【課題】アクティブマトリクス型の液晶表示装置の画面の大面積化を可能とするゲート電
極とゲート配線を提供することを第１の課題とする。
【解決手段】同一基板上に表示領域と、表示領域の周辺に設けられた駆動回路と、を有し
、表示領域は、第１の薄膜トランジスタを有し、駆動回路は、第２の薄膜トランジスタを
有し、第１の薄膜トランジスタと第２の薄膜トランジスタは、リンがドープされたシリコ
ンでなるゲート電極を有し、ゲート電極は、チャネル形成領域の外側に設けられた接続部
でアルミニウムまたは銅を主成分とする層とタンタル、タングステン、チタン、モリブデ
ンから選ばれた少なくとも１種を主成分とする層とを有する配線と電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】格子定数が異なる複数種類の半導体素子やスピン機能素子を同一の基板上の同一の層上に混載することが可能な半導体装置の製造方法を提供しようとする。
【解決手段】シリコン基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜に開口部を設け、前記シリコン基板の一部を露出させる工程と、前記露出したシリコン基板及び前記絶縁膜上にＧｅを含むアモルファスの第１の半導体層を形成する工程と、前記第１の半導体層を第１の方向に延伸した構造に加工する工程と、前記第１の方向に延伸した第１の半導体層に熱処理を加えて、前記開口部から離れるにしたがってＳｉの濃度が減少する第１のＳｉ_1-ｘＧｅ_ｘ（０≦ｘ≦１）層を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】レーザを照射して薄膜トランジスタに用いる微結晶薄膜を形成する工程において、結晶性の周期的な劣化を回避し、安定して均一性能の微結晶膜を形成することができる平面表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】連続発振レーザ光を非晶質シリコン膜表面に照射し、一定の速度でレーザを基板に対して相対的に走査しながら結晶化する際に、非晶質シリコン膜の一領域あたりへのレーザ照射時間が０．１ｍｓ以上となるように走査し、結晶化を行う。 （もっと読む）

【課題】半導体膜から粒径の大きな結晶相の半導体を得る工程において、以降の工程で、アライメントマークとして利用可能なマーク構造を、同一の露光工程において半導体膜に形成する。
【解決手段】この発明は、光を変調して結晶化のための光強度分布を形成する光強度変調構造ＳＰと、光強度変調構造と一体にまたは独立に設けられ、光を変調して所定形状のパターンを含む光強度分布を形成するとともに結晶化領域の予め定められた位置を示すマーク形成構造ＭＫと、を有することを特徴とする光変調素子３に関する。この光変調素子によれば、絶縁基板上に所定厚さに堆積された半導体膜の任意の位置に、結晶核を形成し、その結晶核から所定の方向に結晶を成長させるとともに、半導体膜の任意の位置にアライメントマークＡＭを、同一工程で形成できる。 （もっと読む）

【課題】非単結晶半導体膜をレーザアニールする際に、適切な走査ピッチと照射回数によって前記半導体膜を結晶化することを可能にする。
【解決手段】非単結晶半導体膜上にラインビーム形状のパルスレーザを照射して結晶化を行う結晶半導体膜の製造方法において、パルスレーザは、走査方向のビーム断面形状に強度の均一な平坦部（ビーム幅ａ）を有し、パルスレーザ照射によって結晶化した半導体膜により形成されるトランジスタのチャンネル領域幅をｂとして、パルスレーザは、非単結晶半導体膜に微結晶化が生じる照射パルスエネルギ密度よりも低い照射パルスエネルギ密度Ｅを有し、パルスレーザの照射回数ｎは、照射パルスエネルギ密度Ｅのパルスレーザの照射によって結晶粒径成長が飽和する照射回数ｎ０として（ｎ０−１）以上とし、パルスレーザの走査方向における移動量ｃをｂ／２以下とする。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高いＴＦＴ構造を用いた半導体装置を実現する。
【解決手段】ＴＦＴに利用する絶縁膜、例えばゲート絶縁膜、保護膜、下地膜、層間絶縁膜等として、ボロンを含む窒化酸化珪素膜（ＳｉＮ_X Ｂ_Y Ｏ_Z ）をスパッタ法で形成する。その結果、この膜の内部応力は、代表的には−５ラ１０¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² 〜５ラ１０
¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² 、好ましくは−１０¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² 〜１０¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² となり、高い熱伝導性を有するため、ＴＦＴのオン動作時に発生する熱による劣化を防ぐことが可能となった。 （もっと読む）

【課題】本発明が目的とする技術的課題は、均一な表示特性を有するシリコン結晶化方法及びそれを用いた有機発光表示装置を提供することにある。
【解決手段】絶縁基板上に非晶質シリコン層を蒸着する工程と、レーザービームの透過領域と遮断領域を有するマスクを通じて前記レーザービームを照射することで前記非晶質シリコン層を溶融する工程と、前記溶融されたシリコン層が凝固して結晶化する工程とを含み、前記マスクの遮断領域と前記透過領域の境界線の少なくとも一部は階段状に形成されている。 （もっと読む）

【課題】多層配線間で形成される寄生容量を低減することを目的の一とする。
【解決手段】画素、メモリ部、又はＣＭＯＳ回路等に配置されたトランジスタのチャネル形成領域２１３、２１４と重なる第１の配線（ゲート電極）の一部または全部と第２の配線（ソース線またはドレイン線）１５４、１５７とを重ねる。また、ゲート電極と第２配線１５４、１５７の間には第１の層間絶縁膜１４９及び第２の層間絶縁膜１５０ｃを設け、寄生容量を低減した半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】光センサーと遮光膜を有する半導体装置において、段切れや膜剥がれに起因にする歩留まりの低下を防止することができるとともに、暗電流の増大を防止して光センサーの性能の低下を防止することができる半導体装置及びその製造方法、並びに液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】フォトダイオード１５を構成するポリシリコン膜を形成する部分Ｂの非晶質シリコン膜３０の厚みＷ１が、遮光膜２８の周縁に対応した部分Ａの非晶質シリコン膜３０の厚みＷ２より薄くなるように、非晶質シリコン膜３０を薄膜化する。そして、非晶質シリコン膜３０にレーザー光を走査して、非晶質シリコン膜３０を多結晶化させてポリシリコン膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 基板の入射面上で最適化された光強度と分布をもつレーザ光を設計し、他の好ましくない組織領域の発生を抑制しつつ所望の結晶化組織を形成することができる結晶化方法、結晶化装置、薄膜トランジスタおよび表示装置を提供する。
【解決手段】 レーザ光を非単結晶半導体薄膜に照射して結晶化するに際し、非単結晶半導体薄膜への照射光は、単調増加および単調減少を周期的に繰り返す光強度分布を有し、非単結晶半導体薄膜を溶融させる光強度である。 （もっと読む）

【課題】大面積な半導体装置を低コストに提供することを目的の一とする。または、ｎチャネル型トランジスタ及びｐチャネル型トランジスタに最適な結晶面をチャネル形成領域とすることにより、性能向上を図ることを目的の一とする。
【解決手段】絶縁表面上に（２１１）面から±１０°以内の面を上面とする島状の単結晶半導体層を形成し、単結晶半導体層の上面及び側面に接して形成し、且つ絶縁表面上に非単結晶半導体層を形成し、非単結晶半導体層にレーザー光を照射して非単結晶半導体層を溶融し、且つ、単結晶半導体層を種結晶として絶縁表面上に形成された非単結晶半導体層を結晶化して結晶性半導体層を形成し、結晶性半導体層を用いて、ｎチャネル型トランジスタ及びｐチャネル型トランジスタを形成する。 （もっと読む）

【課題】連続発振のレーザー光の照射により形成された結晶質半導体層において、結晶欠陥の発生を抑制する。
【解決手段】絶縁基板１０に非晶質半導体膜１２を成膜する半導体膜成膜工程と、非晶質半導体膜１２を覆うようにキャップ膜１３を成膜するキャップ膜成膜工程と、キャップ膜１３を介して非晶質半導体膜１２に連続発振のレーザー光Ｂを幅方向にオーバーラップするように走査しながら照射して、結晶質半導体膜１２ａを形成する結晶質半導体膜形成工程と、結晶質半導体膜１２ａ及びキャップ膜１３の積層膜をパターニングして、結晶質半導体層１２ｂａ及びキャップ層１３ｂａを形成する結晶質半導体層形成工程とを備える半導体装置の製造方法であって、キャップ膜１３の膜厚は、１０ｎｍ〜３０ｎｍである。 （もっと読む）

【課題】遮光層上に設けられ、光センサ等の用途に適した半導体素子と、高速駆動が可能な高性能の半導体素子とが同一の基板上に搭載されており、従来よりも部品点数が削減され、薄型化や軽量化が可能であるとともに、遮光層の有無による結晶性への影響が無い半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、絶縁基板１上に形成されたＴＦＴ２１とＴＦＤ２２とを備えている。ＴＦＤ２２と絶縁基板１との間には、遮光層２が選択的に形成されている。ＴＦＴ２１およびＴＦＤ２２における各半導体層５・６は、ラテラル成長結晶からなり、ＴＦＤ２２の半導体層６の表面には、ＴＦＴ２１の表面粗さよりも大きな凹凸が設けられている。 （もっと読む）

【課題】非晶質の絶縁層上に任意の位置に単結晶半導体層を成長させることにより高性能半導体素子の積層化あるいは３次元化を可能にし、高機能な半導体集積システムを実現する。
【解決手段】絶縁層上に非晶質半導体薄膜を堆積し、その一部に単結晶半導体層を接触させ、熱処理によって単結晶半導体層の結晶性を反映させ非晶質半導体薄膜を単結晶化する半導体薄膜の結晶化方法。 （もっと読む）

【課題】安価なＳｉ基板に化合物半導体の結晶薄膜を形成する。
【解決手段】ベース基板と、絶縁層と、Ｓｉ_ｘＧｅ_１−ｘ結晶層（０≦ｘ＜１）とをこの順に有する半導体基板であって、Ｓｉ_ｘＧｅ_１−ｘ結晶層（０≦ｘ＜１）は少なくとも一部の領域がアニールされており、少なくとも一部の領域でＳｉ_ｘＧｅ_１−ｘ結晶層（０≦ｘ＜１）に格子整合または擬格子整合している化合物半導体を備える半導体基板を提供する。また、サブストレートと、サブストレート上に設けられた絶縁層と、絶縁層上に設けられて少なくとも一部の領域がアニールされたＳｉ_ｘＧｅ_１−ｘ結晶層（０≦ｘ＜１）と、少なくとも一部の領域でＳｉ_ｘＧｅ_１−ｘ結晶層（０≦ｘ＜１）に格子整合または擬格子整合している化合物半導体と、化合物半導体を用いて形成された半導体デバイスとを備える電子デバイスを提供する。 （もっと読む）

【課題】高精彩・高解像度・高画質・低消費電力の小型半導体表示装置を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体表示装置は、画素マトリクス回路、データ線駆動回路、および走査線駆動回路を有しており、これらの構成要素が多結晶ＴＦＴによって同一基板上に形成される。また、その製造方法における、触媒元素を用いた結晶性の助長化プロセス、および触媒元素のゲッタリングプロセスによって、小型にもかかわらず、高精細・高解像度・高画質の半導体表示装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】（１１０）面の配向度が向上した他結晶シリコン膜を、ニッケル等を添加することなく得る。
【解決手段】基板１上に堆積された非晶質半導体膜３の被照射領域１０にレーザー４を照射して、被照射領域１０の一部を溶融領域２０とした後、溶融領域２０の中心方向へ向けて溶融状態にある非晶質半導体膜３の再結晶化させる第１工程と、被照射領域１０を短軸方向に移動させる第２工程と、を交互に繰り返して行う結晶性半導体膜３２の製造方法であって、第１工程は溶融された非晶質半導体膜３が両端部より結晶成長が進行して交わる前に固化した非多結晶領域３６が該照射領域１０の長軸方向に間欠的に存在するようにレーザー４を照射する工程で、第２工程はＮ回目の第１工程で形成された非多結晶領域３６がＮ＋１回目の第１工程で形成される溶融領域２２に含まれるように被照射領域１０を移動させる工程である、ことを特徴とする結晶性半導体膜３２の製造方法。 （もっと読む）

【課題】シフトレジスタ、バッファ回路など駆動回路を同一基板上に組込んだアクティブマトリクス型液晶表示装置において、画素部の開口率を向上させると共に最適なＴＦＴの構成を提供する。
【解決手段】バッファ回路にはゲート電極とオーバーラップするＬＤＤを設けたｎチャネル型ＴＦＴを形成し、画素部のｎチャネル型ＴＦＴにはゲート電極とオーバーラップしないＬＤＤを設けた構造とする。画素部に設ける保持容量は、遮光膜と遮光膜上に形成される誘電体膜と画素電極で形成し、特に遮光膜にＡｌを用い、誘電体膜を陽極酸化法で形成し、酸化Ａｌ膜を用いる。 （もっと読む）

【課題】順次側面結晶化において形成される突起によるムラの発生を防止する。
【解決手段】レーザ光によって前記膜を溶融させない非完全溶融エネルギー領域を点在または、波形で振幅方向で間隔を置いて並列させ、該非完全溶融エネルギー領域間をレーザ光によって膜が溶融する溶融エネルギー領域にして、レーザ光を前記膜に照射して、膜の溶融部分を固相部分から順次側面結晶化し、さらに、前記固相部分が溶融部分となるように位置を変えて、前記非完全溶融エネルギー領域を点在させるとともに該非完全溶融エネルギー領域間を前記溶融エネルギー領域にして、前記レーザ光を前記膜に照射して順次側面結晶化する。非完全溶融エネルギー領域と前記溶融エネルギー領域とを有するレーザパターンでシリコン膜１０に照射して結晶化する。 （もっと読む）

【課題】大きなオン電流を維持したままオフ電流を低減するとともに、製造が容易なＬＤＤ領域を備える薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】平面視において、ドレイン電極１７１をゲート電極１２１から所定の距離だけ離して形成することによって、ＬＤＤ領域１６５となるオーミックコンタクト層１６１を水平方向に形成する。この場合、ＬＤＤ領域１６５は、ゲート電極１２１の電位に基づく電界の影響を受けにくくなり、実質的にドレイン電極１７１の電位に基づく電界による電界集中のみを緩和する。したがって、ＴＦＴ１００は、結晶性シリコン膜からなるチャネル領域１４１ｃを形成することにより、大きなオン電流を維持することができると同時に、オフ電流を十分低減することができる。 （もっと読む）