【課題】リーク電流の発生の抑制を行うゲッタリングの効果を良好に得ることが可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】チャネル領域を挟んでソース領域とドレイン領域とを有する半導体層を備える薄膜トランジスタであって、上記ソース領域及びドレイン領域の少なくとも一方の領域は、チャネル領域よりも膜厚の薄い領域を有する薄膜トランジスタであり、好ましくは、上記ソース領域及びドレイン領域の少なくとも一方の領域は、該領域内で膜厚の厚い領域と膜厚の薄い領域とを有する薄膜トランジスタである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、金属触媒を利用して結晶化した半導体層において、半導体層のチャネル領域内に残存する金属触媒をゲッタリングして半導体層のチャネル領域に残存する金属触媒の量を減少させて電気的特性が優れた薄膜トランジスタ、その製造方法、及びこれを具備した有機電界発光表示装置を提供する。
【解決手段】本発明は基板と；基板上に位置して、金属触媒を利用して結晶化した半導体層と；半導体層上に位置するゲート絶縁膜と；ゲート絶縁膜上に位置するゲート電極と；ゲート電極上に位置する層間絶縁膜；及び半導体層のソース／ドレイン領域の一定領域を露出させるコンタクトホールを介して半導体層のソース／ドレイン領域に電気的に連結されるソース／ドレイン電極を含み、コンタクトホール下部の半導体層領域内には半導体層の表面から一定深さまで金属触媒とは異なる金属の金属シリサイドが形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタを提供する。 （もっと読む）

【課題】製造時間と製造価格を増加することなく多結晶シリコン粒径の微小化と均一化を行なうための技術を提供する。
【解決手段】基板１００上に形成したシリコン層１０４をレーザビーム１０６の照射によって結晶化して多結晶シリコン層１０８を得る半導体装置などに用いられ、基板１００とシリコン層１０４との間にバッファ層１０２が形成されている。バッファ層１０２を有するこのようなバッファ化基板において、該バッファ層１０２は、基板１００の限界温度よりも高い融点を有し、さらに、シリコン層１０４の結晶化に際し、バッファ層１０２上に均一なシリコン結晶粒子を形成するためシリコン層１０４の核生成密度を規定し、かつシリコン層１０４の結晶化過程における等方粒成長の基礎として機能する。 （もっと読む）

【課題】最終結晶においてリッジ高さが高い結晶が含まれないように半導体薄膜を形成することが可能な半導体薄膜の製造装置を提供すること。
【解決手段】制御部８は、移動部７により被照射物８０を相対的に移動させながら第１レーザ出力部４および第２レーザ出力部６５に対して複数回の照射を行なわせることにより、重複する照射領域内で結晶の引継ぎ成長を行なわせる。このとき、あるスリットに対応する照射領域の両端部から成長する結晶が衝突しないように第１レーザ出力部４および第２レーザ出力部６５の照射タイミングを制御した後、移動部７により被照射物を相対的に移動させ、他のスリットに対応する照射領域の両端部から成長する結晶が衝突するように第１レーザ出力部４および第２レーザ出力部６５の照射タイミングを制御する。したがって、リッジ高さが高い結晶が含まれないように半導体薄膜を形成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、低温下で結晶性の良好な単結晶および多結晶を提供することを目的とする。また、本発明は、固相成長法を用い、信頼性の高い半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】
本発明では、非晶質半導体薄膜を基板あるいは絶縁膜上に堆積するにあたり、特に、その膜を構成する主元素からなる非晶質膜の平均原子間隔分布が、単結晶の平均原子間隔分布にほぼ一致するように形成し、これに再結晶化エネルギーを付与し固相成長を行い単結晶半導体薄膜３を形成する。 （もっと読む）

【課題】下部ゲート電極に影響を受けることなく半導体膜を結晶化できる半導体装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の作製方法は、基板上に剥離層を形成し、前記剥離層上に絶縁膜１０７を形成し、絶縁膜１０７上に下部ゲート絶縁膜１０３を形成し、下部ゲート絶縁膜１０３上に非晶質半導体膜を形成し、前記非晶質半導体膜を結晶化することにより下部ゲート絶縁膜１０３上に結晶質半導体膜を形成し、前記結晶質半導体膜上に上部ゲート絶縁膜１０５を形成し、上部ゲート絶縁膜１０５上に上部ゲート電極１０６ａ，１０６ｂを形成し、前記剥離層を絶縁膜１０７から剥離し、絶縁膜１０７を加工することにより下部ゲート絶縁膜１０３を露出させ、前記露出した下部ゲート絶縁膜１０３に接する下部ゲート電極１１５ａ、１１５ｂを形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体膜を多結晶化させる際に半導体膜がその下層のパターンから受ける影響が半導体膜の電気的性能に及ぶのを抑制する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板１１上に、電流経路予定部分に対応してパターン１３を形成するパターン形成ステップと、パターン形成ステップで形成したパターン１３を覆うように基板１１上に半導体膜１５を形成する半導体膜形成ステップと、半導体膜形成ステップで形成した半導体膜１５の少なくとも電流経路予定部分に対し、その電流経路方向に垂直な方向にレーザー光Ｌを走査して半導体膜１５を多結晶化させる多結晶化ステップと、を備える。 （もっと読む）

【課題】画像ムラがなく、良好な画像が得られる半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の半導体層は、第１のＮチャネル型ＴＦＴのソース及びドレインの一方と第１の配線とを電気的に接続するための第１のコンタクト領域と、前記第１のＮチャネル型ＴＦＴのソース及びドレインの他方、並びに第２のＮチャネル型ＴＦＴのソース及びドレインの他方と第２の配線とを電気的に接続するための第２のコンタクト領域と、前記第２のＮチャネル型ＴＦＴのソース及びドレインの一方と前記第１の配線とを電気的に接続するための第３のコンタクト領域とを有し、前記第１乃至第３のコンタクト領域における前記第１の半導体層のチャネル幅方向の幅よりも、前記第１の半導体層と前記第１（第２）のＮチャネル型ＴＦＴのゲート電極とが重なる領域における前記第１の半導体層のチャネル幅方向の幅の方が狭い。 （もっと読む）

【課題】結晶化誘導金属を利用して結晶化した半導体層を利用した薄膜トランジスタ、その製造方法及び有機電界発光表示装置を提供する。
【解決手段】結晶化誘導金属を利用して結晶化した半導体層と、チャネル領域から離隔された位置の半導体層内には半導体層の表面から一定深さまで結晶化誘導金属と他の金属または金属の金属シリサイドが存在し、半導体層のチャネル領域の長さ及び幅と漏れ電流値間にはＩｏｆｆ／Ｗ（Ｌ）＝３．４×１０^−１５Ｌ^２＋２．４×１０^−１２Ｌ＋ｃ（Ｉｏｆｆは半導体層の漏れ電流値（Ａ）、Ｗはチャネル領域の幅（ｍｍ）、Ｌはチャネル領域の長さ（μｍ）、及びｃは定数であり、ｃは２．５×１０^−１３ないし６．８×１０^−１３である。）を満足することを特徴とする薄膜トランジスタ、その製造方法、及びこれを具備する有機電界発光表示装置に関する。 （もっと読む）

【課題】２種以上の平均結晶粒径を有する半導体層を直接または間接的に同一基板上に形成することができ、またその結果、サイズの異なるTFTに対してTFTの活性層となるチャネル領域での電流方向を横切る平均結晶粒界数Naが一定となるように結晶粒径が制御する。
【解決手段】直接または間接的に同一基板上に設けられた横方向に成長させた小粒径結晶領域r1と大粒径結晶領域r2が設けられた半導体層と、前記横方向に成長させた小粒径結晶をチャネル領域とするＴＦＴと、前記横方向に成長させた大粒径結晶をチャネル領域とするＴＦＴと、を具備し、前記横方向に成長させた小粒径結晶のチャネル領域と前記横方向に成長させた大粒径結晶のチャネル領域での、電流方向を横切る結晶粒界数の平均値が同一であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】回路内の素子が破壊されるような高周波信号が供給された場合においても一定以上の電圧がかからない整流回路を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】基板端子を有するトランジスタを備えた整流回路と、整流回路の出力と基準となる電圧を比較する比較回路部と、整流回路のトランジスタのしきい値電圧を制御するための電圧を生成する回路と、を有し、比較回路の比較結果により、整流回路に電圧が入力され、整流回路におけるトランジスタのしきい値電圧を制御することにより、整流回路における整流能力を制御する。 （もっと読む）

【課題】外部からの局所的押圧による非破壊の信頼性が高い半導体装置を歩留まり高く作製する方法を提供する。
【解決手段】絶縁性表面を有する基板上に剥離層を形成し、剥離層上に非単結晶半導体層を用いて形成された半導体素子を有する素子層を形成し、素子層上に有機化合物または無機化合物の繊維体を設け、素子層及び繊維体上から有機樹脂を含む組成物を塗布し、加熱することにより、素子層上に有機化合物または無機化合物の繊維体が有機樹脂で含浸された封止層を形成し、剥離層から素子層を剥離して半導体装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタのチャネル領域に用いた場合にそのキャリア移動度を高め、且つ、特性ばらつきを小さくする多結晶半導体薄膜の製造方法、多結晶半導体薄膜、半導体装置及び表示装置を提供する。
【解決手段】多結晶半導体薄膜の製造方法は、特定のエネルギー密度の結晶化エネルギーを特定方向に走査しながら付与することにより、所定領域の非晶質珪素膜の膜面に平行に｛１０１｝面が優先配向し、結晶化エネルギーの走査方向に｛１００｝面が優先配向し、結晶化エネルギーの走査方向に対して直交する方向に｛１０１｝面が優先配向した結晶面を有する多結晶珪素の結晶核を形成する結晶核形成工程と、優先配向した結晶面に対応する領域以外の領域に非晶質珪素膜を形成する結晶核制御工程と、非晶質珪素膜に珪素膜の結晶化を助長する触媒物質を導入して膜面と略平行な方向に結晶成長させる結晶粒成長工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】外部から局所的に圧力がかかっても破損しにくい半導体装置を提供する。また、外部からの局所的押圧による非破壊の信頼性が高い半導体装置を歩留まり高く作製する方法を提供する。
【解決手段】非単結晶半導体層を用いて形成された半導体素子を有する素子層上に、有機化合物または無機化合物の高強度繊維に有機樹脂が含浸された構造体を設け、加熱圧着することにより、有機化合物または無機化合物の高強度繊維に有機樹脂が含浸された構造体及び素子層が固着された半導体装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】 結晶化を促進した触媒元素の濃度の低い結晶質半導体層を簡便に製造する方法を提供することにある。
【解決手段】本発明による結晶質半導体層の製造方法は、第１領域と第２領域とを有する半導体層（１１０）を用意する工程と、結晶化を促進する触媒元素を半導体層（１１０）の第１領域に付与する工程と、半導体層（１１０）に対して熱アニール処理を行う工程であって、触媒元素の少なくとも一部を半導体層（１１０）の第１領域から第２領域に移動させる工程と、半導体層（１１０）の第２領域の少なくとも一部を除去する工程とを包含する。 （もっと読む）

【課題】電子の移動を妨げない面方位を有する結晶の生成を制御することができる結晶性半導体膜の作製方法を提供する。また、正孔の移動を妨げない面方位を有する結晶との生成を制御することができる結晶性半導体膜の作製方法を提供する。また、面方位｛００１｝の結晶で形成したｎ型の薄膜トランジスタと、面方位｛２１１｝または｛１０１｝の結晶で形成したｐ型の薄膜トランジスタとを有する半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】縁性基板上に形成した半導体膜上面にキャップ膜を形成し、半導体膜を膜厚方向に完全溶融することが可能なレーザビームを半導体膜に照射し、半導体膜を完全溶融させ結晶の面方位が制御された結晶性半導体膜を形成する。また、面方位｛００１｝の結晶領域を用いてｎチャネル型の薄膜トランジスタと、面方位｛２１１｝または面方位｛１０１｝の結晶領域を用いてｐチャネル型の薄膜トランジスタを作製する。 （もっと読む）

【課題】品質の高い多結晶シリコン薄膜を形成でき、かつ、結晶化のためのアニール処理時間を短縮できる薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】アモルファス膜を堆積させる工程と、金属を該アモルファス膜に配設する工程と、該金属とアモルファス膜をアニール処理する工程とを含み、アモルファス膜を結晶化して薄膜トランジスタのチャンネル部分を形成する薄膜トランジスタの製造方法において、アニール処理は５００℃以上でガラス劣化温度以下の温度を上限温度としてパルス的に加熱する。また、パルス回数とグレインサイズの間には相関を利用して、パルス回数により、グレインサイズを制御して結晶成長させる。 （もっと読む）

【課題】 基板の歪を生ずることなく、不純物領域の不純物の活性化率を向上させ、優れた特性の薄膜半導体装置を製造することを可能とする薄膜半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 絶縁性基板上に非単結晶半導体層を形成する工程と、前記非単結晶半導体層にレーザー光を照射して結晶化領域を形成する工程と、前記結晶化領域上にゲート絶縁膜及びゲート電極を形成する工程と、前記結晶化領域の所定の位置の上層部を非結晶化するプリアモルファス化工程と、前記結晶化領域の所定の位置に不純物をドーピングする工程と、熱処理により前記結晶化領域の所定の位置にソース領域及びドレイン領域を形成する工程とを具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 歩留まり良く、大結晶粒アレイ半導体薄膜を作製できる結晶化方法、薄膜トランジスタの製造方法、レーザ結晶化用基板、薄膜トランジスタおよび表示装置を提供する。
【解決手段】 基板に非単結晶半導体膜を形成する工程と、前記非単結晶半導体膜上に結晶化用レーザ光の一部を吸収する光吸収性膜を形成する工程と、前記光吸収性膜の表面において、連続する周期的な光強度分布を形成する前記結晶化用レーザ光を照射する工程と、を有する結晶化方法であって、前記光吸収性膜の前記結晶化用レーザ光の吸収率をＡcap、前記非単結晶半導体膜の前記結晶化用レーザ光の吸収率をＡsi、前記吸収率Ａcapと前記吸収率Ａsiとで定義される光吸収比率をｒ＝Ａcap/(Ａcap＋Ａsi)としたときに、前記光吸収比率ｒを所望する結晶粒長を得る値に選択した光吸収性膜にする。 （もっと読む）

【課題】薄い半導体膜を、歩留まり良く、レーザ光の照射で結晶化する。
【解決手段】絶縁膜、半導体膜、絶縁膜、および半導体膜の順で、基板上に膜を積層する。基板の上方からレーザ光を照射下層および上層の半導体膜を溶融させて、下層の半導体膜を結晶化させる。レーザ光の照射により、上層の半導体膜が液相状態になることで、レーザ光が反射されるため、レーザ光によって下層の半導体膜に過剰に加熱されることを防ぐことができる。また、上層の半導体膜も溶融することで、下層の半導体膜の溶融時間を延ばすことができる。 （もっと読む）