭素数１〜３０のアルキル基、炭素数１〜３０のフルオロアルキル基、フェニル基、炭素数１〜３０のアルキル基を置換基として有するフェニル基、炭素数１〜３０のフルオロアルキル基を置換基として有するフェニル基、又は、炭素数１〜３０のアルコキシ基を置換基として有するフェニル基であることが好ましく、
炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のフルオロアルキル基，炭素数１〜２０のアルキル基を置換基として有するフェニル基、炭素数１〜２０のフルオロアルキル基を置換基として有するフェニル基、又は、炭素数１〜２０のアルコキシ基を置換基として有するフェニル基であることがより好ましく、
炭素数１〜１６のアルキル基、炭素数１〜１６のアルキル基を置換基として有するフェニル基、又は、炭素数１〜１６のアルコキシ基を置換基として有するフェニル基であることが更に好ましい。
【００９６】
上記アミン化合物の使用量は、テトラハロゲン化合物Ａに対して０．５〜５０モル倍であり、好ましくは１〜２０モル倍、より好ましくは１〜１５モル倍である。
【００９７】
上記テトラハロゲン化合物Ａは、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８及びＲ９が、独立して、臭素又はヨウ素であることが好ましい。上記Ｘ’，Ｙ’，Ｗ’及びＺ’は、独立して、硫黄原子又は酸素原子であることが好ましい。
【００９８】
本発明の製造方法に係る反応において、反応溶液におけるテトラハロゲン化合物Ａの濃度は特に限定されないが、溶媒１リットル当たり０．０００１〜２０モルが好ましく、より好ましくは０．００１〜１０モル、更に好ましくは０．０１〜５モルの範囲である。
【００９９】
上記反応は、パラジウム触媒および塩基性試薬の存在下で行われる。
上記反応において、パラジウム触媒は、テトラハロゲン化合物Ａに対して、パラジウム換算で０．０１〜３０モル％であり、好ましくは０．０１〜２０モル％で用いることができる。
【０１００】
上記パラジウム触媒は、配位子とパラジウム化合物とを予め有機溶媒中で接触させることにより調製してもよいし、配位子とパラジウム化合物とを反応系内で接触させることにより調製してもよい。
【０１０１】
上記配位子としては、パラジウムに配位可能であって有機溶媒に可溶であればよく、例えば単座ホスフィン系配位子、多座配位子、カルベン系配位子等が挙げられ、単座配位子が好ましく、単座ホスフィン系配位子がより好ましい。
単座ホスフィン系配位子としては、例えばトリ（ｎ−ブチル）ホスフィン、トリ（ｔ−ブチル）ホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリ（ｏ−トリル）ホスフィン、トリナフチルホスフィン、ジフェニルナフチルホスフィン、及びジシクロヘキシルナフチルホスフィン等が挙げられ、トリ（ｔ−ブチル）ホスフィンが好ましい。
【０１０２】
二座配位子としては、２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル、１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン、１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン、１，４−ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン、１，１’−（ジフェニルホスフィノ）フェロセン、４，５−ビス（ジフェニルホスフィノ）−９，９−ジメチルキサンテン、２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）ジフェニルエーテル、５，５’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−４，４’−ビ（１，３−ベンゾジオキソール）等のリン原子を２つ有する二座ホスフィン系配位子；２−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）−２’−（ジシクロヘキシルアミノ）ビフェニル等の窒素原子及びリン原子をそれぞれ１つずつ有する二座アミノホスフィン系配位子；等が挙げられる。
【０１０３】
かかる配位子は、市販されているものを用いてもよいし、公知の方法により製造したものを用いてもよい。
かかる配位子の使用量は、パラジウム化合物のパラジウムに対して、０．５〜２０モル倍であればよい。
【０１０４】
上記パラジウム化合物としては、酢酸パラジウム、塩化パラジウム、ジクロロビス（アセトニトリル）パラジウム、パラジウムアセチルアセトナート、ジクロロ（シクロオクタ−１，５−ジエン）パラジウム、ジブロモビス（ベンゾニトリル）パラジウム、ジ−μ−クロロビス（π−アリル）ジパラジウム、ジクロロビス（ピリジン）パラジウム、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、ジクロロ−［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム・ジクロロメタン錯体等の２価のパラジウム化合物； トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム・クロロホルム錯体、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム等の０価のパラジウム化合物；等が挙げられ、中でもトリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム・クロロホルム錯体が好ましい。かかるパラジウム化合物は、通常、市販されているものを用いてもよいし、公知の方法により製造したものを用いてもよい。
【０１０５】
上記塩基性試薬としては、水酸化カルシウム等のアルカリ土類金属水酸化物；炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸セシウム等のアルカリ金属炭酸塩；炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸バリウム等のアルカリ土類金属炭酸塩；リン酸リチウム、リン酸カリウム、リン酸ナトリウム等のアルカリ金属リン酸塩；ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、ナトリウムｔ−ブトキシド、カリウムメトキシド、カリウムエトキシド、カリウムｔ−ブトキシド、リチウムｔ−ブトキシド等のアルカリ金属アルコキシド；等が挙げられ、好ましくは、アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属アルコキシドが挙げられ、より好ましくはアルカリ金属アルコキシド、更に好ましくは炭素数１〜６のアルカリ金属アルコキシドが挙げられる。塩基性試薬は単独で用いてもよいし、２種類以上を混合してもよい。
【０１０６】
塩基性試薬の使用量は、テトラハロゲン化合物Ａに対して０．１〜２５モル倍であればよく、好ましくは１〜２０モル倍、更に好ましくは２〜１０モル倍である。塩基性試薬の使用量が少なすぎると、未反応のアミン化合物の割合が増加することがある。
【０１０７】
反応温度は、０℃〜反応溶液の還流温度の範囲から選ばれるが、より好ましくは４０〜２００℃の範囲である。反応時間は特に制限されないが、１分から１２０時間である。
【０１０８】
本発明の製造方法に係る反応を停止させる場合は、反応液に例えば、水、希塩酸などを添加すればよい。反応停止後、例えば抽出、洗浄等の後処理操作を行うことで、化合物（１）の粗生成物を得ることができる。該粗生成物は、晶析、昇華、又は各種クロマトグラフィーなどの精製操作、若しくはこれらを組み合わせた精製操作を行うことにより精製を行ってもよい。
【０１０９】
＜テトラハロゲン化合物Ａ＞
上記テトラハロゲン化合物Ａである式（２）で表される化合物（以下、「テトラハロゲン化合物（２）」という。）及び式（３）で表される化合物（以下、「テトラハロゲン化合物（３）」という。）のそれぞれもまた、本発明の一つである。
【０１１０】
テトラハロゲン化合物（２）及びテトラハロゲン化合物（３）における環構造Ａ及び環構造Ｂとしては、それぞれ本発明の化合物（１）と同様のものが挙げられ、それぞれベンゼン環、チオフェン環、又はフラン環であることが好ましい。Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８及びＲ９が独立してハロゲン原子である。
【０１１１】
上述のテトラハロゲン化合物（２）において、環構造Ｃがチエノ［３，２−ｂ］チオフェン環であり、
Ｗ’及びＺ’が独立して硫黄原子又は酸素原子であるものが好ましい。
【０１１２】
上述のテトラハロゲン化合物（３）において、環構造Ｃがチエノ［３，２−ｂ］チオフェン環、フロ［３，２−ｂ］フラン環、置換基を有していてもよいベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン環、又は、置換基を有していてもよいベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジフラン環であり、
Ｘ’及びＹ’は、独立して、硫黄原子又は酸素原子であるものが好ましい。
テトラハロゲン化合物（３）における環構造Ｃとしては、好ましくは、チエノ［３，２−ｂ］チオフェン環、フロ［３，２−ｂ］フラン環、置換基を有していてもよいベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン環、及び、置換基を有していてもよいベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジフラン環、より好ましくは、チエノ［３，２−ｂ］チオフェン環、及び、置換基を有していてもよいベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン環、さらに好ましくはチエノ［３，２−ｂ］チオフェン環が挙げられる。
【０１１３】
テトラハロゲン化合物（２）におけるＷ’及びＺ’、ならびに、テトラハロゲン化合物（３）におけるＸ’及びＹ’としては、本発明の化合物（１）と同様のものが挙げられる。
Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８及びＲ９のハロゲン原子を表し、好ましくは臭素原子、及びヨウ素原子である。
【０１１４】
本発明のテトラハロゲン化合物（２）としては、以下に例示する化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。ただし、ｎは、それぞれ０〜３０の整数を表す。
【０１１５】
【０１１６】
【０１１７】
【０１１８】
【０１１９】
【０１２０】
【０１２１】
【０１２２】
【０１２３】
【０１２４】
上記テトラハロゲン化合物（２）としては、好ましくは（２−１）、（２−４）、（２−７）、 （２−１０）、（２−１３）、（２−１５）、（２−１９）、（２−２２）、（２−２５）、（２−２８）、（２−３１）、（２−３４）、（２−３７）、（２−３８）、（２−３９）、（２−４０）、（２−４９）、（２−５１）、（２−５２）、（２−５３）、及び（２−５４）が挙げられ、
より好ましくは（２−１）、（２−４）、（２−７）、（２−１０）、（２−１３）、（２−１９）、（２−２２）、（２−３１）、（２−３４）、（２−４９）、及び（２−５３）が挙げられる。
【０１２５】
上記テトラハロゲン化合物（３）としては、具体的には、以下に例示する化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。ただし、ｎは、それぞれ０〜３０の整数を表す。
【０１２６】
【０１２７】
【０１２８】
【０１２９】
【０１３０】
【０１３１】
【０１３２】
【０１３３】
【０１３４】
【０１３５】
【０１３６】
【０１３７】
【０１３８】
【０１３９】
【０１４０】
【０１４１】
【０１４２】
【０１４３】
【０１４４】
【０１４５】
【０１４６】
【０１４７】
【０１４８】
【０１４９】
テトラハロゲン化合物（３）としては、好ましくは（３−１）、（３−４）、（３−７）、（３−１０）、（３−１３）、（３−１５）、（３−１９）、（３−２２）、（３−２５）、（３−３１）、（３−３４）、（３−３７）、（３−４６）、（３−５５）、（３−５８）、（３−６１）、（３−６４）、（３−６７）、（３−６９）、（３−７３）、（３−７９）、（３−８５）、（３−８８）、（３−９１）、（３−９７）、（３−１００）、（３−１０１）、（３−１０７）、及び（３−１０８）が挙げられ、
より好ましくは（３−１）、（３−４）、（３−７）、（３−１０）、（３−１３）、（３−１９）、（３−３１）、（３−３４）、（３−３７）、（３−４６）、（３−５５）、（３−５８）、（３−６１）、（３−６４）、（３−６７）、（３−８５）、（３−８８）、（３−９１）、（３−１００）、（３−１０１）、（３−１０７）、及び（３−１０８）が挙げられる。
【０１５０】
上記テトラハロゲン化合物（２）は、式（４）で表される化合物と、ハロゲン化剤と、の反応により製造することができる。
式（４）
（式中、環構造Ａ，環構造Ｂ，環構造Ｃ，Ｗ’及びＺ’は上記と同じ定義である。Ｒ１０及びＲ１１は、それぞれ水素原子又はハロゲン原子を表す。但し、Ｒ１０及びＲ１１の少なくとも１つは水素原子を表す。）
【０１５１】
上記テトラハロゲン化合物（３）は、式（５）で表される化合物と、ハロゲン化剤と、の反応により製造することができる。
式（５）
（式中、環構造Ａ，環構造Ｂ，環構造Ｃ，Ｘ’及びＹ’は、上記と同じ定義である。Ｒ１２及びＲ１３は、それぞれ水素原子又はハロゲン原子を表す。但し、Ｒ１２及びＲ１３の少なくとも一つは水素原子を表す。）
【０１５２】
上記式（４）で表される化合物と、ハロゲン化剤と、の反応を行う工程を含むテトラハロゲン化合物（２）の製造方法、及び、
上記式（５）で表される化合物と、ハロゲン化剤と、の反応を行う工程を含むテトラハロゲン化合物（３）の製造方法もまた、それぞれ本発明の一つである。
【０１５３】
上記式（４）において、Ｒ１０及びＲ１１は、独立して水素原子、臭素原子、又はヨウ素原子を表し、Ｒ１０及びＲ１１の少なくとも１つは水素原子である。
上記式（５）において、Ｒ１２およびＲ１３は、独立して水素、臭素、又はヨウ素原子を表し、Ｒ１２およびＲ１３の少なくとも１つは水素原子である。
【０１５４】
上記式（４）及び上記式（５）において、Ｗ’、Ｘ’Ｙ’及びＺ’は、独立して、硫黄原子又は酸素原子であることが好ましい。
【０１５５】
上記式（４）で表される化合物としては、例えば、２,２’−（２,５−ジブロモベンゼン−１,４−ジイル）ビス（１−ベンゾチオフェン）、２,２’−（２,５−ジヨードベンゼン−１,４−ジイル）ビス（１−ベンゾチオフェン）、２,２’−（２,５−ジクロロベンゼン−１,４−ジイル）ビス（１−ベンゾチオフェン）、
２,２’−（２,５−ジブロモベンゼン−１,４−ジイル）ビス（１−ベンゾフラン）、２,２’−（２,５−ジヨードベンゼン−１,４−ジイル）ビス（１−ベンゾフラン）、２,２’−（２,５−ジクロロベンゼン−１,４−ジイル）ビス（１−ベンゾフラン）、２，５−ビス（１−ベンゾチオフェン−２−イル）チエノ［３，２−ｂ］チオフェン、２，５−ビス（１−ベンゾフラン−２−イル）チエノ［３，２−ｂ］チオフェン、２，５−ビス（１−ベンゾチオフェン−２−イル）フロ［３，２−ｂ］フラン、２，５−ビス（１−ベンゾフラン−２−イル）フロ［３，２−ｂ］フラン、２，５−ビス（３−ブロモ−１−ベンゾチオフェン−２−イル）チエノ［３，２−ｂ］チオフェン、２，６−ビス（１−ベンゾチオフェン−２−イル）ベンゾ［１，２−ｂ；４，５−ｂ’］ジチオフェン、２，６−ビス（１−ベンゾフラン−２−イル）ベンゾ［１，２−ｂ；４，５−ｂ’］ジチオフェン、２，６−ビス（１−ベンゾチオフェン−２−イル）ベンゾ［１，２−ｂ；４，５−ｂ’］ジフラン、２，６−ビス（１−ベンゾフラン−２−イル）ベンゾ［１，２−ｂ；４，５−ｂ’］ジフラン、２，６−ビス（３−ブロモ−１−ベンゾチオフェン−２−イル）ベンゾ［１，２−ｂ；４，５−ｂ’］ジチオフェンが挙げられる。
【０１５６】
上記式（５）で表される化合物としては、例えば、２，６−ジフェニルベンゾ［１，２−ｂ；４，５−ｂ’］ジチオフェン、２，６−ビス（２−ブロモフェニル）ベンゾ［１，２−ｂ；４，５−ｂ’］ジチオフェン、２，６−ジフェニル−３，７−ジブロモベンゾ［１，２−ｂ；４，５−ｂ’］ジチオフェン、２，６−ジフェニルベンゾ［１，２−ｂ；４，５−ｂ’］ジフラン、２，６−ビス（２−ブロモフェニル）ベンゾ［１，２−ｂ；４，５−ｂ’］ジフラン、２，６−ビス（１−ベンゾチオフェン−２−イル）ベンゾ［１，２−ｂ；４，５−ｂ’］ジチオフェン、２，６−ビス（３−ブロモ−１−ベンゾチオフェン−２−イル）ベンゾ［１，２−ｂ；４，５−ｂ’］ジチオフェン、２，６−ビス（１−ベンゾフラン−２−イル）ベンゾ［１，２−ｂ；４，５−ｂ’］ジチオフェン、２，６−ビス（３−ブロモ−１−ベンゾフラン−２−イル）ベンゾ［１，２−ｂ；４，５−ｂ’］ジチオフェン、２，６−ビス（１−ベンゾチオフェン−２−イル）ベンゾ［１，２−ｂ；４，５−ｂ’］ジフラン、２，６−ビス（３−ブロモ−１−ベンゾチオフェン−２−イル）ベンゾ［１，２−ｂ；４，５−ｂ’］ジフラン、が挙げられる。
【０１５７】
式（４）で表される化合物、及び式（５）で表される化合物はそれぞれ
Ｓｙｎｔｈ．Ｍｅｔ．２００２，１３０，１３９；
Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．２００３，６８，９８１３；
Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．２００７，１２９，１２３８６等に記載された方法に従い、合成することができる。
【０１５８】
式（４）で表される化合物とハロゲン化剤との反応、及び、式（５）で表される化合物とハロゲン化剤との反応は、それぞれ、有機溶媒中で行うことが好ましい。
これらの各反応における有機溶媒としては、上記本発明の製造方法（化合物（１）の製造方法）で例示したものと同じ溶媒が挙げられ、好ましくはトルエン、クロロホルム、四塩化炭素、及びＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドが挙げられる。
【０１５９】
上記各反応において、ハロゲン化剤の使用量は、式（４）で表される化合物または式（５）で表される化合物に対して０．１〜５０モル倍であり、好ましくは０．５〜２０モル倍、更に好ましくは１〜１０モル倍である。
【０１６０】
上記各反応において、式（４）で表される化合物、又は式（５）で表される化合物の反応溶液における濃度は特に限定されないが、それぞれ、溶媒１リットル当たり０．０００１モルから２０モル、好ましくは０．００１モルから１０モル、更に好ましくは０．０１モルから５モルの範囲である。
【０１６１】
上記ハロゲン化剤として、Ｎ−ブロモスクシンイミド、２−ブロモアセトアミド、臭素、ヨウ素、ヨウ素−過ヨウ素酸の組み合わせ、一塩化ヨウ素−過酢酸の組み合わせ、ベンジルトリメチルアンモニウムジクロロヨージド−塩化亜鉛（ＩＩ）の組み合わせなどが挙げられ、好ましくはＮ−ブロモスクシンイミド、臭素、ヨウ素−過ヨウ素酸の組み合わせが挙げられる。
なお、反応が進行しにくい場合は、過酸化ベンゾイルやアゾビスブチロニトリルなどの添加剤を触媒量加えてもよい。
【０１６２】
上記各反応において、反応温度は、−７８℃〜反応溶液の還流温度から選択されるが、より好ましくは−２０℃〜５０℃の範囲である。反応時間は制限されないが、１分から４８時間である。
【０１６３】
これらの反応を停止させる場合は、反応溶液に水などを添加する。反応停止後、例えば抽出、洗浄等の後処理操作を行うことで、粗生成物を得ることができる。該粗生成物は、晶析、昇華、又は各種クロマトグラフィーなどの精製操作、若しくはこれらを組み合わせた精製操作を行うことにより精製を行ってもよい。
【０１６４】
＜薄膜、素子及び有機トランジスタ＞
本発明の化合物（１）は、厚み１ｎｍ〜１０μｍ、好ましくは厚み５ｎｍ〜１μｍの膜に加工すると、発光性や、半導体と同様の導電性を示す。ゆえに、本発明の化合物（１）は、有機半導体材料として優れている。
本発明の化合物（１）を含む有機半導体デバイス、該化合物（１）を含有する有機半導体薄膜、該化合物（１）を含有する導電性薄膜、及び、該化合物（１）を含有する発光性薄膜もまた、それぞれ本発明の一つである。
【０１６５】
本発明において、発光性薄膜とは、厚み１ｎｍ〜１０μｍの膜であって、光や電気的刺激の条件下で発光する膜を意味する。上記発光性薄膜は、発光素子の材料として有用である。上記発光性薄膜を有する発光素子もまた、本発明の一つである。本発明の発光素子は、例えば有機発光ダイオード等の材料として有用である。
本発明において、発光素子とは該発光性薄膜を用いたデバイスのことを意味する。
【０１６６】
本発明において、導電性薄膜とは、厚み１ｎｍ〜１０μｍの膜であって、光や電気的刺激の条件下で導電性を示す膜を意味する。上記導電性薄膜は、後述の有機半導体デバイス等の材料として有用である。
本発明の有機半導体薄膜、導電性薄膜及び発光性薄膜は、それぞれ、本発明の化合物（１）を材料として用いる以外は、従来公知の方法と同様に製造することができる。
【０１６７】
次に、有機半導体デバイスについて説明する。
本発明の有機半導体デバイスは、本発明の化合物（１）を含む。該有機半導体デバイスは、一般に、有機トランジスタを含んでおり、該有機トランジスタは、該化合物（１）を含む有機半導体薄膜を有する。上記化合物（１）を含有する有機半導体薄膜もまた、本発明の一つである。
【０１６８】
上記該有機トランジスタは、本発明の化合物（１）を含んでいるので、キャリア移動度が高い。上記該有機トランジスは、キャリア移動度を１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上とすることができる。ここでキャリア移動度は、パラメータアナライザー等を用いて測定したドレイン電流及びゲート電圧について、下記式（ａ）を適用することにより測定することができる。
Ｉｄ＝（Ｗ／２Ｌ）μＣｉ（Ｖｇ−Ｖｔ）２ ・・・（ａ）
（式中、Ｉｄ＝電気的特性の飽和領域におけるドレイン電流、Ｌ＝有機トランジスタのチャネル長、Ｗ＝有機トランジスタのチャネル幅、Ｃｉ＝ゲート絶縁膜の単位面積当たりの容量、Ｖｇ＝ゲート電圧、Ｖｔ＝ゲート電圧のしきい値電圧）
【０１６９】
本発明の有機トランジスタとしては、有機電界効果トランジスタが挙げられる。
該有機電界効果トランジスタは、通常、ソース電極及びドレイン電極が半導体層に接しており、さらに活性層に接した絶縁層（誘電体層）を挟んでゲート電極が設けられていればよい。
上記有機トランジスタの素子構造としては、例えば、
（１）基板／ゲート電極／絶縁体層／ソース電極・ドレイン電極／半導体層からなる構造；
（２）基板／半導体層＋ソース電極・ドレイン電極／絶縁体層／ゲート電極からなる構造；
（３）基板／ソース電極（又はドレイン電極）／半導体層＋絶縁体層＋ゲート電極／ドレイン電極（又はソース電極）からなる構造；
（４）基板／ゲート電極／絶縁体層／半導体層／ソース電極（又はドレイン電極）からなる構造、
が挙げられる。
上記各構造において、半導体層は、本発明の有機半導体薄膜を有する。各構造において該半導体層が複数である場合、同一平面内に設けてもよいし、積層して設けてもよい。上記各構造において、ソース電極、ドレイン電極、及びゲート電極は、それぞれ複数設けてもよい。
【０１７０】
上記有機半導体薄膜を半導体層に形成する方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、分子線エピタキシャル成長法などの真空プロセスでの形成法が挙げられ、好ましくは真空蒸着法が挙げられる。
【０１７１】
真空蒸着法にとは、化合物（１）などの有機半導体材料をルツボや金属ボート中で真空下、加熱し、蒸発した有機半導体材料を基板もしくは絶縁体材料に蒸着させる方法である。
蒸着時の真空度は、１×１０−１Ｐａ以下、好ましくは１×１０−３Ｐａ以下である。
蒸着時の基板温度は０℃〜３００℃、好ましくは２０℃〜２００℃である。
蒸着速度は、０．００１ｎｍ／ｓｅｃ〜１０ｎｍ／ｓｅｃであり、好ましくは０．０１ｎｍ／ｓｅｃ〜１ｎｍ／ｓｅｃである。上記有機半導体薄膜の膜厚は、１ｎｍ〜１０μｍであり、好ましくは５ｎｍ〜１μｍである。
【０１７２】
有機半導体薄膜を形成する方法として、溶液プロセスを用いてもよい。溶液プロセスとは、溶媒に溶解又は分散させた有機半導体材料を、基板もしくは絶縁体層に塗布する方法である。
上記塗布の方法としては、キャスティング法、ディップコート法、ダイコーター法、ロールコーター法、バーコーター法、スピンコート法などの塗布法；インクジェット法、スクリーン印刷法、オフセット印刷法、マイクロコンタクト印刷法などが挙げられる。これらの手法は、単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせてもよい。
【０１７３】
本発明において、ソース電極、ドレイン電極及びゲート電極を構成する材料は、一般的な導電性材料であれば特に限定されず、白金、金、銀、ニッケル、クロム、銅、鉄、錫、アンチモン鉛、タンタル、インジウム、パラジウム、テルル、レニウム、イリジウム、アルミニウム、ルテニウム、ゲルマニウム、モリブデン、タングステン、酸化スズ・アンチモン、酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）、フッ素ドープ酸化亜鉛、亜鉛、炭素、グラファイト、グラッシーカーボン、銀ペースト及びカーボンペースト、リチウム、ベリリウム、ナトリウム、マグネシウム、カリウム、カルシウム、スカンジウム、チタン、マンガン、ジルコニウム、ガリウム、ニオブ、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、アルミニウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム混合物、及びリチウム／アルミニウム混合物等が用いられるが、
特に、白金、金、銀、銅、アルミニウム、インジウム、ＩＴＯ、及び炭素が好ましい。あるいはドーピング等で導電率を向上させた公知の導電性ポリマー、例えば、導電性ポリアニリン、導電性ポリピロール、導電性ポリチオフェン、ポリエチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルホン酸の錯体等も好適に用いられる。中でも半導体層との接触面において電気抵抗が少ないものが好ましい。これらの電極材料は単独で使用してもよいし、２種類以上を混合して使用してもよい。
【０１７４】
電極の膜厚は、材料によっても異なるが、０．１ｎｍ〜１０μｍであればよく、好ましくは０．５ｎｍ〜５μｍであり、より好ましくは１ｎｍ〜３μｍである。また、ゲート電極と基板を兼ねる場合は上記の膜厚より大きくてもよい。
【０１７５】
電極膜の形成方法としては、公知の種々の方法が挙げられる。具体的には、真空蒸着法、スパッタ法、塗布法、熱転写法、印刷法、ゾルゲル法などが挙げられる。成膜時又は成膜後に、パターニングを必要に応じて行うことが好ましい。パターニングの方法としても、種々の方法を用いることができる。具体的には、フォトレジストのパターニングとエッチングを組み合わせたフォトリソグラフィー法などが挙げられる。また、インクジェット印刷、スクリーン印刷、オフセット印刷、凸版印刷などの印刷法、マイクロコンタクトプリンティング法などのソフトリソグラフィーの手法なども挙げられる。これらの手法は単独で用いてもよいし、２種類以上を混合してパターニングを行うことも可能である。
【０１７６】
絶縁層としては、無機酸化物や有機化合物皮膜などの種々の絶縁膜を用いることができる。無機酸化物としては、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化チタン、酸化スズ、酸化バナジウム、チタン酸バリウムストロンチウム、ジルコニウム酸チタン酸バリウム、ジルコニウム酸チタン酸鉛、チタン酸鉛ランタン、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム、フッ化バリウムマグネシウム、チタン酸ビスマス、チタン酸ストロンチウムビスマス、タンタル酸ストロンチウムビスマス、タンタル酸ニオブ酸ビスマス、トリオキサイドイットリウムなどが挙げられ、好ましいのは、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化チタンである。窒化ケイ素、窒化アルミニウム等の無機窒化物が挙げられる。有機化合物皮膜としては、ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリアクリレート、光ラジカル重合系、光カチオン重合系の光硬化性樹脂、アクリロニトリル成分を含有する共重合体、ポリビニルフェノール、ポリビニルアルコール、ノボラック樹脂、シアノエチルプルランなどが挙げられ、好ましくは、ポリイミド、ポリビニルフェノール、ポリビニルアルコールが挙げられる。
これらの絶縁層材料は単独で使用してもよいし、２種類以上を組み合わせて使用してもよい。絶縁層の膜厚は、材料によっても異なるが、通常０．１ｎｍ〜１００μｍであり、好ましくは０．５ｎｍ〜５０μｍであり、より好ましくは５ｎｍ〜１０μｍである。
【０１７７】
絶縁層の形成方法としては、公知の種々の方法を用いることができる。具体的には、スピンコーティング、スプレーコーティング、ディップコーティング、キャスト、バーコート、ブレードコーティングなどの塗布法、スクリーン印刷、オフセット印刷、インクジェットなどの印刷法、真空蒸着法、分子線エピタキシャル成長法、イオンクラスタービーム法、イオンプレーティング法、スパッタリング法、大気圧プラズマ法、ＣＶＤ法などのドライプロセス法が挙げられる。その他、ゾルゲル法やアルミニウム上のアルマイト、シリコンの熱酸化膜のように金属上に酸化物膜を形成する方法などが挙げられる。
【０１７８】
基板としては、ガラス、紙、石英、セラミック、又はフレキシブルな樹脂の基板材料から構成された板又はシートなどが挙げられる。樹脂フィルムとしては、具体的には、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、ポリイミド、ボリカーボネート（ＰＣ）、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）などが挙げられる。基板の厚さとしては１μｍ〜１０ｍｍが好ましく、５μｍ〜５ｍｍがさらに好ましい。
【０１７９】
半導体層と接触する絶縁体層や基板の部分において、絶縁体層や基板上に表面処理を行ってもよい。半導体層が積層される絶縁体層上に表面処理を行うことにより、素子のトランジスタ特性を向上させることができる。表面処理としては、具体的には、ヘキサメチルジシラザン、オクタデシルトリクロロシラン、オクチルトリクロロシランなどによる疎水化処理、塩酸、硫酸、過酸化水素水などによる酸処理、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウム、アンモニアなどによるアンモニア処理、オゾン処理、フッ素化処理、酸素やアルゴンなどのプラズマ処理、ラングミュラー・ブロジェット膜の形成処理、その他の絶縁体等や半導体の薄膜の形成処理、機械的処理、コロナ放電などの電気的処理、繊維などを利用したラビング処理などが挙げられる。
表面処理を行う方法としては、例えば、真空蒸着法、スパッタ法、塗布法、印刷法、ゾルゲル法などが挙げられる。
半導体層上に樹脂もしくは無機化合物からなる保護膜を設けてもよい。保護膜の形成により、外気の影響を抑制してトランジスタの駆動を安定化することができる。
【実施例】
【０１８０】
以下、本発明を実施例により更に詳しく説明する。
【０１８１】
なお、各実施例において、化合物の測定は、以下の方法で行った。
１．１Ｈ−ＮＭＲ：ＥＸ２７０（日本電子株式会社製）を用いて測定した。
２．ＨＲＭＳ：ＪＭＳ−Ｔ１００ＧＣ（日本電子株式会社製）を用いて測定した。
【０１８２】
［実施例１］ ２，２’−（２，５−ジブロモベンゼン−１，４−ジイル）ビス（１−ベンゾチオフェン）の製造
１，４−ジブロモ−２，５−ジヨードベンゼン（１．３８ｇ、２．８３ｍｍｏｌ）、ベンゾ［ｂ］チオフェン−２−イルボロン酸（１．５ｇ、８．４３ｍｍｏｌ）、ジクロロ−［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム・ジクロロメタン錯体（０．２６ｇ、０．２３ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン（１６ｍＬ）及び炭酸ナトリウム水溶液（２Ｍ、８ｍＬ）の混合液を窒素雰囲気下、約６５℃で１２時間還流させた。室温まで放冷した後、反応混合液に水を加え、クロロホルムにより抽出した。得られた有機層を硫酸ナトリウムで乾燥し、ろ過後、溶媒を減圧下留去した。得られた混合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで分離精製することにより、２，２’−（２，５−ジブロモベンゼン−１，４−ジイル）ビス（１−ベンゾチオフェン）（１．２ｇ、２．４ｍｍｏｌ）を収率８５％で得た。
２，２’−（２，５−ジブロモベンゼン−１，４−ジイル）ビス（１−ベンゾチオフェンの物性は以下の通りであった。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、δｐｐｍ）：７．９１（ｓ、２Ｈ）、７．８４−７．９０（ｍ、４Ｈ）、７．５９（ｓ、２Ｈ）、７．３５−７．４５（ｍ、４Ｈ）
【０１８３】
［実施例２］ ２，２’−（２，５−ジブロモベンゼン−１，４−ジイル）ビス（３−ブロモ−１−ベンゾチオフェン）の製造
２，２’−（２，５−ジブロモベンゼン−１，４−ジイル）ビス（１−ベンゾチオフェン（０．４７ｇ、０．９４ｍｍｏｌ）、Ｎ−ブロモスクシンイミド（０．３７ｇ、２．０７ｍｍｏｌ）、過酸化ベンゾイル（触媒量）、及びクロロホルム（７１ｍＬ）の混合液を室温（２０〜２５℃）で８時間攪拌した。溶媒を留去した後、得られた固体をエタノールで洗浄し、減圧下で乾燥することにより、２，２’−（２，５−ジブロモベンゼン−１，４−ジイル）ビス（３−ブロモ−１−ベンゾチオフェン）を収率７３％で得た。
２，２’−（２，５−ジブロモベンゼン−１，４−ジイル）ビス（３−ブロモ−１−ベンゾチオフェン）の物性は以下の通りであった。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、δｐｐｍ）：７．８６−７．９３（ｍ、４Ｈ）、７．８１（ｓ、２Ｈ）、７．４１−７．５７（ｍ、４Ｈ）
【０１８４】
［実施例３］ 化合物１の製造
２，２’−（２，５−ジブロモベンゼン−１，４−ジイル）ビス（３−ブロモ−１−ベンゾチオフェン）（０．１ｇ、０．１５ｍｍｏｌ）、４−ヘキシルアニリン（０．０５９ｇ、０．３３ｍｍｏｌ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０．０２８ｇ、０．０３ｍｍｏｌ）、トリｔｅｒｔ−ブチルホスフィン（０．０２５ｇ、０．１２ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（０．３８ｇ、４ｍｍｏｌ）及びトルエン（５ｍＬ）の混合液を窒素雰囲気下、約１１０℃で４８時間還流させた。室温まで放冷した後、反応混合液に水を加え、クロロホルムにより抽出した。得られた有機層を硫酸ナトリウムで乾燥し、ろ過後、溶媒を減圧下留去した。得られた混合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで分離精製することにより、下記式１で示される化合物１（０．６３ｇ、０．９ｍｍｏｌ）を収率６０％で得た。
化合物１の物性は以下の通りであった。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、δｐｐｍ）：７．８６（ｄ、２Ｈ）、７．６８（ｓ、２Ｈ）、７．５７（ｄ、４Ｈ）、７．４７（ｄ、４Ｈ）、７．１７−７．３３（ｍ、６Ｈ）、２．８１（ｔ、４Ｈ）、１．７４−１．８５（ｍ、４Ｈ）、１．３８−１．５３（ｍ、１２Ｈ）、０.９５（ｔ、６Ｈ）
ＨＲＭＳ（ＭＬＤＩ−ＴＯＦ）：ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ４６Ｈ４４Ｎ２Ｓ２、６８８．２９４６；ｆｏｕｎｄ ６８８．２９１３
【０１８５】
［実施例４］ 化合物２の製造
２,２’−（２,５−ジブロモベンゼン−１,４−ジイル）ビス（３−ブロモ−１−ベンゾチオフェン）（８．８ｇ、１３．４ｍｍｏｌ）、４−ｎ−ドデシルアニリン（３８．５ｇ、１４７．１ｍｍｏｌ）、トリス（ ジベンジリデンアセトン） ジパラジウム（２．４５ｇ、２．７ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（１１．３１ｇ、１１７．７ｍｍｏｌ）、トリｔｅｒｔ−ブチルホスフィン（２．１６ｇ、１０．７ｍｍｏｌ）及びトルエン（４３０ｍＬ）の混合液を窒素雰囲気下、約１１０℃で１５時間還流させた。室温まで放冷した後、反応混合液に水を加え、クロロホルムにより抽出した。得られた有機層を硫酸ナトリウムで乾燥し、ろ過後、溶媒を減圧下留去した。得られた混合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーおよびクロロホルムから再結晶することで、下記式２で示される化合物２（５．１１ｇ、５．９６ｍｍｏｌ）を収率４５％で得た。
化合物２の物性は以下の通りであった。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、δｐｐｍ）：７.８７（ｄ、２Ｈ）、７.６９（ｓ、２Ｈ）、７.５８（ｄ、４Ｈ）、７.４９（ｄ、４Ｈ）、７.１８−７.３３（ｍ、６Ｈ）、２．８２（ｔ、４Ｈ）、１.７６−１.８２（ｍ、４Ｈ）、１.２９−１.５５（ｍ、３６Ｈ）、０.９１（ｔ、６Ｈ）
ＨＲＭＳ（ＭＬＤＩ−ＴＯＦ）：ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ５８Ｈ６８Ｎ２Ｓ２、８５６．４８２４；ｆｏｕｎｄ ８５６．４７８３
【０１８６】
［実施例５］ 化合物３の製造
２,２’−（２,５−ジブロモベンゼン−１,４−ジイル）ビス（３−ブロモ−１−ベンゾチオフェン）（８．８ｇ、１３．４ｍｍｏｌ）、４−ｎ−オクチルアニリン（３０．２１ｇ、１４７．１ｍｍｏｌ）、トリス（ ジベンジリデンアセトン） ジパラジウム（２．４５ｇ、２．７ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（１１．３１ｇ、１１７．７ｍｍｏｌ）、トリｔｅｒｔ−ブチルホスフィン（２．１６ｇ、１０．７ｍｍｏｌ）及びトルエン（４３０ｍＬ）の混合液を窒素雰囲気下、約１１０℃で１８時間還流させた。室温まで放冷した後、反応混合液に水を加え、クロロホルムにより抽出した。得られた有機層を硫酸ナトリウムで乾燥し、ろ過後、溶媒を減圧下留去した。得られた混合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで分離精製することで、下記式３で示される化合物３（４．３４ｇ、５．８２ｍｍｏｌ）を収率４４％で得た。
化合物３の物性は以下の通りであった。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、δｐｐｍ）：７．８７（ｄ、２Ｈ）、７.６９（ｓ、２Ｈ）、７.５８（ｄ、４Ｈ）、７.４９（ｄ、４Ｈ）、７.１８−７.３３（ｍ、６Ｈ）、２．８２（ｔ、４Ｈ）、１.７８−１.８４（ｍ、４Ｈ）、１.３４−１.５５（ｍ、２０Ｈ）、０.９２（ｔ、６Ｈ）
ＨＲＭＳ（ＭＬＤＩ−ＴＯＦ）：ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ５０Ｈ５２Ｎ２Ｓ２、７４４．３５７２；ｆｏｕｎｄ ７４４．３５５５
【０１８７】
［実施例６］ 化合物４の製造
２,２’−（２,５−ジブロモベンゼン−１,４−ジイル）ビス（３−ブロモ−１−ベンゾチオフェン）（８．８ｇ、１３．４ｍｍｏｌ）、４−ｎ−オクチルオキシアニリン（３２．５６ｇ、１４７．１ｍｍｏｌ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（２．４５ｇ、２．７ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（１１．３１ｇ、１１７．７ｍｍｏｌ）、トリｔｅｒｔ−ブチルホスフィン（２．１６ｇ、１０．７ｍｍｏｌ）及びトルエン（４３０ｍＬ）の混合液を窒素雰囲気下、約１１０℃で８時間還流させた。室温まで放冷した後、反応混合液に水を加え、クロロホルムにより抽出した。得られた有機層を硫酸ナトリウムで乾燥し、ろ過後、溶媒を減圧下留去した。得られた混合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで分離精製し、さらにクロロホルムから再結晶することで、下記式４で示される化合物４（４．５６ｇ、５．８７ｍｍｏｌ）を収率４３％で得た。
化合物４の物性は以下の通りであった。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、δｐｐｍ）：７.８７（ｄ、２Ｈ）、７.６２（ｓ、２Ｈ）、７.５８（ｄ、４Ｈ）、７.１６−７.５６（ｍ、１０Ｈ）、４．１３（ｔ、４Ｈ）、１．８６−１．９４（ｍ、４Ｈ）、１.３４−１.５９（ｍ、２０Ｈ）、０.９３（ｔ、６Ｈ）
ＨＲＭＳ（ＭＬＤＩ−ＴＯＦ）：ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ５０Ｈ５２Ｎ２Ｏ２Ｓ２、７７６．３４７０；ｆｏｕｎｄ ７７６．３４５０
【０１８８】
［実施例７］ 化合物５の製造
２,２’−（２,５−ジブロモベンゼン−１,４−ジイル）ビス（３−ブロモ−１−ベンゾチオフェン）（０．３ｇ、０．４６ｍｍｏｌ）、４−ｎ−ヘキシルオキシアニリン（０．９７ｇ、５．０１ｍｍｏｌ）、トリス（ ジベンジリデンアセトン） ジパラジウム（０．０８ｇ、０．０９ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（０．３９ｇ、４．０１ｍｍｏｌ）、トリｔｅｒｔ−ブチルホスフィン（０．０７ｇ、０．３６ｍｍｏｌ）及びトルエン（１５ｍＬ）の混合液を窒素雰囲気下、約１１０℃で２５．５時間還流させた。室温まで放冷した後、反応混合液に水を加え、クロロホルムにより抽出した。得られた有機層を硫酸ナトリウムで乾燥し、ろ過後、溶媒を減圧下留去した。得られた混合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで分離精製し、さらにクロロホルムから再結晶することで、下記式５で示される化合物５（０．１４ｇ、０．２ｍｍｏｌ）を収率４４％で得た。
化合物５の物性は以下の通りであった。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、δｐｐｍ）：７.８７（ｄ、２Ｈ）、７.６２（ｓ、２Ｈ）、７．５６（ｄ、４Ｈ）、７.１６−７.３１（ｍ、１０Ｈ）、４．１４（ｔ、４Ｈ）、１．８６−１．９７（ｍ、４Ｈ）、１．３９−１．６０（ｍ、１２Ｈ）、０．９８（ｔ、６Ｈ）
ＨＲＭＳ（ＭＬＤＩ−ＴＯＦ）：ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ４６Ｈ４４Ｎ２Ｏ２Ｓ２、７２０．２８４４；ｆｏｕｎｄ ７２０．２８３３
【０１８９】
［実施例８］ 化合物６の製造
２,２’−（２,５−ジブロモベンゼン−１,４−ジイル）ビス（３−ブロモ−１−ベンゾチオフェン）（１０．０ｇ、１５．２ｍｍｏｌ）、ｎ−ドデシルアミン（３１．０ｇ、１６７．２ｍｍｏｌ）、トリス（ ジベンジリデンアセトン） ジパラジウム（２．８ｇ、３．０４ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（１２．９ｇ、１３３．７ｍｍｏｌ）、（±）−２，２’−Ｂｉｓ（ｄｉｐｈｅｎｙｌｐｈｏｓｐｈｉｎｏ）−１，１’−ｂｉｎａｐｈｔｈｙｌ（７．６ｇ、１２．２ｍｍｏｌ）及びトルエン（５００ｍＬ）の混合液を窒素雰囲気下、約１１０℃で２１時間還流させた。室温まで放冷した後、反応混合液に水を加え、クロロホルムにより抽出した。得られた有機層を硫酸ナトリウムで乾燥し、ろ過後、溶媒を減圧下留去した。得られた混合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで分離精製し、さらにクロロホルムから再結晶することで、下記式６で示される化合物６（４．９１ｇ、７．０ｍｍｏｌ）を収率４６％で得た。
化合物６の物性は以下の通りであった。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、δｐｐｍ）：８．０３（ｄ、２Ｈ）、７.９４（ｄ、２Ｈ）、７．３３（ｓ、２Ｈ）、７．４６（ｄｄ、２Ｈ）、７．３３（ｄｄ、２Ｈ）、４．６５（ｔ、４Ｈ）、１．９７−２．０５（ｍ、４Ｈ）１．２０−１．５０（ｍ、３６Ｈ）、０．８６（ｔ、６Ｈ）
ＨＲＭＳ（ＭＬＤＩ−ＴＯＦ）：ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ４６Ｈ６０Ｎ２Ｏ２Ｓ２、７０４．４１９８；ｆｏｕｎｄ ７０４．４１９４
【０１９０】
［実施例９］ ２，５−ビス（１−ベンゾチオフェン−２−イル）チエノ［３，２−ｂ］チオフェンの製造
実施例１において、１，４−ジブロモ−２，５−ジヨードベンゼンの代わりに２，５−ジブロモチエノ［３，２−ｂ］チオフェンを用いることで、２，５−ビス（１−ベンゾチオフェン−２−イル）チエノ［３，２−ｂ］チオフェンが得られる。
【０１９１】
［実施例１０］ ２，５−ビス（３−ブロモ−１−ベンゾチオフェン−２−イル）−３， ６−ジブロモチエノ［３，２−ｂ］チオフェンの製造
実施例２において、２,２’−（２,５−ジブロモベンゼン−１,４−ジイル）ビス（１−ベンゾチオフェンの代わりに２，５−ビス（１−ベンゾチオフェン−２−イル）チエノ［３，２−ｂ］チオフェンを用い、Ｎ−ブロモスクシンイミドを２，５−ビス（１−ベンゾチオフェン−２−イル）チエノ［３，２−ｂ］チオフェンの４モル倍用いることで、２，５−ビス（３−ブロモ−１−ベンゾチオフェン−２−イル）−３，６−ジブロモチエノ［３，２−ｂ］チオフェンが得られる。
【０１９２】
［実施例１１］ 化合物７の製造
実施例３において、２,２’−（２,５−ジブロモベンゼン−１,４−ジイル）ビス（３−ブロモ−１−ベンゾチオフェン）の代わりに２，５−ビス（３−ブロモ−１−ベンゾチオフェン−２−イル）−３，６−ジブロモチエノ［３，２−ｂ］チオフェンを用いることで、下記式７で示される化合物７が得られる。
【０１９３】
［実施例１２］ ２，６−ビス（１−ベンゾチオフェン−２−イル）ベンゾ［１，２−ｂ；４，５−ｂ’］ジチオフェンの製造
実施例１において、１，４−ジブロモ−２，５−ジヨードベンゼンの代わりに２，６−ジブロモベンゾ［１，２−ｂ；４，５−ｂ’］ジチオフェンを用いることで、２，６−ビス（１−ベンゾチオフェン−２−イル）ベンゾ［１，２−ｂ；４，５−ｂ’］ジチオフェンが得られる。
【０１９４】
［実施例１３］ ２，６−ビス（３−ブロモ−１−ベンゾチオフェン−２−イル）−３，７−ジブロモベンゾ［１，２−ｂ；４，５−ｂ’］ジチオフェンの製造
実施例２において、２,２’−（２,５−ジブロモベンゼン−１,４−ジイル）ビス（１−ベンゾチオフェンの代わりに２，６−ビス（１−ベンゾチオフェン−２−イル）ベンゾ［１，２−ｂ；４，５−ｂ’］ジチオフェンを用い、Ｎ−ブロモスクシンイミドを２，６−ビス（１−ベンゾチオフェン−２−イル）ベンゾ［１，２−ｂ；４，５−ｂ’］ジチオフェンの４モル倍用いることで、２，６−ビス（３−ブロモ−１−ベンゾチオフェン−２−イル）−３，７−ジブロモベンゾ［１，２−ｂ；４，５−ｂ’］ジチオフェンが得られる。
【０１９５】
［実施例１４］ 化合物８の製造
実施例３において、２,２’−（２,５−ジブロモベンゼン−１,４−ジイル）ビス（３−ブロモ−１−ベンゾチオフェン）の代わりに２，６−ビス（３−ブロモ−１−ベンゾチオフェン−２−イル）−３，７−ジブロモベンゾ［１，２−ｂ；４，５−ｂ’］ジチオフェンを用いることで、下記式８で示される化合物８が得られる。
【０１９６】
［実施例１５］ 有機トランジスタＩの作製
厚さ３００ｎｍの熱酸化膜を有する高濃度にドーピングされたｎ−型シリコン基板をアセトン中で１０分間超音波洗浄した後、オゾンＵＶを２０分間照射した。その後、ベータフェネチルトリクロロシランのトルエン希釈液をスピンコートすることにより熱酸化膜表面をシラン処理した。
次に実施例４で製造した化合物２をクロロホルムに溶解して、化合物２の濃度が０．８重量％の溶液を調製し、該溶液をメンブランフィルターでろ過して塗布液を作製した。該塗布液を、上記表面処理した基板上にスピンコート法により塗布し、化合物２の塗布膜（厚み：約６０ｎｍ）を形成した。さらに該塗布膜を窒素雰囲気中で１２０℃にて３０分熱処理することにより、化合物２の有機半導体薄膜を形成した。
更に、メタルマスクを用いた真空蒸着法により、有機半導体薄膜上に、有機半導体薄膜側から三酸化モリブデン及び金の積層構造を有するソース電極及びドレイン電極（各電極のサイズ：チャネル長２０μｍ、チャネル幅２ｍｍ）を作製することにより、図２の構造を有する有機トランジスタＩを製造することができた。
【０１９７】
［実施例１６］ 有機トランジスタＩの電気特性
有機トランジスタＩの電気特性を、半導体パラメータ４２００（ＫＥＩＴＨＬＥＹ社製）を用いて測定した。その結果、あるゲート電圧（Ｖｇ）において、ドレイン電圧（Ｖｄ）に対するドレイン電流（Ｉｄ）の変化曲線は、良好であり、高いドレイン電圧において飽和領域を有していた。また、ゲート電極に印加する負のゲート電圧を増加させると、負のドレイン電流も増加することから、有機トランジスタIは、ｐ型の有機トランジスタであることを確認することができた。
有機トランジスタＩにおけるキャリアの飽和電界効果移動度μは、有機トランジスタの電気特性の飽和領域におけるドレイン電流Ｉｄを表す式を用いて算出した。
」
Ｉｄ＝（Ｗ／２Ｌ）μＣｉ（Ｖｇ−Ｖｔ）２ ・・・（ａ）
（式中、Ｌ＝有機トランジスタのチャネル長、Ｗ＝有機トランジスタのチャネル幅、Ｃｉ＝ゲート絶縁膜の単位面積当たりの容量、Ｖｇ＝ゲート電圧、Ｖｔ＝ゲート電圧のしきい値電圧）
キャリアの電界効果移動度（キャリア移動度）は１×１０−３ｃｍ２／Ｖｓ、及びオン／オフ電流比は１０５であった。
【０１９８】
［実施例１７］ 有機トランジスタIIの作製
チャネル幅２ｍｍ及びチャネル長２０μｍの金電極を有する熱酸化膜（ＳｉＯ２）付高濃度ドープｎ−型シリコン基板（熱酸化膜３００ｎｍ）を、アセトン中で１０分間超音波洗浄した後、オゾンＵＶを２０分間照射した。その後、ベータフェネチルトリクロロシランのトルエン希釈液をスピンコートすることによりシラン処理した。さらに、ペンタフルオロベンゼンチオールのイソプロピルアルコール希釈液をスピンコートして、金電極表面をチオール処理した。
次に、実施例４で合成した化合物２を石英るつぼに入れ、表面処理した基板とともに真空蒸着装置にセットした。装置チェンバ内の真空度１×１０−４Ｐａ以下、基板温度６０℃の条件で、るつぼを加熱して化合物２を揮発させ、基板上に析出させることによって化合物２からなる有機半導体薄膜を形成させた。以上の工程により、図１の構造を有する有機トランジスタIIを製造することができた。有機半導体薄膜の膜厚は、約１００ｎｍであった。
【０１９９】
［実施例１８］ 有機トランジスタIIの電気特性
有機トランジスタIIの電気特性を実施例１６と同様に測定した結果、キャリアの電界効果移動度は１．４×１０−３ｃｍ２／Ｖｓ、オン／オフ電流比は１０５であった。
【０２００】
［実施例１９］ 有機トランジスタIIIの作製
チャネル幅２ｍｍ及びチャネル長２０μｍの金電極を有する熱酸化膜（ＳｉＯ２）付高濃度ドープｎ−型シリコン基板（熱酸化膜３００ｎｍ）を、アセトン中で１０分間超音波洗浄した後、オゾンＵＶを２０分間照射した。その後、ベータフェネチルトリクロロシランのトルエン希釈液をスピンコートすることによりシラン処理した。さらに、ペンタフルオロベンゼンチオールのイソプロピルアルコール希釈液をスピンコートして、金電極表面をチオール処理した。
次に実施例５で製造した化合物３をキシレンに溶解して、化合物３の濃度が１．０重量％の溶液を調製し、該溶液をメンブランフィルターでろ過して塗布液を作製した。
この塗布液を、上記基板にスピンコート法により塗布することにより塗布膜（厚み：約６０ｎｍ）を得、さらに該塗布膜を窒素雰囲気中で１２０℃にて３０分熱処理することにより、化合物３の有機半導体薄膜を形成した。以上の工程により、図１の構造を有する有機トランジスタIIIを製造することができた。
【０２０１】
［実施例２０］ 有機トランジスタIIIの電気特性
有機トランジスタIIIの電気特性を実施例１６と同様に測定した結果、キャリアの電界効果移動度は５×１０−５ｃｍ２／Ｖｓ、オン／オフ電流比は１０５であった。
【０２０２】
［実施例２１］ 有機トランジスタIVの作製
化合物２の代わりに化合物３を用いた以外は実施例１７と同様に操作することにより、図１の構造を有する有機トランジスタIVを製造することができた。
【０２０３】
［実施例２２］ 有機トランジスタIVの電気特性
有機トランジスタIVの電気特性を実施例１６と同様に測定した結果、キャリアの電界効果移動度は３．３×１０−３ｃｍ２／Ｖｓ、オン／オフ電流比は１０６であった。
【０２０４】
［実施例２３］ 有機トランジスタＶの作製
チャネル幅２ｍｍ及びチャネル長２０μｍの金電極を有する熱酸化膜（ＳｉＯ２）付高濃度ドープｎ−型シリコン基板（熱酸化膜３００ｎｍ）を、アセトン中で１０分間超音波洗浄した後、オゾンＵＶを２０分間照射した。
次に実施例６で製造した化合物４をキシレンに溶解して、化合物４の濃度が０．５重量％の溶液を調製し、これをメンブランフィルターでろ過して塗布液を作製した。
この塗布液を上記基板上にキャスト法により塗布し、化合物４からなる膜厚約９０ｎｍの薄膜を形成した。さらに該薄膜を窒素雰囲気中で６０℃にて３０分熱処理することにより、図１の構造を有する有機トランジスタＶを製造することができた。
【０２０５】
［実施例２４］ 有機トランジスタＶの電気特性
有機トランジスタＶの電気特性を実施例１６と同様に測定した結果、キャリアの電界効果移動度は１．１×１０−４ｃｍ２／Ｖｓ、オン／オフ比電流は１０３であった。
【０２０６】
［実施例２５］ 有機トランジスタVIの作製
化合物２の代わりに化合物４を用いた以外は実施例１７と同様に操作し、更に、有機半導体薄膜を窒素雰囲気中で１１０℃にて３０分熱処理することにより、図１の構造を有する有機トランジスタVIを製造することができた。
【０２０７】
［実施例２６］ 有機トランジスタVIの電気特性
有機トランジスタVIの電気特性を実施例１６と同様に測定した結果、キャリアの電界効果移動度は５．６×１０−４ｃｍ２／Ｖｓ、オン／オフ電流比は１０４であった。
【産業上の利用可能性】
【０２０８】
本発明の化合物は、有機トランジスタ等、有機半導体材料に適用することができる。本発明の製造方法は、上記化合物を簡便に製造する方法として有用である。
【符号の説明】
【０２０９】
１１、２１ 基板
１２、２２ ゲート電極
１３、２３ ゲート絶縁膜
１４ 、２４ ソース電極
１５、２５ ドレイン電極
１６、２６ 有機半導体層
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（１）
（式中、環構造Ａ及び環構造Ｂは、独立して、置換基を有していていもよい芳香族環又は置換基を有していていもよい複素環を表し；
環構造Ｃは、置換基を有していていもよいベンゼン環、ヘテロ［３，２−ｂ］ヘテロール環、又は置換基を有していていもよいベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジヘテロール環を表し、
Ｗ，Ｘ，Ｙ及びＺは、独立して、硫黄原子、酸素原子、セレン原子、テルル原子、ＳＯ２、（Ｒ１）−Ｃ−（Ｒ２）、（Ｒ３）−Ｓｉ−（Ｒ４）、又はＮ−（Ｒ５）を表し、Ｗ，Ｘ，Ｙ及びＺのうち少なくともいずれか１つは、Ｎ−（Ｒ５）であり、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、独立して、水素原子、置換基ｉ、置換基ｉｉ、ハロゲン原子を置換基として有していてもよいアリール基、又はハロゲン原子を置換基として有していてもよいヘテロアリール基を表し、置換基ｉは下記群Ｐより選択される基であり、置換基ｉｉは置換基を有する下記群Ｐより選択される基であり、群Ｐは、アルキル基、アルコキシ基、アルキル置換アリール基、アルコキシ置換アリール基およびアルキル置換ヘテロアリール基からなる。）
で表される化合物。
【請求項２】
環構造Ａ及び環構造Ｂが、独立して、芳香族環、複素環、置換基ｉｉｉを置換基として有する芳香族環、置換基ｉｖを置換基として有する芳香族環、置換基ｉｉｉを置換基として有する複素環、置換基ｉｖを置換基として有する複素環、ハロゲン置換芳香族環、又は、ハロゲン置換複素環であり、
置換基ｉｉｉは下記Ｑ群より選ばれる置換基であり、
置換基ｉｖは、フッ素原子を置換基として有する下記Ｑ群より選ばれる置換基であり、
Ｑ群は、アルキル基、アルコキシ基、アルキル置換アリール基、アルコキシ置換アリール基、アルコキシ置換へテロアリール基、アルキル置換へテロアリール基、アルケニル基、アルキニル基、アルキルチオ基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基、（トリアルキル）シリル基及び（ジアルキル）アミノ基からなる請求項１に記載される化合物。
【請求項３】
環構造Ａ及び環構造Ｂは、独立して、ベンゼン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゼン環、置換基ｉｖを置換基として有するベンゼン環、ハロゲン置換ベンゼン環、ナフタレン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するナフタレン環、置換基ｉｖを置換基として有するナフタレン環、ハロゲン置換ナフタレン環、ベンゾ［ｂ］チオフェン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゾ［ｂ］チオフェン環、置換基ｉｖを置換基として有するベンゾ［ｂ］チオフェン環、ハロゲン置換ベンゾ［ｂ］チオフェン環、ベンゾ［ｂ］フラン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゾ［ｂ］フラン環、置換基ｉｖを置換基として有するベンゾ［ｂ］フラン環、又は、ハロゲン置換ベンゾ［ｂ］フラン環である請求項２に記載される化合物。
【請求項４】
環構造Ａ及び環構造Ｂは、独立して、ベンゼン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゼン環、置換基ｉｖを置換基として有するベンゼン環、又は、ハロゲン置換ベンゼン環である請求項２に記載される化合物。
【請求項５】
環構造Ｃが、ベンゼン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゼン環、置換基ｉｖを置換基として有するベンゼン環、ハロゲン置換ベンゼン環、チエノ［３，２−ｂ］チオフェン環、ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン環、置換基ｉｖを置換基として有するベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン環、ハロゲン置換ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン環、ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジフラン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジフラン環、置換基ｉｖを置換基として有するベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジフラン環、又は、ハロゲン置換ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジフラン環であり、
置換基ｉｉｉは下記Ｑ群より選ばれる置換基であり、
置換基ｉｖは、フッ素原子を置換基として有する下記Ｑ群より選ばれる置換基であり、
Ｑ群は、アルキル基、アルコキシ基、アルキル置換アリール基、アルコキシ置換アリール基、アルコキシ置換へテロアリール基、アルキル置換へテロアリール基、アルケニル基、アルキニル基、アルキルチオ基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基、（トリアルキル）シリル基、及び、（ジアルキル）アミノ基からなる請求項１〜４のいずれかに記載される化合物。
【請求項６】
環構造Ｃが、ベンゼン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゼン環、置換基ｉｖを置換基として有するベンゼン環、ハロゲン置換ベンゼン環、又は、チエノ［３，２−ｂ］チオフェン環である請求項１〜４のいずれかに記載される化合物。
【請求項７】
Ｗ及びＸのうちいずれか一方は、Ｎ−（Ｒ５）であり、
他方は硫黄原子、酸素原子、（Ｒ１）−Ｃ−（Ｒ２）又は（Ｒ３）−Ｓｉ−（Ｒ４）であり、
ＺはＷと同一であり、ＹはＸと同一である、請求項１〜６のいずれかに記載される化合物。
【請求項８】
Ｗ及びＸのうちいずれか一方は、Ｎ−（Ｒ５）であり、
他方は硫黄原子又は酸素原子であり、
ＺはＷと同一であり、ＹはＸと同一である、請求項１〜６のいずれかに記載される化合物。
【請求項９】
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、独立して、水素原子、炭素数１〜３０のアルキル基、炭素数１〜３０のフルオロアルキル基、フェニル基、炭素数１〜３０のアルキル基を置換基として有するフェニル基、炭素数１〜３０のフルオロアルキル基を置換基として有するフェニル基、炭素数１〜３０のアルコキシ基を置換基として有するフェニル基、炭素数１〜３０のフルオロアルコキシ基を置換基として有するフェニル基、チエニル基、炭素数１〜３０のアルキル基を置換基として有するチエニル基、又は、炭素数１〜３０のフルオロアルキル基を置換基として有するチエニル基である請求項１〜８のいずれかに記載される化合物。
【請求項１０】
Ｒ５は、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のフルオロアルキル基、フェニル基、炭素数１〜２０のアルキル基を置換基として有するフェニル基、炭素数１〜２０のフルオロアルキル基を置換基として有するフェニル基、又は、炭素数１〜２０のアルコキシ基を置換基として有するフェニル基である請求項１〜９のいずれかに記載される化合物。
【請求項１１】
環構造Ａ、環構造Ｂ及び環構造Ｃは、独立して、ベンゼン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゼン環、又はハロゲン置換ベンゼン環であり、
Ｘ及びＹは同一で、Ｎ−（Ｒ５）であり、
Ｗ及びＺは同一で、硫黄原子又は酸素原子であり、
置換基ｉｉｉは下記Ｑ群より選ばれる置換基であり、
Ｑ群は、アルキル基、アルコキシ基、アルキル置換アリール基、アルコキシ置換アリール基、アルコキシ置換へテロアリール基、アルキル置換へテロアリール基、アルケニル基、アルキニル基、アルキルチオ基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基、（トリアルキル）シリル基及び（ジアルキル）アミノ基からなる請求項１に記載される化合物。
【請求項１２】
環構造Ａ、環構造Ｂ及び環構造Ｃは、独立して、ベンゼン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゼン環、又は、ハロゲン置換ベンゼン環であり、
Ｘ及びＹは同一で、硫黄原子又は酸素原子であり、
Ｗ及びＺは同一で、Ｎ−（Ｒ５）であり、
置換基ｉｉｉは下記Ｑ群より選ばれる置換基であり、
Ｑ群は、アルキル基、アルコキシ基、アルキル置換アリール基、アルコキシ置換アリール基、アルコキシ置換へテロアリール基、アルキル置換へテロアリール基、アルケニル基、アルキニル基、アルキルチオ基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基、（トリアルキル）シリル基及び（ジアルキル）アミノ基からなる請求項１に記載される化合物。
【請求項１３】
環構造Ａ及び環構造Ｂは、独立して、ベンゼン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゼン環、又はハロゲン置換ベンゼン環であり、
環構造Ｃは、チエノ［３，２−ｂ］チオフェン環であり、
Ｘ及びＹは同一で、Ｎ−（Ｒ５）であり、
Ｗ及びＺは同一で、硫黄原子又は酸素原子である、
請求項２に記載される化合物。
【請求項１４】
環構造Ａ及び環構造Ｂは、独立して、ベンゼン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゼン環、又は、ハロゲン置換ベンゼン環であり、
環構造Ｃは、チエノ［３，２−ｂ］チオフェン環であり、
Ｘ及びＹは同一で、硫黄原子又は酸素原子であり、
Ｗ及びＺは同一で、Ｎ−（Ｒ５）である請求項２に記載される化合物。
【請求項１５】
環構造Ａ及び環構造Ｂが、独立して、ベンゼン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゼン環、又はハロゲン置換ベンゼン環であり、
環構造Ｃは、ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン環、ハロゲン置換ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン環、ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジフラン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジフラン環、又は、ハロゲン置換ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジフラン環であり、
Ｘ及びＹは同一で、Ｎ−（Ｒ５）であり、
Ｗ及びＺは同一で、硫黄原子又は酸素原子であり、
置換基ｉｉｉは下記Ｑ群より選ばれる置換基であり、
Ｑ群は、アルキル基、アルコキシ基、アルキル置換アリール基、アルコキシ置換アリール基、アルコキシ置換へテロアリール基、アルキル置換へテロアリール基、アルケニル基、アルキニル基、アルキルチオ基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基、（トリアルキル）シリル基及び（ジアルキル）アミノ基からなる
請求項１に記載される化合物。
【請求項１６】
環構造Ａ及び環構造Ｂは、独立して、ベンゼン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゼン環、又はハロゲン置換ベンゼン環であり、
環構造Ｃは、ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン環、ハロゲン置換ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン環、ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジフラン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジフラン環、又はハロゲン置換ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジフラン環であり、
Ｘ及びＹは同一で、硫黄原子又は酸素原子であり、
Ｗ及びＺは同一で、Ｎ−（Ｒ５）であり、
置換基ｉｉｉは下記Ｑ群より選ばれる置換基であり、
Ｑ群は、アルキル基、アルコキシ基、アルキル置換アリール基、アルコキシ置換アリール基、アルコキシ置換へテロアリール基、アルキル置換へテロアリール基、アルケニル基、アルキニル基、アルキルチオ基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基、（トリアルキル）シリル基及び（ジアルキル）アミノ基からなる請求項１に記載される化合物。
【請求項１７】
請求項１〜１６のいずれかに記載される化合物の製造方法であって、
式（２）又は式（３）
（式中、環構造Ａ、環構造Ｂ及び環構造Ｃは、それぞれ請求項１と同じ定義である。
Ｗ’，Ｘ’，Ｙ’及びＺ’は、独立して、硫黄原子、酸素原子、セレン原子、テルル原子、ＳＯ２、（Ｒ１）−Ｃ−（Ｒ２）、（Ｒ３）−Ｓｉ−（Ｒ４）、又はＮ−（Ｒ５）を表し、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、それぞれ請求項１と同じ定義である。
Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８及びＲ９は、独立して、ハロゲン原子を表す。）
で表されるテトラハロゲン化合物と、
Ｒ５−ＮＨ２
（式中、Ｒ５は、請求項１と同じ定義である。）
と、の反応を行う工程を含む製造方法。
【請求項１８】
Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８及びＲ９は、独立して、臭素原子又はヨウ素原子である請求項１７に記載される製造方法。
【請求項１９】
Ｘ’，Ｙ’，Ｗ’及びＺ’は、独立して、硫黄原子又は酸素原子である請求項１７又は１８に記載される製造方法。
【請求項２０】
Ｒ５は、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のフルオロアルキル基、フェニル基、炭素数１〜２０のアルキル基を置換基として有するフェニル基、炭素数１〜２０のフルオロアルキル基を置換基として有するフェニル基、又は、炭素数１〜２０のアルコキシ基を置換基として有するフェニル基である請求項１７〜１９のいずれかに記載される製造方法。
【請求項２１】
式（２）
（式中、環構造Ａ及び環構造Ｂは、それぞれ請求項１と同じ定義である。
環構造Ｃは、チエノ［３，２−ｂ］チオフェン環であり、
Ｗ’及びＺ’は、独立して硫黄原子又は酸素原子である。
Ｒ６及びＲ７は、独立して、ハロゲン原子を表す。）
で表されるテトラハロゲン化合物。
【請求項２２】
環構造Ａ及び環構造Ｂは、独立して、ベンゼン環、ナフタレン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、フラン環、又は、ベンゾフラン環である請求項２１に記載されるテトラハロゲン化合物。
【請求項２３】
式（３）
（式中、環構造Ａ及び環構造Ｂは、それぞれ請求項１と同じ定義である。
環構造Ｃは、チエノ［３，２−ｂ］チオフェン環、フロ［３，２−ｂ］フラン環、置換基を有していてもよいベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン環、又は、置換基を有していてもよいベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジフラン環であり、
Ｘ’及びＹ’は、独立して、硫黄原子又は酸素原子である。
Ｒ８及びＲ９は、独立して、ハロゲン原子を表す。）
で表されるテトラハロゲン化合物。
【請求項２４】
環構造Ａ及び環構造Ｂは、独立して、ベンゼン環、ナフタレン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、フラン環、又は、ベンゾフラン環である請求項２３に記載されるテトラハロゲン化合物。
【請求項２５】
式（４）
（式中、環構造Ａ，環構造Ｂ，環構造Ｃ、Ｗ’及びＺ’は、それぞれ請求項１７と同じ定義である。
Ｒ１０及びＲ１１は、独立して、水素原子又はハロゲン原子を表し、
Ｒ１０及びＲ１１のうち少なくとも１つは、水素原子である。）
で表される化合物と、
ハロゲン化剤と、の反応を行う工程を含む
式（２）
（式中、Ｗ’、Ｚ’、Ｒ６およびＲ７は、それぞれ請求項１７と同じ定義である。）
で表されるテトラハロゲン化合物の製造方法。
【請求項２６】
Ｒ１０及びＲ１１は、独立して水素原子、臭素原子、又はヨウ素原子を表し、
Ｒ１０及びＲ１１のうち少なくとも１つは水素原子である請求項２５に記載される製造方法。
【請求項２７】
Ｗ’及びＺ’は、独立して、硫黄原子又は酸素原子である請求項２５又は２６に記載される製造方法。
【請求項２８】
式（５）
（式中、環構造Ａ，環構造Ｂ，環構造Ｃ、Ｘ’及びＹ’は、それぞれ請求項１７と同じ定義である。
Ｒ１２及びＲ１３は、独立して、水素原子又はハロゲン原子を表し、
Ｒ１２及びＲ１３のうち少なくとも１つは、水素原子である。）
で表される化合物と、ハロゲン化剤と、の反応を行う工程を含む
式（３）
（式中、Ｘ’、Ｙ’、Ｒ８及びＲ９は、それぞれ請求項１７と同じ定義である。）
で表されるテトラハロゲン化合物の製造方法。
【請求項２９】
Ｒ１２及びＲ１３は、独立して、水素原子、臭素原子、又はヨウ素原子を表し、
Ｒ１２及びＲ１３のうち少なくとも１つは水素原子である請求項２８に記載される製造方法。
【請求項３０】
Ｘ’及びＹ’は、独立して、硫黄原子又は酸素原子である請求項２８又は２９に記載される製造方法。
【請求項３１】
請求項１〜１６のいずれかに記載される化合物を含む有機半導体デバイス。
【請求項３２】
請求項１〜１６のいずれかに記載される化合物を含有する導電性薄膜。
【請求項３３】
請求項１〜１６のいずれかに記載される化合物を含有する発光性薄膜。
【請求項３４】
請求項１〜１６のいずれかに記載される化合物を含有する有機半導体薄膜。
【請求項３５】
キャリア移動度が１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上である請求項３４に記載される有機半導体薄膜。
【請求項３６】
請求項３４又は３５に記載される有機半導体薄膜を有する有機トランジスタ。
【請求項３７】
請求項３３に記載される発光性薄膜を有する発光素子。
【請求項１】
式（１）
（式中、環構造Ａ及び環構造Ｂは、独立して、置換基を有していていもよい芳香族環又は置換基を有していていもよい複素環を表し；
環構造Ｃは、置換基を有していていもよいベンゼン環、ヘテロ［３，２−ｂ］ヘテロール環、又は置換基を有していていもよいベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジヘテロール環を表し、
Ｗ，Ｘ，Ｙ及びＺは、独立して、硫黄原子、酸素原子、セレン原子、テルル原子、ＳＯ２、（Ｒ１）−Ｃ−（Ｒ２）、（Ｒ３）−Ｓｉ−（Ｒ４）、又はＮ−（Ｒ５）を表し、Ｗ，Ｘ，Ｙ及びＺのうち少なくともいずれか１つは、Ｎ−（Ｒ５）であり、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、独立して、水素原子、置換基ｉ、置換基ｉｉ、ハロゲン原子を置換基として有していてもよいアリール基、又はハロゲン原子を置換基として有していてもよいヘテロアリール基を表し、置換基ｉは下記群Ｐより選択される基であり、置換基ｉｉは置換基を有する下記群Ｐより選択される基であり、群Ｐは、アルキル基、アルコキシ基、アルキル置換アリール基、アルコキシ置換アリール基およびアルキル置換ヘテロアリール基からなる。）
で表される化合物。
【請求項２】
環構造Ａ及び環構造Ｂが、独立して、芳香族環、複素環、置換基ｉｉｉを置換基として有する芳香族環、置換基ｉｖを置換基として有する芳香族環、置換基ｉｉｉを置換基として有する複素環、置換基ｉｖを置換基として有する複素環、ハロゲン置換芳香族環、又は、ハロゲン置換複素環であり、
置換基ｉｉｉは下記Ｑ群より選ばれる置換基であり、
置換基ｉｖは、フッ素原子を置換基として有する下記Ｑ群より選ばれる置換基であり、
Ｑ群は、アルキル基、アルコキシ基、アルキル置換アリール基、アルコキシ置換アリール基、アルコキシ置換へテロアリール基、アルキル置換へテロアリール基、アルケニル基、アルキニル基、アルキルチオ基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基、（トリアルキル）シリル基及び（ジアルキル）アミノ基からなる請求項１に記載される化合物。
【請求項３】
環構造Ａ及び環構造Ｂは、独立して、ベンゼン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゼン環、置換基ｉｖを置換基として有するベンゼン環、ハロゲン置換ベンゼン環、ナフタレン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するナフタレン環、置換基ｉｖを置換基として有するナフタレン環、ハロゲン置換ナフタレン環、ベンゾ［ｂ］チオフェン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゾ［ｂ］チオフェン環、置換基ｉｖを置換基として有するベンゾ［ｂ］チオフェン環、ハロゲン置換ベンゾ［ｂ］チオフェン環、ベンゾ［ｂ］フラン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゾ［ｂ］フラン環、置換基ｉｖを置換基として有するベンゾ［ｂ］フラン環、又は、ハロゲン置換ベンゾ［ｂ］フラン環である請求項２に記載される化合物。
【請求項４】
環構造Ａ及び環構造Ｂは、独立して、ベンゼン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゼン環、置換基ｉｖを置換基として有するベンゼン環、又は、ハロゲン置換ベンゼン環である請求項２に記載される化合物。
【請求項５】
環構造Ｃが、ベンゼン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゼン環、置換基ｉｖを置換基として有するベンゼン環、ハロゲン置換ベンゼン環、チエノ［３，２−ｂ］チオフェン環、ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン環、置換基ｉｖを置換基として有するベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン環、ハロゲン置換ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン環、ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジフラン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジフラン環、置換基ｉｖを置換基として有するベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジフラン環、又は、ハロゲン置換ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジフラン環であり、
置換基ｉｉｉは下記Ｑ群より選ばれる置換基であり、
置換基ｉｖは、フッ素原子を置換基として有する下記Ｑ群より選ばれる置換基であり、
Ｑ群は、アルキル基、アルコキシ基、アルキル置換アリール基、アルコキシ置換アリール基、アルコキシ置換へテロアリール基、アルキル置換へテロアリール基、アルケニル基、アルキニル基、アルキルチオ基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基、（トリアルキル）シリル基、及び、（ジアルキル）アミノ基からなる請求項１〜４のいずれかに記載される化合物。
【請求項６】
環構造Ｃが、ベンゼン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゼン環、置換基ｉｖを置換基として有するベンゼン環、ハロゲン置換ベンゼン環、又は、チエノ［３，２−ｂ］チオフェン環である請求項１〜４のいずれかに記載される化合物。
【請求項７】
Ｗ及びＸのうちいずれか一方は、Ｎ−（Ｒ５）であり、
他方は硫黄原子、酸素原子、（Ｒ１）−Ｃ−（Ｒ２）又は（Ｒ３）−Ｓｉ−（Ｒ４）であり、
ＺはＷと同一であり、ＹはＸと同一である、請求項１〜６のいずれかに記載される化合物。
【請求項８】
Ｗ及びＸのうちいずれか一方は、Ｎ−（Ｒ５）であり、
他方は硫黄原子又は酸素原子であり、
ＺはＷと同一であり、ＹはＸと同一である、請求項１〜６のいずれかに記載される化合物。
【請求項９】
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、独立して、水素原子、炭素数１〜３０のアルキル基、炭素数１〜３０のフルオロアルキル基、フェニル基、炭素数１〜３０のアルキル基を置換基として有するフェニル基、炭素数１〜３０のフルオロアルキル基を置換基として有するフェニル基、炭素数１〜３０のアルコキシ基を置換基として有するフェニル基、炭素数１〜３０のフルオロアルコキシ基を置換基として有するフェニル基、チエニル基、炭素数１〜３０のアルキル基を置換基として有するチエニル基、又は、炭素数１〜３０のフルオロアルキル基を置換基として有するチエニル基である請求項１〜８のいずれかに記載される化合物。
【請求項１０】
Ｒ５は、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のフルオロアルキル基、フェニル基、炭素数１〜２０のアルキル基を置換基として有するフェニル基、炭素数１〜２０のフルオロアルキル基を置換基として有するフェニル基、又は、炭素数１〜２０のアルコキシ基を置換基として有するフェニル基である請求項１〜９のいずれかに記載される化合物。
【請求項１１】
環構造Ａ、環構造Ｂ及び環構造Ｃは、独立して、ベンゼン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゼン環、又はハロゲン置換ベンゼン環であり、
Ｘ及びＹは同一で、Ｎ−（Ｒ５）であり、
Ｗ及びＺは同一で、硫黄原子又は酸素原子であり、
置換基ｉｉｉは下記Ｑ群より選ばれる置換基であり、
Ｑ群は、アルキル基、アルコキシ基、アルキル置換アリール基、アルコキシ置換アリール基、アルコキシ置換へテロアリール基、アルキル置換へテロアリール基、アルケニル基、アルキニル基、アルキルチオ基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基、（トリアルキル）シリル基及び（ジアルキル）アミノ基からなる請求項１に記載される化合物。
【請求項１２】
環構造Ａ、環構造Ｂ及び環構造Ｃは、独立して、ベンゼン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゼン環、又は、ハロゲン置換ベンゼン環であり、
Ｘ及びＹは同一で、硫黄原子又は酸素原子であり、
Ｗ及びＺは同一で、Ｎ−（Ｒ５）であり、
置換基ｉｉｉは下記Ｑ群より選ばれる置換基であり、
Ｑ群は、アルキル基、アルコキシ基、アルキル置換アリール基、アルコキシ置換アリール基、アルコキシ置換へテロアリール基、アルキル置換へテロアリール基、アルケニル基、アルキニル基、アルキルチオ基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基、（トリアルキル）シリル基及び（ジアルキル）アミノ基からなる請求項１に記載される化合物。
【請求項１３】
環構造Ａ及び環構造Ｂは、独立して、ベンゼン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゼン環、又はハロゲン置換ベンゼン環であり、
環構造Ｃは、チエノ［３，２−ｂ］チオフェン環であり、
Ｘ及びＹは同一で、Ｎ−（Ｒ５）であり、
Ｗ及びＺは同一で、硫黄原子又は酸素原子である、
請求項２に記載される化合物。
【請求項１４】
環構造Ａ及び環構造Ｂは、独立して、ベンゼン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゼン環、又は、ハロゲン置換ベンゼン環であり、
環構造Ｃは、チエノ［３，２−ｂ］チオフェン環であり、
Ｘ及びＹは同一で、硫黄原子又は酸素原子であり、
Ｗ及びＺは同一で、Ｎ−（Ｒ５）である請求項２に記載される化合物。
【請求項１５】
環構造Ａ及び環構造Ｂが、独立して、ベンゼン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゼン環、又はハロゲン置換ベンゼン環であり、
環構造Ｃは、ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン環、ハロゲン置換ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン環、ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジフラン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジフラン環、又は、ハロゲン置換ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジフラン環であり、
Ｘ及びＹは同一で、Ｎ−（Ｒ５）であり、
Ｗ及びＺは同一で、硫黄原子又は酸素原子であり、
置換基ｉｉｉは下記Ｑ群より選ばれる置換基であり、
Ｑ群は、アルキル基、アルコキシ基、アルキル置換アリール基、アルコキシ置換アリール基、アルコキシ置換へテロアリール基、アルキル置換へテロアリール基、アルケニル基、アルキニル基、アルキルチオ基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基、（トリアルキル）シリル基及び（ジアルキル）アミノ基からなる
請求項１に記載される化合物。
【請求項１６】
環構造Ａ及び環構造Ｂは、独立して、ベンゼン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゼン環、又はハロゲン置換ベンゼン環であり、
環構造Ｃは、ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン環、ハロゲン置換ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン環、ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジフラン環、置換基ｉｉｉを置換基として有するベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジフラン環、又はハロゲン置換ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジフラン環であり、
Ｘ及びＹは同一で、硫黄原子又は酸素原子であり、
Ｗ及びＺは同一で、Ｎ−（Ｒ５）であり、
置換基ｉｉｉは下記Ｑ群より選ばれる置換基であり、
Ｑ群は、アルキル基、アルコキシ基、アルキル置換アリール基、アルコキシ置換アリール基、アルコキシ置換へテロアリール基、アルキル置換へテロアリール基、アルケニル基、アルキニル基、アルキルチオ基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基、（トリアルキル）シリル基及び（ジアルキル）アミノ基からなる請求項１に記載される化合物。
【請求項１７】
請求項１〜１６のいずれかに記載される化合物の製造方法であって、
式（２）又は式（３）
（式中、環構造Ａ、環構造Ｂ及び環構造Ｃは、それぞれ請求項１と同じ定義である。
Ｗ’，Ｘ’，Ｙ’及びＺ’は、独立して、硫黄原子、酸素原子、セレン原子、テルル原子、ＳＯ２、（Ｒ１）−Ｃ−（Ｒ２）、（Ｒ３）−Ｓｉ−（Ｒ４）、又はＮ−（Ｒ５）を表し、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、それぞれ請求項１と同じ定義である。
Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８及びＲ９は、独立して、ハロゲン原子を表す。）
で表されるテトラハロゲン化合物と、
Ｒ５−ＮＨ２
（式中、Ｒ５は、請求項１と同じ定義である。）
と、の反応を行う工程を含む製造方法。
【請求項１８】
Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８及びＲ９は、独立して、臭素原子又はヨウ素原子である請求項１７に記載される製造方法。
【請求項１９】
Ｘ’，Ｙ’，Ｗ’及びＺ’は、独立して、硫黄原子又は酸素原子である請求項１７又は１８に記載される製造方法。
【請求項２０】
Ｒ５は、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のフルオロアルキル基、フェニル基、炭素数１〜２０のアルキル基を置換基として有するフェニル基、炭素数１〜２０のフルオロアルキル基を置換基として有するフェニル基、又は、炭素数１〜２０のアルコキシ基を置換基として有するフェニル基である請求項１７〜１９のいずれかに記載される製造方法。
【請求項２１】
式（２）
（式中、環構造Ａ及び環構造Ｂは、それぞれ請求項１と同じ定義である。
環構造Ｃは、チエノ［３，２−ｂ］チオフェン環であり、
Ｗ’及びＺ’は、独立して硫黄原子又は酸素原子である。
Ｒ６及びＲ７は、独立して、ハロゲン原子を表す。）
で表されるテトラハロゲン化合物。
【請求項２２】
環構造Ａ及び環構造Ｂは、独立して、ベンゼン環、ナフタレン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、フラン環、又は、ベンゾフラン環である請求項２１に記載されるテトラハロゲン化合物。
【請求項２３】
式（３）
（式中、環構造Ａ及び環構造Ｂは、それぞれ請求項１と同じ定義である。
環構造Ｃは、チエノ［３，２−ｂ］チオフェン環、フロ［３，２−ｂ］フラン環、置換基を有していてもよいベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン環、又は、置換基を有していてもよいベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジフラン環であり、
Ｘ’及びＹ’は、独立して、硫黄原子又は酸素原子である。
Ｒ８及びＲ９は、独立して、ハロゲン原子を表す。）
で表されるテトラハロゲン化合物。
【請求項２４】
環構造Ａ及び環構造Ｂは、独立して、ベンゼン環、ナフタレン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、フラン環、又は、ベンゾフラン環である請求項２３に記載されるテトラハロゲン化合物。
【請求項２５】
式（４）
（式中、環構造Ａ，環構造Ｂ，環構造Ｃ、Ｗ’及びＺ’は、それぞれ請求項１７と同じ定義である。
Ｒ１０及びＲ１１は、独立して、水素原子又はハロゲン原子を表し、
Ｒ１０及びＲ１１のうち少なくとも１つは、水素原子である。）
で表される化合物と、
ハロゲン化剤と、の反応を行う工程を含む
式（２）
（式中、Ｗ’、Ｚ’、Ｒ６およびＲ７は、それぞれ請求項１７と同じ定義である。）
で表されるテトラハロゲン化合物の製造方法。
【請求項２６】
Ｒ１０及びＲ１１は、独立して水素原子、臭素原子、又はヨウ素原子を表し、
Ｒ１０及びＲ１１のうち少なくとも１つは水素原子である請求項２５に記載される製造方法。
【請求項２７】
Ｗ’及びＺ’は、独立して、硫黄原子又は酸素原子である請求項２５又は２６に記載される製造方法。
【請求項２８】
式（５）
（式中、環構造Ａ，環構造Ｂ，環構造Ｃ、Ｘ’及びＹ’は、それぞれ請求項１７と同じ定義である。
Ｒ１２及びＲ１３は、独立して、水素原子又はハロゲン原子を表し、
Ｒ１２及びＲ１３のうち少なくとも１つは、水素原子である。）
で表される化合物と、ハロゲン化剤と、の反応を行う工程を含む
式（３）
（式中、Ｘ’、Ｙ’、Ｒ８及びＲ９は、それぞれ請求項１７と同じ定義である。）
で表されるテトラハロゲン化合物の製造方法。
【請求項２９】
Ｒ１２及びＲ１３は、独立して、水素原子、臭素原子、又はヨウ素原子を表し、
Ｒ１２及びＲ１３のうち少なくとも１つは水素原子である請求項２８に記載される製造方法。
【請求項３０】
Ｘ’及びＹ’は、独立して、硫黄原子又は酸素原子である請求項２８又は２９に記載される製造方法。
【請求項３１】
請求項１〜１６のいずれかに記載される化合物を含む有機半導体デバイス。
【請求項３２】
請求項１〜１６のいずれかに記載される化合物を含有する導電性薄膜。
【請求項３３】
請求項１〜１６のいずれかに記載される化合物を含有する発光性薄膜。
【請求項３４】
請求項１〜１６のいずれかに記載される化合物を含有する有機半導体薄膜。
【請求項３５】
キャリア移動度が１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上である請求項３４に記載される有機半導体薄膜。
【請求項３６】
請求項３４又は３５に記載される有機半導体薄膜を有する有機トランジスタ。
【請求項３７】
請求項３３に記載される発光性薄膜を有する発光素子。
【図１】
【図２】
【図２】
【公開番号】特開２０１０−８３８８４（Ｐ２０１０−８３８８４Ａ）
【公開日】平成２２年４月１５日（２０１０．４．１５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−２０５６８８（Ｐ２００９−２０５６８８）
【出願日】平成２１年９月７日（２００９．９．７）
【出願人】（０００００２０９３）住友化学株式会社 (8,981)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年４月１５日（２０１０．４．１５）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年９月７日（２００９．９．７）
【出願人】（０００００２０９３）住友化学株式会社 (8,981)
【Ｆターム（参考）】
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