【課題】本発明は、製造時におけるソース電極およびドレイン電極の劣化を好適に防止することができ、優れたスイッチング機能を有する有機半導体素子およびその製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】基材と、上記基材上に形成されたゲート電極と、上記ゲート電極を覆うように形成されたゲート絶縁層と、上記ゲート絶縁層上に形成され、銀を主成分とする金属材料を含むソース電極およびドレイン電極と、上記ソース電極および上記ドレイン電極上に形成され、酸素に対する遮蔽性を有する電極保護層と、少なくとも上記ソース電極および上記ドレイン電極の間のチャネル領域に形成可能なパターン形状を有し、有機半導体材料を含む有機半導体層と、上記有機半導体層上のみに形成され、真空紫外光に対する遮光性を有する遮光材料を含むＶＵＶ遮蔽層とを有することを特徴とする有機半導体素子を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた、高信頼性で且つ低コストで製造できる薄膜トランジスタアレイ基板、その製造方法、表示装置を提供する。
【解決手段】
薄膜トランジスタアレイ基板は、基板と、前記基板上に形成された第１の水素拡散防止膜と、前記第１の水素拡散防止膜上に形成された、酸化物半導体層を有する複数の薄膜トランジスタと、を備え、前記第１の酸化物拡散防止膜が前記薄膜トランジスタの前記酸化物半導体層とほぼ同一の組成からなる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化する。
【解決手段】酸化物半導体膜を含むトランジスタの作製工程において、少なくとも酸化物半導体膜中に希ガスイオンを注入する注入工程を行い、減圧下、窒素雰囲気下、又は希ガス雰囲気下において、希ガスイオンを注入した酸化物半導体膜に加熱工程を行って希ガスイオンを注入した酸化物半導体膜中に含まれる水素若しくは水を放出させ、酸化物半導体膜を高純度化する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化する。
【解決手段】酸化物半導体層を含むトランジスタの作製工程において、酸化シリコン膜上に、酸化物半導体が結晶状態における化学量論的組成比に対し、酸素の含有量が過剰な領域が含まれている非晶質酸化物半導体層を形成し、該非晶質酸化物半導体層上に酸化アルミニウム膜を形成した後、加熱処理を行い該非晶質酸化物半導体層の少なくとも一部を結晶化させて、表面に概略垂直なｃ軸を有している結晶を含む酸化物半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜を含むトランジスタの作製工程において、酸化物半導体膜に酸素ドープ処理を行い、その後、酸化物半導体膜及び酸化物半導体膜上に設けられた酸化アルミニウム膜に対して熱処理を行うことで、化学量論的組成比を超える酸素を含む領域を有する酸化物半導体膜を形成する。該酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、バイアス−熱ストレス試験（ＢＴ試験）前後においてもトランジスタのしきい値電圧の変化量が低減されており、信頼性の高いトランジスタとすることができる。 （もっと読む）

【課題】電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い、新たな構造の半導体装置の提供。
【解決手段】酸化物半導体材料を用いたトランジスタ１６２と、酸化物半導体以外の半導体材料を用いたトランジスタ１６０を組み合わせて用いることにより、書き込み回数にも制限が無く、長期間にわたる情報の保持ができる、新たな構造の半導体装置を実現することができる。さらに、酸化物半導体以外の半導体材料を用いたトランジスタと酸化物半導体材料を用いたトランジスタとを接続する接続電極１３０ｂを、当該接続電極と接続する酸化物半導体以外の半導体材料を用いたトランジスタの電極１２９より小さくすることにより、新たな構造の半導体装置の高集積化を図り、単位面積あたりの記憶容量を増加させることができる。 （もっと読む）

【課題】駆動時の発熱温度を低下させる。
【解決手段】基板１２の熱伝導率をＮ_ｓｕｂ（Ｗ／ｍＫ）とし、熱拡散層１４の熱伝導率をＮ_ｋａｋｕ（Ｗ／ｍＫ）とし、熱拡散層１４の膜厚をＴ（ｍｍ）とし、熱拡散層１４の平面開口率をＲ（０≦Ｒ≦１）とし、Ｓ＝Ｔ×Ｒとしたとき、例えば、基板１２の熱伝導率Ｎ_ｓｕｂが、Ｎ_ｓｕｂ＜１．８の条件を満たし、熱拡散層１４の熱伝導率Ｎ_ｋａｋｕが、Ｎ_ｋａｋｕ＞３．０×Ｓ^(−０．９７×ｅ^(−１．２×Ｎ_ｓｕｂ））且つＮ_ｋａｋｕ≧Ｎ_ｓｕｂの条件を満たす。 （もっと読む）

【課題】しきい値電圧変動が少なく信頼性の高い半導体装置の作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】酸化物半導体層に接して、加熱により酸素の放出が可能な絶縁膜を形成し、ゲート電極又はゲート電極と重なる領域に形成された金属層に光照射を行うことで、ゲート電極と重なる領域の酸化物半導体層中に酸素を添加する。これによりゲート電極と重なる領域の酸化物半導体層中に存在する酸素欠損や界面準位を低減することで、課題を達成できる。 （もっと読む）

【課題】低コストで、後工程にて形成される上層の塗布性に優れ、かつ高信頼性を示す電界効果型トランジスタなどの提供。
【解決手段】絶縁性基板と、前記絶縁性基板上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極上に形成されたゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、前記ゲート絶縁層上に形成され、かつ、少なくとも前記ソース電極及び前記ドレイン電極との間に形成された酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層を被覆するように形成された保護層とを有し、前記保護層が、フッ素樹脂を含有し、前記保護層形成後の前記保護層の水に対する接触角が、７５°以上９０°以下である電界効果型トランジスタである。 （もっと読む）

【課題】ＩＰＳにおける従来の技術は、工程数が多く、開口率が低いので、実用化できな
い。また、液晶層に最も近接している層に存在する配線及び電極が多く、画素表示部にお
ける個々の液晶にかかる電界が不均一であった。
【解決手段】本発明は、ゲイト線１０２、１０５とコモン線１０３、１０４を最初に同時
に形成し、層間膜形成後、画素電極１０８とコモン電極１１０、１１１とソ─ス線１０６
、１０７を同時に形成する。こうすることによって、電極パタ─ンを単純化でき、工程を
簡略化した。また、液晶層に最も近接している層に存在する配線及び電極を画素電極とコ
モン電極とソ─ス線とし、その形状を単純なものにした。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ特性が良好で表示品質や回路配線の層間絶縁性を確保できるＴＦＴアレー基板の製造方法等を提供する。
【解決手段】基材１上への酸化物半導体膜３のパターン形成工程、酸化物半導体膜へのソース電極接続領域３ｓ及びドレイン電極接続領域３ｄの形成工程、酸化物半導体膜を覆うゲート絶縁膜４の形成工程、ゲート絶縁膜にコンタクトホールを開けてソース電極６ｓ及びドレイン電極６ｄをソース電極接続領域及びドレイン電極接続領域に接続するとともに酸化物半導体膜上にゲート絶縁膜を介してゲート電極７を形成し、第１回路配線群１７を形成する工程、ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極及び第１回路配線群上に層間絶縁膜１８を形成する工程、層間絶縁膜上に第２回路配線群１９を形成する工程を有し、ゲート絶縁膜４の厚さを１００ｎｍ〜５００ｎｍの範囲とし、層間絶縁膜１８の厚さを１μｍ以上且つゲート絶縁膜４の２倍〜１０倍の厚さとする。 （もっと読む）

【課題】高温処理プロセスを適用することなく、酸化物半導体膜を効率的に製造できる薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】
基板１上にゲート電極２を所定のパターンで形成する工程と、ゲート電極２を覆うゲート絶縁膜３を所定のパターンで形成する工程と、ゲート絶縁膜３上にアモルファス酸化物膜４’を所定のパターンで形成する工程と、アモルファス酸化物膜４’上にソース電極６Ｓ及びドレイン電極６Ｄを所定のパターンで形成する工程と、ソース・ドレイン電極６Ｓ，６Ｄ間で露出するアモルファス酸化物膜４’を少なくとも覆う保護膜７を形成する工程とを有する。このアモルファス酸化物膜４’の形成工程では、ＲＦスパッタリング法でアモルファス酸化物膜４’を成膜し、保護膜７の形成工程では、ＲＦスパッタリング法で保護膜７を成膜して、アモルファス酸化物膜４’を半導体化する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、電子輸送性に優れる有機ｎ型半導体として利用可能な化合物を提供することにある。本発明の目的はまた、係る化合物を含む有機薄膜、及びこの有機薄膜を備える有機薄膜素子を提供することにある。
【解決手段】かご状化合物又は脂肪族炭化水素化合物から誘導される４価以上の基であるコア部と、該コア部に結合した４以上の側鎖基と、を備え、側鎖基のうち２以上がアクセプター性の基を有する、化合物。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ領域におけるゲート間距離などのレイアウトに依存することなく、半導体層のチャネル領域に有効に応力を作用させることができる半導体装置を実現する。
【解決手段】ＭＯＳトランジスタを備える半導体装置の構成として、素子分離層４で素子分離されたトランジスタ領域を有する半導体層３と、トランジスタ領域で半導体層３の第１の面上にゲート絶縁膜５を介して形成されたゲート電極６と、トランジスタ領域で半導体層３の第１の面と反対側の第２の面上に形成された応力膜３１とを備え、応力膜３１は、シリサイド膜を用いて形成されている。
【選択図】図１３
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【課題】アクティブマトリクス型基板において、薄膜トランジスタと、その端子接続部を
同時に作り込み、少ないマスク数で歩留まりの良い表示装置を提供する。
【解決手段】画素部および外部入力端子を有する表示装置であって、画素部は、ゲート電
極と、半導体膜と、ゲート電極上に形成された絶縁膜、および絶縁膜上に半導体膜と電気
的に接続された電極を有するＴＦＴを有し、外部入力端子は、ゲート電極と同じ層に形成
された第１の配線と、電極と同じ層に形成され、絶縁膜に形成されたコンタクトホールを
介し第１の配線と接続された第２の配線と、第２の配線に接続され、第２の配線上に形成
された透明導電膜と、第２の配線と透明導電膜が接続している位置で透明導電膜と電気的
に接続するフレキシブルプリント配線板を有する表示装置。 （もっと読む）

【課題】安定した特性を有するセルフアライン構造の薄膜トランジスタを備えた表示装置、およびこの表示装置を備えた電子機器を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ１の第１酸化物半導体膜２０のソース領域２０Ｓおよびドレイン領域２０Ｄの上面から深さ方向における少なくとも一部に、チャネル領域２０Ａよりも酸素濃度が低い第１低抵抗領域２１を設ける。基板１１の薄膜トランジスタ１が設けられた領域以外の領域に第２酸化物半導体膜８０を設け、上面から深さ方向における少なくとも一部に、チャネル領域２０Ａよりも酸素濃度が低い第２低抵抗領域８１を設ける。薄膜トランジスタ１，第２酸化物半導体膜８０および基板１１を高抵抗膜５０で覆い、この高抵抗膜５０のうち、第１低抵抗領域２１に接する領域に第１透光領域５１を設け、第２低抵抗領域８１に接する領域に第２透光領域５２を設ける。 （もっと読む）

【課題】側壁スペーサを形成することなく、且つ、工程数を増やすことなく、自己整合的にＬＤＤ領域を少なくとも一つ備えたＴＦＴを提供する。また、同一基板上に、工程数を増やすことなく、様々なＴＦＴ、例えば、チャネル形成領域の片側にＬＤＤ領域を有するＴＦＴと、チャネル形成領域の両側にＬＤＤ領域を有するＴＦＴとを形成する作製方法を提供する。
【解決手段】回折格子パターン或いは半透膜からなる光強度低減機能を有する補助パターンを設置したフォトマスクまたはレチクルをゲート電極形成用のフォトリソグラフィ工程に適用して膜厚の厚い領域と、該領域より膜厚の薄い領域を片側側部に有する非対称のレジストパターンを形成し、段差を有するゲート電極を形成し、ゲート電極の膜厚の薄い領域を通過させて前記半導体層に不純物元素を注入して、自己整合的にＬＤＤ領域を形成する。 （もっと読む）

【課題】被剥離層に損傷を与えない剥離方法を提供し、小さな面積を有する被剥離層の剥離だけでなく、大きな面積を有する被剥離層を全面に渡って剥離することを可能とする。
【解決手段】基板上に金属層を形成する工程と、前記金属層上に酸化物層を形成する工程と、前記酸化物層上に絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層上に薄膜トランジスタを形成する工程と、前記薄膜トランジスタ上に発光素子を形成する工程と、人間の手又は前記薄膜トランジスタを引き剥がす装置を用いることにより、前記酸化物層の層内または界面において前記基板から前記薄膜トランジスタを剥離する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 層間絶縁膜を挟んでゲート電極と容量電極が対向してできる容量の占有面積を小さくする。
【解決手段】 チャネル領域上の層間絶縁膜が周囲よりも膜厚が薄く、その部分で容量電極がゲート電極と対向して容量を形成している半導体装置。 （もっと読む）

【課題】製造歩留まりの高いアレイ基板及び液晶表示装置を提供する。
【解決手段】アレイ基板は、複数の補助容量電極と、複数の半導体層１５と、複数のゲート電極２０を含んだ複数の走査線１９と、複数の補助容量線と、複数のコンタクトホールを有した層間絶縁膜と、複数のコンタクトホールを通って複数の半導体層のソース領域に電気的に接続された複数の信号線と、複数の画素電極と、を備えている。走査線１９が延在した方向に互いに隣合う一方の画素電極が接続された補助容量電極と、他方の画素電極が接続された補助容量電極とは、走査線を挟んで位置している。薄膜トランジスタのチャネル面積ＣＳは、２４μｍ^２以上である。 （もっと読む）