【課題】トランジスタの作製工程を簡略化し、フォトマスクの枚数を従来よりも少なくするだけでなく、新たな工程を増やすことなく発光表示装置を作製することを目的とする。
【解決手段】トランジスタを構成する半導体層に真性または実質的に真性な高抵抗の酸化物半導体を使用することによって、個々のトランジスタに対して半導体層を島状に加工する工程を省くことができる。半導体層の上層に形成した絶縁層を開口する工程において該半導体層の不要な部分を同時にエッチングし、フォトリソグラフィ工程を削減する。 （もっと読む）

【課題】絶縁性酸化物の量産性を高めこと、また、そのような絶縁性酸化物を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与すること、信頼性の高い半導体装置を作製する。
【解決手段】亜鉛のように４００〜７００℃で加熱した際にガリウムよりも揮発しやすい材料を酸化ガリウムに添加したターゲットを用いて、ＤＣスパッタリング、パルスＤＣスパッタリング等の大きな基板に適用できる量産性の高いスパッタリング方法で成膜し、これを４００〜７００℃で加熱することにより、添加された材料を膜の表面近傍に偏析させる。膜のその他の部分は添加された材料の濃度が低下し、十分な絶縁性を呈するため、半導体装置のゲート絶縁物等に利用できる。 （もっと読む）

【課題】メモリセルの保持データが多値化された場合であっても正確なデータを保持することが可能なメモリセルを有する半導体装置を供給すること。
【解決手段】半導体装置に、酸化物半導体によってチャネル領域が形成されるトランジスタのソース及びドレインの一方が電気的に接続されたノードにおいてデータの保持を行うメモリセルを設ける。なお、当該トランジスタのオフ電流（リーク電流）の値は、極めて低い。そのため、当該ノードの電位を所望の値に設定後、当該トランジスタをオフ状態とすることで当該電位を一定又はほぼ一定に維持することが可能である。これにより、当該メモリセルにおいて、正確なデータの保持が可能となる。 （もっと読む）

【課題】作製工程を大幅に削減し、低コストで生産性の良い液晶表示装置を提供する。消費電力が少なく、信頼性の高い液晶表示装置を提供する。
【解決手段】半導体層２０５のエッチングと、画素電極２１０とドレイン電極２０６ｂを接続するためのコンタクトホール２０８の形成を、同一のフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程で行うことで、フォトリソグラフィ工程を削減する。フォトリソグラフィ工程を削減することにより、低コストで生産性の良い液晶表示装置を提供することができる。また、半導体層に酸化物半導体を用いることで、消費電力が低減され、信頼性の高い液晶表示装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】光劣化を極力抑制し、電気特性が安定したトランジスタ及び該トランジスタを含む半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】トランジスタを形成する為に用いられる膜によって光が反射し、多重干渉が起きていることに着目し、当該反射を起こす膜の光学的膜厚を概略λ_０／４の奇数倍もしくは偶数倍とすることで、当該膜のトランジスタに対する機能を損ねずに、酸化物半導体が吸収する波長領域の光の反射率を高めることで、酸化物半導体に吸収される光の量を低減させ、光劣化の低減効果を高める。 （もっと読む）

【課題】不良を抑制しつつ微細化を達成した半導体装置の提供を目的の一とする。
【解決手段】平坦な表面上に絶縁膜を形成し、絶縁膜上に第１のマスクを形成し、第１のマスクにスリミング処理を行うことにより、第２のマスクを形成し、第２のマスクを用いて絶縁膜にエッチング処理を行うことにより、絶縁層を形成し、絶縁層を覆うように酸化物半導体層を形成し、酸化物半導体層を覆うように導電膜を形成し、導電膜に研磨処理を行うことにより導電膜表面を平坦化し、導電膜をエッチング処理して導電層とすることにより酸化物半導体層の最上部の表面よりも導電層の表面を低くし、導電層と酸化物半導体層に接するゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜の上で絶縁層と重畳する領域にゲート電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置は、可視光や紫外光を照射することで電気的特性が変化する。このような問題に鑑み、酸化物半導体膜を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製することを課題の一とする。
【解決手段】酸化物絶縁層上に膜厚が１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の第１の酸化物半導体層を形成し、加熱処理により結晶化させ、第１の結晶性酸化物半導体層を形成し、その上に第１の結晶性酸化物半導体層よりも厚い第２の結晶性酸化物半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】金属元素を用いた結晶化法において、ゲッタリングのために必要な不純物元素の濃度が高く、その後のアニールによる再結晶化の妨げとなり問題となっている。
【解決手段】
本発明は半導体膜に、希ガス元素を添加した不純物領域を形成し、加熱処理およびレーザアニールにより前記不純物領域に半導体膜に含まれる金属元素を偏析させるゲッタリングを行なうことを特徴としている。そして、半導体膜が形成された基板（半導体膜基板）の上方または下方からレーザ光を照射してゲート電極を加熱し、その熱によってゲート電極の一部と重なる不純物領域を加熱する。このようにして、ゲート電極の一部と重なる不純物領域の結晶性の回復および不純物元素の活性化を行なうことを可能とする。 （もっと読む）

【課題】トランジスタが有するしきい値相当分の電圧／電流のロスを低減し、プロセスの簡略化、及び回路構成の簡素化を目的とした整流特性を有する半導体装置（ＲＦＩＤ）を提供する。
【解決手段】無線によりデータの交信が可能な半導体装置（ＲＦＩＤ）を構成する素子に整流回路を設ける。整流回路において、電波を受信するアンテナと整流回路のトランジスタのゲートとドレイン端子との間に、コイルを重ねて配置することで、電波を受信するアンテナとコイルの結合を利用して、ダイオード単体と比較しダイオードとコイルが出力する電圧を大きくし、整流効率を向上させる。 （もっと読む）

【課題】不良を抑制しつつ微細化を達成する半導体装置の作製方法を提供することを目的の一とする。
【解決手段】絶縁表面上に、酸化物半導体層と、酸化物半導体層と接するソース電極およびドレイン電極と、を形成し、ソース電極上およびドレイン電極上にそれぞれ絶縁層を形成し、酸化物半導体層、ソース電極、ドレイン電極および絶縁層上にゲート絶縁層を形成し、ゲート絶縁層上に導電層を形成し、導電層を覆うように絶縁膜を形成し、導電層におけるソース電極またはドレイン電極と重畳する領域の少なくとも一部が露出するように絶縁膜を加工し、導電層の露出した領域をエッチングして、ソース電極とドレイン電極に挟まれた領域の少なくとも一部と重畳するゲート電極を自己整合的に形成する半導体装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】特性が良好なトランジスタを提供する。
【解決手段】例えば、ボトムゲート・ボトムコンタクト構造のトランジスタを作製するに際して、ソースとドレインを構成する導電層を３層の積層構造とし、２段階のエッチングを行う。すなわち、第１のエッチング工程には、少なくとも第２の膜及び第３の膜に対するエッチングレートが高いエッチング方法を採用し、第１のエッチング工程は少なくとも第１の膜を露出するまで行う。第２のエッチング工程には、第１の膜に対するエッチングレートが第１のエッチング工程よりも高く、「第１の膜の下に接して設けられている層」に対するエッチングレートが第１のエッチング工程よりも低いエッチング方法を採用する。第２のエッチング工程後にレジストマスクをレジスト剥離液により剥離するに際し、第２の膜の側壁が少し削られる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性を向上させる。
【解決手段】酸化物半導体膜を含むトランジスタにおいて、第１３族元素および酸素を含む材料を用いて酸化物半導体膜と接する絶縁膜を形成することにより、酸化物半導体膜との界面の状態を良好に保つ。さらに該絶縁膜が、化学量論的組成比より酸素が多い領域を含むことにより、酸化物半導体膜に酸素を供給し、酸化物半導体膜中の酸素欠陥を低減する。また、酸化物半導体膜と接する絶縁膜を積層構造として、酸化物半導体膜の上下に、アルミニウムを含む膜を設けることで、酸化物半導体膜への水の侵入を防止する。 （もっと読む）

【課題】本発明では、高画質で信頼性の高い表示装置を低いコストで歩留まり良く製造することができる技術を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、画素領域における画素電極層上、及び画素電極層周辺を覆う隔壁として機能する絶縁層上に、スペーサを有する。このスペーサによって、発光材料を画素電極層上に形成する際、選択的に形成するためのマスクは支持され、マスクのよじれやたわみなどによって画素電極層に接することを防止する。よって、画素電極層にはマスクによる傷などの損傷が生じず、画素電極層は形状不良とならないので、高繊細な表示を行う、高信頼性な表示装置を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置において、電界効果移動度が大きい酸化物半導体層を用いた半導体装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。また、高速動作可能な半導体装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。
【解決手段】酸化物半導体層をハロゲン元素により終端化させて、酸化物半導体層と、酸化物半導体層と接する導電層のコンタクト抵抗の増大を抑制することで、酸化物半導体層と導電層のコンタクト抵抗が良好になり、電界効果移動度が高いトランジスタを作製することができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体薄膜の電気的特性を、電極付けすることなく、非接触型で評価・測定する方法を提供すること。
【解決手段】酸化物半導体薄膜が形成された試料に励起光及びマイクロ波を照射し、前記励起光の照射により変化する前記マイクロ波の前記酸化物半導体薄膜からの反射波の最大値を測定した後、前記励起光の照射を停止し、前記励起光の照射停止後の前記マイクロ波の前記酸化物半導体薄膜からの反射波の反射率の変化を測定し、前記測定した値からライフタイム値を算出することによって、前記酸化物半導体薄膜の移動度を判定する。 （もっと読む）

【課題】撮像された画像の品質を向上させる固体撮像装置、或いは半導体表示装置を提供する。
【解決手段】グローバルシャッタ方式で駆動を行うことで、電荷の蓄積動作を制御するための電位を全画素で共有することができる。さらに、出力信号が与えられる一の配線に接続されている複数のフォトセンサを第１のフォトセンサ群とし、出力信号が与えられる他の配線に接続されている複数のフォトセンサを第２のフォトセンサ群とすると、電荷の蓄積動作を制御するための電位または信号を第１のフォトセンサ群に与える配線と、上記電位または信号を第２のフォトセンサ群に与える配線とを、接続する。 （もっと読む）

【課題】電気的特性が向上した、酸化物半導体を用いた半導体装置の作製方法を提供することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜と重畳するゲート電極と、酸化物半導体膜と電気的に接続するソース電極およびドレイン電極と、を有する半導体装置の作製方法であって、酸化物半導体膜上に接して、酸化ガリウムを含む第１の絶縁膜を形成し、第１の絶縁膜上に接して第２の絶縁膜を形成し、第２の絶縁膜上にレジストマスクを形成し、第１の絶縁膜および第２の絶縁膜にドライエッチングを行ってコンタクトホールを形成し、レジストマスクを、酸素プラズマによるアッシングを用いて除去し、コンタクトホールを介して、ゲート電極、ソース電極またはドレイン電極のいずれか一または複数と電気的に接続される配線を形成する、半導体装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜を含むトランジスタにおいて、酸化物半導体膜に熱処理による脱水化または脱水素化を行うとともに、酸化物半導体膜と接するゲート絶縁膜として、酸素を含む絶縁膜、好ましくは、化学量論的組成比より酸素が多い領域を含むゲート絶縁膜を用いることで、該ゲート絶縁膜から酸化物半導体膜へ酸素を供給する。さらに、ゲート絶縁膜の一部として金属酸化物膜を用いることで、酸化物半導体膜への水素または水のなどの不純物の再混入を抑制する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタを有する半導体装置において、電気的特性の変動が小さく、信頼性の高い半導体装置を作製することを課題とする。
【解決手段】酸化物半導体を用いたトランジスタにおいて、トップゲート構造の場合は下地絶縁層に、ボトムゲート構造の場合は保護絶縁層に、酸素が過剰な酸化シリコン（ＳｉＯ_Ｘ（Ｘ＞２））を用いる。酸素が過剰な酸化シリコンを用いることにより、絶縁層から酸素が放出され、酸化物半導体層中の酸素欠損及び下地絶縁層もしくは保護絶縁層と酸化物半導体層の界面準位密度を低減することができ、電気的特性の変動が小さく、信頼性の高い半導体装置を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】電力変換効率の向上を実現するＤＣＤＣコンバータの提供を目的の一とする。
【解決手段】出力電力を制御するためのスイッチング素子として機能するトランジスタが、通常のゲート電極に加えて、閾値電圧を制御するためのバックゲート電極を備える。そして、ＤＣＤＣコンバータから出力される出力電力の大きさに従って、バックゲート電極に与える電位の高さを制御するための、バックゲート制御回路を備える。バックゲート制御回路により、バックゲート電極に与える電位を制御することで、出力電力が大きい場合にはオン抵抗が下がるように閾値電圧を調整し、出力電力が小さい場合にはオフ電流が下がるように閾値電圧を調整することができる。さらに、スイッチング素子として機能するトランジスタが、オフ電流の極めて小さい絶縁ゲート電界効果型トランジスタである。 （もっと読む）