【課題】有効走査期間において最初に選択する行の画素で低階調域内の各階調を高い再現性で表示できるようにする。
【解決手段】本発明の表示装置は、マトリクス状に配列した画素ＰＸと、画素ＰＸが形成する列に対応して配列した映像信号線ＤＬとを具備し、各画素ＰＸは、発光素子ＬＥＤと、ソースが電源端子ＮＤ１に接続されたトランジスタＤＲと、トランジスタＤＲのゲートに接続された電極を含んだキャパシタＣと、トランジスタＤＲのドレインと電源端子ＮＤ２との間で発光素子ＬＥＤと直列に接続されたスイッチＳＷａと、トランジスタＤＲのドレインとゲートと映像信号線ＤＬとの接続をそれらが互いに接続された状態とそれらが互いから切断された状態との間で切り替えるスイッチ群ＳＷｂ，ＳＷｃとを備え、画素ＰＸが形成する画素行は、トランジスタＤＲの閾値電圧がより深い複数の行と、駆動トランジスタＤＲの閾値電圧がより浅い複数の行とを含む。 （もっと読む）

【課題】画像ムラがなく、良好な画像が得られる半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の半導体層は、第１のＮチャネル型ＴＦＴのソース及びドレインの一方と第１の配線とを電気的に接続するための第１のコンタクト領域と、前記第１のＮチャネル型ＴＦＴのソース及びドレインの他方、並びに第２のＮチャネル型ＴＦＴのソース及びドレインの他方と第２の配線とを電気的に接続するための第２のコンタクト領域と、前記第２のＮチャネル型ＴＦＴのソース及びドレインの一方と前記第１の配線とを電気的に接続するための第３のコンタクト領域とを有し、前記第１乃至第３のコンタクト領域における前記第１の半導体層のチャネル幅方向の幅よりも、前記第１の半導体層と前記第１（第２）のＮチャネル型ＴＦＴのゲート電極とが重なる領域における前記第１の半導体層のチャネル幅方向の幅の方が狭い。 （もっと読む）

【課題】 ＭＯＳトランジスタの閾値電圧を基板濃度に依ることなく制御でき、チャネル長が極微細化した場合のショートチャネル効果の抑制が容易となる基板構造を提供する。
【解決手段】 シリコン基板２００の表面のシリコン酸化膜２００Ａの上に、同一粒径のナノシリコン粒よりなる第１のナノシリコン膜２０１を形成する。さらに、この上に窒化シリコン膜２０１Ａを形成した後、平均粒径が第１のナノシリコン膜２０１とは異なる第２のナノシリコン膜２０２を形成する。このようにして作製したナノシリコン半導体基板上に半導体回路素子を形成する。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜の膜厚の異なる複数の薄膜トランジスタが同一基板上に形成されている場合において、該複数の薄膜トランジスタのゲート絶縁膜の膜質を良好な形で形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体層を有し、ゲート絶縁膜の膜厚が互いに異なる第一及び第二薄膜トランジスタを基板上に備える半導体装置の製造方法であって、上記製造方法は、第一及び第二薄膜トランジスタの形成領域に、ウェットエッチング耐性を有する下側ゲート絶縁膜を形成する工程と、第一及び第二薄膜トランジスタの形成領域に、ウェットエッチング溶解性を有する上側ゲート絶縁膜を形成する工程と、第一及び第二薄膜トランジスタの形成領域のいずれか一方で、ウェットエッチングにより上側ゲート絶縁膜を除去する工程とを有する半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】有機ＴＦＴ素子領域に塗布された有機半導体材料溶液（有機半導体層）の乾燥速度を均一にすることで有機半導体材料溶液の結晶化の度合いを均一化し、有機ＴＦＴ素子の機能特性を安定させ、画素領域での輝度や発光色のムラが少ない有機ＴＦＴ素子及びこれを用いた有機ＥＬディスプレイパネルを提供すること。
【解決手段】ソース電極及びドレイン電極並びに前記電極間を接続する有機半導体層を含む第１及び第２のトランジスタと、を有する有機ＴＦＴ素子において、第１及び第２のトランジスタの電極間及び電極の長手方向の領域とで形成され有機半導体層が配置されるセルは全て同一形状でありかつ隣り合うセルの間隔は全て一定であることで解決できる。 （もっと読む）

【課題】駆動用トランジスタとスイッチ用トランジスタとの間での繋ぎ込みをより確実にすると共に歩留まりも向上させ、表示装置の応答性を高めることが可能な表示装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】画素電極を含む有機ＥＬ発光デバイスと、第１及び第２のトランジスタとで構成される表示装置において、第１のトランジスタのソース電極及びドレイン電極は、第２のトランジスタのゲート電極と同一平面上に形成されてなることで解決できる。 （もっと読む）

ソース電極およびドレイン電極、ならびにゲート電極を有する半導体素子Ａと、ソース電極およびドレイン電極、ならびに前記半導体素子Ａのソース電極またはドレイン電極に接続されているゲート電極を有する半導体素子Ｂと、前記半導体素子Ｂのドレイン電極に接続されている画素電極を有する有機ＥＬ素子と、を含む、有機ＥＬデバイスであって、前記半導体素子Ａのソース電極およびドレイン電極、ならびに前記半導体素子Ｂのゲート電極は、同一平面上に配置されている、有機ＥＬデバイス。
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【課題】複数の照射光学系を用いる場合であっても、各照射光学系におけるレーザビームの強度ばらつきの影響を抑えることを可能にする。
【解決手段】複数の照射光学系を用いてエネルギービームを照射するアニール工程において、前記エネルギービームの照射領域を、各照射光学系が単独でビーム照射する単一ビーム照射領域１１Ａ，１１Ｂと、隣り合う二つの照射光学系の両方がビーム照射する境界領域１２ＡＢとに分け、前記境界領域１２ＡＢを、一方の照射光学系によるビーム照射部分である第一照射部ＰＡと、他方の照射光学系によるビーム照射部分である第二照射部ＰＢとに分け、前記第一照射部ＰＡによりビーム照射される薄膜トランジスタ形成領域と、前記第二照射部ＰＢによりビーム照射される薄膜トランジスタ形成領域とが、前記境界領域１２ＡＢ上における二次元方向のそれぞれで混在させるようにする。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの移動度の低下を防ぎ、かつＴＦＴ特性のばらつきを低減する。
【解決手段】半導体薄膜（６０８）を有する基板（５２０）に形成された２辺の長さがＡおよびＢの矩形のチャネル領域を有する薄膜トランジスタであって、半導体薄膜は結晶粒幅がＷｇ結晶粒長がＬｇの複数の針状の結晶粒（３０４）を有し、前記チャネル長の方向が前記結晶粒長の方向と角度θだけ傾いており、２辺の長さＡおよびＢが、Ｂ＋Ａ・ｔａｎθ＜Ｗｇ／ｃｏｓθ かつ Ａ＜Ｌｇ・ｃｏｓθを満たすようにレイアウトされているトランジスタ。また、半導体薄膜は結晶粒界（３０７）が結晶成長開始点から三角形状に形成された複数の三角形状の結晶粒を有し、三角形状の相対する結晶粒界は角度２θで広がって伸びており、結晶成長終了点での三角形状の底辺部分の幅がＷｇである場合、Ｂ＋２Ａ・ｔａｎθ＜Ｗｇを満たすようにレイアウトされているトランジスタ。 （もっと読む）

【課題】修復用の配線パターンを予め形成することも、画素を常時非点灯化することもなく、欠陥画素を修復可能な表示装置の製造方法およびＴＦＴ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】駆動トランジスタＴｒ１とスイッチングトランジスタＴｒ３とを有する画素回路を備えた表示装置の製造方法において、スイッチングトランジスタＴｒ３に不良が生じた場合に、スイッチングトランジスタＴｒ３’の不良部分を断線する工程と、基板１の全域上にパッシベーション膜３１を形成する工程と、断線したスイッチングトランジスタＴｒ３’のドレイン電極２３’上と、隣接画素のスイッチングトランジスタＴｒ３のドレイン電極２３上の前記パッシベーション膜３１にコンタクトホール３１ａを形成し、コンタクトホール３１ａを介してドレイン電極２３，２３’同士を導電材料により結線する工程とを行うことを特徴とする表示装置およびＴＦＴアレイ基板の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】可撓性基板を用いてアクティブマトリクス方式の表示装置を製造する場合に、位置精度良くＴＦＴを形成し、かつ、ＴＦＴの特性のばらつきを容易に抑制することができる表示装置の製造方法等を提供する。
【解決手段】ＴＦＴにより駆動される画素を基板上に配列した表示装置を製造する方法であって、前記基板として可撓性基板１０を用い、前記ＴＦＴのソース・ドレイン間のチャネル長Ｌ方向が、前記基板上の直交する２つの方向のうち該基板の寸法変化率が小さい方向Ｘとなるように前記ＴＦＴを形成することを特徴とする表示装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、ダミー画素部のトランジスタの誤動作を防止しつつ、表示画像の縁付近においても高品位の画像を表示する。
【解決手段】ＴＦＴアレイ基板１０上における複数の画素が配列されてなる画像表示領域１０ａに、画素毎に設けられており、画素電極９ａをスイッチング制御するＴＦＴ３０ａを含む画素部と、画像表示領域１０ａの周囲を占めるダミー画素領域１０ｄに、画素を模擬するダミー画素毎に設けられており、ＴＦＴ３０ａを模擬するダミーＴＦＴ３０ｄ及び該ダミーＴＦＴ３０ｄが有する半導体層１ａのうち少なくともチャネル領域１ａ'を遮光する二層以上の遮光膜１１ａ、１１ｂ、７１、３００又は３００ｂを含むダミー画素部とを備えており、二層以上の遮光膜１１ａ、１１ｂ、７１、３００又は３００ｂは夫々、ダミー画素部の開口領域９９ｄのうち少なくとも一部を覆うように形成される。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬ表示装置において、移動度補正期間の段ごとのばらつきに起因する輝度ムラを抑制する。
【解決手段】出力回路４００、５００を、垂直方向に走査されるＥＬＡ照射によって形成する。移動度補正動作の開始タイミングを決定する走査駆動パルスDSを出力する出力回路５００と、終了タイミングを決定するサ書込駆動パルスWSを出力する出力回路４００の各バッファトランジスタを、ＥＬＡ照射長軸方向に一列に並べて配置する。ＥＬＡ照射長軸方向に同列で配置された各バッファトランジスタを同一ＥＬＡショットで照射し、各バッファトランジスタから出力される駆動パルスWS，DSの特性ばらつきの具合を開始側と終了側で同一にする。段ごとにＥＬＡ照射強度が異なることで駆動パルス波形の特性ばらつきがあっても、移動度補正期間を各段で一定にでき、輝度ムラを抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】有機半導体層の形成に印刷法を適用しても高スループットでアライメント精度良く、高いオンオフ比を有し、素子間でのばらつきが小さい薄膜トランジスタアレイを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタアレイの配置を（１）半導体層１２の電流が流れる方向をソース配線２８の方向と同じにする、（２）ソース・ドレイン電極２７、２６をクシ型形状の電極とする、等の最適化を行い、印刷法による有機半導体層１２をストライプ形状とする。 （もっと読む）

【課題】オン電流やオフ電流のばらつきを抑えつつ、個々のトランジスタの不良率が高くても、トランジスタ群で構成される回路ブロックの不良率を低く抑えることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】トランジスタ１００,１０１が直列に接続された第１のトランジスタ列と、トランジスタ１０２,１０３が直列に接続された第２のトランジスタ列とを有し、第１,第２のトランジスタ列の一端を第１出力ノードＯ１に夫々接続し、第１,第２のトランジスタ列の他端を第２出力ノードＯ２に夫々接続する。トランジスタ１０２,１０３間の中間ノードＭ１と、トランジスタ１０２,１０３間の中間ノードＭ２をトランジスタ１０４により接続する。１つの回路ブロックを構成するトランジスタ１００〜１０４のゲートに、トランジスタ１００〜１０４を同時にオンオフするための制御信号が入力される。 （もっと読む）

【課題】特定の方向にラテラルに成長させた多結晶半導体膜を用いて、しきい値電圧の異なる複数の薄膜トランジスタを備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】特定の方向にラテラルに成長させた第１の結晶質半導体層１４を用いて形成された第１の薄膜トランジスタと、特定の方向にラテラルに成長させた第２の結晶質半導体層１８を用いて形成された第２の薄膜トランジスタとを備え、第１の結晶質半導体層１４の結晶成長方向１０と、第１の薄膜トランジスタのチャネル方向１５とのなす角度が±１０°以下であり、第２の結晶質半導体層１８の結晶成長方向１０と、第２の薄膜トランジスタのチャネル方向１９とのなす角度が８０°以上１００°以下である半導体装置。 （もっと読む）

【課題】プラスチック基板上に薄膜トランジスタアレイを形成したアクティブマトリクス基板を提供する。
【解決手段】プラスチック基板１と、プラスチック基板１上に形成された複数の走査配線２と、絶縁膜を介して走査配線２と交差する複数の信号配線５と、プラスチック基板１上に形成され、対応する走査配線２上の走査信号に応答して動作する複数の薄膜トランジスタ１０と、薄膜トランジスタ１０を介して信号配線５と電気的に接続される複数の画素電極１４とを備えている。対応する画素電極１４と薄膜トランジスタ１０は、導電部材９によって相互接続されており、画素電極１４および導電部材９は、それぞれ、隣接する異なる走査配線と交差している。 （もっと読む）

【課題】レーザ光の照射で形成された結晶性の半導体層を含むトランジスタを利用した電流生成回路において出力電流の電流値の誤差を低減する。
【解決手段】電流生成回路２０は、複数の電流源トランジスタＴAを各々が含む複数の単位回路Ｕ1〜Ｕnを具備する。各単位回路Ｕiは、複数の電流源トランジスタＴAを選択的に導通させることで設定データＳＤに応じた出力電流Ｉout[i]を生成する。各電流源トランジスタＴAは、レーザ長軸方向ＤAに長尺な領域に対するレーザ光の照射で結晶化された半導体層３１を含む。ひとつの単位回路Ｕiにおいては、各電流源トランジスタＴAの半導体層３１がレーザ長軸方向ＤAに配列する。 （もっと読む）

【課題】 ｎＭＩＳＦＥＴとｐＭＩＳＦＥＴで素子方向を傾けることなく、各素子の移動度向上をはかる。
【解決手段】 絶縁体上の半導体層にｎチャネルＭＩＳトランジスタとｐチャネルＭＩＳトランジスタを形成した半導体装置であって、ｎチャネルＭＩＳトランジスタのチャネルがチャネル長方向に１軸引っ張り歪みを有するＳｉ層１０で形成され、ｐチャネルＭＩＳトランジスタのチャネルがチャネル長方向に１軸圧縮歪みを有するＳｉＧｅ２０又はＧｅ層で形成され、各トランジスタの電流方向が共に＜１１０＞方向である。 （もっと読む）

【課題】 薄型軽量画像表示装置の、衝撃や曲げに対する耐久性を向上し、湾曲させた利用や曲面実装を可能にし、さらに製造工程数の削減による製造コストを低減し、大型化を容易にすること。
【解決手段】 複数の画素により構成された表示部と、表示部の制御を行う周辺集積回路を有する画像表示装置において、表示装置を衝撃や曲げに対する耐久性の高い支持基板上に設け、画素回路を有機半導体ＴＦＴで構成し、周辺集積回路を低温多結晶Ｓｉ−ＴＦＴで構成し、この周辺集積回路を製造した時の支持基板を除去して表示装置の支持基板上に設け、画素回路と周辺集積回路を同一配線層で接続する。 （もっと読む）