【課題】酸化物半導体素子、酸化物半導体素子の製造方法、酸化物半導体素子を含む表示装置、及び酸化物半導体素子を含む表示装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】酸化物半導体素子は、基板上に配置されるゲート電極と、リセス構造を含むゲート絶縁層と、ゲート絶縁層の一側上に配置されるソース電極と、ゲート絶縁層の他側上に配置されるドレーン電極と、ゲート絶縁層、ソース電極、及びドレーン電極上に配置されるアクティブパターンとを含むようにすることができる。リセス構造はゲート電極の上部に位置するようにすることができ、アクティブパターンはリセス構造を埋め立てるようにすることができる。酸化物半導体素子がリセス構造を有するゲート絶縁層を具備することによって、電荷移動度、閾値電圧分布、動作電流などの多様な電気的特性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化する。
【解決手段】酸化物半導体膜を含むトランジスタの作製工程において、表面に概略垂直なｃ軸を有している結晶を含む酸化物半導体膜（第１の結晶性酸化物半導体膜ともいう）を形成し、該酸化物半導体膜に酸素を導入して少なくとも一部を非晶質化し酸素を過剰に含む非晶質酸化物半導体膜を形成する。該非晶質酸化物半導体膜上に酸化アルミニウム膜を形成した後、加熱処理を行い該非晶質酸化物半導体膜の少なくとも一部を結晶化させて、表面に概略垂直なｃ軸を有している結晶を含む酸化物半導体膜（第２の結晶性酸化物半導体膜ともいう）を形成する。 （もっと読む）

【課題】新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】第１の配線と、第２の配線と、第３の配線と、第４の配線と、第１のゲート
電極、第１のソース電極、および第１のドレイン電極を有する第１のトランジスタと、第
２のゲート電極、第２のソース電極、および第２のドレイン電極を有する第２のトランジ
スタと、を有し、第１のトランジスタは、半導体材料を含む基板に設けられ、第２のトラ
ンジスタは酸化物半導体層を含んで構成された半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化する。
【解決手段】ゲート絶縁層と、ゲート絶縁層の一方の面に接する第１のゲート電極と、ゲート絶縁層の他方の面に接し、第１のゲート電極と重畳する領域に設けられた酸化物半導体層と、酸化物半導体層と接するソース電極、ドレイン電極、及び酸化物絶縁層と、の積層構造を有し、酸化物半導体層の窒素濃度は２×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下であり、ソース電極及びドレイン電極は、タングステン、白金及びモリブデンのいずれか一又は複数を含む半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明の一態様は、スパッタ法でトランジスタ、ダイオード等の半導体用途に好
適な材料を提供することを課題の一とする。
【解決手段】下地部材上に、第１の酸化物部材を形成し、第１の加熱処理を行って表面か
ら内部に向かって結晶成長し、下地部材に少なくとも一部接する第１の酸化物結晶部材を
形成し、第１の酸化物結晶部材上に第２の酸化物部材を形成し、第２の加熱処理を行って
第１の酸化物結晶部材を種として結晶成長させて第２の酸化物結晶部材を設ける積層酸化
物材料の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬディスプレイや液晶ディスプレイなどの表示装置において、保護膜等の形成時に酸化処理層を必要とせずに、薄膜トランジスタの電気特性を安定させることが可能である酸化物半導体層を提供する。
【解決手段】基板上に少なくとも、基板側から順に、酸化物半導体層と、ソース・ドレイン電極と、保護膜とを備えた薄膜トランジスタ構造であって、前記酸化物半導体層は、金属元素全体に占めるＺｎの含有量が５０原子％以上であり、ソース・ドレイン電極および保護膜側に形成される第１酸化物半導体層と、Ｉｎ、Ｇａ、およびＺｎよりなる群から選択される少なくとも１種の元素と、Ｓｎとを含み、基板側に形成される第２酸化物半導体層との積層体であり、かつ、前記第１酸化物半導体層と、前記ソース・ドレイン電極および保護膜とが、直接接触していることを特徴とする薄膜トランジスタ構造。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬディスプレイや液晶ディスプレイなどの表示装置において、保護膜等の形成時に酸化処理層を必要とせずに、薄膜トランジスタの電気特性を安定させることが可能である酸化物半導体層を提供する。
【解決手段】基板上に少なくとも、基板側から順に、酸化物半導体層と、ソース・ドレイン電極と、保護膜とを備えた薄膜トランジスタ構造であって、前記酸化物半導体層は、金属元素全体に占めるＺｎの含有量が５０原子％以上であり、ソース・ドレイン電極および保護膜側に形成される第１酸化物半導体層と、Ｉｎ、Ｇａ、およびＺｎよりなる群から選択される少なくとも１種の元素を含み、基板側に形成される第２酸化物半導体層との積層体であり、かつ、前記第１酸化物半導体層と、前記ソース・ドレイン電極および保護膜とが、直接接触していることを特徴とする薄膜トランジスタ構造。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の作製工程におけるプラズマダメージの影響を低減し、しきい値電圧のばらつきの抑制された均一な表示特性の半導体装置を提供する。
【解決手段】トランジスタ上の平坦化層１１３と、平坦化層１１３の上面もしくは下面に設けられると共に平坦化層からの水分や脱ガス成分の拡散を抑制するバリア層１１２を備えた半導体装置であって、これら平坦化層１１３及びバリア層１１２の位置関係を工夫することにより平坦化層１１３に及ぶプラズマダメージを低減する上で有効なデバイス構成を用いる。また、画素電極１５８の構造として新規な構造との組み合わせにより、輝度の向上等の効果をも付与する。 （もっと読む）

【課題】歪みチャネルを用いた場合のリーク電流を低減することができ、不良の発生を抑制して歩留まりの向上をはかる。
【解決手段】電界効果トランジスタであって、半導体基板１０上に垂直に形成され、且つ第１の領域が第２の領域よりも高く形成された半導体フィン３１と、第１の領域の両側面にゲート絶縁膜４０を介して設けられたゲート電極５０と、第２の領域に第１の領域の上端よりも低い位置まで設けられた、合金半導体からなるソース・ドレイン下地層６３，７３と、下地層６３，７３上に第１の領域の上部を挟むように設けられた、下地層６３，７３とは格子定数の異なるソース・ドレイン領域６０，７０とを備えている。チャネル領域には応力が付与され、下地層６３，７３は、空乏層が収まる厚さよりも厚く、熱平衡状態で結晶にミスフィット転位が導入される熱平衡臨界膜厚よりも薄く形成されている。 （もっと読む）

【課題】簡便な構成及び動作によって表示装置の消費電力を低減すること。
【解決手段】表示装置が入力デバイスを備え、該入力デバイスから出力される画像操作信号に応じて、駆動回路に対する画像信号の入力を制御する。具体的には、入力デバイスが操作されない際の画像信号の入力頻度を、入力デバイスが操作される際の画像信号の入力頻度よりも低くする。これにより、当該表示装置が使用される際の表示の劣化（表示品質の低下）を抑制することが可能となり、且つ使用されない際の消費電力を低減することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】特性の劣化を抑えつつ省スペース化を図ることが可能な半導体装置等を提供する。
【解決手段】半導体装置は、基板上の第１の方向に沿って延在し、互いに離隔配置された主配線部および分岐配線部を有する１または複数の第１の配線と、基板上の第１の方向とは異なる第２の方向に沿って延在する幹配線部と、主配線部と分岐配線部との間隙領域内で第１の方向に沿って延在する複数の枝配線部とを有する１または複数の第２の配線と、複数の枝配線部が個別にゲート電極として機能すると共に、主配線部内および分岐配線部内に形成されたソース領域と、複数の枝配線部間に形成されたドレイン領域とを有し、各々が第２の方向に沿って複数個に分割形成されてなる１または複数のトランジスタと、第２の方向に沿って延在し、トランジスタのドレイン領域と電気的に接続された１または複数の第３の配線とを備えている。 （もっと読む）

【課題】閾値電圧が制御され、動作速度が速く、製造工程が比較的簡単であり、十分な信
頼性を有する、酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタ、及び薄膜トランジスタの作製方
法を提供することを課題の一つとする。
【解決手段】酸化物半導体層に含まれるキャリア濃度に影響する不純物、例えば、水素原
子や、Ｈ_２Ｏなど水素原子を含む化合物を排除すればよい。酸化物半導体層に接して未結
合手に代表される欠陥を多く含む酸化物絶縁層を形成し、当該酸化物絶縁層に不純物を拡
散させ、上記酸化物半導体層中の不純物濃度を低減すればよい。また、酸化物半導体層、
又は酸化物半導体層に接する酸化物絶縁層を、クライオポンプを用いて排気して不純物濃
度が低減された成膜室内で成膜すればよい。 （もっと読む）

【課題】電気伝導度の安定した酸化物半導体膜を提供する。また、当該酸化物半導体膜を用いることにより、半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物半導体膜において、酸化物半導体膜は、酸化物半導体膜の被形成面の法線ベクトルに平行な方向に揃うｃ軸配向した結晶領域を有し、ｃ軸配向した結晶領域の組成が、Ｉｎ_１＋δＧａ_１−δＯ_３（ＺｎＯ）_ｍ（ただし、０＜δ＜１、ｍ＝１〜３）で表され、ｃ軸配向した結晶領域を含む全体の酸化物半導体膜の組成が、Ｉｎ_ｘＧａ_ｙＯ_３（ＺｎＯ）_ｍ（ただし、０＜ｘ＜２、０＜ｙ＜２、ｍ＝１〜３）である。 （もっと読む）

【課題】カラーフィルタに含まれる不純物による汚染の問題を解決する。
【解決手段】薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタに電気的に接続されるソース電極及
びドレイン電極と、薄膜トランジスタ、ソース電極及びドレイン電極上の第１の絶縁膜と
、第１の絶縁膜上のカラーフィルタと、カラーフィルタ上の第２の絶縁膜と、第２の絶縁
膜上の画素電極とを有し、第１の絶縁膜は窒化シリコンを有し、カラーフィルタは第１の
開口部を有し、第２の絶縁膜は第２の開口部を有し、第２の開口部は第１の開口部の内側
に設けられ、画素電極は、第１の開口部及び第２の開口部を介してソース電極及びドレイ
ン電極の一方に電気的に接続され、カラーフィルタは、画素電極、ソース電極及びドレイ
ン電極に接触しない。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】トランジスタの作製工程において、酸化物半導体層、ソース電極層、ドレイン電極層、ゲート絶縁膜、ゲート電極層、酸化アルミニウム膜を順に作成した後、酸化物半導体層および酸化アルミニウム膜に対して熱処理を行うことで、水素原子を含む不純物が除去され、かつ、化学量論比を超える酸素を含む領域を有する酸化物半導体層を形成する。また、酸化アルミニウム膜を形成することにより、該トランジスタを有する半導体装置や電子機器の作製工程での熱処理でも大気から水や水素が酸化物半導体層に侵入し、拡散することを防止することができ、信頼性の高いトランジスタとすることができる。 （もっと読む）

【課題】可撓性を有し、曲げ等の物理的変化に対して耐性を有する半導体装置および当該
半導体装置の作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】可撓性を有する基板上に設けられた、半導体膜、半導体膜上にゲート絶縁膜
を介して設けられたゲート電極およびゲート電極を覆って設けられた層間絶縁膜とを有す
る複数のトランジスタと、複数のトランジスタの間に設けられた屈折部分とを有し、屈折
部分は、層間絶縁膜に設けられた開口部に層間絶縁膜より弾性率が低い物質が充填されて
設けられている。また、本発明では、開口部に充填する物質として他にも、層間絶縁膜よ
りガラス転移点が低い物質や塑性を有する物質を設けることができる。 （もっと読む）

【課題】低温成膜可能な酸化物で半導体膜を形成した逆スタガ型薄膜トランジスタであって、半導体膜上に形成した保護膜の紫外線等に対する耐光性と耐環境安定性を向上させてなる薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上にパターン形成されたゲート電極２と、ゲート電極２を覆うゲート絶縁膜３と、ゲート絶縁膜３上にパターン形成された酸化物半導体膜４と、酸化物半導体膜４上にパターン形成されたソース電極６Ｓ及びドレイン電極６Ｄと、ソース電極６Ｓ及びドレイン電極６Ｄ間に露出する酸化物半導体膜４を少なくとも覆う保護膜７とを有するボトムゲートトップコンタクト構造の薄膜トランジスタ１０であって、保護膜７を、酸化物半導体材料で形成する。このとき、酸化物半導体膜４及び保護膜７が、ＩｎＭＺｎＯ（ＭはＧａ，Ａｌ，Ｆｅのうち少なくとも１種）を含むアモルファス酸化物である酸化物半導体材料からなることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】簡便な工程で、有機半導体層の移動度を低下させることなくパターニングした有機半導体素子を得ることができる有機半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ソース電極１およびドレイン電極２を覆うように有機半導体層３を形成する有機半導体層形成工程と、上記有機半導体層上の少なくとも上記ソース電極１および上記ドレイン電極２間のチャネル領域Ｃ上に、第一誘電体層４を形成する第一誘電体層形成工程と、上記第一誘電体層を覆うように上記有機半導体層上に、第二誘電体層５を形成する第二誘電体層形成工程と、を有し、第二誘電体層５は、第一誘電体層４の周囲で有機半導体層３と接触する接触部を有し、接触部Ｘにおける有機半導体層３および第二誘電体層５の界面に、有機半導体層と第二誘電体層とが混ざり合った混合層６を形成することを特徴とする有機半導体素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 可撓性を有するアクティブマトリクス型表示装置を実現する方法を提供することを課題とする。また、異なる層に形成された配線間の寄生容量を低減する方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 第１の基板上に形成された薄膜デバイスと第２の基板とを接着して固定した後、第１の基板を取り除いて薄膜デバイスに配線等を形成する。その後、第２の基板も取り除き、可撓性を有するアクティブマトリクス型表示装置を形成する。また、第１の基板を取り除いた後、配線を活性層のゲート電極が形成されていない側に形成することにより、寄生容量を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼性のよい半導体装置
を提供することを課題の一とする。また、高信頼性の半導体装置を低コストで生産性よく
作製することを課題の一とする。
【解決手段】チャネル形成領域を含む半導体層、ソース領域及びドレイン領域を酸化物半
導体層とする薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、酸化物半導体層
の純度を高め、不純物である水分などを低減する加熱処理（脱水化または脱水素化のため
の加熱処理）を行う。 （もっと読む）