【課題】トランジスタの微細化を達成し、電界緩和がなされた、酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】ゲート電極の線幅を微細化し、ソース電極層とドレイン電極層の間隔を短縮する。ゲート電極をマスクとして自己整合的に希ガスを添加し、チャネル形成領域に接する低抵抗領域を酸化物半導体層に設けることができるため、ゲート電極の幅、即ちゲート配線の線幅を小さく加工しても位置精度よく低抵抗領域を設けることができ、トランジスタの微細化を実現できる。 （もっと読む）

【課題】キャリアの移動度が高く、特性ばらつきが少ない半導体装置の製造方法、これを適用した半導体装置を備えた電気光学装置、電子機器を提供すること。
【解決手段】本適用例の半導体装置の製造方法は、基板上に第１多結晶質シリコン膜としての第１半導体層を形成する工程と、第１半導体層上に非結晶質シリコン膜を形成して、該非結晶質シリコン膜に対して、不活性ガス雰囲気中で第１半導体層上における該非結晶質シリコン膜の結晶核発生速度よりも結晶成長速度の方が速くなる温度で熱処理を施して該非結晶質シリコン膜を結晶化して第２多結晶質シリコン膜としての第２半導体層を形成する工程と、第１半導体層および第２半導体層をパターニングして半導体層を形成するエッチング工程と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】導体半導体接合を用いて、優れた特性を示す、あるいは、作製の簡単な、あるいは、より集積度の高い電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】半導体層の電子親和力よりも仕事関数の小さな導体との接合においては、導体より半導体層にキャリアが注入された領域が生じる。そのような領域を電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）のオフセット領域、あるいは、インバータ等の半導体回路の抵抗として用いる。また、ひとつの半導体層中にこれらを設けることにより集積化した半導体装置を作製できる。 （もっと読む）

【課題】リーク電流が低く、電界効果移動度が高いなどの優れた特性を有するＴＦＴを備え、駆動回路を内蔵して部材点数を減らすことが可能な半導体装置において、駆動回路内部における腐食などの発生を防止する。
【解決手段】本発明の半導体装置においては、駆動回路を内蔵したＴＦＴアレイ基板１００に、ゲート電極２と、ゲート絶縁膜３と、結晶性半導体部分を含んでチャネル領域４ｃが形成される半導体層４と、チャネル領域４ｃを保護するチャネル保護膜５と、半導体層４に接続されたソース電極６及びドレイン電極７を備えたＴＦＴ、並びに、ゲート電極２と同層に形成された配線層２ａとソース電極６と同層に形成された配線層６ａを駆動回路内部においてコンタクトホール１３を介し直接接触させて接続させる配線変換部１２を備えるものである。 （もっと読む）

【課題】結晶粒の位置とその大きさを制御した結晶質半導体膜を作製し、さらにその結晶質半導体膜をＴＦＴのチャネル形成領域に用いることにより高速動作を可能にする。
【解決手段】基板１上に、島状で且つ端部にテーパーを有する膜２を設け、無機絶縁膜３、非晶質半導体膜を形成する。そして、レーザーアニールにより非晶質半導体膜を結晶化させる。島状で且つ端部にテーパーを有する膜２または無機絶縁膜３の材料及び膜厚を適宜調節することによって半導体膜の冷却速度を遅くして結晶粒径の大きな第１領域４ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】トランジスタにおけるオフ電流を低減し、電圧調整回路における出力電圧の変換効率を向上させる。
【解決手段】ゲート、ソース、及びドレインを有し、ゲートがソース又はドレインに電気的に接続され、ソース及びドレインの一方に第１の信号が入力され、チャネル形成層としてキャリア濃度が５×１０^１４／ｃｍ^３以下である酸化物半導体層を有するトランジスタと、第１の電極及び第２の電極を有し、第１の電極がトランジスタのソース及びドレインの他方に電気的に接続され、第２の電極にクロック信号である第２の信号が入力される容量素子と、を有し、第１の信号の電圧を昇圧又は降圧し、昇圧又は降圧した電圧である第３の信号を出力信号としてトランジスタのソース及びドレインの他方を介して出力する構成である。 （もっと読む）

【課題】使用者が、場所を選ばず情報を閲覧、さらには画面に表示されたキーボードに直接またはスタイラスペンなどを用いて間接的に触れることにより情報を入力でき、その入力情報を利用することができる新規の電子機器を提供することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に反射電極と電気的に接続する第１のトランジスタと、フォトセンサとを有し、表示部の第１画面領域に表示するタッチ入力ボタンを静止画として表示し、表示部の第２画面領域に動画として出力表示する。表示部に表示される画像が静止画である場合と、動画である場合とで異なる信号供給を表示部の表示素子に行う映像信号処理部を有し、静止画を書き込んだ後に表示素子制御回路を非動作とすることで、消費電力の節約ができる。 （もっと読む）

【課題】消費電力の増加を招くことなくオフの状態を実現することのできる半導体装置を提供する。
【解決手段】ゲートに電圧が印加されていない状態でオン状態であるパワー素子と、パワー素子のゲートに第１の電圧を印加するためのスイッチング用の電界効果トランジスタと、パワー素子のゲートに第１の電圧より低い電圧を印加するためのスイッチング用の電界効果トランジスタと、を有し、上記スイッチング用の電界効果トランジスタはオフ電流が小さい半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】複雑な作製工程を必要とせず、消費電力を抑えることができる記憶装置、当該記憶装置を用いた信号処理回路の提供を目的の一つとする。
【解決手段】インバータまたはクロックドインバータなどの、入力された信号の位相を反転させて出力する位相反転素子を用いた記憶素子内に、データを保持するための容量素子と、当該容量素子における電荷の蓄積及び放出を制御するスイッチング素子とを設ける。上記スイッチング素子には、酸化物半導体をチャネル形成領域に含むトランジスタを用いる。そして、上記記憶素子を、信号処理回路が有する、レジスタやキャッシュメモリなどの記憶装置に用いる。 （もっと読む）

【課題】本発明の一態様は、表示装置の高画質化を図りつつ、消費電力を低減すること及び表示の劣化（表示品質の低下）を抑制することを課題の一とする。
【解決手段】酸化物半導体層がゲート絶縁層を介してゲート電極と重畳するように設けられたトランジスタと、トランジスタのソース側又はドレイン側に接続された液晶を駆動する画素電極と、画素電極と対向するように設けられた対向電極と、画素電極と対向電極との間に設けられた液晶層とを有するサブユニットを複数有するユニットが、一又は複数設けられたピクセルがマトリクス状に配置されて画像を表示する表示パネルにおいて、オフ電流が、室温にてチャネル幅１μｍ当たり１０ｚＡ／μｍ未満、８５℃にて１００ｚＡ／μｍ未満であるトランジスタを用いる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、多結晶シリコン層の製造方法を開示する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る多結晶シリコン層（２２）の製造方法は、非晶質シリコン層（２０）と金属混入層（３０）とをコンタクトした後、非晶質シリコン層（２０）を結晶化熱処理して多結晶シリコン層（２２）を製造することを特徴とする。本発明によれば、金属触媒の量を少なく導入しながらも、結晶化温度を低くすることができる多結晶シリコン層の製造方法を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】異なる特性の半導体素子を一体に有しつつ、高集積化が実現可能な、新たな構成の半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】第１の半導体材料が用いられた第１のチャネル形成領域と、第１のゲート電極と、を含む第１のトランジスタと、第１のゲート電極と一体に設けられた第２のソース電極および第２のドレイン電極の一方と、第２の半導体材料が用いられ、第２のソース電極および第２のドレイン電極と電気的に接続された第２のチャネル形成領域と、を含む第２のトランジスタと、を備えた半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】フォトセンサを有する半導体装置のノイズを低減する。
【解決手段】フォトダイオードを有するフォトセンサと、アナログ／デジタル変換回路とを有し、前記アナログ／デジタル変換回路は、発振回路と、カウンタ回路とを有する。前記フォトセンサより出力された第１の信号は、前記発振回路に入力され、前記発振回路は、前記第１の信号の発振周波数を変更して第２の信号を出力する機能を有し、前記カウンタ回路は、前記第２の信号をクロック信号として、制御信号により加算または減算するカウント機能を有する。前記フォトセンサのリセット動作時に前記カウンタ回路は減算し、前記フォトセンサの選択動作時に前記カウンタ回路は加算することで、Ａ／Ｄ変換回路の出力値の補正を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】基板の大面積化を可能とするとともに、結晶性の優れた酸化物半導体層を形成し、所望の高い電界効果移動度を有するトランジスタを製造可能とし、大型の表示装置や高性能の半導体装置等の実用化を図る。
【解決手段】基板上に第１の多元系酸化物半導体層を形成し、第１の多元系酸化物半導体層上に一元系酸化物半導体層を形成し、５００℃以上１０００℃以下、好ましくは５５０℃以上７５０℃以下の加熱処理を行って表面から内部に向かって結晶成長させ、第１の単結晶領域を有する多元系酸化物半導体層、及び単結晶領域を有する一元系酸化物半導体層を形成し、単結晶領域を有する一元系酸化物半導体層上に第２の単結晶領域を有する多元系酸化物半導体層を積層する。 （もっと読む）

【課題】記憶保持期間において、電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い、新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】第１のソース電極および第１のドレイン電極と、第１のソース電極および第１のドレイン電極と電気的に接続され、酸化物半導体材料が用いられている第１のチャネル形成領域と、第１のチャネル形成領域上の第１のゲート絶縁層と、第１のゲート絶縁層上の第１のゲート電極と、を有する第１のトランジスタと、容量素子と、を有し、第１のトランジスタの第１のソース電極または第１のドレイン電極の一方と、容量素子の電極の一方とは、電気的に接続された半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い、新たな構造の半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】チャネル形成領域と、第１のゲート絶縁層と、第１のゲート電極と、第１のソース電極及び第１のドレイン電極と、を有する第１のトランジスタと、酸化物半導体層と、第２のソース電極及び第２のドレイン電極と、第２のゲート絶縁層と、第２のゲート電極と、を有する第２のトランジスタと、第２のソース電極または第２のドレイン電極の一方と、第２のゲート絶縁層と、第２のゲート絶縁層上に第２のソース電極または第２のドレイン電極の一方と重畳するように設けられた電極と、を有する容量素子と、を有し、第１のゲート電極と、第２のソース電極又は第２のドレイン電極の一方とは電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】表示装置に置いて、多階調表示を実現することを目的とする。
【解決手段】トランジスタ及び表示素子を有する画素がマトリクス状に配置された画素部と、前記トランジスタのゲートに電気的に接続されたゲートドライバと、前記トランジスタのソース又はドレインに電気的に接続されたソースドライバと、前記ソースドライバに信号を出力するデータ処理回路とを有し、前記トランジスタは、酸化物半導体を用いており、前記データ処理回路は、入力されるｍビットのデジタルデータのうち、ｎビットのデジタルデータ（ｍ、ｎは共に正の整数、かつｍ＞ｎ）を電圧階調に用い、（ｍ−ｎ）ビットのデジタルデータを時間階調に用いる表示装置である。 （もっと読む）

【課題】複雑な作製工程を必要とせず、消費電力を抑えることができる記憶装置、当該記憶装置を用いた半導体装置の提供を目的の一つとする。
【解決手段】インバータまたはクロックドインバータなどの、入力された信号の位相を反転させて出力する位相反転素子を用いた記憶素子内に、データを保持するための容量素子と、当該容量素子における電荷の蓄積及び放出を制御するスイッチング素子とを設ける。上記スイッチング素子には、酸化物半導体をチャネル形成領域に含むトランジスタを用いる。位相反転素子への電源電圧の印加を停止する場合、データを容量素子に記憶させることで、位相反転素子への電源電圧の供給を停止しても、容量素子においてデータを保持させる。 （もっと読む）

【課題】記憶保持期間において、電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い、新たな構造の半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体以外の半導体材料が用いられた第１のチャネル形成領域を有する第１のトランジスタ１６０と、第１のトランジスタ１６０の上方の、酸化物半導体材料が用いられた第２のチャネル形成領域を有する第２のトランジスタ１６２と、容量素子１６４と、を有し、第２のトランジスタ１６２の第２のソース電極または第２のドレイン電極の一方と、容量素子１６４の電極の一方とは、電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】表示装置の作製工程で紫外線の照射を行っても、酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタのしきい値電圧のシフトを低減させることができる、表示装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。
【解決手段】少なくとも一回以上の紫外線の照射を行い、且つ酸化物半導体層を有する薄膜トランジスタをスイッチング素子として用いる、表示装置の作製方法において、全ての紫外線照射工程を終えた後で、紫外線照射による該酸化物半導体層のダメージを回復させる熱処理を行う表示装置の作製方法である。 （もっと読む）