【課題】出力を向上可能なスピン伝導素子を提供する。
【解決手段】 このスピン伝導素子は、半導体層３と、半導体層３上に第１トンネル障壁層５Ａを介して設けられた第１強磁性層１と、半導体層３上に、第１強磁性層１から離間し、且つ、第２トンネル障壁層５Ｂを介して設けられた第２強磁性層２と、を備え、半導体層３は、第１強磁性層１からその厚み方向に垂直な方向に沿って、第１強磁性層１から離れる方向へ広がる第１領域Ｒ１と、第１強磁性層１からその厚み方向に垂直な方向に沿って、第２強磁性層２に向かう方向に延びており、第１領域Ｒ１の不純物濃度よりも相対的に高い不純物濃度を有する第２領域Ｒ１２と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】 トンネル層における面抵抗の低減が図られたスピン伝導素子及び磁気ヘッドを提供する。
【解決手段】
本発明に係るスピン伝導素子（磁気センサー１）は、半導体で構成されるチャンネル層１０と、チャンネル層１０上に形成された強磁性層２０Ａ、２０Ｂと、チャンネル層１０と強磁性層２０Ａ、２０Ｂとの間に介在するように形成されたトンネル層２２Ａ、２２Ｂとを備え、トンネル層２２Ａ、２２Ｂが、ＭｇＯのＭｇの一部がＺｎで置換された材料で構成されている。発明者らの研究によれば、ＭｇＯのＭｇの一部をＺｎで置換したトンネル材料において、面積抵抗の低下が観測された。そのため、トンネル層２２Ａ、２２Ｂを、ＭｇＯのＭｇの一部がＺｎで置換された材料で構成することにより、トンネル層２２Ａ、２２Ｂの面積抵抗の低減が図られる。 （もっと読む）

【課題】 スピン注入効率の向上が図られたスピン伝導素子及び磁気ヘッドを提供する。
【解決手段】
発明者らは、Ｓｉで構成されるチャンネル層１０と、チャンネル層１０上に形成された強磁性層２０Ａ、２０Ｂと、チャンネル層１０と強磁性層２０Ａ、２０Ｂとの間に介在するように形成されたトンネル層２２Ａ、２２Ｂとを備え、トンネル層２２Ａ、２２Ｂが、ＮａＣｌ構造のアルカリ土類酸化物（たとえばＢａＯ）で構成されており、かつ、該アルカリ土類酸化物のアルカリ土類イオン（たとえばＢａイオン）の一部が、異なる種類のアルカリ土類イオン（たとえばＭｇイオン）に置換された磁気センサー１を新たに見いだした。 （もっと読む）

【課題】高温域におけるスピン注入効率の低下が抑制されたスピン伝導素子及び磁気ヘッドを提供する。
【解決手段】Ｓｉで構成されるチャンネル層１０と、チャンネル層１０上に形成された強磁性層２０Ａ、２０Ｂと、チャンネル層１０と強磁性層２０Ａ、２０Ｂとの間に介在するように形成され、ＢａＯで構成されるトンネル層２２Ａ、２２Ｂとを備える構造のスピン伝導素子。シリコンの格子定数は５．４３０９Åであり、ＢａＯの格子定数は５．５２６３Åである。シリコンの格子定数に対して、ＢａＯの格子定数は１．８％の差（不整合率）があり、この値は、シリコンとＭｇＯの格子定数の差と比較して１／５程度である。トンネル材料としてＢａＯを採用し、シリコンとトンネル材料との間の格子定数の差を従来材料に比べて低減することで、高温域におけるスピン注入効率の低下が抑制される。 （もっと読む）

【課題】強磁性体をＣＮＴに十分に内包させる。
【解決手段】炭素の供給源である液体又は気体のアルコール５中で基板７の表面に配置された陰極の電極１１により前記基板７との間に強磁性体の金属板１５を挟み、前記金属板１５が備える尖端部１９を前記陰極に対し間隔を置いて前記基板上に配置された陽極に指向させ、前記電極９，１１間で前記基板７を介して通電すると共に前記金属板１５の尖端部１９に可視光又は紫外光を照射し、棒状の磁性体金属２５を内包したＣＮＴ２７を析出させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】格子定数が異なる複数種類の半導体素子やスピン機能素子を同一の基板上の同一の層上に混載することが可能な半導体装置の製造方法を提供しようとする。
【解決手段】シリコン基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜に開口部を設け、前記シリコン基板の一部を露出させる工程と、前記露出したシリコン基板及び前記絶縁膜上にＧｅを含むアモルファスの第１の半導体層を形成する工程と、前記第１の半導体層を第１の方向に延伸した構造に加工する工程と、前記第１の方向に延伸した第１の半導体層に熱処理を加えて、前記開口部から離れるにしたがってＳｉの濃度が減少する第１のＳｉ_1-ｘＧｅ_ｘ（０≦ｘ≦１）層を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブを有する磁気ナノトランジスタの製造方法及び製造工程を開示する。即ち、前記ナノチューブを、少なくとも１個の磁性粒子に取り付け、続いて２個の固定磁化電極の間に挟んで設置し、外部磁場をかける。前記外部磁場を用いて、前記ナノチューブを流れる電流を制御することができる。 （もっと読む）

【課題】磁化反転のための外部磁場の強度を低減させることが可能な磁気デバイス、及びそのような磁気デバイスを用いた磁気メモリを提供する。
【解決手段】本発明に係る磁気デバイスは、磁化固定層３、磁化自由層５、及び磁化固定層３と磁化自由層５とを接続する非磁性層４を有する磁気抵抗効果素子１４と、磁化固定層３と磁化自由層５との間に交流電流を供給する交流電流供給手段５０と、電流が供給されることにより磁界を発生し、その磁界２１Ｍが磁化自由層５に印加されるように設けられた電流経路部２１とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】磁化反転しきい値が従来よりも低減された磁気デバイス、及びそのような磁気デバイスを用いた磁気メモリを提供する。
【解決手段】本発明に係る磁気デバイス３０は、磁化固定層３、磁化自由層５、及び磁化固定層３と磁化自由層５とを接続する非磁性層４を有する磁気抵抗効果素子１４と、磁化固定層３と磁化自由層５間に交流電流が重畳された直流電流を供給する重畳電流供給手段５０とを備えることを特徴とし、従来よりも磁化反転しきい値が低減されている。 （もっと読む）

【課題】ＭＲ変化率の向上を図ることができ、しかも耐磁場性が良好で信頼性に優れるＣＰＰ構造の磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】積層体素子部５の積層方向にセンス電流が印加されてなるＣＰＰ（Current Perpendicular to Plane）構造の磁気抵抗効果素子であって、前記積層体素子部５の後方には、積層体素子部５の後方端面と接し、かつ後方に延びる補充絶縁層(refilled insulation layer)７が形成されており、前記補充絶縁層７が積層体素子部５の後方端面と接する最も上側の位置Ｐは、キャップ層２６の後方端面であり、キャップ層２６の厚さをＴ１、キャップ層２６の最上部から位置Ｐに至るまでの厚さ方向の距離の絶対値をＴ２とした場合に、０．２≦（Ｔ２／Ｔ１）＜１の関係を満たすように設定されてなるように構成される。 （もっと読む）

【課題】より大きな巨大磁気抵抗現象を持つとともに複数の端子の出力能力を備えた磁気トランジスタが必要となる。
【解決手段】第１の磁性領域と、第２の磁性領域と、導電領域と、第１の金属端子と、第２の金属端子とを備えた磁気トランジスタである。導電領域は第１の磁性領域と第２の磁性領域との間に配設されるとともに、第１の磁性領域および第２の磁性領域に直接接触している。第１の金属端子は第１の磁性領域における導電領域に対向する表面の一端に配設されている。第２の金属端子は第２の磁性領域における導電領域に対向する表面の一端に配設されるとともに、第２の金属端子と第１の金属端子とはほぼ対角関係となっている。磁気トランジスタが作動すると、電流は導電領域から第１の磁性領域および第２の磁性領域に流れる。 （もっと読む）

【課題】 高い増幅率で駆動可能なスピントルクトランジスタを提供する。
【解決手段】 スピントルクトランジスタ１０は、第１非磁性導体１に電気的に接続された入力端子ＩＴ及び出力端子ＯＴを備えるスピントルクトランジスタ１０において、第１非磁性導体１における入力端子ＩＴと出力端子ＯＴとの間の電子通過領域に取り付けられ、磁化の向きが制御される第１被制御用磁性体ＧＭ１を有するゲート手段ＧＭと、入力端子ＩＴと第１非磁性導体１との間に介在し、一方向（＋Ｚ）の磁化の向きを有する入力側磁性体ＦＩと、入力側磁性体ＦＩと第１非磁性導体１との間に介在する第１トンネルバリア層ＴＩと、出力端子と第１非磁性導体との間に介在し、上記一方向（＋Ｚ）とは逆の磁化の向き（−Ｚ）の成分を有する出力側磁性体ＦＯとを備えている。 （もっと読む）

【課題】増幅機能を有するスピントランジスタを提供する。
【解決手段】強磁性を示し、内部に磁壁８を有する強磁性フリー層（軟磁性層）２と、強磁性フリー層２上に設けられた絶縁障壁層３と、強磁性を示し、絶縁障壁層３上に設けられた強磁性固定層（硬磁性層）４と、強磁性固定層４上に設けられた第１電極５と、強磁性フリー層２上に設けられた第２電極６及び第３電極７とを備え、絶縁障壁層３及び強磁性固定層４からなる積層体は、強磁性フリー層２上に島状に設けられ、第２電極６及び第３電極７は、積層体を挟み込むように設けられる。 （もっと読む）

【課題】反強磁性を有し、且つハーフメタリックな新規なスピントロニクス材料である反強磁性ハーフメタリック半導体を提供する。
【解決手段】本発明に係る反強磁性ハーフメタリック半導体は、カドミウムを含有するカルコゲナイド半導体にｄ電子数が５より少ない磁性元素とｄ電子数が５より多い磁性元素とを含む２種類以上の磁性元素を添加して、前記カルコゲナイド半導体が含有するカドミウム成分一部を前記２種類以上の磁性元素で置換することにより作製される。 （もっと読む）