【課題】表示装置の遮光性及び配向性を同時に改善する。
【解決手段】表示装置は、基板１１上に透明画素電極３１を駆動する薄膜トランジスタが設けられ、この薄膜トランジスタの上層でかつ画素電極３１の下層の位置に導電性の遮光層２７，２８が設けられている。第一の平坦化膜２５が薄膜トランジスタの凹凸を埋める様に形成されており、その平坦化された表面に遮光層２７，２８が配されている。第二の平坦化膜２９が遮光層２７，２８の段差を埋める様に形成されており、その平坦化された表面に画素電極３１が配されている。導電性の遮光層２７，２８を上下から絶縁性の平坦化膜２９，２５で挟み込む構造を採用することで、表示装置の遮光性及び配向性を改善することが可能である。 （もっと読む）

【課題】簡単な工程で、劣化の少ない高性能な薄膜トランジスタを製造する有機薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】支持体上にゲート電極、ゲート絶縁層、有機半導体層、ソース電極及びドレイン電極を有する有機薄膜トランジスタの製造方法において、有機半導体層を形成する工程の後に、有機半導体保護層を形成する工程と、有機半導体保護層上に遮光層を形成する工程と、支持体の遮光層を形成した面に向けて活性エネルギー線を照射する工程の後に、遮光層以外の有機半導体保護層を除去する工程と、を有することを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法。 （もっと読む）

【課題】より簡略化したプロセスで自在に形成することができる光の屈折率が変化した層を備えた基板、このような基板を備えた電気光学装置および電子機器、基板の製造方法、電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】液晶表示装置２０は、一対の基板１，２と、一対の基板１，２によって挟持されシール材３によって封着された液晶４と、２つの防塵ガラス１１，１２とを備えている。一対の基板１，２と光が入射する側の防塵ガラス１２の内部に集光点を結ぶようにレーザ光を照射して多光子吸収を発生させ、各基板１，２，１２の内部に表示領域Ｄを囲むように額縁状にそれぞれ遮光性を有する改質層７，８，１３を形成した。各改質層７，８，１３は、各基板１，２，１２の液晶４側に面する表面から僅かに離間した位置を始点として形成した。 （もっと読む）

【課題】クラックが発生することを防止する。
【解決手段】複数の走査線と複数のデータ線の交差に対応して画素を構成するスイッチン
グ素子が設けられた電気光学装置の製造方法であって、前記スイッチング素子の下層に遮
光膜を形成する工程（Ｓ１２，Ｓ２１）と、前記遮光膜の直上に絶縁膜を形成する工程（
Ｓ１３，Ｓ２２）と、前記絶縁膜を化学機械研磨処理によって平坦化する工程（Ｓ１４，
Ｓ２３）と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】トランジスタへの光の入射を阻止し、光リークの発生を防止する。
【解決手段】複数の走査線と複数のデータ線との交差に対応してスイッチング用のトラン
ジスタが構成された電気光学装置であって、基板上に形成されて前記トランジスタを構成
する半導体層と、前記半導体層とは異なる層に設けられた１層以上のメタル層と、前記１
層以上のメタル層のうち前記半導体層に最も近接した第１のメタル層の前記半導体層に対
向する面に設けられ、平面的には少なくとも前記半導体層中のチャネル領域を覆うように
形成された反射防止膜と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ駆動によるアクティブマトリクス駆動方式の液晶パネルにおいて、ＴＦＴの下側に遮光層を設ける構成を利用して、効率良く画素部を平坦化する。
【解決手段】液晶パネル（１００）は、一対の基板間に挟持された液晶層（５０）と、ＴＦＴアレイ基板（１０）にマトリクス状に設けられた画素電極（１１）とを備える。遮光層（３）は、ＴＦＴ（３０）及び容量線（３ｂ）を下側からみて重なるように配置する。遮光層（１１ａ）が形成されている領域においては遮光層上に、且つ遮光層が形成されていない領域においてはＴＦＴアレイ基板上に設けられた第１層間絶縁層（１２、１３）は、ＴＦＴ、容量線等に対向する部分が対向基板の側から見て凹状に窪んで形成されている。 （もっと読む）

【課題】優れたトランジスタ特性を得ると共に、リークの発生を低減する。
【解決手段】基板上に、半導体層を形成する工程Ｓ１と、前記半導体層上に絶縁膜及び電
極を形成する工程Ｓ７と、チャネル領域、ソース領域及びドレイン領域を形成するために
前記半導体層に不純物を注入する工程Ｓ６，Ｓ９，Ｓ１１と、前記半導体層を第１の温度
でアニールする第１のアニール工程Ｓ１２と、前記第１のアニール工程後に、前記半導体
層及び電極上に層間絶縁膜を形成する工程Ｓ１３と、前記層間絶縁膜上から前記第１の温
度よりも高い第２の温度で前記半導体層をアニールする第２のアニール工程Ｓ１４と、を
具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】最小限の工程数で結晶化シリコン膜の少なくともチャネル領域の結晶性を向上させることができ、ＴＦＴの電気的特性向上を図ることのできるＴＦＴの製造工程を有する電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】下絶縁膜上にａ−Ｓｉ膜が成膜されるステップＳ１と、ａ−Ｓｉ膜がｐ−Ｓｉ膜に結晶化されるステップＳ２と、ｐ−Ｓｉ膜がパターニングされて、ソース領域、ドレイン領域、チャネル領域となる領域が形成されるステップＳ３と、ｐ−Ｓｉ膜上に、熱酸化膜、ＨＴＯ膜が成膜されるステップＳ４、５と、ｐ−Ｓｉ膜の少なくともチャネル領域となる領域に、熱酸化膜、ＨＴＯ膜を介して不純物がイオン注入されるステップＳ６と、非晶質化されたａ−Ｓｉ膜が再度ｐ−Ｓｉ膜に結晶化されるステップＳ７と、ＨＴＯ膜上に、ゲート電極が成膜されるステップＳ８と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】外光による光電流の発生を抑制するとともに、バックチャネルの影響によるトランジスタ特性の変動やショート不良を防止する。
【解決手段】絶縁基板１０上に、非導電材料から成る遮光膜７０が形成される。遮光膜７０を覆ってバックゲート絶縁膜１１が形成される。このバックゲート絶縁膜１１上に能動層３３が形成される。その能動層３３を覆ってゲート絶縁膜１２が形成され、そのゲート絶縁膜１２上にゲート電極３１が形成される。遮光膜７０は、バックゲート絶縁膜１１を間に挟んで能動層３３を覆って配置され、絶縁基板１０を通して能動層３３へ入射しようとする外光を遮光する働きをする。 （もっと読む）

【課題】 ゲート電極の膜厚を厚く形成することなく、ゲート電極の十分な遮光性と低抵抗化とを両立することができる電気光学装置を提供する。
【解決手段】 多結晶シリコン層５ａと、多結晶シリコン層５ａに積層する高融点金属の硅化物層５ｂと、硅化物層５ｂに積層する高融点金属層５ｃとを具備する多層構造の薄膜でＴＦＴ３０のゲート電極３ａを形成することにより、ゲート電極３ａの膜厚を厚く形成することなく、十分な遮光性と低抵抗化とを両立する。すなわち、多結晶シリコン層５ａの上層に積層された高融点金属の硅化物層５ｂ及び高融点金属層５ｃを積層によって、ゲート電極３ａの低抵抗化が実現され、同時に、硅化物層５ｂの上層に積層されたシリコン成分を含まない高融点金属層５ｃによって、ＴＦＴ基板１０にアニール処理が行われた場合等にも、薄い膜厚でゲート電極３ａの遮光性が十分に確保される。
（もっと読む）

【課題】結晶化シリコン膜に絶縁膜を積層した後、結晶化シリコン膜と絶縁膜との間の被測定面に直上の絶縁膜から付与される応力を、局所的かつ精度良く測定することができるとともに、基板の歩留まりを向上する電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ラマン散乱分光法を用いて、基板上に積層した膜の引っ張りまたは圧縮応力を測定する電気光学装置の製造方法であって、基板上に積層した半導体層１ａの被測定面１１０に光の焦点を合わせて、被測定面１１０の応力を測定し、第１の応力Ｆ１を求める手順と、被測定面１１０上に、絶縁膜４１を積層する手順と、被測定面１１０に光の焦点を合わせて、被測定面１１０の応力を再度測定し、第２の応力Ｆ２を求める手順と、第１の応力Ｆ１と第２の応力Ｆ２とに基づいて、被測定面１１０における直上の絶縁膜４１から付与される応力を求める手順と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】遮光性能を向上させ、光リーク電流による画質低下を抑えることができる表示装
置を提供する。
【解決手段】石英ガラス基板１１上に画素電極３１の駆動用の多結晶ＳｉＴＦＴが設けら
れた表示装置において、第１の金属層２７、２８を多結晶ＳｉＴＦＴの上層でかつ画素電
極３１の下層の平坦化された層間絶縁膜２５上に設け、第２の金属層２１、２２を多結晶
ＳｉＴＦＴの上層でかつ第１の金属層２７、２８の下層の位置に設ける。第１の金属層２
７、２８は、画素部において第２の金属層２１、２２と接続された部分を有しかつその端
部が平坦化された層間絶縁膜２５上に設けられる。第１の金属層２７、２８と第２の金属
層２１、２２とが重なり合って画素開口領域以外の領域を覆う。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴのオフ電流を低減させる半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】平坦化絶縁膜上に形成された半導体層と、平坦化絶縁膜及び半導体層上に酸化窒化珪素膜を用いて形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に銅又は銅元素を主成分とする合金を用いて形成されたゲート電極と、ゲート絶縁膜及びゲート電極上に酸化窒化珪素膜を用いて形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に形成されコンタクト部を介して半導体層に接続する画素電極とを有する。 （もっと読む）

【課題】 液晶等の電気光学装置において、積層構造や製造プロセスの単純化を図り、しかも高品質な表示を可能とする。
【解決手段】 電気光学装置は、データ線及び走査線と、データ線より下層側に配置された薄膜トランジスタとを備える。更に、データ線より上層側に配置されており、画素電位側電極、誘電体膜及び固定電位側電極が下層側から順に積層されてなる蓄積容量と、画素毎に配置されており、画素電位側電極及び薄膜トランジスタに電気的に接続された画素電極と、誘電体膜の上層側に積層された層間絶縁膜とを備える。蓄積容量は、層間絶縁膜に開けられた開口から露出した誘電体膜上に、固定電位側電極が積層された積層構造を有する。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、耐光性を高め、明るく高品位の画像表示を行えるようにする。
【解決手段】電気光学装置は、ＴＦＴアレイ基板（１０）上に、画素電極（９ａ）と、これに接続されたＴＦＴ（３０）と、これに接続された走査線（３ａ）及びデータ線（６ａ）とを備える。更に、画素電極に接続されており蓄積容量（７０）を構成する中継層（７１）と、これに誘電体膜（７５）を介して対向配置されており蓄積容量を構成する固定電位側容量電極を含む容量線（３００）とを備える。中継層及び容量線は夫々、金属を含んでなり、遮光膜としても機能する。 （もっと読む）

【課題】しきい値制御可能なＴＦＴを有する半導体装置及びインバータ回路を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、バックゲート電極と、前記バックゲート電極に、第１のゲート絶縁膜を介して接して設けられた半導体活性層と、前記半導体活性層に、第２のゲート絶縁膜を介して接して設けられたゲート電極と、を有する複数のＴＦＴと、前記複数のＴＦＴのしきい値を制御するしきい値制御回路と、を有し、前記バックゲート電極には、前記しきい値制御回路によって任意の電圧が印加されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】しきい値制御可能なＴＦＴを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、基板上に設けられた第１の導電層と、前記第１の導電層上に設けられた第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に設けられ、ソース領域、ドレイン領域、低濃度不純物領域及びチャネル形成領域を有する結晶性珪素膜と、前記結晶性珪素膜上に設けられた第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜上に設けられた第２の導電層と、を有し、前記低濃度不純物領域は、前記第１の導電層と一部重なって、かつ、前記第１の導電層の端部の外側に延在して設けられ、第２の導電層には重なっていないことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】チャネル領域およびその近傍への迷光の入射を防ぐことが可能で光リーク電流の少ない薄膜トランジスタを有する薄膜半導体装置を提供する。
【解決手段】基板３上に設けられた配線パターン５と、配線パターン５を覆う層間絶縁膜７と、層間絶縁膜７上に設けられた半導体層９と、ゲート絶縁膜１１を介して半導体層９上を横切る状態で設けられ層間絶縁膜７に形成された接続孔７ａを介して配線パターン５に接続されたゲート電極１３とを備えた薄膜半導体装置１において、ゲート電極１３は、ゲート電極１３が上部に重ねて配置された半導体層９のチャネル領域９ａを挟んだ両側において、接続孔７ａを介して配線パターン５に接続されている。 （もっと読む）

【課題】回路性能に応じて適切な構造の薄膜トランジスタを配置し、保持容量の占有面積を小さくして高性能で画像の明るい半導体装置を提供する。
【解決手段】動作速度を重視する回路とゲート絶縁耐圧を重視する回路とでゲート絶縁膜の厚さを異ならせたり、ホットキャリア対策を重視する薄膜トランジスタとオフ電流対策を重視する薄膜トランジスタとでＬＤＤ領域の形成位置を異ならせる。これにより高性能な半導体装置を実現する。また、遮光膜とその酸化物を用いて保持容量を形成することで保持容量の面積を最小限に抑え、明るい画像表示の可能な半導体装置を実現する。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタのリーク電流を許容範囲内に抑えた状態で、オン電流を増加させることが可能な表示装置を提供する。
【解決手段】絶縁基板１１上に設けられた画素電極の駆動用の薄膜トランジスタ１０を備えた表示装置であって、薄膜トランジスタ１０を構成するゲート電極１９と薄膜半導体層１４とを覆う状態で設けられる層間絶縁膜２０と、接続孔２１を通じてソース・ドレイン領域１７に接続された状態で、層間絶縁膜２０上に設けられる信号配線２２と、接続孔２１’を通じてソース・ドレイン領域１７’に接続された状態で、層間絶縁膜２０上に設けられる引き出し電極２３とを備えており、引き出し電極２３は、薄膜トランジスタ１０のリーク電流の許容範囲内で、オン電流が増加するように、ソース・ドレイン領域１７’側からＬＤＤ領域１６’上の所定範囲を覆う状態で、層間絶縁膜２０上に配設されていることを特徴とする表示装置である。 （もっと読む）