電気光学装置の製造方法、エッチング方法
【課題】フッ酸（ＨＦ）と硝酸（ＨＮＯ3）との混酸を用いたエッチング方法では、この混酸を供給し続けている個所のエッチングレートが低下する傾向が見られ、基板の表面または裏面のポリシリコン膜を、均一に除去することは困難である。
【解決手段】フッ酸と硝酸とを混合した薬液である混酸、およびフッ化アンモニウムとフッ化水素酸とを混合した薬液であるバッファードフッ化水素酸の少なくとも２種類の薬剤をそれぞれの種類ごとに供給するので、マザー基板１１０の一方の面１１０ｆに形成されたポリシリコン膜１８０ｆ、および他方の面１１０ｒに形成されたポリシリコン膜１８０ｒが残ることなく、マザー基板１１０の一方の面１１０ｆのポリシリコン膜１８０ｆ、および他方の面１１０ｒのポリシリコン膜１８０ｒを除去することができる。
【解決手段】フッ酸と硝酸とを混合した薬液である混酸、およびフッ化アンモニウムとフッ化水素酸とを混合した薬液であるバッファードフッ化水素酸の少なくとも２種類の薬剤をそれぞれの種類ごとに供給するので、マザー基板１１０の一方の面１１０ｆに形成されたポリシリコン膜１８０ｆ、および他方の面１１０ｒに形成されたポリシリコン膜１８０ｒが残ることなく、マザー基板１１０の一方の面１１０ｆのポリシリコン膜１８０ｆ、および他方の面１１０ｒのポリシリコン膜１８０ｒを除去することができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回転する基板上に薬剤を供給して基板上の導電膜を除去する電気光学装置の製造方法およびエッチング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気光学装置の一例である液晶装置は、対向して配置された素子基板、対向基板と、素子基板および対向基板の間に封入された液晶とを有して構成される。素子基板には、たとえば複数の薄膜トランジスタ（以下、単にトランジスタと称す）を含む回路素子層が形成され、対向基板には、たとえば対向電極等が形成される。素子基板、対向基板は、それぞれ独立した工程により製造される。
【０００３】
素子基板、対向基板の製造工程では、素子基板、対向基板の基体となる基板を静電チャックにより固定するために、基板の表裏に導電性のポリシリコン膜が形成される場合がある。このポリシリコン膜は、工程のいずれかの段階でエッチングにより除去される。
【０００４】
ここで、エッチング方法に関連して、浸漬法により基板の表面および裏面を含む全面をエッチングする方法が開示されている（たとえば、特許文献１参照）。また、スピン装置に基板を載置して、回転する基板の表面を、フッ酸（ＨＦ）と硝酸（ＨＮＯ3）との混酸により、エッチングする方法が知られている。
【０００５】
【特許文献１】特開平５−１４４７９８号公報（２頁〜３頁、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上述のフッ酸（ＨＦ）と硝酸（ＨＮＯ3）との混酸を用いたエッチング方法では、この混酸を供給し続けている個所のエッチングレートが低下する傾向が見られ、基板の表面または裏面のシリコン膜を、均一に除去することは困難である。また、基板として石英基板またはガラス基板を用いた場合には、基板自体がエッチングされてしまうという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものである。以下の形態または適用例により実現することが可能である。
【０００８】
［適用例１］本適用例にかかる電気光学装置の製造方法は、素子基板を製造する工程Ａと、対向基板を製造する工程Ｂと、前記素子基板と前記対向基板とを貼り合わせ、前記素子基板と前記対向基板との間に電気光学物質を封入する工程と、を有する電気光学装置の製造方法であって、前記工程Ａまたは前記工程Ｂにおいて、基板の一方の面、および他方の面に導電膜を形成する導電膜形成工程と、前記基板の前記一方の面の前記導電膜を除去する第１の導電膜除去工程と、前記基板の前記一方の面に、薄膜を層状に形成する薄膜形成工程と、前記薄膜を形成した後に、前記基板の前記他方の面の前記導電膜を除去する第２の導電膜除去工程とを備え、前記第１の導電膜除去工程または前記第２の導電膜除去工程は、前記基板上に第１の薬剤を供給し、前記導電膜をエッチングする工程Ｃと、前記基板上に第２の薬剤を供給し、前記工程Ｃにより酸化された前記導電膜をエッチングする工程Ｄとを有することを要旨とする。
【０００９】
これによれば、第１の薬剤によりエッチングした後、第１の薬剤とは異なる第２の薬剤によりエッチングを行うため、１種類の薬剤によるエッチングを続けることに起因するエッチングレートの低下を抑制することができる。これにより、基板の表面の導電膜、または基板の裏面の導電膜を、均一に除去することができる。つまり、基板の表面または裏面に導電膜が残ることなく、かつ、基板にダメージを与えることなく、基板の表面または裏面から導電膜を除去することができる。
【００１０】
［適用例２］上記適用例にかかる電気光学装置の製造方法において、前記第１の薬剤は、フッ酸と硝酸とを混合した薬液である混酸であり、前記第２の薬剤は、フッ化アンモニウムとフッ化水素酸とを混合した薬液であるバッファードフッ化水素酸であることが好ましい。
【００１１】
これによれば、第１の薬剤である混酸を供給し、その後第２の薬剤であるバッファードフッ化水素酸を供給するので、フッ酸と硝酸とを混合した薬液である混酸だけを供給して基板の導電膜を除去する場合においてエッチングレートが低下することを無くすことができる。これにより、基板の表面の導電膜、または基板の裏面の導電膜を、均一に除去することができる。つまり、基板の表面または裏面に導電膜が残ることなく、基板の表面または裏面から導電膜を除去することができる。
【００１２】
［適用例３］上記適用例にかかる電気光学装置の製造方法において、前記工程Ｃと前記工程Ｄとの間に、純水による洗浄工程を有することが好ましい。
【００１３】
これによれば、供給された混酸や、エッチングにより生じた異物が、基板上から除去されるので、その後に供給する第２の薬剤であるバッファードフッ化水素酸によるエッチングがより効果的となる。
【００１４】
［適用例４］上記適用例にかかる電気光学装置の製造方法において、前記第１の導電膜除去工程および前記第２の導電膜除去工程の少なくとも一方を、２回以上繰返し実施することが好ましい。
【００１５】
これによれば、導電膜を除去する際に、上記工程Ｃ，Ｄを２回以上繰返し実施するので、導電膜が基板の表面または裏面に残ることなく、基板の表面または裏面から導電膜を除去することが、より確実になる。
【００１６】
［適用例５］本適用例にかかるエッチング方法は、導電膜が形成された基板を回転させる工程と、前記基板を回転させた状態で、前記基板に、フッ酸と硝酸とを混合した薬液である混酸を供給して前記導電膜をエッチングする工程と、前記基板を回転させた状態で、前記基板に、フッ化アンモニウムとフッ化水素酸とを混合した薬液であるバッファードフッ化水素酸を供給して酸化された前記導電膜をエッチングする工程とを有していることを要旨とする。
【００１７】
これによれば、フッ酸と硝酸とを混合した薬液である混酸によりエッチングした後、バッファードフッ化水素酸によりエッチングを行うため、混酸だけによるエッチングを続けることに起因するエッチングレートの低下を抑制することができる。これにより、基板の表面の導電膜、または基板の裏面の導電膜を、均一に除去することができる。つまり、基板の表面または裏面に導電膜が残ることなく、基板の表面または裏面から導電膜を除去することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、図面を参照して、本発明の一実施形態について説明する。
ここで、以下に示す実施の形態において電気光学装置は、液晶装置を例に挙げて説明する。また、液晶装置において対向して配置される２枚の基板のうち、一方の基板は素子基板（以下、「ＴＦＴ基板」と記す）として説明する。そして、他方の基板はＴＦＴ基板に対向する対向基板として説明する。
（実施形態）
【００１９】
まず、本実施形態の製造方法にかかる液晶装置の全体の構成について、図１から図３を参照して説明する。
図１は、本実施形態にかかる液晶装置の概略平面図である。図２は、図１のＡ−Ａ断面図である。図３は、一つの画素に着目した図１の液晶装置の模式的断面図である。
【００２０】
図１および図２に示すように、液晶装置１００は、ＴＦＴ基板１０と、対向基板２０と、液晶５０と、シール材５２とを備えている。ＴＦＴ基板１０と対向基板２０とは、対向して配置され、シール材５２によって貼り合わされている。ＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間の内部空間に、電気光学物質である液晶５０を介在させて構成される。
そして、ＴＦＴ基板１０および対向基板２０は、たとえば石英またはガラスなどからなる。
【００２１】
ＴＦＴ基板１０の基板上の液晶５０と接する一方の面１０ｆ側に、液晶装置１００の表示領域４０を構成するＴＦＴ基板１０の表示領域１０ｈが構成されている。また、表示領域１０ｈに、画素を構成する対向電極２１とともに液晶５０に駆動電圧を印加する電極である画素電極（ＩＴＯ）９ａがマトリクス状に配置されている。
【００２２】
そして、対向基板２０の基板上の液晶５０と接する一方の面２０ｆの全面に、液晶５０に画素電極９ａとともに駆動電圧を印加する電極である対向電極（ＩＴＯ）２１が設けられている。そして、対向電極２１のＴＦＴ基板１０の表示領域１０ｈに対向する位置の液晶５０と接する一方の面２０ｆ側に、液晶装置１００の表示領域４０を構成する対向基板２０の表示領域２０ｈが構成されている。
【００２３】
ＴＦＴ基板１０の画素電極９ａ上に、ラビング処理が施された配向膜１６が設けられており、また、対向基板２０上の全面にわたって形成された対向電極２１上にも、ラビング処理が施された配向膜２６が設けられている。各配向膜１６，２６は、たとえば、ポリイミド膜などの透明な有機膜からなる。
【００２４】
また、ＴＦＴ基板１０の表示領域１０ｈにおいては、複数本の走査線１１ａ（図３参照）と複数本のデータ線６ａ（図３参照）とが交差するように配線され、走査線１１ａとデータ線６ａとで区画された領域に画素電極９ａがマトリクス状に配置される。そして、走査線１１ａとデータ線６ａとの各交差部分に対応してスイッチング素子である薄膜トランジスタ（以下、「ＴＦＴ」と記す）３０（図３参照）が設けられ、このＴＦＴ３０毎に画素電極９ａが電気的に接続されている。
【００２５】
ＴＦＴ３０は走査線１１ａのＯＮ信号によってオンとなり、これにより、データ線６ａに供給された画像信号が画素電極９ａに供給される。この画素電極９ａと対向基板２０に設けられた対向電極２１との間の電圧が液晶５０に印加される。
【００２６】
また、画素電極９ａと並列に、蓄積容量７０（図３参照）が設けられており、蓄積容量７０によって、画素電極９ａの電圧は、ソース電圧が印加された時間よりもたとえば３桁も長い時間の保持が可能となる。また、蓄積容量７０によって、電圧保持特性が改善され、コントラスト比の高い画像表示が可能となる。
【００２７】
対向基板２０に、ＴＦＴ基板１０の表示領域１０ｈおよび対向基板２０の表示領域２０ｈの外周を、画素領域において規定し区画することにより、表示領域４０を規定する額縁としての遮光膜５３が設けられている。
【００２８】
液晶５０がＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間の空間に、既知の液晶注入方式で注入される場合、シール材５２は、シール材５２の一辺の一部において欠落して塗布されている。
【００２９】
シール材５２の欠落した箇所は、この欠落した箇所から貼り合わされたＴＦＴ基板１０および対向基板２０との間に液晶５０を注入するための液晶注入口１０８を構成している。液晶注入口１０８は、液晶注入後、封止材１０９で封止される。
【００３０】
シール材５２の外側の領域に、ＴＦＴ基板１０の図示しないデータ線に画像信号を所定のタイミングで供給して、このデータ線を駆動するドライバであるデータ線駆動回路１０１および外部回路との接続のための外部接続端子１０２が、ＴＦＴ基板１０の一辺に沿って設けられている。
【００３１】
この一辺に隣接する二つの辺に沿った、ＴＦＴ基板１０の走査線１１ａおよびゲート電極３ａ（図３参照）に、走査信号を所定のタイミングで供給することにより、ゲート電極３ａを駆動するドライバである走査線駆動回路１０３，１０４が設けられている。走査線駆動回路１０３，１０４は、シール材５２の内側の遮光膜５３に対向する位置において、ＴＦＴ基板１０上に形成されている。
【００３２】
また、ＴＦＴ基板１０上に、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０３，１０４、外部接続端子１０２、および上下導通端子１０７を接続する配線１０５が、遮光膜５３の三辺に対向して設けられている。
【００３３】
上下導通端子１０７は、シール材５２のコーナー部の４箇所のＴＦＴ基板１０上に形成されている。そして、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０相互間に、下端が上下導通端子１０７に接触し上端が対向電極２１に接触する上下導通材１０６が設けられており、この上下導通材１０６によって、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通がとられている。
【００３４】
また、図３に示すように、各薄膜を形成する前の、石英基板、ガラス基板などのＴＦＴ基板１０を構成する一方の基板の一方の面上に、ＴＦＴ３０や画素電極９ａのほか、これらを含む各種の構成が層状の積層構造をなして備えられている。なお、この積層構造、および積層された各層の機能は周知であるため、概略的に説明する。
【００３５】
この積層構造は、複数の薄膜である第１層〜第６層に構成されている。基板の一方の面から順に、走査線１１ａを含む第１層（成膜層）、ゲート電極３ａを具備するＴＦＴ３０などを含む第２層、蓄積容量７０を含む第３層、データ線６ａなどを含む第４層、シールド層４００などを含む第５層、画素電極９ａおよび配向膜１６などを含む第６層（最上層）からなる。また、第１層〜第６層、それぞれの層との間には、層間絶縁膜がそれぞれ設けられており、走査線１１ａ、ゲート電極３ａ、蓄積容量７０、データ線６ａ、シールド層４００、および画素電極９ａのいずれかが短絡することを防止している。
【００３６】
第１層に、たとえば、タングステンシリサイドからなる走査線１１ａが、平面形状がストライプ状となるようパターニングされて成膜されている。また、走査線１１ａは、ＴＦＴ３０に下側から入射しようとする光を遮る遮光機能をも有している。走査線１１ａ上に、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜などからなる下地絶縁膜１２が、たとえば、常圧または減圧ＣＶＤ法などにより成膜されている。
【００３７】
第２層に、ゲート電極３ａを含むＴＦＴ３０が設けられている。ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、たとえばポリシリコン膜などの結晶化シリコン膜からなる半導体層１と、ゲート電極３ａと、ゲート電極３ａと半導体層１とを絶縁するゲート絶縁膜２とから主要部が構成されている。
【００３８】
半導体層１は、ゲート電極３ａからの電界によりチャネルが形成されるチャネル領域１ａと、低濃度ソース領域１ｂと、低濃度ドレイン領域１ｃと、高濃度ソース領域１ｄと、高濃度ドレイン領域１ｅとを備えている。そして、第２層に、ゲート電極３ａと同一膜として中継電極７１９が形成されている。
【００３９】
下地絶縁膜１２を、平面的に見て、半導体層１の両脇に、データ線６ａに沿って延びる半導体層１のチャネル長と同じ幅の溝（コンタクトホール）１２ｃｖが掘られている。このコンタクトホール１２ｃｖにより、同一行の走査線１１ａとゲート電極３ａとは、同電位となる。
【００４０】
第３層に、容量部である蓄積容量７０が設けられている。蓄積容量７０は、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅおよび画素電極９ａに電気的に接続された下部電極７１と、容量電極３００とが、容量となる誘電体膜７５を介して対向配置されることにより形成されている。
【００４１】
ＴＦＴ３０からゲート電極３ａおよび中継電極７１９の上、かつ、蓄積容量７０の下に、たとえば、窒化シリコン膜または酸化シリコン膜などからなる第１層間絶縁膜４１が形成されている。
【００４２】
第１層間絶縁膜４１に、ＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄとデータ線６ａとを電気的に接続するために介在されるコンタクトホール８１が、第２層間絶縁膜４２を貫通して開孔されている。
【００４３】
また、第１層間絶縁膜４１に、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅと蓄積容量７０を構成する下部電極７１とを電気的に接続するために介在されるコンタクトホール８３が開孔されている。
【００４４】
さらに、この第１層間絶縁膜４１に、下部電極７１と中継電極７１９とを電気的に接続するために介在されるコンタクトホール８８１が開孔されている。さらに加えて、第１層間絶縁膜４１に、中継電極７１９と第２中継層６ａ２とを電気的に接続するために介在されるコンタクトホール８８２が、第２層間絶縁膜４２を貫通して開孔されている。
【００４５】
第４層に、データ線６ａが設けられている。このデータ線６ａは、下層より順に、アルミニウム層４１Ａ、窒化チタン層４１ＴＮ、窒化シリコン膜層４０１の三層構造を有する膜として形成されている。
【００４６】
また、この第４層に、データ線６ａと同一膜として、シールド層用中継層６ａ１および第２中継層６ａ２が形成されている。また、第２層間絶縁膜４２に、シールド層用中継層６ａ１と容量電極３００とを電気的に接続するために介在されるコンタクトホール８０１が開孔されている。
【００４７】
第５層に、シールド層４００が形成されている。また、第５層に、このようなシールド層４００と同一膜として、中継層としての第３中継電極４０２が形成されている。
【００４８】
第３層間絶縁膜４３に、シールド層４００とシールド層用中継層６ａ１とを電気的に接続するために介在されるコンタクトホール８０３、および第３中継電極４０２と第２中継層６ａ２とを電気的に接続するために介在されるコンタクトホール８０４がそれぞれ開孔されている。
【００４９】
第６層に、画素電極９ａがマトリクス状に形成され、この画素電極９ａ上に配向膜１６が形成されている。そして、この画素電極９ａ下に、第４層間絶縁膜４４が形成されている。また、第４層間絶縁膜４４に、画素電極９ａおよび第３中継電極４０２間を電気的に接続するために介在されたコンタクトホール８９が開孔されている。
【００５０】
以下、本実施形態の液晶装置の製造方法について、図４〜図１２を参照して説明する。液晶装置１００の製造方法は、素子基板としてのＴＦＴ基板１０を製造する工程（工程Ａ）と、対向基板２０を製造する工程（工程Ｂ）と、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０とを貼り合わせ、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間に液晶５０を封入する工程とを有している。
以下、液晶装置１００の製造方法は、ＴＦＴ基板１０の製造方法を一例に挙げて説明する。また、各薄膜を形成する前のＴＦＴ基板１０を構成する基板は、石英から構成された大板の基板に複数構成されている。すなわち、大板の基板の一部が、ＴＦＴ基板１０を構成する基板として説明する。
【００５１】
まず、素子基板としてのＴＦＴ基板の製造工程（工程Ａ）について説明する。図４は、ＴＦＴ基板の製造方法の一部を示すフローチャートである。図５は、大板の基板の一方の面または他方の面を、洗浄および乾燥するとともに、大板の基板の一方の面または他方の面から導電膜を除去するスピン装置を示す図である。図６は、図５に示すスピン装置のスピンベースおよび静電チャックピンを示す上面図である。図７は、図５に示すスピン装置を用いて、大板の基板の一方の面または他方の面を、洗浄および乾燥する工程を示す図である。図８は、図７に示す大板の基板の一方の面および他方の面および端面に薄膜を形成した状態を示す図である。図９は、図５に示すスピン装置を用いて、図８に示す大板の基板の一方の面および端面の薄膜を除去する工程を示す図である。図１０は、図９に示す大板の基板の一方の面のＴＦＴ基板を構成する複数の領域に、それぞれ複数の薄膜を積層して形成した状態を示す図である。図１１は、図５に示すスピン装置を用いて、図１０に示す大板の基板の他方の面の薄膜を除去する工程を示す図である。図１２は、図４の一部を示すフローチャートである。
【００５２】
まず、図４に示すステップＳ１において、図５に示すスピン装置１５０を用いて、石英から構成された大板の基板（以下、「マザー基板」と記す）１１０に、洗浄処理を施す。その後、アニール処理または乾燥処理を施す。
【００５３】
ここで、スピン装置１５０の構成を簡単に説明する。
スピン装置１５０は、図５および図６に示すように、たとえば円板状のステージ台である回転自在なスピンベース１５１と、このスピンベース１５１の外周に、たとえば等間隔に８個固定された大板の基板保持用の静電チャックピン１５２と、スピンベース１５１と平面上略同じ大きさを有する円板状の回転自在なシールド板１５３とにより主要部が構成されている。このような構成を有するスピン装置１５０としては、大日本スクリーン製造株式会社のＭＰ３０００が一例として挙げられる。
【００５４】
スピンベース１５１の回転中心に、８個の静電チャックピン１５２に保持されたマザー基板１１０の他方の面１１０ｒに、薬剤としての各液体を供給する液体供給管路１６１の供給口１６１ｋが開口されている。ここで、液体供給管路１６１の供給口１６１ｋからは、５０％濃度のフッ酸（ＨＦ）と、６０％濃度の硝酸（ＨＮＯ3）とを体積比１：６０で混合した薬液である混酸、フッ化アンモニウムとフッ化水素酸とを混合した薬液であるバッファードフッ化水素酸（以下、「ＢＨＦ」と記す）、および純水（Ｈ2Ｏ）を供給することができる。
【００５５】
シールド板１５３の回転中心に、８個の静電チャックピン１５２に保持されたマザー基板１１０の一方の面１１０ｆに、上述の各液体を供給する液体供給管路１６２の供給口１６２ｋが開口されている。
【００５６】
８個の静電チャックピン１５２は、スピンベース１５１の外周から、上方に延出するよう、スピンベース１５１の外周に固定されている。そして、スピンベース１５１が回転した際、８個の静電チャックピン１５２は、スピンベース１５１と一緒に回転する。ここで、静電チャックピン１５２の個数は８個に限定されず、適宜決定することができる。
【００５７】
そして、８個の静電チャックピン１５２の上方への延出端部の近傍に、スピンベース１５１の内周方向に突出する載置部１５２ｔがそれぞれ形成されている。８個の載置部１５２ｔの各上面に、マザー基板１１０の他方の面１１０ｒの外周部位が当接されることにより、マザー基板１１０は、８個の静電チャックピン１５２の各載置部１５２ｔに載置されている。
【００５８】
また、８個の静電チャックピン１５２は、スピンベース１５１の外周から、上方に延出するよう固定されているため、８個の静電チャックピン１５２の各載置部１５２ｔに載置されたマザー基板１１０は、スピンベース１５１から、たとえば５ｍｍ程度上方に離間して位置している。
【００５９】
さらに、８個の静電チャックピン１５２は、スピンベース１５１の径方向に移動自在となるよう、スピンベース１５１に固定されている。このようにして、８個の載置部１５２ｔにマザー基板１１０が載置された後、８個の静電チャックピン１５２をスピンベース１５１の内周方向に移動させることにより、８個の載置部１５２ｔに載置されたマザー基板１１０の端面を８個の静電チャックピン１５２の各内周面で挟持することができる。そして、静電チャックピン１５２は、確実にマザー基板１１０を固定して保持することができる。
【００６０】
このように構成されたスピン装置１５０を用いて、図７に示すようにマザー基板１１０の洗浄処理および乾燥処理を施す。具体的には、マザー基板１１０を、スピン装置１５０の８個の静電チャックピン１５２に固定し、その後、スピンベース１５１を、たとえば２５００ｒｐｍで回転させて、マザー基板１１０を回転させる。この際、シールド板１５３も回転させる。
【００６１】
そして、各液体供給管路１６１，１６２の各供給口から液体を供給しない状態で、スピンベース１５１を、たとえば２５００ｒｐｍで回転させることにより、洗浄処理後のマザー基板１１０をスピン乾燥する乾燥処理を施す。このとき、乾燥処理条件は、たとえば６０℃で３０ｍｉｎとする。ここで、この洗浄処理および乾燥処理は、スピン装置１５０以外の装置を用いて施してもよい。
【００６２】
その後、マザー基板１１０を、スピン装置１５０から取り外した後、マザー基板１１０の歪みを防止するため、マザー基板１１０に対して、たとえば１０００℃の環境下において、３００ｓｅｃ程度、Ｎ2（窒素）ガスを用いてアニール処理を施す。
【００６３】
次に、図４に示すステップＳ２において、たとえば、既知のバッチ式の縦型のＬＰ−ＣＶＤ装置などを用いて、図８に示すように、マザー基板１１０の一方の面１１０ｆの全面と他方の面１１０ｒの全面に、導電膜であるポリシリコン膜１８０を、たとえば１００ｎｍ〜５００ｎｍの膜厚に形成する導電膜形成工程を行う。その後、形成されたポリシリコン膜１８０の膜厚を測定する。
【００６４】
このＬＰ−ＣＶＤ装置を用いたポリシリコン膜１８０の形成は、たとえば、６２０℃の環境下において、モノシラン（ＳｉＨ4）ガスを、ＬＰ−ＣＶＤ装置内に導入することにより行われる。また、マザー基板１１０の端面１１０ｔにも、ポリシリコン膜１８０が形成される。
【００６５】
以下、ポリシリコン膜１８０について、マザー基板１１０の一方の面１１０ｆに形成されたポリシリコン膜には、符号１８０ｆを付与する。そして、他方の面１１０ｒに形成されたポリシリコン膜には、符号１８０ｒを付与する。さらに、端面１１０ｔに形成されたポリシリコン膜には、符号１８０ｔを付与する。
【００６６】
さらに、ポリシリコン膜１８０の膜厚は、マザー基板１１０の他方の面１１０ｒに接触傷などが形成されないよう保護するために必要な膜厚、およびマザー基板１１０を、枚葉式の成膜装置、ドライエッチング装置の各ステージに、静電チャックを用いて固定する際、固定に十分な静電力を発生させるのに必要な膜厚に形成される。
【００６７】
ＬＰ−ＣＶＤ装置を用いたマザー基板１１０に対するポリシリコン膜の形成は、同時に、数枚のマザー基板１１０に対して行ってもよい。さらに、マザー基板１１０の一方の面１１０ｆ、他方の面１１０ｒに形成する導電膜は、ポリシリコン膜に限定されず、たとえばリン（Ｐ）をドープしたポリシリコンまたはアモルファスシリコンなどの導電膜であってもよい。
【００６８】
次に、図４に示すステップＳ３において、マザー基板１１０の一方の面１１０ｆのポリシリコン膜１８０ｆを、スピン方式にて除去する第１の導電膜除去工程である第１の導電膜除去工程を行う。ステップＳ３は、さらに図１２のフローチャートに示すステップＰ１からステップＰ５を含んでいる。以下、図１２に沿って説明する。
【００６９】
ステップＰ１では、フッ酸（ＨＦ）と硝酸（ＨＮＯ3）とを混合した薬液である混酸によるエッチングを行う。ステップＰ１は、工程Ｃに対応する。混酸は、第１の薬剤に対応する。ステップＰ１では、まずマザー基板１１０を、スピン装置１５０の８個の静電チャックピン１５２に載置して固定する。その後、たとえば２５００ｒｐｍで、スピンベース１５１を回転させて、マザー基板１１０を回転させる。この際、シールド板１５３も回転させる。
【００７０】
その後、図９に示すように、回転するマザー基板１１０のポリシリコン膜１８０ｆの回転中心に、上方から、すなわち、液体供給管路１６２の供給口１６２ｋから、薬剤として、５０％濃度のフッ酸（ＨＦ）と、６０％濃度の硝酸（ＨＮＯ3）とを体積比１：６０で混ぜた薬液である混酸を、２３℃の環境下において供給する。混酸の供給時間は、たとえば４０ｓｅｃとすることができる。これにより、マザー基板１１０の一方の面１１０ｆのポリシリコン膜１８０ｆを、ウェットエッチングにより除去する。ここで、ポリシリコン膜１８０ｆのエッチングレートは経時的に低下する。これは、硝酸によりポリシリコン膜１８０ｆを酸化させてシリコン酸化膜を生成し、フッ酸によりこのシリコン酸化膜をエッチングする際、シリコン酸化膜の生成速度にフッ酸のエッチングが追いつかないためであると考えられる。なお、ステップＰ１では、ポリシリコン膜１８０ｆが完全に除去されなくてもよい。
【００７１】
ステップＰ２では、純水（Ｈ2Ｏ）による洗浄を行う。ステップＰ２は、マザー基板１１０を回転させた状態で、マザー基板１１０のポリシリコン膜１８０ｆの回転中心に、上方から、すなわち、液体供給管路１６２の供給口１６２ｋから純水を供給することによって行う。この工程により、ステップＰ１において供給された混酸や、エッチングにより生じた異物がマザー基板１１０上から除去される。
【００７２】
ステップＰ３では、フッ化アンモニウムとフッ化水素酸とを混合した薬液であるバッファードフッ化水素酸（ＢＨＦ）によるエッチングを行う。ステップＰ３は、工程Ｄに対応する。ＢＨＦは、第２の薬剤に対応する。より詳しくは、ステップＰ３では、マザー基板１１０を回転させた状態で、マザー基板１１０のポリシリコン膜１８０ｆの回転中心に、上方から、すなわち、液体供給管路１６２の供給口１６２ｋから、薬剤として、フッ化アンモニウムとフッ化水素酸との混合液である薬剤としてのバッファードフッ化水素酸（ＢＨＦ）を、２３℃の環境下において供給する。ＢＨＦの供給時間は、たとえば２０ｓｅｃとすることができる。これにより、先のステップＰ１で除去しきれなかったマザー基板１１０の一方の面１１０ｆのポリシリコン膜１８０ｆを、ウェットエッチングにより除去することができる。すなわち、バッファードフッ化水素酸は、マザー基板１１０とのエッチング選択性をもって、シリコン酸化膜をエッチングするため、マザー基板１１０にダメージを与える事が無い。
【００７３】
ステップＰ４では、純水（Ｈ2Ｏ）による洗浄を行う。より詳しくは、ステップＰ４では、回転するマザー基板１１０の一方の面１１０ｆおよび他方の面１１０ｒの各回転中心に、液体供給管路１６２の供給口１６２ｋおよび液体供給管路１６１の供給口１６１ｋから、純水（Ｈ2Ｏ）を、たとえば６０ｓｅｃ供給し、マザー基板１１０の一方の面１１０ｆおよび他方の面１１０ｒの洗浄処理を施す。この際、マザー基板１１０は、たとえば２５００ｒｐｍで回転しているため、一方の面１１０ｆおよび他方の面１１０ｒの全面に、純水（Ｈ2Ｏ）は供給される。この工程により、ステップＰ３において供給されたＢＨＦや、エッチングにより生じた異物がマザー基板１１０上から除去される。
【００７４】
ステップＰ５では、マザー基板１１０を乾燥処理する。より詳しくは、各液体供給管路１６１，１６２の各供給口から液体を供給しない状態で、スピンベース１５１を、たとえば２５００ｒｐｍで回転させることにより、洗浄処理後のマザー基板１１０をスピン乾燥する乾燥処理を施す。このとき、乾燥処理条件は、たとえば６０℃で３０ｍｉｎとする。ここで、この洗浄処理および乾燥処理は、スピン装置１５０以外の装置を用いて施してもよい。
【００７５】
以上のステップＰ１からＰ５を経て、図４におけるステップＳ３が終了する。
【００７６】
なお、ステップＰ１およびＰ３においては、マザー基板１１０は、たとえば２５００ｒｐｍで回転しているため、ポリシリコン膜１８０ｆの全面に、薬液は供給される。そして、一方の面１１０ｆに供給された薬液は、端面１１０ｔにも液垂れするため、端面１１０ｔのポリシリコン膜１８０ｔは除去される。ここで、薬液の供給量を増減させることにより、マザー基板１１０の一方の面１１０ｆ、端面１１０ｔから除去するポリシリコン膜１８０ｆ，１８０ｔの量を可変させることができる。
【００７７】
ここで、回転するマザー基板１１０の一方の面１１０ｆのポリシリコン膜１８０ｆの回転中心に、液体供給管路１６２の供給口１６２ｋから薬液を供給すると略同時に、図９に示すように、回転するマザー基板１１０の導電膜を除去する面と反対側の面である他方の面１１０ｒのポリシリコン膜１８０ｒの回転中心に、下方から、すなわち、液体供給管路１６１の供給口１６１ｋから、乾燥ガスであるＮ2ガスを、たとえば１００リットル／分量吐出する。ここで、乾燥ガスは、Ｎ2ガスに限らず、単なるエア（Ａｉｒ）であってもよい。また、Ｎ2ガスを、マザー基板１１０の他方の面１１０ｒのポリシリコン膜１８０ｒに供給する際は、供給口１６１ｋの配置または向きなどを適宜設定することにより、マザー基板１１０全面にＮ2ガスが広がるように回転中心以外に供給してもよい。
【００７８】
このことにより、他方の面１１０ｒに吐出されたＮ2ガスにより、マザー基板１１０の一方の面１１０ｆに供給された薬液が、端面１１０ｔより他方の面１１０ｒ側に回り込んでしまうことを防ぐ。すなわち、一方の面１１０ｆのポリシリコン膜１８０ｆを除去するに際し、他方の面１１０ｒのポリシリコン膜１８０ｒが除去されてしまうことを防ぐ。
【００７９】
また、ステップＰ１からＰ４において、薬剤または純水を、マザー基板１１０の一方の面１１０ｆのポリシリコン膜１８０ｆに供給する際は、供給口１６２ｋの配置または向きなどを適宜設定することにより、マザー基板１１０全面に薬液または純水が広がるように回転中心以外に供給してもよい。
【００８０】
また、ステップＰ２の洗浄工程は、必要に応じて省略してもよい。
【００８１】
第１の導電膜除去工程の後、マザー基板１１０は、他方の面１１０ｒの全面のみに、ポリシリコン膜１８０ｒが形成されることになる。ここで、マザー基板１１０の他方の面１１０ｒの全面に、ポリシリコン膜１８０ｒを形成したのは、製造工程中、マザー基板１１０の他方の面１１０ｒに接触傷などが形成されてしまうことを形成されたポリシリコン膜１８０ｒにより防止するためである。
【００８２】
さらに、マザー基板１１０の他方の面１１０ｒの全面に、ポリシリコン膜１８０ｒを形成したのは、静電チャックを用いてマザー基板１１０の他方の面１１０ｒを枚葉式の成膜装置、またはエッチング装置の各ステージに載置して、この各ステージにマザー基板１１０を固定する際、ポリシリコン膜１８０ｒにより、マザー基板１１０とステージとの間に静電力を発生させ、確実にマザー基板１１０をステージに固定するためである。
【００８３】
また、マザー基板１１０の他方の面１１０ｒの全面に、ポリシリコン膜１８０ｒを形成したのは、マザー基板１１０を加熱する際、ポリシリコン膜１８０ｒにより、マザー基板１１０における熱の伝導を均一化させるためである。
【００８４】
次に、図４に示すステップＳ４において、複数の薄膜を積層して層状に形成する薄膜形成工程を行う。図１０に示すように、マザー基板１１０の一方の面１１０ｆに、複数のＴＦＴ基板１０を構成するため、ＴＦＴ基板１０毎に、成膜装置、およびエッチング装置を用いて、図３に示した、複数の薄膜である第１層〜第６層を形成する。この段階で、第６層の配向膜１６は形成していない。
【００８５】
この第１層〜第６層までの積層工程は、常圧または減圧ＣＶＤ法などの、周知の方法により実施されるため、その説明は省略する。また、第１層〜第６層を積層して形成する際は、必要に応じて、マザー基板１１０を、枚葉式の成膜装置、ドライエッチング装置の各ステージに、このステージとマザー基板１１０の他方の面１１０ｒとの間に電圧印加後に発生する静電力を用いる静電チャックにより固定して行う。
【００８６】
次に、図４に示すステップＳ５において、マザー基板１１０を、スピン装置１５０から取り外した後、形成された各薄膜の歪みを防止するため、マザー基板１１０に対して、たとえば３００℃の環境下において、３００ｓｅｃ程度、Ｎ2ガスを用いてアニール処理を施す。
【００８７】
この際、マザー基板１１０の他方の面１１０ｒには、ポリシリコン膜１８０ｒが形成されているため、熱は、ポリシリコン膜１８０ｒにより、マザー基板１１０に均一に熱伝導される。
【００８８】
次に、図４に示すステップＳ６において、マザー基板１１０の他方の面１１０ｒのポリシリコン膜１８０ｒを、スピン方式にて除去する第２の導電膜除去工程である第２の導電膜除去工程を行う。ステップＳ６は、マザー基板１１０の他方の面１１０ｒに処理を行う点を除けばステップＳ３と同じであるため説明は省略する。ステップＳ３と同様に、図１２に示すステップＰ１からＰ５を含んでいる。
【００８９】
ステップＳ６の後、画素電極９ａ上に上述した配向膜１６を形成し、この配向膜１６に既知のラビング処理を施す。その後、マザー基板１１０から、複数構成された各ＴＦＴ基板１０を、たとえばダイシングにより分断することにより、ＴＦＴ基板１０を複数製造する。なお、ＴＦＴ基板１０は、マザー基板１１０に１個のみ構成して、分断後、１個のみ形成してもよい。
【００９０】
続いて、対向基板２０の製造工程（工程Ｂ）について説明する。対向基板２０の製造工程は、薄膜形成工程（ステップＳ４）において形成する構成要素の種類を除いて上記のＴＦＴ基板１０の製造工程と同様である。このため、以下の説明においては、洗浄工程、乾燥工程、アニール処理工程などは、省略して記載する。
【００９１】
まず、石英から構成されたマザー基板１１０の一方の面１１０ｆの全面と他方の面１１０ｒの全面とに、導電膜であるポリシリコン膜１８０を、たとえば１００ｎｍ〜５００ｎｍの膜厚に形成する導電膜形成工程を行った後、マザー基板１１０の一方の面１１０ｆのポリシリコン膜１８０ｆを、スピン装置１５０にて、一方の面１１０ｆの全面から除去する第１の導電膜除去工程を行う。
【００９２】
マザー基板１１０のポリシリコン膜１８０ｆが除去された一方の面１１０ｆの全面に、対向電極２１を形成する薄膜形成工程を行う。この段階では、配向膜２６は形成しない。そして、マザー基板１１０の他方の面１１０ｒのポリシリコン膜１８０ｒを、スピン装置１５０にて、他方の面１１０ｒの全面から除去する第２の導電膜除去工程を行う。
【００９３】
第２の導電膜除去工程の後、マザー基板１１０の一方の面１１０ｆの対向電極２１上に上述した配向膜２６を形成し、この配向膜２６に既知のラビング処理を施す。その後、マザー基板１１０を、所定の大きさに、たとえばダイシングにより分断することにより、マザー基板１１０から、複数の対向基板２０を分断して対向基板２０を複数製造する。対向基板２０は、マザー基板１１０に１個のみ構成して、分断後、１個のみ形成してもよい。
【００９４】
このようにして製造されたＴＦＴ基板１０と対向基板２０とを、一方の面１０ｆと他方の面２０ｆとが対向するようシール材５２によって貼り合わせて対向配置した後、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０とのシール材５２で囲まれた領域に、既知の液晶注入方式により、液晶５０を注入して、液晶装置１００を製造する。あるいは、ＴＦＴ基板１０または対向基板２０の一方に液晶５０を滴下した後にＴＦＴ基板１０と対向基板２０とを貼り合わせることによって、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間に液晶５０を封入してもよい。
【００９５】
以上のように、本実施形態によれば、ポリシリコン膜１８０を除去する際に、フッ酸と硝酸とを混合した薬液である混酸によってエッチングを行った後、フッ化アンモニウムとフッ化水素酸とを混合した薬液であるバッファードフッ化水素酸によるエッチングを行うので、１種類の薬剤によるエッチングを続けることに起因するエッチングレートの低下を抑制することができる。これにより、基板の表面の導電膜、または基板の裏面の導電膜を、均一に除去することができる。つまり、マザー基板１１０の一方の面１１０ｆに形成されたポリシリコン膜１８０ｆ、および他方の面１１０ｒに形成されたポリシリコン膜１８０ｒが残ることなく、且つマザー基板１１０にダメージを与えることなく、マザー基板１１０の一方の面１１０ｆのポリシリコン膜１８０ｆ、および他方の面１１０ｒのポリシリコン膜１８０ｒを除去することができる。
【００９６】
本実施形態によれば、供給された混酸や、エッチングにより生じた異物が、マザー基板１１０上から除去されるので、その後に供給する第２の薬剤であるバッファードフッ化水素酸によるエッチングがより効果的となる。
【００９７】
以下、上述の実施形態における第１の導電膜除去工程および第２の導電膜除去工程に関する変形例を記載する。
（変形例１）
【００９８】
変形例１が、上述の実施形態にかかる電気光学装置の製造方法に対して相違する点は、第１の導電膜除去工程および第２の導電膜除去工程の少なくともいずれかを２回以上実施することである。
【００９９】
これによれば、２回以上繰返し実施するので、導電膜であるポリシリコン膜１８０がマザー基板１１０の一方の面１１０ｆおよび他方の面１１０ｒに残ることなく、マザー基板１１０の一方の面１１０ｆおよび他方の面１１０ｒからポリシリコン膜１８０を除去することが、より確実になる。さらに、端面１１０ｔに形成されたポリシリコン膜１８０ｔについても、除去することができる。
（変形例２）
【０１００】
マザー基板１１０の一方の面１１０ｆにポリシリコン膜１８０を形成せず、静電チャックでマザー基板１１０を固定できる場合、導電膜形成工程において、他方の面１１０ｒだけにポリシリコン膜１８０を形成し、第１の導電膜除去工程を省略して、第２の導電膜除去工程のみを行うことができる。
（変形例３）
【０１０１】
ステップＳ３およびＳ６において用いるエッチング方法は、電子機器の製造工程に限らず半導体装置の製造工程などに用いてもよい。
【産業上の利用可能性】
【０１０２】
液晶装置は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、上記課題の少なくとも一部を解決できる範囲での変形、改良などは前述の実施形態に含まれるものである。
たとえば、上述した液晶装置は、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）などのアクティブ素子（能動素子）を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示モジュールを例に挙げて説明したが、これに限らず、ＴＦＤ（薄膜ダイオード）などのアクティブ素子（能動素子）を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示モジュールであってもよい。
【０１０３】
さらに、本実施の形態においては、電気光学装置は、液晶装置を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されず、エレクトロルミネッセンス装置、特に、有機エレクトロルミネッセンス装置、無機エレクトロルミネッセンス装置などや、プラズマディスプレイ装置、ＦＥＤ（Field Emission Display）装置、ＳＥＤ（Surface-Conduction Electron-Emitter Display）装置、ＬＥＤ（発光ダイオード）表示装置、電気泳動表示装置、薄型のブラウン管または液晶シャッターなどを用いた表示装置などの各種電気光学装置に適用できる。
【０１０４】
また、電気光学装置は、半導体基板に素子を形成する表示用デバイス、たとえばＬＣＯＳ（Liquid Crystal On Silicon）などであってもよい。ＬＣＯＳでは、素子基板として単結晶シリコン基板を用い、画素や周辺回路に用いるスイッチング素子としてトランジスタを単結晶シリコン基板に形成する。また、画素には、反射型の画素電極を用い、画素電極の下層に画素の各素子を形成する。
【０１０５】
また、電気光学装置は、片側の基板の同一層に、一対の電極が形成される表示用デバイス、たとえばＩＰＳ（In-Plane Switching）や、片側の基板において、絶縁膜を介して一対の電極が形成される表示用デバイスＦＦＳ（Fringe Field Switching）などであっても構わない。
【図面の簡単な説明】
【０１０６】
【図１】本実施形態にかかる液晶装置の概略平面図。
【図２】図１のＡ−Ａ断面図。
【図３】一つの画素に着目した図１の液晶装置の模式的断面図。
【図４】ＴＦＴ基板の製造方法の一部を示すフローチャート。
【図５】大板の基板の表面または裏面を、洗浄および乾燥するとともに、大板の基板の表面または裏面から導電膜を除去するスピン装置を示す図。
【図６】図５に示すスピン装置のスピンベースおよび静電チャックピンを示す上面図。
【図７】図５に示すスピン装置を用いて、大板の基板の表面または裏面を、洗浄および乾燥する工程を示す図。
【図８】図７に示す大板の基板の表面および裏面および端面に薄膜を形成した状態を示す図。
【図９】図５に示すスピン装置を用いて、図８に示す大板の基板の表面および端面の薄膜を除去する工程を示す図。
【図１０】図９に示す大板の基板の表面のＴＦＴ基板を構成する複数の領域に、それぞれ複数の薄膜を積層して形成した状態を示す図。
【図１１】図５に示すスピン装置を用いて、図１０の大板の基板の裏面の薄膜を除去する工程を示す図。
【図１２】図４の一部を示すフローチャート。
【符号の説明】
【０１０７】
９ａ…画素電極、１０…ＴＦＴ基板、１０ｆ…ＴＦＴ基板の表面、２０…対向基板、２１…対向電極、３０…ＴＦＴ、４０…表示領域、５０…液晶、５２…シール材、１００…液晶装置、１１０…マザー基板、１１０ｆ…マザー基板の表面、１１０ｒ…マザー基板の裏面、１１０ｔ…マザー基板の端面、１８０…ポリシリコン膜、１８０ｆ…表面のポリシリコン膜、１８０ｒ…裏面のポリシリコン膜、１８０ｔ…端面のポリシリコン膜。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回転する基板上に薬剤を供給して基板上の導電膜を除去する電気光学装置の製造方法およびエッチング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気光学装置の一例である液晶装置は、対向して配置された素子基板、対向基板と、素子基板および対向基板の間に封入された液晶とを有して構成される。素子基板には、たとえば複数の薄膜トランジスタ（以下、単にトランジスタと称す）を含む回路素子層が形成され、対向基板には、たとえば対向電極等が形成される。素子基板、対向基板は、それぞれ独立した工程により製造される。
【０００３】
素子基板、対向基板の製造工程では、素子基板、対向基板の基体となる基板を静電チャックにより固定するために、基板の表裏に導電性のポリシリコン膜が形成される場合がある。このポリシリコン膜は、工程のいずれかの段階でエッチングにより除去される。
【０００４】
ここで、エッチング方法に関連して、浸漬法により基板の表面および裏面を含む全面をエッチングする方法が開示されている（たとえば、特許文献１参照）。また、スピン装置に基板を載置して、回転する基板の表面を、フッ酸（ＨＦ）と硝酸（ＨＮＯ3）との混酸により、エッチングする方法が知られている。
【０００５】
【特許文献１】特開平５−１４４７９８号公報（２頁〜３頁、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上述のフッ酸（ＨＦ）と硝酸（ＨＮＯ3）との混酸を用いたエッチング方法では、この混酸を供給し続けている個所のエッチングレートが低下する傾向が見られ、基板の表面または裏面のシリコン膜を、均一に除去することは困難である。また、基板として石英基板またはガラス基板を用いた場合には、基板自体がエッチングされてしまうという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものである。以下の形態または適用例により実現することが可能である。
【０００８】
［適用例１］本適用例にかかる電気光学装置の製造方法は、素子基板を製造する工程Ａと、対向基板を製造する工程Ｂと、前記素子基板と前記対向基板とを貼り合わせ、前記素子基板と前記対向基板との間に電気光学物質を封入する工程と、を有する電気光学装置の製造方法であって、前記工程Ａまたは前記工程Ｂにおいて、基板の一方の面、および他方の面に導電膜を形成する導電膜形成工程と、前記基板の前記一方の面の前記導電膜を除去する第１の導電膜除去工程と、前記基板の前記一方の面に、薄膜を層状に形成する薄膜形成工程と、前記薄膜を形成した後に、前記基板の前記他方の面の前記導電膜を除去する第２の導電膜除去工程とを備え、前記第１の導電膜除去工程または前記第２の導電膜除去工程は、前記基板上に第１の薬剤を供給し、前記導電膜をエッチングする工程Ｃと、前記基板上に第２の薬剤を供給し、前記工程Ｃにより酸化された前記導電膜をエッチングする工程Ｄとを有することを要旨とする。
【０００９】
これによれば、第１の薬剤によりエッチングした後、第１の薬剤とは異なる第２の薬剤によりエッチングを行うため、１種類の薬剤によるエッチングを続けることに起因するエッチングレートの低下を抑制することができる。これにより、基板の表面の導電膜、または基板の裏面の導電膜を、均一に除去することができる。つまり、基板の表面または裏面に導電膜が残ることなく、かつ、基板にダメージを与えることなく、基板の表面または裏面から導電膜を除去することができる。
【００１０】
［適用例２］上記適用例にかかる電気光学装置の製造方法において、前記第１の薬剤は、フッ酸と硝酸とを混合した薬液である混酸であり、前記第２の薬剤は、フッ化アンモニウムとフッ化水素酸とを混合した薬液であるバッファードフッ化水素酸であることが好ましい。
【００１１】
これによれば、第１の薬剤である混酸を供給し、その後第２の薬剤であるバッファードフッ化水素酸を供給するので、フッ酸と硝酸とを混合した薬液である混酸だけを供給して基板の導電膜を除去する場合においてエッチングレートが低下することを無くすことができる。これにより、基板の表面の導電膜、または基板の裏面の導電膜を、均一に除去することができる。つまり、基板の表面または裏面に導電膜が残ることなく、基板の表面または裏面から導電膜を除去することができる。
【００１２】
［適用例３］上記適用例にかかる電気光学装置の製造方法において、前記工程Ｃと前記工程Ｄとの間に、純水による洗浄工程を有することが好ましい。
【００１３】
これによれば、供給された混酸や、エッチングにより生じた異物が、基板上から除去されるので、その後に供給する第２の薬剤であるバッファードフッ化水素酸によるエッチングがより効果的となる。
【００１４】
［適用例４］上記適用例にかかる電気光学装置の製造方法において、前記第１の導電膜除去工程および前記第２の導電膜除去工程の少なくとも一方を、２回以上繰返し実施することが好ましい。
【００１５】
これによれば、導電膜を除去する際に、上記工程Ｃ，Ｄを２回以上繰返し実施するので、導電膜が基板の表面または裏面に残ることなく、基板の表面または裏面から導電膜を除去することが、より確実になる。
【００１６】
［適用例５］本適用例にかかるエッチング方法は、導電膜が形成された基板を回転させる工程と、前記基板を回転させた状態で、前記基板に、フッ酸と硝酸とを混合した薬液である混酸を供給して前記導電膜をエッチングする工程と、前記基板を回転させた状態で、前記基板に、フッ化アンモニウムとフッ化水素酸とを混合した薬液であるバッファードフッ化水素酸を供給して酸化された前記導電膜をエッチングする工程とを有していることを要旨とする。
【００１７】
これによれば、フッ酸と硝酸とを混合した薬液である混酸によりエッチングした後、バッファードフッ化水素酸によりエッチングを行うため、混酸だけによるエッチングを続けることに起因するエッチングレートの低下を抑制することができる。これにより、基板の表面の導電膜、または基板の裏面の導電膜を、均一に除去することができる。つまり、基板の表面または裏面に導電膜が残ることなく、基板の表面または裏面から導電膜を除去することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、図面を参照して、本発明の一実施形態について説明する。
ここで、以下に示す実施の形態において電気光学装置は、液晶装置を例に挙げて説明する。また、液晶装置において対向して配置される２枚の基板のうち、一方の基板は素子基板（以下、「ＴＦＴ基板」と記す）として説明する。そして、他方の基板はＴＦＴ基板に対向する対向基板として説明する。
（実施形態）
【００１９】
まず、本実施形態の製造方法にかかる液晶装置の全体の構成について、図１から図３を参照して説明する。
図１は、本実施形態にかかる液晶装置の概略平面図である。図２は、図１のＡ−Ａ断面図である。図３は、一つの画素に着目した図１の液晶装置の模式的断面図である。
【００２０】
図１および図２に示すように、液晶装置１００は、ＴＦＴ基板１０と、対向基板２０と、液晶５０と、シール材５２とを備えている。ＴＦＴ基板１０と対向基板２０とは、対向して配置され、シール材５２によって貼り合わされている。ＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間の内部空間に、電気光学物質である液晶５０を介在させて構成される。
そして、ＴＦＴ基板１０および対向基板２０は、たとえば石英またはガラスなどからなる。
【００２１】
ＴＦＴ基板１０の基板上の液晶５０と接する一方の面１０ｆ側に、液晶装置１００の表示領域４０を構成するＴＦＴ基板１０の表示領域１０ｈが構成されている。また、表示領域１０ｈに、画素を構成する対向電極２１とともに液晶５０に駆動電圧を印加する電極である画素電極（ＩＴＯ）９ａがマトリクス状に配置されている。
【００２２】
そして、対向基板２０の基板上の液晶５０と接する一方の面２０ｆの全面に、液晶５０に画素電極９ａとともに駆動電圧を印加する電極である対向電極（ＩＴＯ）２１が設けられている。そして、対向電極２１のＴＦＴ基板１０の表示領域１０ｈに対向する位置の液晶５０と接する一方の面２０ｆ側に、液晶装置１００の表示領域４０を構成する対向基板２０の表示領域２０ｈが構成されている。
【００２３】
ＴＦＴ基板１０の画素電極９ａ上に、ラビング処理が施された配向膜１６が設けられており、また、対向基板２０上の全面にわたって形成された対向電極２１上にも、ラビング処理が施された配向膜２６が設けられている。各配向膜１６，２６は、たとえば、ポリイミド膜などの透明な有機膜からなる。
【００２４】
また、ＴＦＴ基板１０の表示領域１０ｈにおいては、複数本の走査線１１ａ（図３参照）と複数本のデータ線６ａ（図３参照）とが交差するように配線され、走査線１１ａとデータ線６ａとで区画された領域に画素電極９ａがマトリクス状に配置される。そして、走査線１１ａとデータ線６ａとの各交差部分に対応してスイッチング素子である薄膜トランジスタ（以下、「ＴＦＴ」と記す）３０（図３参照）が設けられ、このＴＦＴ３０毎に画素電極９ａが電気的に接続されている。
【００２５】
ＴＦＴ３０は走査線１１ａのＯＮ信号によってオンとなり、これにより、データ線６ａに供給された画像信号が画素電極９ａに供給される。この画素電極９ａと対向基板２０に設けられた対向電極２１との間の電圧が液晶５０に印加される。
【００２６】
また、画素電極９ａと並列に、蓄積容量７０（図３参照）が設けられており、蓄積容量７０によって、画素電極９ａの電圧は、ソース電圧が印加された時間よりもたとえば３桁も長い時間の保持が可能となる。また、蓄積容量７０によって、電圧保持特性が改善され、コントラスト比の高い画像表示が可能となる。
【００２７】
対向基板２０に、ＴＦＴ基板１０の表示領域１０ｈおよび対向基板２０の表示領域２０ｈの外周を、画素領域において規定し区画することにより、表示領域４０を規定する額縁としての遮光膜５３が設けられている。
【００２８】
液晶５０がＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間の空間に、既知の液晶注入方式で注入される場合、シール材５２は、シール材５２の一辺の一部において欠落して塗布されている。
【００２９】
シール材５２の欠落した箇所は、この欠落した箇所から貼り合わされたＴＦＴ基板１０および対向基板２０との間に液晶５０を注入するための液晶注入口１０８を構成している。液晶注入口１０８は、液晶注入後、封止材１０９で封止される。
【００３０】
シール材５２の外側の領域に、ＴＦＴ基板１０の図示しないデータ線に画像信号を所定のタイミングで供給して、このデータ線を駆動するドライバであるデータ線駆動回路１０１および外部回路との接続のための外部接続端子１０２が、ＴＦＴ基板１０の一辺に沿って設けられている。
【００３１】
この一辺に隣接する二つの辺に沿った、ＴＦＴ基板１０の走査線１１ａおよびゲート電極３ａ（図３参照）に、走査信号を所定のタイミングで供給することにより、ゲート電極３ａを駆動するドライバである走査線駆動回路１０３，１０４が設けられている。走査線駆動回路１０３，１０４は、シール材５２の内側の遮光膜５３に対向する位置において、ＴＦＴ基板１０上に形成されている。
【００３２】
また、ＴＦＴ基板１０上に、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０３，１０４、外部接続端子１０２、および上下導通端子１０７を接続する配線１０５が、遮光膜５３の三辺に対向して設けられている。
【００３３】
上下導通端子１０７は、シール材５２のコーナー部の４箇所のＴＦＴ基板１０上に形成されている。そして、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０相互間に、下端が上下導通端子１０７に接触し上端が対向電極２１に接触する上下導通材１０６が設けられており、この上下導通材１０６によって、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通がとられている。
【００３４】
また、図３に示すように、各薄膜を形成する前の、石英基板、ガラス基板などのＴＦＴ基板１０を構成する一方の基板の一方の面上に、ＴＦＴ３０や画素電極９ａのほか、これらを含む各種の構成が層状の積層構造をなして備えられている。なお、この積層構造、および積層された各層の機能は周知であるため、概略的に説明する。
【００３５】
この積層構造は、複数の薄膜である第１層〜第６層に構成されている。基板の一方の面から順に、走査線１１ａを含む第１層（成膜層）、ゲート電極３ａを具備するＴＦＴ３０などを含む第２層、蓄積容量７０を含む第３層、データ線６ａなどを含む第４層、シールド層４００などを含む第５層、画素電極９ａおよび配向膜１６などを含む第６層（最上層）からなる。また、第１層〜第６層、それぞれの層との間には、層間絶縁膜がそれぞれ設けられており、走査線１１ａ、ゲート電極３ａ、蓄積容量７０、データ線６ａ、シールド層４００、および画素電極９ａのいずれかが短絡することを防止している。
【００３６】
第１層に、たとえば、タングステンシリサイドからなる走査線１１ａが、平面形状がストライプ状となるようパターニングされて成膜されている。また、走査線１１ａは、ＴＦＴ３０に下側から入射しようとする光を遮る遮光機能をも有している。走査線１１ａ上に、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜などからなる下地絶縁膜１２が、たとえば、常圧または減圧ＣＶＤ法などにより成膜されている。
【００３７】
第２層に、ゲート電極３ａを含むＴＦＴ３０が設けられている。ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、たとえばポリシリコン膜などの結晶化シリコン膜からなる半導体層１と、ゲート電極３ａと、ゲート電極３ａと半導体層１とを絶縁するゲート絶縁膜２とから主要部が構成されている。
【００３８】
半導体層１は、ゲート電極３ａからの電界によりチャネルが形成されるチャネル領域１ａと、低濃度ソース領域１ｂと、低濃度ドレイン領域１ｃと、高濃度ソース領域１ｄと、高濃度ドレイン領域１ｅとを備えている。そして、第２層に、ゲート電極３ａと同一膜として中継電極７１９が形成されている。
【００３９】
下地絶縁膜１２を、平面的に見て、半導体層１の両脇に、データ線６ａに沿って延びる半導体層１のチャネル長と同じ幅の溝（コンタクトホール）１２ｃｖが掘られている。このコンタクトホール１２ｃｖにより、同一行の走査線１１ａとゲート電極３ａとは、同電位となる。
【００４０】
第３層に、容量部である蓄積容量７０が設けられている。蓄積容量７０は、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅおよび画素電極９ａに電気的に接続された下部電極７１と、容量電極３００とが、容量となる誘電体膜７５を介して対向配置されることにより形成されている。
【００４１】
ＴＦＴ３０からゲート電極３ａおよび中継電極７１９の上、かつ、蓄積容量７０の下に、たとえば、窒化シリコン膜または酸化シリコン膜などからなる第１層間絶縁膜４１が形成されている。
【００４２】
第１層間絶縁膜４１に、ＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄとデータ線６ａとを電気的に接続するために介在されるコンタクトホール８１が、第２層間絶縁膜４２を貫通して開孔されている。
【００４３】
また、第１層間絶縁膜４１に、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅと蓄積容量７０を構成する下部電極７１とを電気的に接続するために介在されるコンタクトホール８３が開孔されている。
【００４４】
さらに、この第１層間絶縁膜４１に、下部電極７１と中継電極７１９とを電気的に接続するために介在されるコンタクトホール８８１が開孔されている。さらに加えて、第１層間絶縁膜４１に、中継電極７１９と第２中継層６ａ２とを電気的に接続するために介在されるコンタクトホール８８２が、第２層間絶縁膜４２を貫通して開孔されている。
【００４５】
第４層に、データ線６ａが設けられている。このデータ線６ａは、下層より順に、アルミニウム層４１Ａ、窒化チタン層４１ＴＮ、窒化シリコン膜層４０１の三層構造を有する膜として形成されている。
【００４６】
また、この第４層に、データ線６ａと同一膜として、シールド層用中継層６ａ１および第２中継層６ａ２が形成されている。また、第２層間絶縁膜４２に、シールド層用中継層６ａ１と容量電極３００とを電気的に接続するために介在されるコンタクトホール８０１が開孔されている。
【００４７】
第５層に、シールド層４００が形成されている。また、第５層に、このようなシールド層４００と同一膜として、中継層としての第３中継電極４０２が形成されている。
【００４８】
第３層間絶縁膜４３に、シールド層４００とシールド層用中継層６ａ１とを電気的に接続するために介在されるコンタクトホール８０３、および第３中継電極４０２と第２中継層６ａ２とを電気的に接続するために介在されるコンタクトホール８０４がそれぞれ開孔されている。
【００４９】
第６層に、画素電極９ａがマトリクス状に形成され、この画素電極９ａ上に配向膜１６が形成されている。そして、この画素電極９ａ下に、第４層間絶縁膜４４が形成されている。また、第４層間絶縁膜４４に、画素電極９ａおよび第３中継電極４０２間を電気的に接続するために介在されたコンタクトホール８９が開孔されている。
【００５０】
以下、本実施形態の液晶装置の製造方法について、図４〜図１２を参照して説明する。液晶装置１００の製造方法は、素子基板としてのＴＦＴ基板１０を製造する工程（工程Ａ）と、対向基板２０を製造する工程（工程Ｂ）と、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０とを貼り合わせ、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間に液晶５０を封入する工程とを有している。
以下、液晶装置１００の製造方法は、ＴＦＴ基板１０の製造方法を一例に挙げて説明する。また、各薄膜を形成する前のＴＦＴ基板１０を構成する基板は、石英から構成された大板の基板に複数構成されている。すなわち、大板の基板の一部が、ＴＦＴ基板１０を構成する基板として説明する。
【００５１】
まず、素子基板としてのＴＦＴ基板の製造工程（工程Ａ）について説明する。図４は、ＴＦＴ基板の製造方法の一部を示すフローチャートである。図５は、大板の基板の一方の面または他方の面を、洗浄および乾燥するとともに、大板の基板の一方の面または他方の面から導電膜を除去するスピン装置を示す図である。図６は、図５に示すスピン装置のスピンベースおよび静電チャックピンを示す上面図である。図７は、図５に示すスピン装置を用いて、大板の基板の一方の面または他方の面を、洗浄および乾燥する工程を示す図である。図８は、図７に示す大板の基板の一方の面および他方の面および端面に薄膜を形成した状態を示す図である。図９は、図５に示すスピン装置を用いて、図８に示す大板の基板の一方の面および端面の薄膜を除去する工程を示す図である。図１０は、図９に示す大板の基板の一方の面のＴＦＴ基板を構成する複数の領域に、それぞれ複数の薄膜を積層して形成した状態を示す図である。図１１は、図５に示すスピン装置を用いて、図１０に示す大板の基板の他方の面の薄膜を除去する工程を示す図である。図１２は、図４の一部を示すフローチャートである。
【００５２】
まず、図４に示すステップＳ１において、図５に示すスピン装置１５０を用いて、石英から構成された大板の基板（以下、「マザー基板」と記す）１１０に、洗浄処理を施す。その後、アニール処理または乾燥処理を施す。
【００５３】
ここで、スピン装置１５０の構成を簡単に説明する。
スピン装置１５０は、図５および図６に示すように、たとえば円板状のステージ台である回転自在なスピンベース１５１と、このスピンベース１５１の外周に、たとえば等間隔に８個固定された大板の基板保持用の静電チャックピン１５２と、スピンベース１５１と平面上略同じ大きさを有する円板状の回転自在なシールド板１５３とにより主要部が構成されている。このような構成を有するスピン装置１５０としては、大日本スクリーン製造株式会社のＭＰ３０００が一例として挙げられる。
【００５４】
スピンベース１５１の回転中心に、８個の静電チャックピン１５２に保持されたマザー基板１１０の他方の面１１０ｒに、薬剤としての各液体を供給する液体供給管路１６１の供給口１６１ｋが開口されている。ここで、液体供給管路１６１の供給口１６１ｋからは、５０％濃度のフッ酸（ＨＦ）と、６０％濃度の硝酸（ＨＮＯ3）とを体積比１：６０で混合した薬液である混酸、フッ化アンモニウムとフッ化水素酸とを混合した薬液であるバッファードフッ化水素酸（以下、「ＢＨＦ」と記す）、および純水（Ｈ2Ｏ）を供給することができる。
【００５５】
シールド板１５３の回転中心に、８個の静電チャックピン１５２に保持されたマザー基板１１０の一方の面１１０ｆに、上述の各液体を供給する液体供給管路１６２の供給口１６２ｋが開口されている。
【００５６】
８個の静電チャックピン１５２は、スピンベース１５１の外周から、上方に延出するよう、スピンベース１５１の外周に固定されている。そして、スピンベース１５１が回転した際、８個の静電チャックピン１５２は、スピンベース１５１と一緒に回転する。ここで、静電チャックピン１５２の個数は８個に限定されず、適宜決定することができる。
【００５７】
そして、８個の静電チャックピン１５２の上方への延出端部の近傍に、スピンベース１５１の内周方向に突出する載置部１５２ｔがそれぞれ形成されている。８個の載置部１５２ｔの各上面に、マザー基板１１０の他方の面１１０ｒの外周部位が当接されることにより、マザー基板１１０は、８個の静電チャックピン１５２の各載置部１５２ｔに載置されている。
【００５８】
また、８個の静電チャックピン１５２は、スピンベース１５１の外周から、上方に延出するよう固定されているため、８個の静電チャックピン１５２の各載置部１５２ｔに載置されたマザー基板１１０は、スピンベース１５１から、たとえば５ｍｍ程度上方に離間して位置している。
【００５９】
さらに、８個の静電チャックピン１５２は、スピンベース１５１の径方向に移動自在となるよう、スピンベース１５１に固定されている。このようにして、８個の載置部１５２ｔにマザー基板１１０が載置された後、８個の静電チャックピン１５２をスピンベース１５１の内周方向に移動させることにより、８個の載置部１５２ｔに載置されたマザー基板１１０の端面を８個の静電チャックピン１５２の各内周面で挟持することができる。そして、静電チャックピン１５２は、確実にマザー基板１１０を固定して保持することができる。
【００６０】
このように構成されたスピン装置１５０を用いて、図７に示すようにマザー基板１１０の洗浄処理および乾燥処理を施す。具体的には、マザー基板１１０を、スピン装置１５０の８個の静電チャックピン１５２に固定し、その後、スピンベース１５１を、たとえば２５００ｒｐｍで回転させて、マザー基板１１０を回転させる。この際、シールド板１５３も回転させる。
【００６１】
そして、各液体供給管路１６１，１６２の各供給口から液体を供給しない状態で、スピンベース１５１を、たとえば２５００ｒｐｍで回転させることにより、洗浄処理後のマザー基板１１０をスピン乾燥する乾燥処理を施す。このとき、乾燥処理条件は、たとえば６０℃で３０ｍｉｎとする。ここで、この洗浄処理および乾燥処理は、スピン装置１５０以外の装置を用いて施してもよい。
【００６２】
その後、マザー基板１１０を、スピン装置１５０から取り外した後、マザー基板１１０の歪みを防止するため、マザー基板１１０に対して、たとえば１０００℃の環境下において、３００ｓｅｃ程度、Ｎ2（窒素）ガスを用いてアニール処理を施す。
【００６３】
次に、図４に示すステップＳ２において、たとえば、既知のバッチ式の縦型のＬＰ−ＣＶＤ装置などを用いて、図８に示すように、マザー基板１１０の一方の面１１０ｆの全面と他方の面１１０ｒの全面に、導電膜であるポリシリコン膜１８０を、たとえば１００ｎｍ〜５００ｎｍの膜厚に形成する導電膜形成工程を行う。その後、形成されたポリシリコン膜１８０の膜厚を測定する。
【００６４】
このＬＰ−ＣＶＤ装置を用いたポリシリコン膜１８０の形成は、たとえば、６２０℃の環境下において、モノシラン（ＳｉＨ4）ガスを、ＬＰ−ＣＶＤ装置内に導入することにより行われる。また、マザー基板１１０の端面１１０ｔにも、ポリシリコン膜１８０が形成される。
【００６５】
以下、ポリシリコン膜１８０について、マザー基板１１０の一方の面１１０ｆに形成されたポリシリコン膜には、符号１８０ｆを付与する。そして、他方の面１１０ｒに形成されたポリシリコン膜には、符号１８０ｒを付与する。さらに、端面１１０ｔに形成されたポリシリコン膜には、符号１８０ｔを付与する。
【００６６】
さらに、ポリシリコン膜１８０の膜厚は、マザー基板１１０の他方の面１１０ｒに接触傷などが形成されないよう保護するために必要な膜厚、およびマザー基板１１０を、枚葉式の成膜装置、ドライエッチング装置の各ステージに、静電チャックを用いて固定する際、固定に十分な静電力を発生させるのに必要な膜厚に形成される。
【００６７】
ＬＰ−ＣＶＤ装置を用いたマザー基板１１０に対するポリシリコン膜の形成は、同時に、数枚のマザー基板１１０に対して行ってもよい。さらに、マザー基板１１０の一方の面１１０ｆ、他方の面１１０ｒに形成する導電膜は、ポリシリコン膜に限定されず、たとえばリン（Ｐ）をドープしたポリシリコンまたはアモルファスシリコンなどの導電膜であってもよい。
【００６８】
次に、図４に示すステップＳ３において、マザー基板１１０の一方の面１１０ｆのポリシリコン膜１８０ｆを、スピン方式にて除去する第１の導電膜除去工程である第１の導電膜除去工程を行う。ステップＳ３は、さらに図１２のフローチャートに示すステップＰ１からステップＰ５を含んでいる。以下、図１２に沿って説明する。
【００６９】
ステップＰ１では、フッ酸（ＨＦ）と硝酸（ＨＮＯ3）とを混合した薬液である混酸によるエッチングを行う。ステップＰ１は、工程Ｃに対応する。混酸は、第１の薬剤に対応する。ステップＰ１では、まずマザー基板１１０を、スピン装置１５０の８個の静電チャックピン１５２に載置して固定する。その後、たとえば２５００ｒｐｍで、スピンベース１５１を回転させて、マザー基板１１０を回転させる。この際、シールド板１５３も回転させる。
【００７０】
その後、図９に示すように、回転するマザー基板１１０のポリシリコン膜１８０ｆの回転中心に、上方から、すなわち、液体供給管路１６２の供給口１６２ｋから、薬剤として、５０％濃度のフッ酸（ＨＦ）と、６０％濃度の硝酸（ＨＮＯ3）とを体積比１：６０で混ぜた薬液である混酸を、２３℃の環境下において供給する。混酸の供給時間は、たとえば４０ｓｅｃとすることができる。これにより、マザー基板１１０の一方の面１１０ｆのポリシリコン膜１８０ｆを、ウェットエッチングにより除去する。ここで、ポリシリコン膜１８０ｆのエッチングレートは経時的に低下する。これは、硝酸によりポリシリコン膜１８０ｆを酸化させてシリコン酸化膜を生成し、フッ酸によりこのシリコン酸化膜をエッチングする際、シリコン酸化膜の生成速度にフッ酸のエッチングが追いつかないためであると考えられる。なお、ステップＰ１では、ポリシリコン膜１８０ｆが完全に除去されなくてもよい。
【００７１】
ステップＰ２では、純水（Ｈ2Ｏ）による洗浄を行う。ステップＰ２は、マザー基板１１０を回転させた状態で、マザー基板１１０のポリシリコン膜１８０ｆの回転中心に、上方から、すなわち、液体供給管路１６２の供給口１６２ｋから純水を供給することによって行う。この工程により、ステップＰ１において供給された混酸や、エッチングにより生じた異物がマザー基板１１０上から除去される。
【００７２】
ステップＰ３では、フッ化アンモニウムとフッ化水素酸とを混合した薬液であるバッファードフッ化水素酸（ＢＨＦ）によるエッチングを行う。ステップＰ３は、工程Ｄに対応する。ＢＨＦは、第２の薬剤に対応する。より詳しくは、ステップＰ３では、マザー基板１１０を回転させた状態で、マザー基板１１０のポリシリコン膜１８０ｆの回転中心に、上方から、すなわち、液体供給管路１６２の供給口１６２ｋから、薬剤として、フッ化アンモニウムとフッ化水素酸との混合液である薬剤としてのバッファードフッ化水素酸（ＢＨＦ）を、２３℃の環境下において供給する。ＢＨＦの供給時間は、たとえば２０ｓｅｃとすることができる。これにより、先のステップＰ１で除去しきれなかったマザー基板１１０の一方の面１１０ｆのポリシリコン膜１８０ｆを、ウェットエッチングにより除去することができる。すなわち、バッファードフッ化水素酸は、マザー基板１１０とのエッチング選択性をもって、シリコン酸化膜をエッチングするため、マザー基板１１０にダメージを与える事が無い。
【００７３】
ステップＰ４では、純水（Ｈ2Ｏ）による洗浄を行う。より詳しくは、ステップＰ４では、回転するマザー基板１１０の一方の面１１０ｆおよび他方の面１１０ｒの各回転中心に、液体供給管路１６２の供給口１６２ｋおよび液体供給管路１６１の供給口１６１ｋから、純水（Ｈ2Ｏ）を、たとえば６０ｓｅｃ供給し、マザー基板１１０の一方の面１１０ｆおよび他方の面１１０ｒの洗浄処理を施す。この際、マザー基板１１０は、たとえば２５００ｒｐｍで回転しているため、一方の面１１０ｆおよび他方の面１１０ｒの全面に、純水（Ｈ2Ｏ）は供給される。この工程により、ステップＰ３において供給されたＢＨＦや、エッチングにより生じた異物がマザー基板１１０上から除去される。
【００７４】
ステップＰ５では、マザー基板１１０を乾燥処理する。より詳しくは、各液体供給管路１６１，１６２の各供給口から液体を供給しない状態で、スピンベース１５１を、たとえば２５００ｒｐｍで回転させることにより、洗浄処理後のマザー基板１１０をスピン乾燥する乾燥処理を施す。このとき、乾燥処理条件は、たとえば６０℃で３０ｍｉｎとする。ここで、この洗浄処理および乾燥処理は、スピン装置１５０以外の装置を用いて施してもよい。
【００７５】
以上のステップＰ１からＰ５を経て、図４におけるステップＳ３が終了する。
【００７６】
なお、ステップＰ１およびＰ３においては、マザー基板１１０は、たとえば２５００ｒｐｍで回転しているため、ポリシリコン膜１８０ｆの全面に、薬液は供給される。そして、一方の面１１０ｆに供給された薬液は、端面１１０ｔにも液垂れするため、端面１１０ｔのポリシリコン膜１８０ｔは除去される。ここで、薬液の供給量を増減させることにより、マザー基板１１０の一方の面１１０ｆ、端面１１０ｔから除去するポリシリコン膜１８０ｆ，１８０ｔの量を可変させることができる。
【００７７】
ここで、回転するマザー基板１１０の一方の面１１０ｆのポリシリコン膜１８０ｆの回転中心に、液体供給管路１６２の供給口１６２ｋから薬液を供給すると略同時に、図９に示すように、回転するマザー基板１１０の導電膜を除去する面と反対側の面である他方の面１１０ｒのポリシリコン膜１８０ｒの回転中心に、下方から、すなわち、液体供給管路１６１の供給口１６１ｋから、乾燥ガスであるＮ2ガスを、たとえば１００リットル／分量吐出する。ここで、乾燥ガスは、Ｎ2ガスに限らず、単なるエア（Ａｉｒ）であってもよい。また、Ｎ2ガスを、マザー基板１１０の他方の面１１０ｒのポリシリコン膜１８０ｒに供給する際は、供給口１６１ｋの配置または向きなどを適宜設定することにより、マザー基板１１０全面にＮ2ガスが広がるように回転中心以外に供給してもよい。
【００７８】
このことにより、他方の面１１０ｒに吐出されたＮ2ガスにより、マザー基板１１０の一方の面１１０ｆに供給された薬液が、端面１１０ｔより他方の面１１０ｒ側に回り込んでしまうことを防ぐ。すなわち、一方の面１１０ｆのポリシリコン膜１８０ｆを除去するに際し、他方の面１１０ｒのポリシリコン膜１８０ｒが除去されてしまうことを防ぐ。
【００７９】
また、ステップＰ１からＰ４において、薬剤または純水を、マザー基板１１０の一方の面１１０ｆのポリシリコン膜１８０ｆに供給する際は、供給口１６２ｋの配置または向きなどを適宜設定することにより、マザー基板１１０全面に薬液または純水が広がるように回転中心以外に供給してもよい。
【００８０】
また、ステップＰ２の洗浄工程は、必要に応じて省略してもよい。
【００８１】
第１の導電膜除去工程の後、マザー基板１１０は、他方の面１１０ｒの全面のみに、ポリシリコン膜１８０ｒが形成されることになる。ここで、マザー基板１１０の他方の面１１０ｒの全面に、ポリシリコン膜１８０ｒを形成したのは、製造工程中、マザー基板１１０の他方の面１１０ｒに接触傷などが形成されてしまうことを形成されたポリシリコン膜１８０ｒにより防止するためである。
【００８２】
さらに、マザー基板１１０の他方の面１１０ｒの全面に、ポリシリコン膜１８０ｒを形成したのは、静電チャックを用いてマザー基板１１０の他方の面１１０ｒを枚葉式の成膜装置、またはエッチング装置の各ステージに載置して、この各ステージにマザー基板１１０を固定する際、ポリシリコン膜１８０ｒにより、マザー基板１１０とステージとの間に静電力を発生させ、確実にマザー基板１１０をステージに固定するためである。
【００８３】
また、マザー基板１１０の他方の面１１０ｒの全面に、ポリシリコン膜１８０ｒを形成したのは、マザー基板１１０を加熱する際、ポリシリコン膜１８０ｒにより、マザー基板１１０における熱の伝導を均一化させるためである。
【００８４】
次に、図４に示すステップＳ４において、複数の薄膜を積層して層状に形成する薄膜形成工程を行う。図１０に示すように、マザー基板１１０の一方の面１１０ｆに、複数のＴＦＴ基板１０を構成するため、ＴＦＴ基板１０毎に、成膜装置、およびエッチング装置を用いて、図３に示した、複数の薄膜である第１層〜第６層を形成する。この段階で、第６層の配向膜１６は形成していない。
【００８５】
この第１層〜第６層までの積層工程は、常圧または減圧ＣＶＤ法などの、周知の方法により実施されるため、その説明は省略する。また、第１層〜第６層を積層して形成する際は、必要に応じて、マザー基板１１０を、枚葉式の成膜装置、ドライエッチング装置の各ステージに、このステージとマザー基板１１０の他方の面１１０ｒとの間に電圧印加後に発生する静電力を用いる静電チャックにより固定して行う。
【００８６】
次に、図４に示すステップＳ５において、マザー基板１１０を、スピン装置１５０から取り外した後、形成された各薄膜の歪みを防止するため、マザー基板１１０に対して、たとえば３００℃の環境下において、３００ｓｅｃ程度、Ｎ2ガスを用いてアニール処理を施す。
【００８７】
この際、マザー基板１１０の他方の面１１０ｒには、ポリシリコン膜１８０ｒが形成されているため、熱は、ポリシリコン膜１８０ｒにより、マザー基板１１０に均一に熱伝導される。
【００８８】
次に、図４に示すステップＳ６において、マザー基板１１０の他方の面１１０ｒのポリシリコン膜１８０ｒを、スピン方式にて除去する第２の導電膜除去工程である第２の導電膜除去工程を行う。ステップＳ６は、マザー基板１１０の他方の面１１０ｒに処理を行う点を除けばステップＳ３と同じであるため説明は省略する。ステップＳ３と同様に、図１２に示すステップＰ１からＰ５を含んでいる。
【００８９】
ステップＳ６の後、画素電極９ａ上に上述した配向膜１６を形成し、この配向膜１６に既知のラビング処理を施す。その後、マザー基板１１０から、複数構成された各ＴＦＴ基板１０を、たとえばダイシングにより分断することにより、ＴＦＴ基板１０を複数製造する。なお、ＴＦＴ基板１０は、マザー基板１１０に１個のみ構成して、分断後、１個のみ形成してもよい。
【００９０】
続いて、対向基板２０の製造工程（工程Ｂ）について説明する。対向基板２０の製造工程は、薄膜形成工程（ステップＳ４）において形成する構成要素の種類を除いて上記のＴＦＴ基板１０の製造工程と同様である。このため、以下の説明においては、洗浄工程、乾燥工程、アニール処理工程などは、省略して記載する。
【００９１】
まず、石英から構成されたマザー基板１１０の一方の面１１０ｆの全面と他方の面１１０ｒの全面とに、導電膜であるポリシリコン膜１８０を、たとえば１００ｎｍ〜５００ｎｍの膜厚に形成する導電膜形成工程を行った後、マザー基板１１０の一方の面１１０ｆのポリシリコン膜１８０ｆを、スピン装置１５０にて、一方の面１１０ｆの全面から除去する第１の導電膜除去工程を行う。
【００９２】
マザー基板１１０のポリシリコン膜１８０ｆが除去された一方の面１１０ｆの全面に、対向電極２１を形成する薄膜形成工程を行う。この段階では、配向膜２６は形成しない。そして、マザー基板１１０の他方の面１１０ｒのポリシリコン膜１８０ｒを、スピン装置１５０にて、他方の面１１０ｒの全面から除去する第２の導電膜除去工程を行う。
【００９３】
第２の導電膜除去工程の後、マザー基板１１０の一方の面１１０ｆの対向電極２１上に上述した配向膜２６を形成し、この配向膜２６に既知のラビング処理を施す。その後、マザー基板１１０を、所定の大きさに、たとえばダイシングにより分断することにより、マザー基板１１０から、複数の対向基板２０を分断して対向基板２０を複数製造する。対向基板２０は、マザー基板１１０に１個のみ構成して、分断後、１個のみ形成してもよい。
【００９４】
このようにして製造されたＴＦＴ基板１０と対向基板２０とを、一方の面１０ｆと他方の面２０ｆとが対向するようシール材５２によって貼り合わせて対向配置した後、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０とのシール材５２で囲まれた領域に、既知の液晶注入方式により、液晶５０を注入して、液晶装置１００を製造する。あるいは、ＴＦＴ基板１０または対向基板２０の一方に液晶５０を滴下した後にＴＦＴ基板１０と対向基板２０とを貼り合わせることによって、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間に液晶５０を封入してもよい。
【００９５】
以上のように、本実施形態によれば、ポリシリコン膜１８０を除去する際に、フッ酸と硝酸とを混合した薬液である混酸によってエッチングを行った後、フッ化アンモニウムとフッ化水素酸とを混合した薬液であるバッファードフッ化水素酸によるエッチングを行うので、１種類の薬剤によるエッチングを続けることに起因するエッチングレートの低下を抑制することができる。これにより、基板の表面の導電膜、または基板の裏面の導電膜を、均一に除去することができる。つまり、マザー基板１１０の一方の面１１０ｆに形成されたポリシリコン膜１８０ｆ、および他方の面１１０ｒに形成されたポリシリコン膜１８０ｒが残ることなく、且つマザー基板１１０にダメージを与えることなく、マザー基板１１０の一方の面１１０ｆのポリシリコン膜１８０ｆ、および他方の面１１０ｒのポリシリコン膜１８０ｒを除去することができる。
【００９６】
本実施形態によれば、供給された混酸や、エッチングにより生じた異物が、マザー基板１１０上から除去されるので、その後に供給する第２の薬剤であるバッファードフッ化水素酸によるエッチングがより効果的となる。
【００９７】
以下、上述の実施形態における第１の導電膜除去工程および第２の導電膜除去工程に関する変形例を記載する。
（変形例１）
【００９８】
変形例１が、上述の実施形態にかかる電気光学装置の製造方法に対して相違する点は、第１の導電膜除去工程および第２の導電膜除去工程の少なくともいずれかを２回以上実施することである。
【００９９】
これによれば、２回以上繰返し実施するので、導電膜であるポリシリコン膜１８０がマザー基板１１０の一方の面１１０ｆおよび他方の面１１０ｒに残ることなく、マザー基板１１０の一方の面１１０ｆおよび他方の面１１０ｒからポリシリコン膜１８０を除去することが、より確実になる。さらに、端面１１０ｔに形成されたポリシリコン膜１８０ｔについても、除去することができる。
（変形例２）
【０１００】
マザー基板１１０の一方の面１１０ｆにポリシリコン膜１８０を形成せず、静電チャックでマザー基板１１０を固定できる場合、導電膜形成工程において、他方の面１１０ｒだけにポリシリコン膜１８０を形成し、第１の導電膜除去工程を省略して、第２の導電膜除去工程のみを行うことができる。
（変形例３）
【０１０１】
ステップＳ３およびＳ６において用いるエッチング方法は、電子機器の製造工程に限らず半導体装置の製造工程などに用いてもよい。
【産業上の利用可能性】
【０１０２】
液晶装置は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、上記課題の少なくとも一部を解決できる範囲での変形、改良などは前述の実施形態に含まれるものである。
たとえば、上述した液晶装置は、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）などのアクティブ素子（能動素子）を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示モジュールを例に挙げて説明したが、これに限らず、ＴＦＤ（薄膜ダイオード）などのアクティブ素子（能動素子）を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示モジュールであってもよい。
【０１０３】
さらに、本実施の形態においては、電気光学装置は、液晶装置を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されず、エレクトロルミネッセンス装置、特に、有機エレクトロルミネッセンス装置、無機エレクトロルミネッセンス装置などや、プラズマディスプレイ装置、ＦＥＤ（Field Emission Display）装置、ＳＥＤ（Surface-Conduction Electron-Emitter Display）装置、ＬＥＤ（発光ダイオード）表示装置、電気泳動表示装置、薄型のブラウン管または液晶シャッターなどを用いた表示装置などの各種電気光学装置に適用できる。
【０１０４】
また、電気光学装置は、半導体基板に素子を形成する表示用デバイス、たとえばＬＣＯＳ（Liquid Crystal On Silicon）などであってもよい。ＬＣＯＳでは、素子基板として単結晶シリコン基板を用い、画素や周辺回路に用いるスイッチング素子としてトランジスタを単結晶シリコン基板に形成する。また、画素には、反射型の画素電極を用い、画素電極の下層に画素の各素子を形成する。
【０１０５】
また、電気光学装置は、片側の基板の同一層に、一対の電極が形成される表示用デバイス、たとえばＩＰＳ（In-Plane Switching）や、片側の基板において、絶縁膜を介して一対の電極が形成される表示用デバイスＦＦＳ（Fringe Field Switching）などであっても構わない。
【図面の簡単な説明】
【０１０６】
【図１】本実施形態にかかる液晶装置の概略平面図。
【図２】図１のＡ−Ａ断面図。
【図３】一つの画素に着目した図１の液晶装置の模式的断面図。
【図４】ＴＦＴ基板の製造方法の一部を示すフローチャート。
【図５】大板の基板の表面または裏面を、洗浄および乾燥するとともに、大板の基板の表面または裏面から導電膜を除去するスピン装置を示す図。
【図６】図５に示すスピン装置のスピンベースおよび静電チャックピンを示す上面図。
【図７】図５に示すスピン装置を用いて、大板の基板の表面または裏面を、洗浄および乾燥する工程を示す図。
【図８】図７に示す大板の基板の表面および裏面および端面に薄膜を形成した状態を示す図。
【図９】図５に示すスピン装置を用いて、図８に示す大板の基板の表面および端面の薄膜を除去する工程を示す図。
【図１０】図９に示す大板の基板の表面のＴＦＴ基板を構成する複数の領域に、それぞれ複数の薄膜を積層して形成した状態を示す図。
【図１１】図５に示すスピン装置を用いて、図１０の大板の基板の裏面の薄膜を除去する工程を示す図。
【図１２】図４の一部を示すフローチャート。
【符号の説明】
【０１０７】
９ａ…画素電極、１０…ＴＦＴ基板、１０ｆ…ＴＦＴ基板の表面、２０…対向基板、２１…対向電極、３０…ＴＦＴ、４０…表示領域、５０…液晶、５２…シール材、１００…液晶装置、１１０…マザー基板、１１０ｆ…マザー基板の表面、１１０ｒ…マザー基板の裏面、１１０ｔ…マザー基板の端面、１８０…ポリシリコン膜、１８０ｆ…表面のポリシリコン膜、１８０ｒ…裏面のポリシリコン膜、１８０ｔ…端面のポリシリコン膜。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
素子基板を製造する工程Ａと、
対向基板を製造する工程Ｂと、
前記素子基板と前記対向基板とを貼り合わせ、前記素子基板と前記対向基板との間に電気光学物質を封入する工程と、を有する電気光学装置の製造方法であって、
前記工程Ａまたは前記工程Ｂにおいて、
基板の一方の面、および他方の面に導電膜を形成する導電膜形成工程と、
前記基板の前記一方の面の前記導電膜を除去する第１の導電膜除去工程と、
前記基板の前記一方の面に、薄膜を層状に形成する薄膜形成工程と、
前記薄膜を形成した後に、前記基板の前記他方の面の前記導電膜を除去する第２の導電膜除去工程とを備え、
前記第１の導電膜除去工程または前記第２の導電膜除去工程は、
前記基板上に第１の薬剤を供給し、前記導電膜をエッチングする工程Ｃと、
前記基板上に第２の薬剤を供給し、前記工程Ｃにより酸化された前記導電膜をエッチングする工程Ｄとを有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の電気光学装置の製造方法において、
前記第１の薬剤は、フッ酸と硝酸とを混合した薬液である混酸であり、
前記第２の薬剤は、フッ化アンモニウムとフッ化水素酸とを混合した薬液であるバッファードフッ化水素酸であることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の電気光学装置の製造方法において、
前記工程Ｃと前記工程Ｄとの間に、純水による洗浄工程を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法において、
前記第１の導電膜除去工程および前記第２の導電膜除去工程の少なくとも一方を、２回以上繰返し実施することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
導電膜が形成された基板を回転させる工程と、
前記基板を回転させた状態で、前記基板に、フッ酸と硝酸とを混合した薬液である混酸を供給して前記導電膜をエッチングする工程と、
前記基板を回転させた状態で、前記基板に、フッ化アンモニウムとフッ化水素酸とを混合した薬液であるバッファードフッ化水素酸を供給して酸化された前記導電膜をエッチングする工程とを有していることを特徴とするエッチング方法。
【請求項１】
素子基板を製造する工程Ａと、
対向基板を製造する工程Ｂと、
前記素子基板と前記対向基板とを貼り合わせ、前記素子基板と前記対向基板との間に電気光学物質を封入する工程と、を有する電気光学装置の製造方法であって、
前記工程Ａまたは前記工程Ｂにおいて、
基板の一方の面、および他方の面に導電膜を形成する導電膜形成工程と、
前記基板の前記一方の面の前記導電膜を除去する第１の導電膜除去工程と、
前記基板の前記一方の面に、薄膜を層状に形成する薄膜形成工程と、
前記薄膜を形成した後に、前記基板の前記他方の面の前記導電膜を除去する第２の導電膜除去工程とを備え、
前記第１の導電膜除去工程または前記第２の導電膜除去工程は、
前記基板上に第１の薬剤を供給し、前記導電膜をエッチングする工程Ｃと、
前記基板上に第２の薬剤を供給し、前記工程Ｃにより酸化された前記導電膜をエッチングする工程Ｄとを有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の電気光学装置の製造方法において、
前記第１の薬剤は、フッ酸と硝酸とを混合した薬液である混酸であり、
前記第２の薬剤は、フッ化アンモニウムとフッ化水素酸とを混合した薬液であるバッファードフッ化水素酸であることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の電気光学装置の製造方法において、
前記工程Ｃと前記工程Ｄとの間に、純水による洗浄工程を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法において、
前記第１の導電膜除去工程および前記第２の導電膜除去工程の少なくとも一方を、２回以上繰返し実施することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
導電膜が形成された基板を回転させる工程と、
前記基板を回転させた状態で、前記基板に、フッ酸と硝酸とを混合した薬液である混酸を供給して前記導電膜をエッチングする工程と、
前記基板を回転させた状態で、前記基板に、フッ化アンモニウムとフッ化水素酸とを混合した薬液であるバッファードフッ化水素酸を供給して酸化された前記導電膜をエッチングする工程とを有していることを特徴とするエッチング方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【公開番号】特開２００９−７５５０１（Ｐ２００９−７５５０１Ａ）
【公開日】平成２１年４月９日（２００９．４．９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−２４６６７４（Ｐ２００７−２４６６７４）
【出願日】平成１９年９月２５日（２００７．９．２５）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年４月９日（２００９．４．９）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年９月２５日（２００７．９．２５）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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