【課題】液晶装置等の電気光学装置において、画素内のＴＦＴにおける光リーク電流の発生を低減する。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）と、基板上に設けられるデータ線（６ａ）と、データ線の上層側に設けられており、データ線と交差する走査線（１１）と、走査線の上層側に設けられており、データ線及び走査線の交差に対応して設けられた画素電極（９ａ）と、画素電極の下層側に、該画素電極に容量絶縁膜（７５）を介して対向するように設けられた容量電極（７１）と、データ線の上層側且つ走査線の下層側に設けられており、データ線側ソースドレイン領域（１ｄ）及び画素電極側ソースドレイン領域（１ｅ）、及び走査線の一部からなる又は走査線に接続されたゲート電極（３ａ）に絶縁膜（４１）を介して対向配置されたチャネル領域を有する半導体層（１ａ）とを備える。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置の表示性能を高める。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）と、該基板上の画素領域（１０ａ）に配列された複数の画素電極（９ａ）と、該複数の画素電極を夫々スイッチング制御する複数の薄膜トランジスタ（３０）とを備える。薄膜トランジスタの半導体層（１ａ）は、チャネル領域（１ａ´）を中央にソース領域（１ｄ）及びドレイン領域（１ｅ）間で長手状に延び、薄膜トランジスタのゲート電極（３１ａ）は、チャネル領域に重なる部分の脇から、半導体層と距離を隔てたまま半導体層に沿って突出する突出部（３２ａ）を有する。該突出部は、その根元側におけるチャネル領域とソース又はドレイン領域との間にある接合領域（１ｃ）との第１距離（α）よりも、その先端側におけるソース又はドレイン領域との第２距離（β）の方が、短くなる形状を有する。 （もっと読む）

【課題】画像ムラがなく、良好な画像が得られる半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の半導体層は、第１のＮチャネル型ＴＦＴのソース及びドレインの一方と第１の配線とを電気的に接続するための第１のコンタクト領域と、前記第１のＮチャネル型ＴＦＴのソース及びドレインの他方、並びに第２のＮチャネル型ＴＦＴのソース及びドレインの他方と第２の配線とを電気的に接続するための第２のコンタクト領域と、前記第２のＮチャネル型ＴＦＴのソース及びドレインの一方と前記第１の配線とを電気的に接続するための第３のコンタクト領域とを有し、前記第１乃至第３のコンタクト領域における前記第１の半導体層のチャネル幅方向の幅よりも、前記第１の半導体層と前記第１（第２）のＮチャネル型ＴＦＴのゲート電極とが重なる領域における前記第１の半導体層のチャネル幅方向の幅の方が狭い。 （もっと読む）

【課題】 光リーク電流を抑制した高い耐光性を有するＴＦＴを、製造工程を簡素化することにより低コストで実現する。
【解決手段】 本実施例のＴＦＴ１００は、絶縁基板１０７としてのガラス基板上に形成された遮光膜１１３と、遮光膜１１３上に形成された絶縁膜１１２と、絶縁膜１１２上に形成された半導体膜１１１と、半導体膜１１１上に形成されたゲート絶縁膜１０４とを基本的に有する。遮光膜１１３、絶縁膜１１２及び半導体膜１１１の三層から成る積層体１００ａは、各層が同時にパターニングされている。そして、積層体１００ａの各層がシリコン又はシリコンを含む材料から成る。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、ダミー画素部のトランジスタの誤動作を防止しつつ、表示画像の縁付近においても高品位の画像を表示する。
【解決手段】ＴＦＴアレイ基板１０上における複数の画素が配列されてなる画像表示領域１０ａに、画素毎に設けられており、画素電極９ａをスイッチング制御するＴＦＴ３０ａを含む画素部と、画像表示領域１０ａの周囲を占めるダミー画素領域１０ｄに、画素を模擬するダミー画素毎に設けられており、ＴＦＴ３０ａを模擬するダミーＴＦＴ３０ｄ及び該ダミーＴＦＴ３０ｄが有する半導体層１ａのうち少なくともチャネル領域１ａ'を遮光する二層以上の遮光膜１１ａ、１１ｂ、７１、３００又は３００ｂを含むダミー画素部とを備えており、二層以上の遮光膜１１ａ、１１ｂ、７１、３００又は３００ｂは夫々、ダミー画素部の開口領域９９ｄのうち少なくとも一部を覆うように形成される。 （もっと読む）

【課題】レイアウト面積を増大させることなく、基板浮遊効果に起因する半導体層の電気的特性の劣化を抑制できる電気光学装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の電気光学装置は、基板２０上に形成された導電性遮光層３２と、基板２０上に導電性遮光層３２を覆うように形成された下地絶縁層３１と、下地絶縁層３１上に形成された半導体層２８と、半導体層２８のチャネル形成領域２８ａの直下に設けられ、下地絶縁層３１を貫通してチャネル形成領域２８ａと導電性遮光層３２とを電気的に接続する接続電極５１と、を備え、半導体層２８のチャネル形成領域２８ａが導電性遮光層３２を通じて一定電位に保持されている。 （もっと読む）

【課題】結晶の位置と大きさを制御することにより、チャネル領域或いはＴＦＴ形成領域を一つの結晶の集合（ドメイン）で形成し、ＴＦＴのばらつきを抑えることを目的とする。
【解決手段】非晶質シリコン膜に対して、チャネル形成領域或いはチャネル形成領域やソース及びドレイン領域等も含むＴＦＴ形成領域の周囲を選択的にレーザー照射を行い、各ＴＦＴ形成領域を孤立させて、結晶化を助長する金属元素（代表的にはＮｉ）を添加し、加熱処理を行うことにより、結晶の集合（ドメイン）の位置を任意に定める事を可能とするものである。結晶の集合（ドメイン）の位置を任意に制御することにより、ＴＦＴのばらつきを抑えることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】斜め方向からの迷光が、薄膜トランジスタのチャネル部に入ることで光励起キャリアを発生させる場合がある。この現象は特に高輝度の光学系を用いる場合に顕著となり、画質の低下を招いているという課題がある。
【解決手段】ポリシリコンを用いた第１遮光層４を、酸化シリコン基板１と酸化シリコンを用いた第１絶縁層５との間に挟み、伝播減衰が大きい等価スラブ型導波路を形成し、迷光を当該等価スラブ型導波路に通す。等価スラブ型導波路のコア層となる第１遮光層４の層厚ｔ（ｎｍ）を可視光最短波長として４００（ｎｍ）の波長の光をカットオフできるようｔ≧３１６（ｎｍ）を用いることで第１遮光層４の側面から入射された迷光を減衰させることができる。 （もっと読む）

【課題】画素の積層構造の単純化を図りつつ、トランジスタのオン電流を増加させる。
【解決手段】電気光学装置は、半導体層１ａよりも上層側に配置され、チャネル領域１ａ’に重なると共に走査線１１ａに電気的に接続された第１ゲート電極３ａと、半導体層１ａよりも下層側に配置され、チャネル領域１ａ’に重なると共に走査線１１ａに電気的に接続された第２ゲート電極３ｂとを有するＴＦＴ３０と、第２ゲート電極３ｂと同層に配置されるデータ線６ａとを備える。 （もっと読む）

【課題】不純物導入工程として、Ｎ型およびＰ型のうちのいずれか一方の不純物を導入する工程のみを行なうだけで光センサを形成することのできる光検出装置、およびこの光検出装置を備えた電気光学装置を提供すること。
【解決手段】光検出装置３００のセンサ回路３１０において、主センサ３１０Ａおよび副センサ３１０Ｂは、真性領域１ｘの両側に高濃度Ｎ型の第１の不純物導入領域１ｙおよび第２の不純物導入領域１ｚが形成された半導体膜１ｗと、真性領域１ｘに対して絶縁層４ａを介して対向する透光性のバイアス印加用電極５ａとを備え、薄膜トランジスタと同一構造を有している。バイアス印加用電極５ａに薄膜トランジスタをオフとする方向の電圧を印加するとともに、第１の不純物導入領域１ｙと第２の不純物導入領域１ｚとの間に所定の電圧を印加すると、真性領域１ｘに光が入射した際、光電流が流れる。 （もっと読む）

【課題】駆動回路素子を同一基板上に一体的に有する液晶表示装置において、表示コントラストの劣化を抑えつつ駆動回路の安定動作を図る。
【解決手段】透明基板１２上に、画素電極４４を駆動する第１薄膜トランジスタ２０と、前記第１薄膜トランジスタ２０に駆動信号を供給する第２薄膜トランジスタ５０と、を備えた表示装置１において、前記第１薄膜トランジスタ２０及び第２薄膜トランジスタ５０は、チャネル領域２８，５８とドレイン領域３４，６４及びソース領域３２，６２との間に配された低濃度不純物領域３０，３１，６０，６１とを備える半導体層２２，５２をそれぞれ有し、前記第２薄膜トランジスタ５０の前記チャネル領域５８と前記ドレイン領域６４の相対向する端部の間隔Ｌｄが、前記第１薄膜トランジスタ２０の前記チャネル領域２８と前記ドレイン領域３４の相対向する端部の間隔Ｌｐより短いことを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】液晶等の電気光学装置において、積層構造や製造プロセスの単純化を図り、しかも高品質な表示を可能とする。
【解決手段】電気光学装置は、データ線及び走査線と、データ線より下層側に配置された薄膜トランジスタとを備える。更に、データ線より上層側に配置されており、画素電位側電極、誘電体膜及び固定電位側電極が下層側から順に積層されてなる蓄積容量と、画素毎に配置されており、画素電位側電極及び薄膜トランジスタに電気的に接続された画素電極と、誘電体膜の上層側に積層された層間絶縁膜とを備える。蓄積容量は、層間絶縁膜に開けられた開口から露出した誘電体膜上に、固定電位側電極が積層された積層構造を有する。 （もっと読む）

【課題】エネルギー線の照射による有機半導体層の劣化を防止して素子特性を維持することが可能な有機半導体素子を提供する。
【解決手段】有機半導体層１１を用いて構成された有機半導体素子１ａにおいて、有機半導体層１１を覆う状態でエネルギー線を遮蔽する材料からなる遮蔽層１５が設けられていることを特徴とする。有機半導体層１１が形成された基板３および有機半導体層１１を覆う状態で基板３上に設けられた保護膜１３のうちの少なくとも一方が、遮蔽層として用いられている。この有機半導体層１１に対してゲート絶縁膜７を介してゲート電極５が積層され、ゲート絶縁膜７およびゲート電極５の少なくとも一方が遮蔽層として用いられている。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ−ＬＣＤアレイ基板構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】該ＴＦＴ−ＬＣＤアレイ基板は基板と、前記基板に形成され、相互に交差し、画素領域を少なくとも１つ画成する少なくとも１本のゲートラインと少なくとも１本のデータラインと、前記画素領域に形成された画素電極と、前記画素領域におけるゲートラインとデータラインとの交差部に形成され、前記ゲートラインに接続するゲート電極と、前記データラインに接続する第１のソース・ドレイン電極と、前記画素電極に接続する第２のソース・ドレイン電極と、を有する薄膜トランジスタと、前記基板に形成され、前記データラインに平行な少なくとも１本の共通電極と、を備える。 （もっと読む）

【課題】工程数を増加させることなく、オン電流の増加、オフ電流の減少、及び、サブスレッショルド特性の急峻化を図ることができる半導体素子及び表示装置を提供する。
【解決手段】ボトムゲート電極、ボトムゲート絶縁膜、半導体層、トップゲート絶縁膜及びトップゲート電極がこの順に積層された構造を有する半導体素子であって、上記ボトムゲート電極は、遮光性を有し、平面視したときに、トップゲート電極と対向する半導体層中の領域よりも広く、かつ上記領域を覆う半導体素子。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、走査線内を伝播する迷光を遮光する構造により遮光性を高め、明るく高品位な画像表示を実現する。
【解決手段】基板上に、画素電極（９ａ）と、該画素電極をスイッチング制御する薄膜トランジスタ（３０）と、該薄膜トランジスタのゲート電極（３ｇ）に走査信号を供給する走査線（３ａ）と、薄膜トランジスタのソース領域に画像信号を供給するデータ線（６ａ）とを備える。ゲート電極を構成する第１導電層と走査線を構成する第２導電層とは、別層である。 （もっと読む）

【課題】ポリシリコン型ＴＦＴを有する半導体装置用基板を製造する際に、所望の品質を有するポリシリコン膜を生産性良く形成できる半導体装置用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置用基板の製造方法は、基板２００上に導電性を有する材料膜２０４ｂを形成する工程と、基板上にアモルファスシリコン膜１を形成する工程と、材料膜を高周波誘導加熱することによって、アモルファスシリコン膜を加熱して、アモルファスシリコン膜を結晶化して、基板上にポリシリコン膜を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ＷＳｉ膜の内部応力に起因する絶縁層、導電層及び半導体層のクラックの発生を防止することが可能な電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】電気光学装置用の基板であるＴＦＴアレイ基板１０上に、ＷＳｉ（タングステンシリサイド）からなる下側遮光膜をスパッタリング法により成膜する電気光学装置の製造方法において、ＷＳｉ膜の平均成膜速度が前記スパッタリング法の放電維持限界における平均成膜速度以上、３５Å／ｓ以下となるようにＷＳｉ膜を成膜する。このような条件でＷＳｉ膜を成膜する事により、熱処理により結晶化した後のＷＳｉ膜の内部応力を抑制することができ、ＷＳｉ膜の内部応力に起因する絶縁層、導電層及び半導体層のクラックの発生を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置において、画素スイッチング用のＴＦＴの性能を向上させると共に遮光性を高める。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に、データ線（６ａ）及び走査線（１１ａ）と、データ線及び走査線の交差に対応して設けられた画素電極（９ａ）と、画素電極に接続されており、チャネル領域（１ａ´）とソース領域（１ｄ）との間に形成された第１のＬＤＤ領域（１ｂ）と、チャネル領域とドレイン領域（１ｅ）との間に形成された第２のＬＤＤ領域（１ｃ）とを有する半導体層（１ａ）、及びチャネル領域に重なるゲート電極（３ａ）を有するトランジスタ（３０）とを備える。更に、ゲート電極と、絶縁膜（４１ａ）を介して互いに異なる層に配置されており、第１及び第２のＬＤＤ領域と少なくとも部分的に重なるように形成されると共にゲート電極と電気的に接続された第１遮光部（１１ａ）を備える。 （もっと読む）

【課題】十分な補助容量を有し、且つ、開口率の高いアクティブマトリクス型表示装置を提供することを課題とする
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に薄膜トランジスタを形成し、前記薄膜トランジスタを覆って第１の層間絶縁膜を形成し、前記第１の層間絶縁膜を覆って有機性樹脂で構成される第２の層間絶縁膜を形成し、前記第２の層間絶縁膜を覆ってブラックマスクを形成し、前記ブラックマスクを覆って無機絶縁膜を形成し、前記ブラックマスク及び無機絶縁膜とを選択的に除去し、前記ブラックマスク及び無機絶縁膜を覆って第３の層間絶縁膜を形成し、前記第３の層間絶縁膜を選択的に除去し、前記無機絶縁膜を露出し、前記第３の層間絶縁膜を覆って透明性導電膜からなる画素電極を形成し、前記無機絶縁膜を誘電体として、前記ブラックマスク、前記画素電極及び前記無機絶縁膜によって補助容量を形成する。 （もっと読む）