【課題】液晶装置等の電気光学装置において、配向膜の被覆率を改善することで、高品質な画像を表示可能とする。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）と、基板上に形成されており、基板の面に対して所定の角度で切り立った側壁（２１５ａ，２１５ｂ）を有する掘下部（２１５）が設けられた絶縁膜（２１０）と、絶縁膜の上層側に形成されており、基板上で平面的に見て、側壁と少なくとも部分的に重なるように設けられることで傾斜された端部を有する複数の画素電極（９ａ）と、複数の画素電極上に形成された配向膜（１６）とを備える。 （もっと読む）

【課題】例えば、液晶装置において、画素ピッチの微細化に対する要請に応じつつ、当該微細化によって得られるべき表示性能の向上を十分に享受可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ドレイン領域（１ｄ）の夫々の幅（Ｗ１）は、幅方向に沿って、チャネル領域（１ｃ）の幅（Ｗ３）より細い。加えて、ドレイン領域（１ｄ）の夫々の厚み（Ｔ１）は、チャネル領域（１ｃ）の厚み（Ｔ３）より薄い。したがって、ＴＦＴ（３０）のドレイン領域（１ｄ）の側面及び上面からなる表面の面積は、比較例に係るＴＦＴのドレイン領域の表面の面積より小さい。よって、ＴＦＴ（３０）によれば、ゲート電極（３ａ２）で遮光されないドレイン領域（１ｄ）の夫々の表面積を低減することができ、ＴＦＴ（３０）の上側から３次元的に照射される光のうちドレイン領域（１ｄ）が受ける光量を低減することが可能であり、光リーク電流を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】高速動作可能な半導体装置を低コストで提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、ＴＦＴ１００Ｐと、上部電極３０３と下部電極３０２とを有する蓄積容量１０３と、ＴＦＴ−下部電極間に形成された第１の層間絶縁膜（第１層間絶縁膜２２１）と、上部電極上に形成された第２の層間絶縁膜（第３層間絶縁膜２２３）と、第２の層間絶縁膜上に形成されたソース電極４０３及びドレイン電極（第１ドレイン電極４０２）とを含み、ソース電極は、第１、第２層間絶縁膜を貫通する第１のコンタクトホール５５１を介してＴＦＴのソース領域に、ドレイン電極は、第１、第２層間絶縁膜を貫通する第２のコンタクトホール５５２を介してＴＦＴのドレイン領域に接続され、下部電極は、第２層間絶縁膜を貫通する第３のコンタクトホール５５３を介してドレイン電極に接続されている。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、高品質なカラー画像を表示する。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に、画素の開口領域を区画する非開口領域に、互いに交差するように配置されたデータ線（６ａ）及び走査線（３ａ）と、データ線より上層側に形成されており、平坦化処理が施された平坦部（２４０）及び平坦部より下層側に掘り下げられた凹部（２５０）を有する層間絶縁膜（４３）と、平坦部上に形成されたシールド層（２１０）と、層間絶縁膜より上層側に、少なくとも凹部を埋めるように形成されたカラーフィルタ（２２０）と、カラーフィルタより上層側に、データ線及び走査線の交差に対応するように形成された画素電極（９ａ）とを備える。 （もっと読む）

【課題】反射型表示装置の製造工程を大幅に簡略化する。
【解決手段】薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタの上方に配置された絶縁層及び画素電極を有し、画素電極は、薄膜トランジスタに電気的に接続され、表面に凹凸を有し、かつ、反射機能を有し、絶縁層は、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素及び有機性樹脂から選ばれた材料を積層した構造を有し、絶縁層の少なくとも一層はカーボン系材料及び顔料の少なくともいずれか一を含む遮光膜である表示装置とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、酸素を含む化合物半導体を活性層とする薄膜トランジスタ及びその製造方法、ならびに薄膜トランジスタを備える平板表示装置を提供する。
【解決手段】基板上に形成されたゲート電極と、ゲート絶縁膜によりゲート電極から絶縁され、酸素を含む化合物半導体からなる活性層と、活性層上に形成された保護層と、活性層と接触するソース電極及びドレイン電極とを備え、保護層が、酸素との結合力を有する無機物を含む酸化物からなる。 （もっと読む）

【課題】迷光を発生させることなく、隣接するデータ線間の干渉を防止することのできる反射型電気光学装置および投射型表示装置を提供すること。
【解決手段】反射型電気光学装置１００において、素子基板１０では、Ｘ方向で隣接するデータ線６ａに挟まれた領域にＹ方向に延在する透光性導電膜からなるシールド線７ａが形成されているため、Ｘ方向で隣接するデータ線６ａ同士の間に寄生する容量が極めて小さい。素子基板１０において、基板１０ｄは透光性基板であり、シールド線７ａは透光性導電膜からなるため、対向基板２０側から入射した光が画素電極９ａで挟まれた隙間領域９ｓで漏れて素子基板１０側に入射した際、かかる光はシールド線７ａを透過した後、基板１０ｄを透過する。従って、シールド線７ａでの反射に起因する迷光の発生を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】光の入射による記憶情報の喪失を防止することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】バックライトモジュールや表示素子からのランダムな進行方向の光が下側光学シート７に入射すると、下側光学シート７により光の進行方向が該光学シート７の法線方向に向くように揃えられる。このため、下側光学シート７のプリズム面から出射される光の殆どは、下側光学シート７の法線に対する一定の出射角度±θ度以内で出射されて、下側遮光体５により確実に遮断され、下側遮光体５の周縁を回りこんで入射することがなくなる。これにより、情報記憶保持部３への入射光が効果的に軽減され、情報記憶保持部３からの記憶情報の喪失を防止することができる。上側遮光体６と上側光学シート８についても、上側光学シート８により入射光の進行方向が該光学シート８の法線方向に向くように揃えられ、上側遮光体６により光が確実に遮断される。 （もっと読む）

【課題】暗電流の発生を抑制することができ、有機ＥＬなどの電流駆動素子に好適な半導体装置、半導体装置の製造方法、及び、その半導体装置を備えた表示装置を提供する。
【解決手段】基板１１と、チャネル領域を有する半導体層１８とを備え、チャネル領域が、結晶成分の体積率をＶｃとし、非結晶成分の体積率をＶａとしたときＶｃ／Ｖａ＞４を満たす酸化物半導体で構成されている。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ装置を用いて基板上に半導体膜を成膜する際、各結晶粒のグレインサイズが略均一となるとともに、面内において略均一な膜厚の半導体膜を形成することができることにより、信頼性の高いトランジスタを製造できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板を、ＣＶＤ装置内に導入して、ヒータ上に載置し、ヒータを加熱することによって基板を設定された成膜温度まで加熱するステップＳ１と、ＣＶＤ装置内にモノシランガスを導入して、基板上に、非晶質の第１の半導体膜を第１の膜厚に成膜するステップＳ２と、ＣＶＤ装置内にジシランガスを導入して、第１の半導体膜上に、非晶質の第２の半導体膜を第１の膜厚よりも厚い第２の膜厚に成膜して、第１の半導体膜及び第２の半導体膜により、半導体膜を設定厚さに形成するステップＳ３と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】リーク電流を抑制可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタは、基板上に配された半導体薄膜１と、ゲート電極Ｇと、半導体薄膜１とゲート電極Ｇとの間に配された絶縁膜２とからなる。半導体薄膜１は、入力側領域Ｓと出力側領域Ｄとに分かれており、両者の境界３から入力側領域Ｓにある半導体薄膜１の厚みに比べ、境界３から出力側領域Ｄにある半導体薄膜１の厚みが少なくとも部分的に薄くなっている。ゲート電極Ｇは、境界３にかかる様に配されており、ゲート電極Ｇに重なる半導体薄膜１の部分がチャネル領域ＣＨになる。 （もっと読む）

【課題】液晶等の電気光学装置において、簡易な構成で、トランジスタにおける効果的な遮光を実現する。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）と、データ線（６ａ）及び走査線（１１ａ）と、画素毎に設けられた画素電極（９ａ）と、チャネル領域（１ａ’）、データ線側ソースドレイン領域（１ｄ）、画素電極側ソースドレイン領域（１ｅ）、第１の接合領域（１ｂ）、第２の接合領域（１ｃ）、及び容量下部電極（１ｆ）を有する半導体層（１ａ）と、容量絶縁膜（７５）と、チャネル領域及び容量下部電極を除くと共に第１及び第２の接合領域を含む部分を覆うように設けられた部分絶縁膜（２０２）と、容量絶縁膜を介して、容量下部電極と蓄積容量を構築する容量上部電極（７２）と、チャネル領域にゲート絶縁膜（２）を介して対向するゲート電極（３ａ）とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体素子などによって発生した基板上の凹凸を完全に平坦化でき、かつ、静電気などから半導体素子を保護することのできる半導体装置、および電気光学装置を提供すること。
【解決手段】支持基板１０ｄに電界効果型トランジスタ３０が形成された半導体装置１０ｓにおいて、電界効果型トランジスタ３０の上層側には、下層側絶縁膜７１、平坦化膜７４および上層側絶縁膜７５が順に形成されている。平坦化膜７４は導電膜からなり、導電パターン９ｓと電界効果型トランジスタ３０とを電気的に接続するためのコンタクト部７０では、平坦化膜７４に第１コンタクトホール７４ａが形成され、かかる第１コンタクトホール７４ａの内側に、下層側絶縁膜７２および上層側絶縁膜７５を貫通する第２コンタクトホール７５ａが形成されている。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置において、画素スイッチング用のＴＦＴに対する遮光性を高めつつ、開口率を向上させる。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）と、走査線（１１）及びデータ線（６ａ）と、画素電極（９ａ）と、チャネル領域（１ａ’）、データ線側ソースドレイン領域（１ｄ）、画素電極側ソースドレイン領域（１ｅ）、第１の接合領域（１ｂ）及び第２の接合領域（１ｃ）を有する半導体層（１ａ）と、半導体層における少なくとも第２の接合領域の一部を含む所定領域の側壁上に設けられた絶縁膜からなるサイドウォール（６１）と、走査線に電気的に接続され、チャネル領域にゲート絶縁膜（２）を介して対向するように配置されると共に、所定領域及びサイドウォールを覆うように設けられたゲート電極（３ａ）とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の特性を向上させる。特に、遮光膜を用いながら貼り合わせ精度の向上を図ることのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置を、支持基板（１０Ｓ）上の全面に遮光性膜（１３）を堆積する工程と、支持基板上の全面に堆積された遮光性膜上に絶縁膜（１５）を堆積する工程と、絶縁膜（１５）上に半導体基板を貼り合わせる工程と、半導体基板を薄膜化し、半導体膜（２０）を形成する工程と、遮光性膜、絶縁膜および半導体膜を、連続してパターニングする工程と、半導体膜（２０Ｐ）上に半導体素子を形成する工程と、により形成する。かかる方法によれば、遮光性膜を支持基板上の全面に堆積する（デポ膜とする）ことで、その表面が平坦な状態で半導体基板と貼り合わせることが可能となり、貼り合わせ精度の向上を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの光リーク電流を低減させる装置及び方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタアレイパネルの製造方法であって、下記のステップを含む。即ち、（i）基板上に、ゲートライン及び遮蔽パターンを含むパターン化された第１導電層を形成するステップと、（ii）前記パターン化された第１導電層及び基板上に、ゲート絶縁層を形成するステップと、（iiｉ）前記ゲート絶縁層上に、パターン化された半導体層を形成するステップと、（iv）前記パターン化された半導体層上に、ソース及びドレインを有するパターン化された第２導電層を形成し、且つ、データラインがソースに電気的接続されるステップと、（v）前記パターン化された第２導電層及び基板上に、パターン化された保護層を形成するステップと（vi）前記パターン化された保護層上に、パターン化された透明導電層を形成するステップとを含む方法。 （もっと読む）

【課題】フッ酸（ＨＦ）と硝酸（ＨＮＯ₃）との混酸を用いたエッチング方法では、この混酸を供給し続けている個所のエッチングレートが低下する傾向が見られ、基板の表面または裏面のポリシリコン膜を、均一に除去することは困難である。
【解決手段】フッ酸と硝酸とを混合した薬液である混酸、およびフッ化アンモニウムとフッ化水素酸とを混合した薬液であるバッファードフッ化水素酸の少なくとも２種類の薬剤をそれぞれの種類ごとに供給するので、マザー基板１１０の一方の面１１０ｆに形成されたポリシリコン膜１８０ｆ、および他方の面１１０ｒに形成されたポリシリコン膜１８０ｒが残ることなく、マザー基板１１０の一方の面１１０ｆのポリシリコン膜１８０ｆ、および他方の面１１０ｒのポリシリコン膜１８０ｒを除去することができる。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、画素内のＴＦＴにおける光リーク電流の発生を低減する。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）と、互いに交差して延在すると共に遮光性の導電膜を夫々含んでなるデータ線（６ａ）及び走査線（１１ａ）と、データ線及び走査線の交差に対応して設けられた画素電極（９ａ）と、半導体層（１ａ）と、半導体層におけるチャネル領域（１ａ’）にゲート絶縁膜（２）を介して対向するように配置されたゲート電極（３ａ）と、画素電極に電気的に接続されると共に、半導体層における画素電極側ソースドレイン領域（１ｅ）を覆うように設けられた遮光膜（３１ａ）とを備える。半導体層における第２の接合領域（１ｃ）は、基板上で平面的に見て、データ線及び走査線の交差する交差領域（９９ｃｒ）内に少なくとも部分的に配置されている。 （もっと読む）

【課題】透過型液晶表示素子基板に形成する遮光膜による接着時の熱拡散対策と遮光膜を有効利用した製造方法の提供。
【解決手段】透明基板２０上に遮光膜２１をトランジスタ形成領域２５にあわせパターン形成する工程と、全面に酸化シリコン膜２２を形成する工程と、酸化シリコン膜２２の平坦化処理をする工程と、シリコン基板２３を酸化シリコン膜２２上に接着する工程と、所定の位置に水素イオン注入で水素リッチ層２４を形成する工程と、水素リッチ層２４部でシリコン基板２３を分離する工程と、水素リッチ層２４を研磨して除去する工程と、シリコン膜２２上に集積回路を形成する工程を具備する製造方法において、遮光膜２１のパターン形成では、認識マーク２１ＡとＩＤ刻印部２１Ｂを形成し。接着する工程では、透明基板２０側から酸化シリコン膜２２に遮光膜２１の有無によりレーザーの照射量を変えてレーザーを照射する。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、画素内のＴＦＴにおける光リーク電流の発生を低減する。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）と、基板上で互いに交差して延在すると共に遮光性の導電膜を夫々含んでなるデータ線（６ａ）及び走査線（１１ａ）と、データ線及び走査線の交差に対応して設けられた画素電極（９ａ）と、半導体層（１ａ）と、基板上で平面的に見て、半導体層における第２の接合領域（１ｃ）を囲う環形状を有し、半導体層におけるチャネル領域（１ａ’）にゲート絶縁膜（２）を介して対向するように配置されたゲート電極（３ａ）とを備える。第２の接合領域は、基板上で平面的に見て、データ線及び走査線の交差する交差領域（９９ｃｒ）内に少なくとも部分的に配置されている。 （もっと読む）