【課題】基板上の任意の位置に任意の向きの有機半導体単結晶を形成する。
【解決手段】親液性であって、結晶成長の方向を規制する形状（長方形など）を有する領域内に置かれた有機半導体に対して溶媒蒸気アニールを行うことにより、当該領域内に所定の方向に整列した有機半導体単結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】ビームスポットの面積を飛躍的に広げ、結晶性の劣る領域の占める割合を低減することができるレーザ照射装置の提供を課題とする。また連続発振のレーザ光を用いつつ、スループットをも高めることができる、レーザ照射装置の提供を課題とする。さらに本発明は、該レーザ照射装置を用いたレーザ照射方法及び半導体装置の作製方法の提供を課題とする。
【解決手段】高調波のパルス発振の第１のレーザ光により溶融した領域に、連続発振の第２のレーザ光を照射する。具体的に第１のレーザ光は、可視光線と同程度かそれより短い波長（８９０ｎｍ以下程度）を有する。第１のレーザ光によって半導体膜が溶融することで、第２のレーザ光の半導体膜への吸収係数が飛躍的に高まり、第２のレーザ光が半導体膜に吸収されやすくなる。 （もっと読む）

【課題】一層の半導体層から膜厚の異なる半導体層を有する半導体薄膜基板を提供することを目的の一とする。または、半導体薄膜基板を適用した半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】基板上に半導体層を形成し、半導体層を加工して第１の島状半導体層および第２の島状半導体層を形成し、第１の島状半導体層にレーザー照射を行うことにより第１の島状半導体層を溶融させ、第１の島状半導体層から第２の島状半導体層より膜厚が厚い第３の島状半導体層を形成する、半導体薄膜基板の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜を用いる薄膜トランジスタにおいて、安定した電気特性を有する信頼性のよい薄膜トランジスタを提供することを課題の一つとする。
【解決手段】酸化物半導体膜を用いる薄膜トランジスタのチャネル長が１．５μｍ以上１００μｍ以下、好ましくは３μｍ以上１０μｍ以下の範囲において、−２５℃以上１５０℃以下の動作温度範囲で、チャネル幅が１μｍあたりのオフ電流の値を１×１０^−１２Ａ以下とすることで、安定した電気特性を有する半導体装置を作製することができる。特に半導体装置の一態様である表示装置において、オフ電流の変動に起因する消費電力を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】格子定数が異なる複数種類の半導体素子やスピン機能素子を同一の基板上の同一の層上に混載することが可能な半導体装置の製造方法を提供しようとする。
【解決手段】シリコン基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜に開口部を設け、前記シリコン基板の一部を露出させる工程と、前記露出したシリコン基板及び前記絶縁膜上にＧｅを含むアモルファスの第１の半導体層を形成する工程と、前記第１の半導体層を第１の方向に延伸した構造に加工する工程と、前記第１の方向に延伸した第１の半導体層に熱処理を加えて、前記開口部から離れるにしたがってＳｉの濃度が減少する第１のＳｉ_1-ｘＧｅ_ｘ（０≦ｘ≦１）層を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】有機電界発光表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１００上に位置するバッファ層１１０と、バッファ層１１０上に位置する半導体層と、基板１００全面にわたって位置するゲート絶縁膜と、半導体層に対応するゲート電極と、ゲート電極と絶縁され、半導体層と接続されるソース／ドレイン電極とを含み、半導体層の上部表面には溝を含んでおり、上記溝には金属シリサイトが位置することを特徴とする薄膜トランジスタ及びその製造方法に関し、上記薄膜トランジスタを含む有機電界発光表示装置及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】 特性のばらつきを抑制した半導体素子を備える半導体装置を製造するための製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による半導体装置の製造方法は、半導体層（Ｓｅ）の第１領域（Ｓａ）と第２領域（Ｓｂ）との間の少なくとも一部にスリット（ＳＬ）を形成する工程と、第１開口部（Ｏａ）および第２開口部（Ｏｂ）の設けられたマスク層（Ｍ）を形成する工程と、半導体層（Ｓｅ）の第１領域（Ｓａ）および第２領域（Ｓｂ）に触媒元素（Ｃｔ）を導入し、半導体層（Ｓｅ）の第１領域（Ｓａ）および第２領域（Ｓｂ）のそれぞれの結晶化を行う工程と、半導体層（Ｓｅ）の第１領域（Ｓａ）および第２領域（Ｓｂ）をパターニングした第１島状半導体層（１２２）および第２島状半導体層（１４２）を用いて半導体素子（１２０）および半導体素子（１４０）を作製する工程と包含する。 （もっと読む）

【課題】結晶粒径が大きい多結晶半導体膜を従来方法に比べてより一層高い歩留まりで形成できる多結晶半導体膜の形成方法を提供する。
【解決手段】ガラス板等からなる基板１０上にアモルファスシリコン膜を形成し、このアモルファスシリコン膜をパターニングして、先端が凸の島状又は帯状のメインパターンＰ１と、メインパターンＰ１間の隙間を埋めるサブパターンＰ２とを形成する。そして、基板１０上に連続波レーザを照射しながら、レーザ照射域をメインパターンの先端から後端に向う方向に走査して多結晶半導体膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】縦配置の半導体素子と横配置の半導体素子とのいずれにおいても結晶成長の方向とキャリアの流れる方向とが統一される半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】長尺ビームの照射及び移動を交互に繰り返して非晶質半導体膜を溶融して結晶性半導体膜を形成する半導体素子の製造方法であって、上記製造方法は、長尺ビームの照射前に非晶質半導体膜をパターニングする工程と、パターニングされた非晶質半導体膜の外縁を含んで長尺ビームを照射する工程とを含み、上記長尺ビームは、移動方向に対して略４５°をなす方向に傾けられている半導体素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、低温下で結晶性の良好な単結晶および多結晶を提供することを目的とする。また、本発明は、固相成長法を用い、信頼性の高い半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】
本発明では、非晶質半導体薄膜を基板あるいは絶縁膜上に堆積するにあたり、特に、その膜を構成する主元素からなる非晶質膜の平均原子間隔分布が、単結晶の平均原子間隔分布にほぼ一致するように形成し、これに再結晶化エネルギーを付与し固相成長を行い単結晶半導体薄膜３を形成する。 （もっと読む）

【課題】 固相成長に伴う欠陥領域の発生を制御することができ、回路を配置できない領域を最小限にとどめ、ＳＯＩ結晶層を有効に活用することで製造コストの低減をはかる。
【解決手段】 半導体記憶装置の製造方法であって、シリコン基板上に形成された絶縁膜の複数箇所に開口部を設けた後、開口部が設けられた絶縁膜上及び該開口部内にアモルファスシリコン膜を形成し、次いで隣接する開口部間の中央付近でアモルファスシリコン膜を一方の開口部側と他方の開口部側とに分離する溝を形成し、次いで溝が形成されたアモルファスシリコン膜をアニールし、開口部をシードとして単結晶を固相成長させることによりシリコン単結晶層を形成し、次いでシリコン単結晶層上にメモリセルアレイを形成する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、多結晶シリコン薄膜トランジスタを形成するための結晶化パターンおよびこれを用いた非晶質シリコンの結晶化方法を提供するためのものである。
【解決手段】 本発明は、多結晶シリコン薄膜トランジスタを製造するための非晶質シリコンの結晶化方法であって、ガラス基板上に非晶質シリコン膜を形成するステップと、前記非晶質シリコン膜を薄膜トランジスタのアクティブパターンの形態でパターニングして結晶化パターンを形成するステップと、前記結晶化パターンにレーザを照射して多結晶シリコンで結晶化させるステップと、を含み、前記結晶化パターンは、縁部から第１距離以内に位置する周辺領域と、前記縁部から第１距離以上離れて位置する内部領域とを含み、前記内部領域は少なくとも１つ以上の区域に分割され、前記各区域は１つの結晶化誘導パターンを備えると共に、対応する結晶化誘導パターンから第２距離以内に位置するようにしたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】結晶粒界の影響が無視し得るほど小さい半導体薄膜から動作半導体膜を形成し、極めて高い移動度の薄膜型の半導体装置を実現する。
【解決手段】幅広領域３ａと幅狭領域３ｂとを有し、幅狭領域３ｂが幅広領域３ａに対して非対称に位置するように連結されてなる形状の非晶質シリコン膜３を形成し、幅狭領域３ｂをシリコン酸化膜４を介して多結晶シリコン膜５が保温膜として側面から囲む状態で、幅広領域３ａから幅狭領域３ｂへ向かってＣＷレーザ光を走査して結晶化させ、動作半導体膜１１を形成する。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタのチャネル方向を制御することにより、任意のチャネル方向を有する薄膜トランジスタを備えたポリシリコン薄膜トランジスタ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、非晶質シリコン膜を結晶化させたポリシリコン膜を備えた薄膜トランジスタ基板の製造方法であって、上記薄膜トランジスタ基板の製造方法は、非晶質シリコン膜をパターニング形成する工程と、上記非晶質シリコン膜上にシリコン酸化膜を形成する工程と、上記シリコン酸化膜のソース又はドレイン領域に開口部を形成する工程と、上記シリコン酸化膜に光を照射し、非晶質シリコン膜を融解する工程とを有することを特徴とするポリシリコン薄膜トランジスタ基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】レーザー光の照射により凹凸が形成された結晶性珪素の平坦性を高める。
【解決手段】レーザー光の照射により凹凸が形成された結晶性珪素膜に対して、
凹凸が形成された結晶性半導体膜に不活性ガスを吹きつけるために、結晶性半導体膜上の近傍に設けられた複数の開口部と、凹凸が形成された結晶性半導体膜に照射されるレーザー光が通過するために、複数の開口部の中心に設けられた一つのスリットと、を有することを特徴とするレーザー照射装置を用いてレーザー光を照射する。 （もっと読む）

【課題】結晶粒界の影響が無視し得るほど小さい半導体薄膜から動作半導体膜を形成し、極めて高い移動度の薄膜型の半導体装置を実現する。
【解決手段】幅広領域３ａと幅狭領域３ｂとを有し、幅狭領域３ｂが幅広領域３ａに対して非対称に位置するように連結されてなる形状の非晶質シリコン膜３を形成し、幅狭領域３ｂをシリコン酸化膜４を介して多結晶シリコン膜５が保温膜として側面から囲む状態で、幅広領域３ａから幅狭領域３ｂへ向かってＣＷレーザ光を走査して結晶化させ、動作半導体膜１１を形成する。 （もっと読む）

【課題】 単結晶半導体層の結晶品質を向上させつつ、単結晶半導体層を絶縁体上に安価に形成する。
【解決手段】 選択エピタキシャル成長を行うことにより、非晶質半導体層３と接触するように開口部５内に埋め込まれた単結晶半導体層６を形成した後、エッチングガスまたはエッチング液をシリコン酸化膜２、４に接触させることにより、シリコン酸化膜２、４をエッチング除去して、単結晶半導体基板１と非晶質半導体層３との間に空隙７を形成し、単結晶半導体層６を種として非晶質半導体層３の熱処理を行うことにより、非晶質半導体層３が単結晶化された単結晶化半導体層８を形成してから、単結晶半導体基板１と単結晶半導体層８との間の空隙７に埋め込み絶縁層９を形成する。 （もっと読む）

【課題】多結晶化工程による特性の擾乱を防止できる周辺回路を備えた薄膜トランジスタ基板とその製造方法の提供。
【解決手段】薄膜トランジスタ基板の製造方法は、透明絶縁基板上に非晶質半導体膜を堆積する工程と、非晶質半導体膜を島状非晶質半導体膜にパターニングする工程であって、表示領域においては第１の方向に長い複数のストライプ領域内に第１の方向にチャネル長方向を有する複数の島状半導体膜をパターニングし、周辺回路領域においてはストライプ領域の延長を含む領域内に多数の島状半導体膜をパターニングする工程と、周辺回路領域の島状半導体膜は、第２の方向で移動度が高いように多結晶化し、表示領域の島状半導体膜は第１の方向で移動度が高いように多結晶化する工程と、多結晶化した島状半導体膜を用いてＴＦＴを形成する工程とを含み、周辺回路において、高速動作ＴＦＴのチャネルは、ストライプ領域の延長ＥＳＴ以外の領域に配置される。 （もっと読む）

【課題】 低温で形成する場合であっても、高い電子移動度を得ることができる半導体薄膜の形成方法並びにその半導体薄膜を用いた半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】 基板１上に島状の半導体膜３を形成する工程と、半導体膜を分離膜４で覆い、半導体膜の側面を分離膜を介して保温膜５で囲む工程と、半導体膜に対して上面からエネルギービームを照射して半導体膜を結晶化し、動作半導体膜１１を形成する工程とを有している。 （もっと読む）

【課題】 半導体薄膜における結晶粒界の数を低減させるとともに、その方向を制御した半導体薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 図３（１）に示すように１回目のビーム312をアモルファスシリコン311に照射すると、凹部先端を中心に、放射状に温度勾配が形成される。したがって、図３（２）に示すように、凹部先端には、ビーム幅方向だけではなく、ビーム長方向にも成長する結晶粒313が形成される。２回目のビーム以降は、凹部先端に形成された結晶粒313を種にして、繰り返し成長が行われる。この結果、従来の細線ビームの場合と比較して、幅広の帯状結晶粒が、凹部先端を起点として形成される。また、凹パターンの周囲をビーム走査方向と垂直方向の結晶粒径以下とすれば、連続的に帯状結晶粒を並べて形成することが可能である。 （もっと読む）