半導体装置の製造方法
【課題】格子定数が異なる複数種類の半導体素子やスピン機能素子を同一の基板上の同一の層上に混載することが可能な半導体装置の製造方法を提供しようとする。
【解決手段】シリコン基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜に開口部を設け、前記シリコン基板の一部を露出させる工程と、前記露出したシリコン基板及び前記絶縁膜上にGeを含むアモルファスの第1の半導体層を形成する工程と、前記第1の半導体層を第1の方向に延伸した構造に加工する工程と、前記第1の方向に延伸した第1の半導体層に熱処理を加えて、前記開口部から離れるにしたがってSiの濃度が減少する第1のSi1-xGex(0≦x≦1)層を形成する工程と、を含む。
【解決手段】シリコン基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜に開口部を設け、前記シリコン基板の一部を露出させる工程と、前記露出したシリコン基板及び前記絶縁膜上にGeを含むアモルファスの第1の半導体層を形成する工程と、前記第1の半導体層を第1の方向に延伸した構造に加工する工程と、前記第1の方向に延伸した第1の半導体層に熱処理を加えて、前記開口部から離れるにしたがってSiの濃度が減少する第1のSi1-xGex(0≦x≦1)層を形成する工程と、を含む。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、ユビキタス情報化社会の実現を目指して、例えば携帯電話をはじめとする各種の情報通信機器や情報端末に対して小型化、高機能化、多機能化、あるいはパーソナル化といった様々な要求が強まりつつある。また、これと並行して、情報通信機器や情報端末に対しては、例えば情報処理速度の高速化、取り扱い可能な情報の多様化および大容量化、あるいは低消費電力化等の要求も強まっている。
【0003】
このような要求に応じて、半導体素子の微細化や集積回路の高集積化は、Si−LSI技術と称されるシリコン(Si)を材料の中核とする半導体製造技術において、いわゆるスケーリングを主たる指導原理として実現されている。しかし、スケーリングにも限界があり、スケーリングを超えた新たな指導原理が求められている。
【0004】
その一つとして、Siに比べて、キャリアの移動度が高い新材料、例えばGe、SiGeや、歪みSi、歪みSiGe、歪みGeが注目されている。これらの新材料を用いてLSiの動作速度を向上させたり、Si基板上にバッファ層としてのGe層を形成し、このGe層を介してSi基板上に光機能を有するGaAs層を結晶成長させる研究も行われている(例えば非特許文献1〜4参照)。
【0005】
さらに、SiとGeと間の格子定数を持つ材料をSi基板上に成長させる技術として、特許文献1のように成長させたい材料と同じ格子定数を有するSi1-xGexをSi基板上に形成させた後、所望の材料をそのSi1-xGex上にエピタキシャル成長させる方法がある。ただし、異なった格子定数を有する材料を形成するためには、異なったGe濃度を有するSi1-xGexを形成する必要がある。しかしながらこれまでに、同一平面に異なったGe濃度を有するSi1-xGexを形成する技術はなく、異なった格子定数を有する材料を形成するためには、それぞれの格子定数と一致するGe濃度を有するSi1-xGexを、異なった層として形成するしか方法はなかった。
【0006】
なお、電界効果トランジスタを代表とする電子機能素子や、例えば発光素子や受光素子を代表とする光機能素子、あるいはスピントランジスタを代表とするスピン機能素子等の互いに機能が異なる複数種類の素子を、それぞれの形成材料の格子定数に合った材料からなる複数種類の基板上に個別に設けた後、それら素子が設けられた基板同士を貼り合わせる技術も研究されている。この技術によれば、機能や形成材料の格子定数がそれぞれ異なる複数種類の素子が実質的に1枚の基板上に混載された半導体装置や集積回路を実現することが可能である。しかしこの技術では、電子機能素子、光機能素子、スピン機能素子などの異なった機能のデバイスは、異なった平面(層)上に形成しなければならないため、半導体装置のさらなる小型化、微細化、あるいは高集積化を図ることは実質的に不可能である。
【0007】
このため、半導体集積回路の性能を革新的に向上させ、且つ高集積化を可能とするため、これらの機能や形成材料の格子定数が異なる複数種類の半導体素子を同一の基板上の、特に同一平面(層)上に混載することができる技術の開発が望まれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0008】
【特許文献1】特開2009−224727号公報
【非特許文献】
【0009】
【非特許文献1】「Siへテロ超構造とそのデバイス応用」:宮尾正信、中川清和、応用物理第61巻、第11号、p.1104、1992年
【非特許文献2】「Si系高移動度MOSトランジスタ技術」:高木信一、応用物理第74巻、第9号、p.1158−1170、2005年
【非特許文献3】“Gallium Aresenide Layers Grown by Molecular Beam Epitaxy on Single Crystalline Germanium Island on Insulator”: M. Takai, T. Tanigawa, T. Minamisono, K. Gamo, and S. Namba, Jpn. J. Appl. Phys. 23, L308, (1984)
【非特許文献4】“Low-dislocation-density GaAs epilayers grown on Ge-coated Si substrates by means of lateral epitaxial overgrowth”: Appl. Phys. Lett. 41, 347, (1982)
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0010】
本発明は、格子定数が異なる複数種類の半導体素子やスピン機能素子を同一の基板上の同一の層上に混載することが可能な半導体装置の製造方法を提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【0011】
本発明の一視点に係る半導体装置の製造方法の態様は、シリコン基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜に開口部を設け、前記シリコン基板の一部を露出させる工程と、前記露出したシリコン基板及び前記絶縁膜上にGeを含むアモルファスの第1の半導体層を形成する工程と、前記第1の半導体層を第1の方向に延伸した構造に加工する工程と、前記第1の方向に延伸した第1の半導体層に熱処理を加えて、前記開口部から離れるにしたがってSiの濃度が減少する第1のSi1-xGex(0≦x≦1)層を形成する工程と、を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【0012】
本発明によれば、格子定数が異なる複数種類の半導体素子やスピン機能素子を同一の基板上の同一の層上に混載することが可能な半導体装置の製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【0013】
【図1】本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の概略構成を示した図である。
【図2】SiGe層の混晶比と格子定数の関係を示した図である。
【図3】図3(a)は、SiGe層を絶縁膜上に形成する方法を示した上面図であり、図3(b)は図3(a)の第2の方向に沿った断面図である。
【図4】図4(a)は、SiGe層を絶縁膜上に形成する方法を示した上面図であり、図4(b)は図4(a)の第2の方向に沿った断面図である。
【図5】図5(a)は、SiGe層を絶縁膜上に形成する方法を示した上面図であり、図5(b)は図5(a)の第2の方向に沿った断面図である。
【図6】図6(a)は、SiGe層を絶縁膜上に形成する方法を示した上面図であり、図6(b)は図6(a)の第2の方向に沿った断面図である。
【図7】図7(a)は、SiGe層を絶縁膜上に形成する方法を示した上面図であり、図7(b)は図7(a)の第2の方向に沿った断面図である。
【図8】SiGe層の再結晶化の熱処理条件とSiGe層内のSiの濃度との関係を示した図である。
【図9】図9(a)は、SiGe層を絶縁膜上に形成する方法を示した上面図であり、図9(b)は図9(a)の第2の方向に沿った断面図である。
【図10】図10(a)は、SiGe層を絶縁膜上に形成する方法を示した上面図であり、図10(b)は図10(a)の第2の方向に沿った断面図である。
【図11】図11(a)は、SiGe層を絶縁膜上に形成する方法を示した上面図であり、図11(b)は図11(a)の第2の方向に沿った断面図であり、図11(c)は図11(a)の第1の方向に沿った断面図である。
【図12】図12(a)は、SiGe層を絶縁膜上に形成する方法を示した上面図であり、図12(b)は図12(a)の第2の方向に沿った断面図である。
【図13】図13(a)、(b)及び(c)は、SiGe層を絶縁膜上に形成する方法を示し図8(a)の第1の方向に沿った断面図である。
【図14】図14(a)は、SiGe層を絶縁膜上に形成する方法を示した上面図であり、図14(b)は図14(a)の第2の方向に沿った断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0014】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。
【0015】
先ず、本発明の実施形態に係る半導体装置の構成について説明する。
【0016】
(第1の実施形態)
図1は、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の概略構成を示している。図1は、電子機能素子や、光機能素子及びスピン機能素子を1つのシリコン基板上の1つの層上に、モノリシックに形成する場合を示している。
【0017】
電子機能素子は、例えばGeやSiGeを用いたトランジスタであり、光機能素子は、例えばGaAsやFeSi2を用いた発光素子や受光素子であり、スピン機能素子は、例えばFe3Siを用いたスピントランジスタである。しかし、各機能素子は、これらに限定されるものではない。
【0018】
図1において、シリコン基板10の第1の領域Aは、周知のCMOSトランジスタ11の形成領域であり、このCMOSトランジスタ11等により、例えばメモリセル、論理演算回路や液晶表示部等が形成されている。シリコン基板10の第2の領域Bは、複数の機能素子の形成領域である。第2の領域Bにおいて、シリコン基板10上には、例えばシリコン酸化膜により絶縁膜13が形成されている。この絶縁膜13上に、ユニバーサルバッファ層14(以下、バッファ層と称す)が形成されている。このバッファ層14は、格子定数の異なる例えばSiGe層14a、14b、14cより構成されている。すなわち、これらSiGe層14a、14b、14cの格子定数は、これらの上に形成される電子機能素子を構成する例えばSiGe層又はGe層15、光機能素子を構成する例えばGaAs層又はFeSi2層16、及びスピン機能素子を構成する例えばFe3Si層17の格子定数とそれぞれ等しく設定されている。これらSiGe層14a、14b、14c、及びSiGe層又はGe層15、GaAs層又はFeSi2層16、Fe3Si層17は、図示せぬ絶縁膜により分離されている。
【0019】
図2は、SiGe層の混晶比と格子定数の関係を示している。図2に示すように、光やスピン等の新機能を有する材料群の格子定数は、例えばGaAs:0.565nm、FeSi2:0.554nm、Fe3Si:0.564nmであり、シリコンの格子定数0.543nmと大きく異なっている。このため、これらの材料をシリコン基板上に混載する場合、結晶成長のテンプレートが必要となる。Si1−xGex(0≦x≦1)混晶は、全率固溶の半導体であり、混晶比(x)を変化することにより、格子定数を0.543nmから0.565nmの範囲で自由に変化させることができる。上記新機能を有する材料群の格子定数は、Si1−xGexの格子定数の範囲内にあるため、図1に示すように、混晶比が異なるSi1−xGex層14a、14b、14cを絶縁膜13上に結晶成長させ、このSi1−xGex層14a、14b、14cをバッファ層(テンプレート)として上記材料群を、Si1−xGex層14a、14b、14c上に結晶成長させることにより、歪を制御した格子欠陥が少ない良質な膜を形成することができる。このようにして形成されたSiGe層又はGe層15、GaAs層又はFeSi2層16、Fe3Si層17を用いて、電子機能、光機能、スピン機能を有する所望の素子が形成される。
【0020】
上記絶縁膜13上におけるGe濃度の異なるSiGeの形成は、後述するSiGe層の製造方法において説明するが、例えばGeあるいはSiGeの溶融固化によるエピタキシャル成長法が考えられる。
【0021】
上記実施形態によれば、シリコン基板10上に形成された絶縁膜13の上に、混晶比が異なるバッファ層としてのSi1−xGex層14a、14b、14cを設け、このSi1−xGex層14a、14b、14cをテンプレートとしてSiGe層又はGe層15、GaAs層又はFeSi2層16、Fe3Si層17を設けている。このため、シリコン基板10と格子定数が異なる複数の半導体層を1つの基板上に設けることができる。したがって、高機能の半導体装置をチップ面積の増大を抑制して形成することができる。
【0022】
次に、上記実施形態に適用されるバッファ層としてのSi1−xGex層の製造方法について説明する。
【0023】
(SiGe層の第1の製造方法)
図3〜図14は、SiGe層を絶縁膜上に形成する方法を示している。図3(a)〜図7(a)、図9(a)〜図12(a)及び図14(a)は上面図であり、図3(b)〜図7(b)、図9(b)〜図12(b)及び図14(b)は図3(a)〜図7(a)、図9(a)〜図12及び図14(a)の第2の方向に沿った断面図であり、図11(c)は図11(a)の第1の方向に沿った断面図である。また、図8は、SiGe層19形成時の熱処理条件とSiGe層19内のSiの濃度との関係を示した図である。そして、図13(a)、(b)及び(c)は、図8(a)の第1の方向に沿った断面図である。
【0024】
まず、図3に示すように、シリコン基板10上に、例えば熱CVD法等を用いて絶縁膜13となる厚さ30nm程度のシリコン酸化膜を形成する。
【0025】
次に、図4に示すように、絶縁膜13の一部に例えば溝(開口部)を形成し、シリコン基板10の一部を露出させる。なお、該開口部はホールであっても良い。また、該開口部が溝の場合は第1の方向に沿って延伸する。また、該開口部がホールであった場合は第1の方向に沿って複数のホールが形成される。あるいは、後の工程で形成するパターン次第では、必ずしも同一直線上になくてもよい。さらに、該開口部は第2の方向に所望の間隔を置いて複数配置されても良い。
【0026】
次に、図5に示すように、絶縁膜13及びシリコン基板10上に、膜厚100nm程度のアモルファスGeからなる半導体層18を形成する。この半導体層18は前記溝を介してシリコン基板10に接している。この半導体層18とシリコン基板10とが接している部分をシード部と呼ぶ。なお、半導体層18はSi1−yGey(0<y≦1)であり、後述する工程の後に所望の混晶比を有するSiGe層となるように半導体層18の混晶比が決定される。
【0027】
次に、図6に示すように、半導体層18上に図示しないレジストパターンを形成し、異方性エッチング等を用いて半導体層18を、シード部直上の半導体層18は残しつつ、絶縁膜上の部分を細線形状に加工する。より具体的には、該細線形状は、シリコン基板10と半導体層18とが接している領域(シード部)から横方向(第2の方向)に例えば400μm程度延伸しており、この構造(線構造)が並列に複数形成される。また、線構造の幅は30nm〜3.0μm程度である。
【0028】
図7に示すように、前記半導体層18及び絶縁膜13上にキャップ層30を形成する。このキャップ層30により、Si1−yGey層18が溶融した際、溶融前後でその形状を維持することができ、制御性のよいプロセスを実現することができる。
【0029】
次に、図8に示すように、加工された半導体層18に熱処理が行われる。この熱処理は、温度が例えば940℃以上のRTA(Rapid Thermal Anneal)である。RTAの温度は、半導体層18内のSi1−yGeyの混晶比により異なり、半導体層18が溶融する温度以上である。例えば半導体層18がGeの場合には融点が940℃であるため、半導体層18が940℃を超える温度にする必要があり、あるいは例えば半導体層18がSi0.2Ge0.8のGeの場合には融点が約1035℃であるため、半導体層18が1035℃を超える温度にする必要がある。
【0030】
RTAにおいて、半導体層18の温度がSi1−yGeyのGe濃度によって決まる融点以上に達すると、半導体層18は溶融を開始する。その溶融中において、半導体層18とシリコン基板10とが接している領域においては、Si1−yGey領域とSi基板領域との間で、Si原子とGe原子の相互拡散が起きる。すなわち半導体層18においては、シリコン基板10からSi原子が拡散してくるとともに、シリコン基板10側にGeが拡散する。その結果として、シード部から離れるほど、シリコン基板10から半導体層18へ入り込むSiの量は少なくなる。このため、半導体層18内のSi濃度の分布は、第2の方向で単調減少となる。また、細線形状にすることで、複数の細線でほぼ同等の分布を得ることができる。
【0031】
半導体層18の融点は、Si濃度が上がると共に高温化するから、RTAによる溶融中、あるいは降温時において、Si濃度の高い基板Si側から結晶化が始まり、次第に膜厚方向に結晶化が進み、この後、横方向に結晶化が進行する。横方向の結晶化の距離は、RTAの処理温度、および時間により規定される。図8下段に示した図は、RTAの温度によってSiの濃度分布が変わることを示した一例である。RTA温度が高いほど、シードから距離の遠いところまで、Siが拡散していることがわかる。RTAが終了した際、結晶化された半導体層18はSi1-xGex(0≦x≦1)層19になる。これにより、Si1−yGey層18は、シード部から離れるにつれてSiの濃度が低くなるSi及びGe濃度分布を有するSiGe層19になる。このため、SiGe層19の混晶比はシード部からの距離によって変化する。ここで細線の幅は、厚さが100nmである場合には、3μm以下の幅であれば良好な結晶性を持ち、かつ再現性よくSi濃度の分布を形成することができる。また厚さが200nmの場合には、6μm以下の幅であればよい。これは厚さに対して幅が広くなりすぎると、溶融時に大きな膜厚変化が生じ、キャップ層30が大きく変形して、溶融固化後に初期形状をとどめることができないためである。
【0032】
尚、上記熱処理は、RTAに限定されるものではなく、レーザービームをSiGe層の形成領域に照射し、走査することにより加熱する方法でも良い。
【0033】
次に、図9に示すように、キャップ層30を除去し、SiGe層19をSi及びGeの混晶比の違いによって2つ以上の領域に分ける。SiGe層19は、例えばバッファ層となるSi1−xGex層19a、19b、19cに分断される。例えば、Si1−xGex層19aは大体x=0.45、Ge濃度が約45%であり格子定数はFeSi2層16の格子定数に近い0.552nm〜0.553nm程度、Si1−xGex層19bは大体x=0.90、Ge濃度が約90%であり格子定数はFe3Siに近い0.562nm〜0.564nm程度、Si1−xGex層19cはx=1、Ge濃度が100%のままの領域で、格子定数はGaAsの格子定数に近い0.565nm程度である。
【0034】
この後、再度の熱処理を、19a〜cのいずれも溶融しない範囲の温度で行う。これにより、それぞれ区画された19a、19b、19cは、その内部でSiとGeの相互拡散が起こり、熱処理前にはシードからの距離に依存して異なっていたSi/Geの濃度が均一になる。またその結果として、濃度が連続的に変化することによって内部に存在していた転位の密度も低減も実現することができる。これにより、これら19a〜cの各領域上にそれぞれ、例えば、FeSi2層、Fe3Si層、GaAs層を成長させた場合に、いずれも良好な結晶性を有する膜を得ることができる。
【0035】
上述したSiGe層の製造方法によれば、Geを含む半導体層18をシリコン基板10に接触させ、横方向に細線形状に延伸させ、その後溶融固化によるエピタキシャル成長法を行っている。これにより、シリコン基板10内のSiが、精度良く半導体層18内に入り込む。具体的には、半導体層18内のSiの濃度分布はシード部から他端に向かって単調減少する。そして、上述した細線形状を用いることで、複数の細線でほぼ同等の分布を得ることが可能である。このため、格子定数が変化した所望のSiGe層を形成することができる。その結果、シリコン基板10と格子定数が異なる複数の半導体層を1つの基板上の同一の層上に設けることができる。したがって、各種デバイスの製造に有効である。
【0036】
また上述したSiGe層の製造方法によれば、Geを含む半導体層18は100%のGeとしたが、仮に例えばGe濃度が85%以下の層しか必要でない場合には、半導体層18のGe濃度を85%としておくことで、Si濃度が100%から15%の範囲での領域を形成することができる。
【0037】
(SiGe層の第2の製造方法)
次に、上述の図6で説明した細線構造を用いて、SiGe層19を大面積化する方法を説明する。なお、図3〜図6までの製造方法は、上述した製造方法と同様である。
【0038】
上述した図6の工程の後、図10に示すように、全面にアモルファスSiGe(半導体)層20を堆積する。ここでSiGe層20中Ge濃度は、その後区分して形成される各SiGe領域の中の、最も濃度の高いものと低いものの間に位置することが望ましい。例えば45%以上、100%以下のGe濃度である。
【0039】
次に、図11に示すように、SiGe層19の固相エピタキシャル成長を行う為にRTAを行う。この際のRTAの条件は、図8で説明した条件と同様である。このRTAにおいて、半導体層18の温度がSi1−yGeyのGe濃度によって決まる融点以上に達すると、半導体層18及び半導体層20は溶融を開始する。その溶融中において、半導体層18とシリコン基板10とが接している領域においては、Si1−yGey領域とSi基板領域との間で、Si原子とGe原子の相互拡散が起きる。すなわち半導体層18においては、シリコン基板10からSi原子が拡散してくるとともに、シリコン基板10側にGeが拡散する。また、半導体層18と半導体層20とが接している領域においても、Si原子とGe原子の相互拡散が起きる。このため、Si1−yGey層18は、シード部から離れるにつれてSiの濃度が低くなるSi及びGe濃度分布を有するSiGe層19になり、半導体層20も同様にシード部から離れるにつれてSiの濃度が低くなるSi及びGeの濃度分布を有するSi1-xGex(0≦x≦1)層21となる。
【0040】
次に、図12に示すように、SiGe層19と21の積層膜を、Si及びGeの混晶比の違いによって2つ以上の領域に分ける。例えばSi1−xGex層21a、21b、21cに分断される。なお、Si1−xGex層21a、21b、21cの格子定数は、上述した、Si1−xGex層19a、19b、19cの格子定数とほぼ同様である。
【0041】
この後、再度の熱処理を、Si1−xGex層19a〜19cのいずれも溶融しない範囲の温度で行う。これにより、それぞれ区画されたSi1−xGex層19a、19b、19cは、その内部、および上層のSiGe層21との間でSiとGeの相互拡散が起こり、熱処理前にはシードからの距離に依存して、およびSi1−xGex層19とSi1−xGex層21との間で異なっていたSi/Geの濃度が均一になる。またその結果として、濃度が連続的に変化することによって内部に存在していた転位の密度、あるいはSi1−xGex層19とSi1−xGex層21との間に存在した転位の密度も低減も実現することができる。これにより、これらSi1−xGex層21a〜21cの各領域上にそれぞれ、例えば、FeSi2層、Fe3Si層、GaAs層を成長させた場合に、いずれも良好な結晶性を有する膜を得ることができる。
【0042】
これにより、SiGe層19上及び第1の方向で隣接するSiGe層19の線構造間にもSiGe層が形成され、SiGe層19よりも面積の大きいSiGe層21となる。このSiGe層21の第2の方向に沿ったSi及びGe濃度分布は、SiGe層19の第2の方向に沿ったSi及びGe濃度分布とほぼ同様である。このSiGe層21は、例えばエッチバック又はCMPを用いて平坦化される。
【0043】
上述したSiGe層の製造方法によれば、SiGe層19シードとして上層のSiGe層20を固相エピタキシャル成長させ、さらにSiとGeとを相互拡散させることにより、SiGe層19の第2の方向に沿ったSi及びGe濃度分布と同様の濃度分布を有し、SiGe層19よりも大きな面積となるSiGe層21が形成される。このため、Si1−xGex層21a、21b、21cの格子定数は、上述したSi1−xGex層19a、19b、19cの格子定数と同様であり、Si1−xGex層21a、21b、21cの面積はSi1−xGex層19a、19b、19cよりも大きくなる。
【0044】
(SiGe層の第3の製造方法)
次に、上述で説明した細線構造を用いて、SiGe層19を大面積化する方法を説明する。なお、図3〜図8までの製造方法は、上述した製造方法と同様である。ただし、その細線の厚さ、幅、間隔をそれぞれ、例えば、200nm、100nm、50nmとする。
【0045】
図13に示すように、上述した図8の工程の後、キャップ膜を除去し、例えば水素雰囲気中などの、還元性を有する雰囲気、すなわちSi1−xGexが容易に流動するような雰囲気で、融点以下の温度での熱処理を行う。この熱処理を行うと、図13(a)に示すように厚さ方向に長かった細線が、図13(b)に示すように膜厚を減ずるとともに幅が広くなり、図13(c)に示すように隣り合った細線と結合し、一体化することになる。これにより、SiGe層19を大面積化することができる。図14に示すようにSiGe層の19を複数の領域に分ける方法は、上述した工程と同様の方法である。
【0046】
以上、本発明の実施形態を説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲内において種々変形して実施することが可能である。さらに、上記実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示された構成要件を適宜組み合わせることによって種々の発明が抽出される。例えば、開示された構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、所定の効果が得られるものであれば、発明として抽出され得る。
【符号の説明】
【0047】
10…シリコン基板
11…CMOSトランジスタ
13…絶縁膜
14…ユニバーサルバッファ層
14a、14b、14c…SiGe層
18…半導体層
19…SiGe層
19a、19b、19c…SiGe層
20…半導体層
21…SiGe層
21a、21b、21c…SiGe層
30…キャップ層
【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、ユビキタス情報化社会の実現を目指して、例えば携帯電話をはじめとする各種の情報通信機器や情報端末に対して小型化、高機能化、多機能化、あるいはパーソナル化といった様々な要求が強まりつつある。また、これと並行して、情報通信機器や情報端末に対しては、例えば情報処理速度の高速化、取り扱い可能な情報の多様化および大容量化、あるいは低消費電力化等の要求も強まっている。
【0003】
このような要求に応じて、半導体素子の微細化や集積回路の高集積化は、Si−LSI技術と称されるシリコン(Si)を材料の中核とする半導体製造技術において、いわゆるスケーリングを主たる指導原理として実現されている。しかし、スケーリングにも限界があり、スケーリングを超えた新たな指導原理が求められている。
【0004】
その一つとして、Siに比べて、キャリアの移動度が高い新材料、例えばGe、SiGeや、歪みSi、歪みSiGe、歪みGeが注目されている。これらの新材料を用いてLSiの動作速度を向上させたり、Si基板上にバッファ層としてのGe層を形成し、このGe層を介してSi基板上に光機能を有するGaAs層を結晶成長させる研究も行われている(例えば非特許文献1〜4参照)。
【0005】
さらに、SiとGeと間の格子定数を持つ材料をSi基板上に成長させる技術として、特許文献1のように成長させたい材料と同じ格子定数を有するSi1-xGexをSi基板上に形成させた後、所望の材料をそのSi1-xGex上にエピタキシャル成長させる方法がある。ただし、異なった格子定数を有する材料を形成するためには、異なったGe濃度を有するSi1-xGexを形成する必要がある。しかしながらこれまでに、同一平面に異なったGe濃度を有するSi1-xGexを形成する技術はなく、異なった格子定数を有する材料を形成するためには、それぞれの格子定数と一致するGe濃度を有するSi1-xGexを、異なった層として形成するしか方法はなかった。
【0006】
なお、電界効果トランジスタを代表とする電子機能素子や、例えば発光素子や受光素子を代表とする光機能素子、あるいはスピントランジスタを代表とするスピン機能素子等の互いに機能が異なる複数種類の素子を、それぞれの形成材料の格子定数に合った材料からなる複数種類の基板上に個別に設けた後、それら素子が設けられた基板同士を貼り合わせる技術も研究されている。この技術によれば、機能や形成材料の格子定数がそれぞれ異なる複数種類の素子が実質的に1枚の基板上に混載された半導体装置や集積回路を実現することが可能である。しかしこの技術では、電子機能素子、光機能素子、スピン機能素子などの異なった機能のデバイスは、異なった平面(層)上に形成しなければならないため、半導体装置のさらなる小型化、微細化、あるいは高集積化を図ることは実質的に不可能である。
【0007】
このため、半導体集積回路の性能を革新的に向上させ、且つ高集積化を可能とするため、これらの機能や形成材料の格子定数が異なる複数種類の半導体素子を同一の基板上の、特に同一平面(層)上に混載することができる技術の開発が望まれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0008】
【特許文献1】特開2009−224727号公報
【非特許文献】
【0009】
【非特許文献1】「Siへテロ超構造とそのデバイス応用」:宮尾正信、中川清和、応用物理第61巻、第11号、p.1104、1992年
【非特許文献2】「Si系高移動度MOSトランジスタ技術」:高木信一、応用物理第74巻、第9号、p.1158−1170、2005年
【非特許文献3】“Gallium Aresenide Layers Grown by Molecular Beam Epitaxy on Single Crystalline Germanium Island on Insulator”: M. Takai, T. Tanigawa, T. Minamisono, K. Gamo, and S. Namba, Jpn. J. Appl. Phys. 23, L308, (1984)
【非特許文献4】“Low-dislocation-density GaAs epilayers grown on Ge-coated Si substrates by means of lateral epitaxial overgrowth”: Appl. Phys. Lett. 41, 347, (1982)
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0010】
本発明は、格子定数が異なる複数種類の半導体素子やスピン機能素子を同一の基板上の同一の層上に混載することが可能な半導体装置の製造方法を提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【0011】
本発明の一視点に係る半導体装置の製造方法の態様は、シリコン基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜に開口部を設け、前記シリコン基板の一部を露出させる工程と、前記露出したシリコン基板及び前記絶縁膜上にGeを含むアモルファスの第1の半導体層を形成する工程と、前記第1の半導体層を第1の方向に延伸した構造に加工する工程と、前記第1の方向に延伸した第1の半導体層に熱処理を加えて、前記開口部から離れるにしたがってSiの濃度が減少する第1のSi1-xGex(0≦x≦1)層を形成する工程と、を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【0012】
本発明によれば、格子定数が異なる複数種類の半導体素子やスピン機能素子を同一の基板上の同一の層上に混載することが可能な半導体装置の製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【0013】
【図1】本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の概略構成を示した図である。
【図2】SiGe層の混晶比と格子定数の関係を示した図である。
【図3】図3(a)は、SiGe層を絶縁膜上に形成する方法を示した上面図であり、図3(b)は図3(a)の第2の方向に沿った断面図である。
【図4】図4(a)は、SiGe層を絶縁膜上に形成する方法を示した上面図であり、図4(b)は図4(a)の第2の方向に沿った断面図である。
【図5】図5(a)は、SiGe層を絶縁膜上に形成する方法を示した上面図であり、図5(b)は図5(a)の第2の方向に沿った断面図である。
【図6】図6(a)は、SiGe層を絶縁膜上に形成する方法を示した上面図であり、図6(b)は図6(a)の第2の方向に沿った断面図である。
【図7】図7(a)は、SiGe層を絶縁膜上に形成する方法を示した上面図であり、図7(b)は図7(a)の第2の方向に沿った断面図である。
【図8】SiGe層の再結晶化の熱処理条件とSiGe層内のSiの濃度との関係を示した図である。
【図9】図9(a)は、SiGe層を絶縁膜上に形成する方法を示した上面図であり、図9(b)は図9(a)の第2の方向に沿った断面図である。
【図10】図10(a)は、SiGe層を絶縁膜上に形成する方法を示した上面図であり、図10(b)は図10(a)の第2の方向に沿った断面図である。
【図11】図11(a)は、SiGe層を絶縁膜上に形成する方法を示した上面図であり、図11(b)は図11(a)の第2の方向に沿った断面図であり、図11(c)は図11(a)の第1の方向に沿った断面図である。
【図12】図12(a)は、SiGe層を絶縁膜上に形成する方法を示した上面図であり、図12(b)は図12(a)の第2の方向に沿った断面図である。
【図13】図13(a)、(b)及び(c)は、SiGe層を絶縁膜上に形成する方法を示し図8(a)の第1の方向に沿った断面図である。
【図14】図14(a)は、SiGe層を絶縁膜上に形成する方法を示した上面図であり、図14(b)は図14(a)の第2の方向に沿った断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0014】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。
【0015】
先ず、本発明の実施形態に係る半導体装置の構成について説明する。
【0016】
(第1の実施形態)
図1は、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の概略構成を示している。図1は、電子機能素子や、光機能素子及びスピン機能素子を1つのシリコン基板上の1つの層上に、モノリシックに形成する場合を示している。
【0017】
電子機能素子は、例えばGeやSiGeを用いたトランジスタであり、光機能素子は、例えばGaAsやFeSi2を用いた発光素子や受光素子であり、スピン機能素子は、例えばFe3Siを用いたスピントランジスタである。しかし、各機能素子は、これらに限定されるものではない。
【0018】
図1において、シリコン基板10の第1の領域Aは、周知のCMOSトランジスタ11の形成領域であり、このCMOSトランジスタ11等により、例えばメモリセル、論理演算回路や液晶表示部等が形成されている。シリコン基板10の第2の領域Bは、複数の機能素子の形成領域である。第2の領域Bにおいて、シリコン基板10上には、例えばシリコン酸化膜により絶縁膜13が形成されている。この絶縁膜13上に、ユニバーサルバッファ層14(以下、バッファ層と称す)が形成されている。このバッファ層14は、格子定数の異なる例えばSiGe層14a、14b、14cより構成されている。すなわち、これらSiGe層14a、14b、14cの格子定数は、これらの上に形成される電子機能素子を構成する例えばSiGe層又はGe層15、光機能素子を構成する例えばGaAs層又はFeSi2層16、及びスピン機能素子を構成する例えばFe3Si層17の格子定数とそれぞれ等しく設定されている。これらSiGe層14a、14b、14c、及びSiGe層又はGe層15、GaAs層又はFeSi2層16、Fe3Si層17は、図示せぬ絶縁膜により分離されている。
【0019】
図2は、SiGe層の混晶比と格子定数の関係を示している。図2に示すように、光やスピン等の新機能を有する材料群の格子定数は、例えばGaAs:0.565nm、FeSi2:0.554nm、Fe3Si:0.564nmであり、シリコンの格子定数0.543nmと大きく異なっている。このため、これらの材料をシリコン基板上に混載する場合、結晶成長のテンプレートが必要となる。Si1−xGex(0≦x≦1)混晶は、全率固溶の半導体であり、混晶比(x)を変化することにより、格子定数を0.543nmから0.565nmの範囲で自由に変化させることができる。上記新機能を有する材料群の格子定数は、Si1−xGexの格子定数の範囲内にあるため、図1に示すように、混晶比が異なるSi1−xGex層14a、14b、14cを絶縁膜13上に結晶成長させ、このSi1−xGex層14a、14b、14cをバッファ層(テンプレート)として上記材料群を、Si1−xGex層14a、14b、14c上に結晶成長させることにより、歪を制御した格子欠陥が少ない良質な膜を形成することができる。このようにして形成されたSiGe層又はGe層15、GaAs層又はFeSi2層16、Fe3Si層17を用いて、電子機能、光機能、スピン機能を有する所望の素子が形成される。
【0020】
上記絶縁膜13上におけるGe濃度の異なるSiGeの形成は、後述するSiGe層の製造方法において説明するが、例えばGeあるいはSiGeの溶融固化によるエピタキシャル成長法が考えられる。
【0021】
上記実施形態によれば、シリコン基板10上に形成された絶縁膜13の上に、混晶比が異なるバッファ層としてのSi1−xGex層14a、14b、14cを設け、このSi1−xGex層14a、14b、14cをテンプレートとしてSiGe層又はGe層15、GaAs層又はFeSi2層16、Fe3Si層17を設けている。このため、シリコン基板10と格子定数が異なる複数の半導体層を1つの基板上に設けることができる。したがって、高機能の半導体装置をチップ面積の増大を抑制して形成することができる。
【0022】
次に、上記実施形態に適用されるバッファ層としてのSi1−xGex層の製造方法について説明する。
【0023】
(SiGe層の第1の製造方法)
図3〜図14は、SiGe層を絶縁膜上に形成する方法を示している。図3(a)〜図7(a)、図9(a)〜図12(a)及び図14(a)は上面図であり、図3(b)〜図7(b)、図9(b)〜図12(b)及び図14(b)は図3(a)〜図7(a)、図9(a)〜図12及び図14(a)の第2の方向に沿った断面図であり、図11(c)は図11(a)の第1の方向に沿った断面図である。また、図8は、SiGe層19形成時の熱処理条件とSiGe層19内のSiの濃度との関係を示した図である。そして、図13(a)、(b)及び(c)は、図8(a)の第1の方向に沿った断面図である。
【0024】
まず、図3に示すように、シリコン基板10上に、例えば熱CVD法等を用いて絶縁膜13となる厚さ30nm程度のシリコン酸化膜を形成する。
【0025】
次に、図4に示すように、絶縁膜13の一部に例えば溝(開口部)を形成し、シリコン基板10の一部を露出させる。なお、該開口部はホールであっても良い。また、該開口部が溝の場合は第1の方向に沿って延伸する。また、該開口部がホールであった場合は第1の方向に沿って複数のホールが形成される。あるいは、後の工程で形成するパターン次第では、必ずしも同一直線上になくてもよい。さらに、該開口部は第2の方向に所望の間隔を置いて複数配置されても良い。
【0026】
次に、図5に示すように、絶縁膜13及びシリコン基板10上に、膜厚100nm程度のアモルファスGeからなる半導体層18を形成する。この半導体層18は前記溝を介してシリコン基板10に接している。この半導体層18とシリコン基板10とが接している部分をシード部と呼ぶ。なお、半導体層18はSi1−yGey(0<y≦1)であり、後述する工程の後に所望の混晶比を有するSiGe層となるように半導体層18の混晶比が決定される。
【0027】
次に、図6に示すように、半導体層18上に図示しないレジストパターンを形成し、異方性エッチング等を用いて半導体層18を、シード部直上の半導体層18は残しつつ、絶縁膜上の部分を細線形状に加工する。より具体的には、該細線形状は、シリコン基板10と半導体層18とが接している領域(シード部)から横方向(第2の方向)に例えば400μm程度延伸しており、この構造(線構造)が並列に複数形成される。また、線構造の幅は30nm〜3.0μm程度である。
【0028】
図7に示すように、前記半導体層18及び絶縁膜13上にキャップ層30を形成する。このキャップ層30により、Si1−yGey層18が溶融した際、溶融前後でその形状を維持することができ、制御性のよいプロセスを実現することができる。
【0029】
次に、図8に示すように、加工された半導体層18に熱処理が行われる。この熱処理は、温度が例えば940℃以上のRTA(Rapid Thermal Anneal)である。RTAの温度は、半導体層18内のSi1−yGeyの混晶比により異なり、半導体層18が溶融する温度以上である。例えば半導体層18がGeの場合には融点が940℃であるため、半導体層18が940℃を超える温度にする必要があり、あるいは例えば半導体層18がSi0.2Ge0.8のGeの場合には融点が約1035℃であるため、半導体層18が1035℃を超える温度にする必要がある。
【0030】
RTAにおいて、半導体層18の温度がSi1−yGeyのGe濃度によって決まる融点以上に達すると、半導体層18は溶融を開始する。その溶融中において、半導体層18とシリコン基板10とが接している領域においては、Si1−yGey領域とSi基板領域との間で、Si原子とGe原子の相互拡散が起きる。すなわち半導体層18においては、シリコン基板10からSi原子が拡散してくるとともに、シリコン基板10側にGeが拡散する。その結果として、シード部から離れるほど、シリコン基板10から半導体層18へ入り込むSiの量は少なくなる。このため、半導体層18内のSi濃度の分布は、第2の方向で単調減少となる。また、細線形状にすることで、複数の細線でほぼ同等の分布を得ることができる。
【0031】
半導体層18の融点は、Si濃度が上がると共に高温化するから、RTAによる溶融中、あるいは降温時において、Si濃度の高い基板Si側から結晶化が始まり、次第に膜厚方向に結晶化が進み、この後、横方向に結晶化が進行する。横方向の結晶化の距離は、RTAの処理温度、および時間により規定される。図8下段に示した図は、RTAの温度によってSiの濃度分布が変わることを示した一例である。RTA温度が高いほど、シードから距離の遠いところまで、Siが拡散していることがわかる。RTAが終了した際、結晶化された半導体層18はSi1-xGex(0≦x≦1)層19になる。これにより、Si1−yGey層18は、シード部から離れるにつれてSiの濃度が低くなるSi及びGe濃度分布を有するSiGe層19になる。このため、SiGe層19の混晶比はシード部からの距離によって変化する。ここで細線の幅は、厚さが100nmである場合には、3μm以下の幅であれば良好な結晶性を持ち、かつ再現性よくSi濃度の分布を形成することができる。また厚さが200nmの場合には、6μm以下の幅であればよい。これは厚さに対して幅が広くなりすぎると、溶融時に大きな膜厚変化が生じ、キャップ層30が大きく変形して、溶融固化後に初期形状をとどめることができないためである。
【0032】
尚、上記熱処理は、RTAに限定されるものではなく、レーザービームをSiGe層の形成領域に照射し、走査することにより加熱する方法でも良い。
【0033】
次に、図9に示すように、キャップ層30を除去し、SiGe層19をSi及びGeの混晶比の違いによって2つ以上の領域に分ける。SiGe層19は、例えばバッファ層となるSi1−xGex層19a、19b、19cに分断される。例えば、Si1−xGex層19aは大体x=0.45、Ge濃度が約45%であり格子定数はFeSi2層16の格子定数に近い0.552nm〜0.553nm程度、Si1−xGex層19bは大体x=0.90、Ge濃度が約90%であり格子定数はFe3Siに近い0.562nm〜0.564nm程度、Si1−xGex層19cはx=1、Ge濃度が100%のままの領域で、格子定数はGaAsの格子定数に近い0.565nm程度である。
【0034】
この後、再度の熱処理を、19a〜cのいずれも溶融しない範囲の温度で行う。これにより、それぞれ区画された19a、19b、19cは、その内部でSiとGeの相互拡散が起こり、熱処理前にはシードからの距離に依存して異なっていたSi/Geの濃度が均一になる。またその結果として、濃度が連続的に変化することによって内部に存在していた転位の密度も低減も実現することができる。これにより、これら19a〜cの各領域上にそれぞれ、例えば、FeSi2層、Fe3Si層、GaAs層を成長させた場合に、いずれも良好な結晶性を有する膜を得ることができる。
【0035】
上述したSiGe層の製造方法によれば、Geを含む半導体層18をシリコン基板10に接触させ、横方向に細線形状に延伸させ、その後溶融固化によるエピタキシャル成長法を行っている。これにより、シリコン基板10内のSiが、精度良く半導体層18内に入り込む。具体的には、半導体層18内のSiの濃度分布はシード部から他端に向かって単調減少する。そして、上述した細線形状を用いることで、複数の細線でほぼ同等の分布を得ることが可能である。このため、格子定数が変化した所望のSiGe層を形成することができる。その結果、シリコン基板10と格子定数が異なる複数の半導体層を1つの基板上の同一の層上に設けることができる。したがって、各種デバイスの製造に有効である。
【0036】
また上述したSiGe層の製造方法によれば、Geを含む半導体層18は100%のGeとしたが、仮に例えばGe濃度が85%以下の層しか必要でない場合には、半導体層18のGe濃度を85%としておくことで、Si濃度が100%から15%の範囲での領域を形成することができる。
【0037】
(SiGe層の第2の製造方法)
次に、上述の図6で説明した細線構造を用いて、SiGe層19を大面積化する方法を説明する。なお、図3〜図6までの製造方法は、上述した製造方法と同様である。
【0038】
上述した図6の工程の後、図10に示すように、全面にアモルファスSiGe(半導体)層20を堆積する。ここでSiGe層20中Ge濃度は、その後区分して形成される各SiGe領域の中の、最も濃度の高いものと低いものの間に位置することが望ましい。例えば45%以上、100%以下のGe濃度である。
【0039】
次に、図11に示すように、SiGe層19の固相エピタキシャル成長を行う為にRTAを行う。この際のRTAの条件は、図8で説明した条件と同様である。このRTAにおいて、半導体層18の温度がSi1−yGeyのGe濃度によって決まる融点以上に達すると、半導体層18及び半導体層20は溶融を開始する。その溶融中において、半導体層18とシリコン基板10とが接している領域においては、Si1−yGey領域とSi基板領域との間で、Si原子とGe原子の相互拡散が起きる。すなわち半導体層18においては、シリコン基板10からSi原子が拡散してくるとともに、シリコン基板10側にGeが拡散する。また、半導体層18と半導体層20とが接している領域においても、Si原子とGe原子の相互拡散が起きる。このため、Si1−yGey層18は、シード部から離れるにつれてSiの濃度が低くなるSi及びGe濃度分布を有するSiGe層19になり、半導体層20も同様にシード部から離れるにつれてSiの濃度が低くなるSi及びGeの濃度分布を有するSi1-xGex(0≦x≦1)層21となる。
【0040】
次に、図12に示すように、SiGe層19と21の積層膜を、Si及びGeの混晶比の違いによって2つ以上の領域に分ける。例えばSi1−xGex層21a、21b、21cに分断される。なお、Si1−xGex層21a、21b、21cの格子定数は、上述した、Si1−xGex層19a、19b、19cの格子定数とほぼ同様である。
【0041】
この後、再度の熱処理を、Si1−xGex層19a〜19cのいずれも溶融しない範囲の温度で行う。これにより、それぞれ区画されたSi1−xGex層19a、19b、19cは、その内部、および上層のSiGe層21との間でSiとGeの相互拡散が起こり、熱処理前にはシードからの距離に依存して、およびSi1−xGex層19とSi1−xGex層21との間で異なっていたSi/Geの濃度が均一になる。またその結果として、濃度が連続的に変化することによって内部に存在していた転位の密度、あるいはSi1−xGex層19とSi1−xGex層21との間に存在した転位の密度も低減も実現することができる。これにより、これらSi1−xGex層21a〜21cの各領域上にそれぞれ、例えば、FeSi2層、Fe3Si層、GaAs層を成長させた場合に、いずれも良好な結晶性を有する膜を得ることができる。
【0042】
これにより、SiGe層19上及び第1の方向で隣接するSiGe層19の線構造間にもSiGe層が形成され、SiGe層19よりも面積の大きいSiGe層21となる。このSiGe層21の第2の方向に沿ったSi及びGe濃度分布は、SiGe層19の第2の方向に沿ったSi及びGe濃度分布とほぼ同様である。このSiGe層21は、例えばエッチバック又はCMPを用いて平坦化される。
【0043】
上述したSiGe層の製造方法によれば、SiGe層19シードとして上層のSiGe層20を固相エピタキシャル成長させ、さらにSiとGeとを相互拡散させることにより、SiGe層19の第2の方向に沿ったSi及びGe濃度分布と同様の濃度分布を有し、SiGe層19よりも大きな面積となるSiGe層21が形成される。このため、Si1−xGex層21a、21b、21cの格子定数は、上述したSi1−xGex層19a、19b、19cの格子定数と同様であり、Si1−xGex層21a、21b、21cの面積はSi1−xGex層19a、19b、19cよりも大きくなる。
【0044】
(SiGe層の第3の製造方法)
次に、上述で説明した細線構造を用いて、SiGe層19を大面積化する方法を説明する。なお、図3〜図8までの製造方法は、上述した製造方法と同様である。ただし、その細線の厚さ、幅、間隔をそれぞれ、例えば、200nm、100nm、50nmとする。
【0045】
図13に示すように、上述した図8の工程の後、キャップ膜を除去し、例えば水素雰囲気中などの、還元性を有する雰囲気、すなわちSi1−xGexが容易に流動するような雰囲気で、融点以下の温度での熱処理を行う。この熱処理を行うと、図13(a)に示すように厚さ方向に長かった細線が、図13(b)に示すように膜厚を減ずるとともに幅が広くなり、図13(c)に示すように隣り合った細線と結合し、一体化することになる。これにより、SiGe層19を大面積化することができる。図14に示すようにSiGe層の19を複数の領域に分ける方法は、上述した工程と同様の方法である。
【0046】
以上、本発明の実施形態を説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲内において種々変形して実施することが可能である。さらに、上記実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示された構成要件を適宜組み合わせることによって種々の発明が抽出される。例えば、開示された構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、所定の効果が得られるものであれば、発明として抽出され得る。
【符号の説明】
【0047】
10…シリコン基板
11…CMOSトランジスタ
13…絶縁膜
14…ユニバーサルバッファ層
14a、14b、14c…SiGe層
18…半導体層
19…SiGe層
19a、19b、19c…SiGe層
20…半導体層
21…SiGe層
21a、21b、21c…SiGe層
30…キャップ層
【特許請求の範囲】
【請求項1】
シリコン基板上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜に開口部を設け、前記シリコン基板の一部を露出させる工程と、
前記露出したシリコン基板及び前記絶縁膜上にGeを含むアモルファスの第1の半導体層を形成する工程と、
前記第1の半導体層を第1の方向に延伸した構造に加工する工程と、
前記第1の方向に延伸した第1の半導体層に熱処理を加えて、前記開口部から離れるにしたがってSiの濃度が減少する第1のSi1-xGex(0≦x≦1)層を形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項2】
前記第1の半導体層を第1の方向に延伸した構造に加工した後、前記第1の半導体層上及び隣接する前記第1の半導体層間にGeを含むアモルファスの第2の半導体層を形成する工程を更に含み、
前記第1のSi1-xGex(0≦x≦1)層を形成する際に前記第2の半導体層に熱処理を加えることで、前記開口部から離れるにしたがってSiの濃度が減少する第2のSi1-xGex(0≦x≦1)層をさらに形成することを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
【請求項3】
前記第1のSi1-xGex(0≦x≦1)層に熱処理を行い、前記第1のSi1-xGex(0≦x≦1)層を流動させ、隣接する第1のSi1-xGex(0≦x≦1)層を結合させる工程を更に含むことを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
【請求項4】
前記第1のSi1-xGex(0≦x≦1)層を二つ以上の領域に分離する工程を更に含むことを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
【請求項5】
前記第1及び第2のSi1-xGex(0≦x≦1)層を二つ以上の領域に分離する工程を更に含むことを特徴とする請求項2記載の半導体装置の製造方法。
【請求項6】
前記結合された第1のSi1-xGex(0≦x≦1)層を二つ以上の領域に分離する工程を更に含むことを特徴とする請求項3記載の半導体装置の製造方法。
【請求項7】
前記半導体層または前記他の半導体層のSi及びGeの混晶率に応じて分離を行うことを特徴とする請求項4乃至6のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項8】
前記分離された領域上に、前記各領域の格子定数に整合する格子定数を有する材料層を形成することを特徴とする請求項4乃至6のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項9】
前記材料層は、光機能及びスピン機能の少なくとも一つ含む材料であることを特徴とする請求項8に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項10】
前記材料層は、歪シリコン、SiGe、GaAs、FeSi2及びFe3Siの少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項9に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項1】
シリコン基板上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜に開口部を設け、前記シリコン基板の一部を露出させる工程と、
前記露出したシリコン基板及び前記絶縁膜上にGeを含むアモルファスの第1の半導体層を形成する工程と、
前記第1の半導体層を第1の方向に延伸した構造に加工する工程と、
前記第1の方向に延伸した第1の半導体層に熱処理を加えて、前記開口部から離れるにしたがってSiの濃度が減少する第1のSi1-xGex(0≦x≦1)層を形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項2】
前記第1の半導体層を第1の方向に延伸した構造に加工した後、前記第1の半導体層上及び隣接する前記第1の半導体層間にGeを含むアモルファスの第2の半導体層を形成する工程を更に含み、
前記第1のSi1-xGex(0≦x≦1)層を形成する際に前記第2の半導体層に熱処理を加えることで、前記開口部から離れるにしたがってSiの濃度が減少する第2のSi1-xGex(0≦x≦1)層をさらに形成することを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
【請求項3】
前記第1のSi1-xGex(0≦x≦1)層に熱処理を行い、前記第1のSi1-xGex(0≦x≦1)層を流動させ、隣接する第1のSi1-xGex(0≦x≦1)層を結合させる工程を更に含むことを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
【請求項4】
前記第1のSi1-xGex(0≦x≦1)層を二つ以上の領域に分離する工程を更に含むことを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
【請求項5】
前記第1及び第2のSi1-xGex(0≦x≦1)層を二つ以上の領域に分離する工程を更に含むことを特徴とする請求項2記載の半導体装置の製造方法。
【請求項6】
前記結合された第1のSi1-xGex(0≦x≦1)層を二つ以上の領域に分離する工程を更に含むことを特徴とする請求項3記載の半導体装置の製造方法。
【請求項7】
前記半導体層または前記他の半導体層のSi及びGeの混晶率に応じて分離を行うことを特徴とする請求項4乃至6のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項8】
前記分離された領域上に、前記各領域の格子定数に整合する格子定数を有する材料層を形成することを特徴とする請求項4乃至6のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項9】
前記材料層は、光機能及びスピン機能の少なくとも一つ含む材料であることを特徴とする請求項8に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項10】
前記材料層は、歪シリコン、SiGe、GaAs、FeSi2及びFe3Siの少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項9に記載の半導体装置の製造方法。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図2】
【図3】
【図4】
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【図6】
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【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【公開番号】特開2011−171677(P2011−171677A)
【公開日】平成23年9月1日(2011.9.1)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2010−36585(P2010−36585)
【出願日】平成22年2月22日(2010.2.22)
【出願人】(396023993)株式会社半導体理工学研究センター (150)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成23年9月1日(2011.9.1)
【国際特許分類】
【出願日】平成22年2月22日(2010.2.22)
【出願人】(396023993)株式会社半導体理工学研究センター (150)
【Fターム(参考)】
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