【課題】回路を構成するトランジスタ数を少なくし、且つレベルシフタを配置することな
くシフトレジスタとして正確に動作を行う半導体回路の提供することを課題とする。
【解決手段】第１端子が高電位電源に接続されたｐチャネル型トランジスタと、第１端子
が低電位電源に接続されたｎチャネル型トランジスタと、を含む回路群と、インバータ回
路と、をｍ段（ｍは任意の正の整数であり、ｍ≧３）有し、第２ｎ−１段目（ｎは任意の
整数であり、ｍ≧２ｎ≧２）の回路群の前記ｎチャネル型トランジスタのゲートにはクロ
ック信号が入力され、第２ｎ段目（ｎは任意の整数であり、ｍ≧２ｎ≧２）の回路群の前
記ｎチャネル型トランジスタのゲートには反転クロック信号が入力される。 （もっと読む）

【課題】電力の供給が停止した後もデータを保持することができる、新たな構成の記憶素子を提供することを目的の一とする。
【解決手段】記憶素子は、ラッチ回路と、第１の選択回路と、第２の選択回路と、第１の不揮発性記憶回路と、第２の不揮発性記憶回路と、を有する。また、第１の不揮発性記憶回路及び第２の不揮発性記憶回路は、それぞれトランジスタ及び容量素子を有する。第１及び第２の不揮発性記憶回路のそれぞれが有するトランジスタは、チャネルが酸化物半導体膜に形成されるトランジスタである。当該トランジスタは、オフ電流が極めて低いため、トランジスタと容量素子の接続点であるノードにデータが入力された後、トランジスタがオフ状態となり、電源電圧の供給が停止しても、長期間にわたりデータを保持することができる。 （もっと読む）

【課題】新たな構成の不揮発性の記憶回路を提供する。
【解決手段】第１の記憶回路と、第２の記憶回路と、第１のスイッチと、第２のスイッチと、位相反転回路と、を有し、第１の記憶回路は、酸化物半導体膜により形成された第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、容量素子と、を有する。酸化物半導体膜により形成された第１のトランジスタと、容量素子と、を用い不揮発性の記憶回路を構成する。また、記憶回路に接続する電源線、及び信号線を少なくし、当該記憶回路に用いるトランジスタ数を減少させることで、回路規模の小さい不揮発性の記憶回路を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】動作速度の低下を抑制しつつ、消費電力を低減する。
【解決手段】第１の半導体領域の上に絶縁領域を有し、且つ絶縁領域の上に第２の半導体領域を有する基板に設けられた第１の電界効果トランジスタと、基板の上に設けられた絶縁層と、絶縁層の一平面に設けられ、酸化物半導体層を含む第２の電界効果トランジスタと、第２の電界効果トランジスタのソース及びドレインと同一工程により形成され、第１の電界効果トランジスタの閾値電圧を制御するための電圧が供給される制御端子と、を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路における消費電力を低減すること。また、半導体集積回路における動作の遅延を低減すること。
【解決手段】記憶回路が有する複数の順序回路のそれぞれにおいて、酸化物半導体によってチャネル形成領域が構成されるトランジスタと、該トランジスタがオフ状態となることによって一方の電極が電気的に接続されたノードが浮遊状態となる容量素子とを設ける。なお、酸化物半導体によってトランジスタのチャネル形成領域が構成されることで、オフ電流（リーク電流）が極めて低いトランジスタを実現することができる。そのため、記憶回路に対して電源電圧が供給されない期間において当該トランジスタをオフ状態とすることで、当該期間における容量素子の一方の電極が電気的に接続されたノードの電位を一定又はほぼ一定に保持することが可能である。その結果、上述した課題を解決することが可能である。 （もっと読む）

【課題】特定のトランジスタのゲートの電位に応じて記憶情報の判別が行われる半導体装置において、当該トランジスタのしきい値電圧のばらつきの低減と、長期間に渡る情報の保持とを両立することで情報の保持特性に優れる半導体装置を提供すること。
【解決手段】チャネル領域が酸化物半導体によって形成されるトランジスタのソース又はドレインのみに電気的に接続されるノードにおいて電荷の保持（情報の記憶）を行う。なお、当該ノードにソース又はドレインが電気的に接続されるトランジスタは、複数であってもよい。また、当該酸化物半導体は、シリコンよりもバンドギャップが広く、真性キャリア密度がシリコンよりも低い。このような酸化物半導体によってトランジスタのチャネル領域が形成されることで、オフ電流（リーク電流）が極めて低いトランジスタを実現することができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化す
ることを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜を含むトランジスタにおいて、酸化物半導体膜に接し、且つ
ソース電極及びドレイン電極を覆う帯電防止機能を有する金属酸化膜を形成し、加熱処理
を行う。この加熱工程によって、水素、水分、水酸基又は水素化物などの不純物を酸化物
半導体膜より意図的に排除し、酸化物半導体膜を高純度化する。また、金属酸化膜を設け
ることで、トランジスタにおいて酸化物半導体膜のバックチャネル側に寄生チャネルが発
生するのを防止する。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い表示装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体を有するトランジスタを有し、酸化物半導体の下に設けられた絶縁膜と、酸化物半導体の上に設けられた絶縁膜とを有する。平坦性を持たせるため、有機材料を含む絶縁膜をさらに設ける。シール材は、有機材料を含む絶縁膜と重なることはなく、絶縁膜と接している。 （もっと読む）

【課題】生産性の高い新たな半導体材料を用いた大電力向けの半導体装置を提供すること
を目的の一とする。または、新たな半導体材料を用いた新たな構造の半導体装置を提供す
ることを目的の一とする。
【解決手段】第１の結晶性を有する酸化物半導体膜及び第２の結晶性を有する酸化物半導
体膜が積層された酸化物半導体積層体を有する縦型トランジスタ及び縦型ダイオードであ
る。当該酸化物半導体積層体は、結晶成長の工程において、酸化物半導体積層体に含まれ
る電子供与体（ドナー）となる不純物が除去されるため、酸化物半導体積層体は、高純度
化され、キャリア密度が低く、真性または実質的に真性な半導体であって、シリコン半導
体よりもバンドギャップが大きい。 （もっと読む）

【課題】新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】直列に接続されたメモリセルと、容量素子と、を有し、メモリセルの一は、ビット線及びソース線に接続された第１のトランジスタと、信号線及びワード線に接続された第２のトランジスタと、ワード線、に接続された容量素子とを有し、第２のトランジスタは酸化物半導体層を含み、第１のトランジスタのゲート電極と、第２のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方と、容量素子の電極の一方とが接続された、半導体装置。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】化学量論的組成比を超える酸素を含む領域を有する非晶質酸化物半導体層と、該非晶質酸化物半導体層上に設けられた酸化アルミニウム膜とを含んで構成される半導体装置を提供する。該非晶質酸化物半導体層は、脱水又は脱水素化処理を行った結晶性又は非晶質酸化物半導体層に対して、酸素注入処理を行い、その後、酸化アルミニウム膜を設けた状態で４５０℃以下の熱処理を行うことで形成される。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタを具備する画素において、開口率の向上を図る。
【解決手段】第１のトランジスタと、第１の画素電極とを有する第１の画素を有し、第２のトランジスタと、第２の画素電極とを有する第２の画素を有し、走査線として機能することができる配線を有し、第１のトランジスタは、酸化物半導体層を有し、酸化物半導体層はゲート絶縁膜を介して、配線と重なり、酸化物半導体層は、配線より幅の広い領域を有する表示装置又は液晶表示装置である。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用いる薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層と電気的に
接続するソース電極層またはドレイン電極層との接触抵抗の低減を図ることを課題の一と
する。
【解決手段】ソース電極層またはドレイン電極層を２層以上の積層構造とし、その積層の
うち、酸化物半導体層と接する一層を酸化物半導体層の仕事関数より小さい仕事関数を有
する金属又はそのような金属の合金とする。二層目以降のソース電極層またはドレイン電
極層の材料は、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗから選ばれた元素、または上述
した元素を成分とする合金か、上述した元素を組み合わせた合金等を用いる。 （もっと読む）

【課題】トランジスタなどの半導体素子を有する半導体装置を安価に得ることのできる生
産性の高い作製工程を提供することを課題の一とする。
【解決手段】下地部材上に、酸化物部材を形成し、加熱処理を行って表面から内部に向か
って結晶成長する第１の酸化物結晶部材を形成し、第１の酸化物結晶部材上に第２の酸化
物結晶部材を積層して設ける積層酸化物材料の作製方法である。特に第１の酸化物結晶部
材と第２の酸化物結晶部材がｃ軸を共通している。ホモ結晶成長またはヘテロ結晶成長の
同軸（アキシャル）成長をさせていることである。 （もっと読む）

【課題】消費電力が少なく、表示品質の良い表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】第１の基板上に、端子部と、画素電極と、酸化物半導体を有するスイッチングトランジスタと、可視光に対して高い光感度を有する第１の光センサと、赤外光に光感度を有し、第１の光センサより可視光に対する光感度が低い第２の光センサを設ける。第１及び第２の光センサを用いて表示装置周囲の照度または色温度を検出して表示映像の輝度や色調を調整する。また、第１の基板に向かい合って第２の基板を設け、第２の基板上に対向電極を設ける。端子部からスイッチングトランジスタを介して対向電極へ電位を供給し、また、静止画を表示する期間において、スイッチングトランジスタを非導通状態として、対向電極を浮遊状態とする。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛に代表される酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成すること
で、作製プロセスを複雑化することなく、尚かつコストを抑えることができる半導体装置
及びその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、
ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に第１の導電膜及び第２の
導電膜を形成する半導体装置であって、酸化物半導体膜は、チャネル形成領域において少
なくとも結晶化した領域を有する。 （もっと読む）

【課題】基板の大面積化を可能とするとともに、特性の改善された酸化物半導体層を形成し、所望の高い電界効果移動度を有するトランジスタを製造可能とし、大型の表示装置や高性能の半導体装置等の実用化を図ることを課題の一つとする。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上にゲート電極層を形成し、ゲート電極層上にゲート絶縁層を形成し、ゲート絶縁層上に酸化物半導体層を形成し、酸化物半導体層上にソース電極層及びドレイン電極層を形成し、酸化物半導体層、ソース電極層、及びドレイン電極層上に酸素を含む絶縁層を形成し、酸素を含む絶縁層上に水素を含む絶縁層を形成した後、熱処理を行うことにより、水素を含む絶縁層中の水素を少なくとも酸化物半導体層に供給することを特徴とする半導体装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛に代表される酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成すること
で、作製プロセスを複雑化することなく、尚かつコストを抑えることができる半導体装置
及びその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、
ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に第１の導電膜及び第２の
導電膜を形成する半導体装置であって、酸化物半導体膜は、チャネル形成領域において少
なくとも結晶化した領域を有する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜を有するボトムゲート構造のトランジスタの作製工程において、熱処理による脱水化または脱水素化処理、及び酸素ドープ処理を行う。熱処理による脱水化または脱水素化処理を行った酸化物半導体膜を含み、且つ、作製工程において酸素ドープ処理されたトランジスタは、バイアス−熱ストレス試験（ＢＴ試験）前後においてもトランジスタのしきい値電圧の変化量が低減できており、信頼性の高いトランジスタとすることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置をより少ない工程で作製する。
【解決手段】トランジスタと、画素電極とを有し、トランジスタは、第１のゲート電極と、第１のゲート電極上の第１の絶縁層と、第１の絶縁層上の半導体層と、半導体層上の第２の絶縁層と、第２の絶縁層上の第２のゲート電極とを有し、第１のゲート電極は、第１の絶縁層を介して、半導体層と重なる領域を有し、第２のゲート電極は、第２の絶縁層を介して、半導体層と重なる領域を有し、画素電極は、第２の絶縁層上に設けられ、第１の領域は、第２のゲート電極の少なくとも一部が、半導体層の少なくとも一部と重なる領域のうちの、少なくとも一部の領域であり、第２の領域は、画素電極が設けられた領域のうちの、少なくとも一部の領域であり、第１の領域における第２の絶縁層は、第２の領域における第２の絶縁層よりも薄い。 （もっと読む）