【課題】レーザ照射パターンを切り替えながら、所望の位置に高速にレーザ照射を行う方法を提案する。
【解決手段】レーザ発振器から射出したレーザビームを偏向器に入射し、前記偏向器を通過したレーザビームを回折光学素子に入射して複数に分岐させる。そして、前記複数に分岐されたレーザビームを絶縁膜上に形成されたフォトレジストに照射し、前記レーザビームが照射されたフォトレジストを現像して前記絶縁膜を選択的にエッチングする。 （もっと読む）

【課題】性能の優れた液晶表示装置の作成方法を提供することを課題とする。
【解決手段】ガラス基板上にゲイト電極を形成し、ゲイト電極上にゲイト絶縁膜を形成し、ゲイト絶縁膜上に微結晶の半導体膜を形成し、半導体膜上にマスクを形成し、マスクを用いて、半導体膜の選択された部分に不純物を導入し、マスクを残したまま光を照射する液晶表示装置の作製方法であって、光はガラス基板の少なくとも上方から照射されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】入出力配線やゲート配線などのように、長い距離にわたって形成されるような配線を低抵抗化し、動作性能の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】画素部に形成されたゲート配線、若しくは駆動回路と外部入力端子とを電気的に接続する入出力信号配線、を有し、前記ゲート配線若しくは前記入出力配線は、前記第１及び第２の薄膜トランジスタのゲート電極と同一層で且つ同一材料からなる第１配線と、前記第１配線の上に形成された第２配線と、を有し、前記第２配線は、前記第１配線よりも抵抗率が低い材料を用いる。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの結晶質半導体層に含まれる触媒元素の濃度を低減する。
【解決手段】結晶化を促進する触媒元素１０５が少なくとも一部に添加された非晶質半導体膜１０４ａを用意する工程と、非晶質半導体膜に対して第１の加熱処理を行うことにより、非晶質半導体膜の少なくとも一部を結晶化し、結晶質領域を含む結晶質半導体膜１０４ｐを得る工程と、結晶質領域上に、少なくともその一部を露出する反射防止層１０８を形成する工程と、結晶質半導体膜に対してレーザー照射を行うことにより、結晶質領域のうち露出された部分を再結晶化して再結晶化領域１０４ｒを形成するとともに、結晶質半導体膜のうち反射防止層で覆われた部分に非晶質半導体を含むゲッタリング領域１０４ｇを形成する工程と、結晶質半導体膜に対して第２の加熱処理を行うことにより、再結晶化領域の中の触媒元素の少なくとも一部をゲッタリング領域に移動させる工程とを包含する。 （もっと読む）

【課題】リーク電流を効果的に抑制するための技術を提供する。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上にＰチャネル型ＴＦＴを有し、前記Ｐチャネル型ＴＦＴの活性層のゲイト電極と重なる領域に、Ｐ型を付与する不純物元素が添加された第１の領域を有し、前記Ｐチャネル型ＴＦＴの活性層は、前記第１の領域を囲むように設けられたＮ型の導電型の第２の領域を有する半導体装置を提供する。こうして、電流パスとなり易い箇所にエネルギー的に障壁の高い領域を形成してリーク電流の発生（ショートチャネルリーク）を防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】光学系の光路長を短縮したり、照射面におけるレーザ光の長さを長くすると、前記レーザ光の両端がぼける場合がある。
【解決手段】光学系の光路長を短くしたり、照射面におけるレーザ光の長さを長くすると、レーザ光のレンズに対する入射角度や入射位置によって集光位置が異なってしまう現象（像面湾曲）が生じる。そこで、本発明は、凹レンズや凹シリンドリカルレンズなどの光学素子を挿入して、集光位置を照射面に一致させて、前記照射面上に像を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】他の半導体装置と一体形成が可能な不揮発性メモリを提供する。
【解決手段】不揮発性メモリを構成するメモリ素子、スイッチング素子，および他の周辺回路をＴＦＴでもって基板上に一体形成する。メモリ素子ＴＦＴの半導体活性層の厚さが、他のＴＦＴの半導体活性層の厚さよりも薄いので、メモリ素子ＴＦＴのチャネル領域でインパクトイオン化が起こりやすくなる。こうすることによって、メモリ素子の低電圧書込み／消去を実現することができ、劣化が起こりにくく、小型化が可能な不揮発性メモリが提供される。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタにおいて、薄膜トランジスタ上に形成される配線の段切れを防止する。
【解決手段】絶縁表面上に設けられ、ソース領域と、ドレイン領域と、チャネル領域と、ソース領域とチャネル領域との間及びドレイン領域とチャネル領域との間に形成された低濃度不純物領域と、を含む半導体層と、半導体層上に設けられたゲイト絶縁膜と、ゲイト絶縁膜上に設けられたゲイト電極と、ゲイト電極の表面に設けられたゲイト電極の酸化物と、ゲイト電極の酸化物を介してゲイト電極の側面に設けられ、且つゲイト電極の側面から低濃度不純物領域と重なる領域まで延在するように設けられた窒化珪素膜と、窒化珪素膜及びゲイト電極の酸化物を介してゲイト電極の側面に設けられ、且つ窒化珪素膜を介して低濃度不純物領域と重なるように設けられたサイドウォールと、を有する薄膜トランジスタを含む。 （もっと読む）

【課題】極めて結晶性に優れた半導体薄膜及びそれを用いた高性能な半導体装置を提供する。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上にプラズマＣＶＤ法によってフッ化水素酸とフッ化アンモニウムと界面活性剤の混合物に対するエッチングレートが１５０〜２００ｎｍ／ｍｉｎである二酸化珪素膜からなる下地膜を形成し、下地膜上に非晶質珪素膜を形成し、非晶質珪素膜を結晶化することによって面方位が概略｛１１１｝配向の結晶性珪素膜を形成し、結晶性珪素膜をエッチングすることによって島状半導体層を形成し、島状半導体層上にゲイト絶縁膜を形成し、ゲイト絶縁膜上にゲイト電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】 光学系の光路長を短縮したり、照射面におけるレーザ光の長さを長くすると、前記レーザ光の両端がぼける場合がある。
【解決手段】
光学系の光路長を短くしたり、照射面におけるレーザ光の長さを長くすると、レーザ光のレンズに対する入射角度や入射位置によって集光位置が異なってしまう現象（像面湾曲）が生じる。そこで、本発明は、凹レンズや凹シリンドリカルレンズなど負のパワーを有する光学素子を挿入して、レーザ光の光路長を制御し、集光位置を照射面に一致させて、前記照射面上に像を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置について、製造プロセスにおける歩留りを向上させると共に、高品質な画像表示を行う。
【解決手段】基板上の画素領域に配線された複数のデータ線６ａ及び複数の走査線３ａと、基板上に、画素領域において画素部毎にデータ線及び走査線と電気的に接続されて形成されると共に、上層側からの水素化処理が施された半導体層を有するトランジスタ３０と、基板上に、画素部毎にトランジスタに電気的に接続されて、トランジスタより下層側に配置されて形成された蓄積容量７０と、基板上に、画素部毎に、トランジスタ及び蓄積容量と電気的に接続されて形成された画素電極９ａとを備える。 （もっと読む）

【課題】小型で、ＩＣチップ等の基板の実装に伴う不良を低減し、かつ、高速な、表示部を有する半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に、高移動度を実現するＴＦＴ作製プロセスを用いて、半導体表示部および他の回路ブロックを一体形成する。具体的には連続発振レーザを用いた半導体活性層の結晶化プロセスを用いる。さらに、連続発振レーザによる結晶化プロセスを、高速動作が必要な回路ブロックのみに選択的に行うことによって、高い生産効率を実現する。 （もっと読む）

【課題】低抵抗で、歩留まりが高く、更に信頼性の高いアンテナを提供することを課題とする。
【解決手段】第１の基板と、第１のパターンと、第２の基板と、第２のパターンと、異方性導電材料とを有する。第１の基板は絶縁表面を有する。第１のパターンは第１の基板の絶縁表面（以下、第１の絶縁表面）上に導電材料でなる。第２の基板は、第１の基板の第１のパターンが形成された面に対向して設けられており、絶縁表面（以下、第２の絶縁表面）を有する。第２のパターンは、第２の基板において、第１の基板と対向する絶縁表面（第２の絶縁表面）に設けられており、導電材料でなる。異方性導電材料は第１のパターンと第２のパターンを電気的に接続する。第１のパターン上の全ての領域は異方性導電材料を介して第２のパターンと重なる。 （もっと読む）

【課題】画像の表示品質を向上させた薄膜トランジスタ基板、その製造方法、及びこれを有する表示パネルが開示される。
【解決手段】薄膜トランジスタ基板は、ベース基板１１０、ゲート電極Ｇ、ゲート絶縁膜１２０、第１表面処理膜１３０、活性層Ａ、ソース電極Ｓ、及びドレイン電極Ｄを含む。ゲート電極Ｇは、ベース基板１１０上に形成される。ゲート絶縁膜１２０は、ゲート電極Ｇをカバーするようにベース基板１１０上に形成される。第１表面処理膜１３０は、窒化ガスによってゲート絶縁膜１２０上に形成される。活性層Ａは、ゲート電極Ｇをカバーするように第１表面処理膜１３０上に形成される。ソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄは、活性層Ａの上部に所定距離だけ離隔して形成される。このように、ゲート絶縁膜１２０の表面を窒化ガスを利用して表面処理することにより、光によって活性層Ａで漏洩電流が発生することを防止して、画像の表示品質をより向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】良好な半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の作製方法であって、基板上に半導体層を形成し、半導体層上にゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上にソース配線を形成し、ソース配線は、誘導結合型プラズマを用いて導電膜をエッチングすることにより形成し、ソース配線は、テーパー形状を有する。半導体層は結晶質半導体膜からなる。エッチングは、ＣＦ_４とＣｌ_２の混合ガスを用いて行う。ソース配線上に層間絶縁膜を形成する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ基板を用いて信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】ＳＩＭＯＸ、ＥＬＴＲＡＮ、Ｓｍａｒｔ−Ｃｕｔに代表される技術を用いてＳＯＩ基板を作製するにあたって、主表面（結晶面）が｛１１０｝面である単結晶半導体基板を用いる。その様なＳＯＩ基板は下地となる埋め込み絶縁層と単結晶シリコン層との密着性が高く、信頼性の高い半導体装置を実現することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】高性能なデバイスを得るためには重金属等の不純物元素を取り除く方法、すなわちゲッタリング技術が非常に重要である。一方でゲッタリングにはスループットの点から、処理時間の短縮が求められる。ゲッタリングの効率を上げ、熱処理時間を短縮することを課題とする。
【解決手段】多結晶質半導体層におけるリッジに重金属等の不純物元素が偏析することが分かった。上記問題点を解決するために、このリッジを積極的に利用し、ゲッタリングサイトを形成することにより近接ゲッタリングを行う。さらにイオンドーピングを用いたゲッタリングサイトと併用することで、ＴＦＴのチャネル形成領域および、ＰＮ接合における空乏層領域から重金属等の不純物元素を取り除くことができ、ゲッタリング能力、ゲッタリング効率を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】 結晶性の良好な結晶性珪素膜を提供する。
【解決手段】 非晶質珪素膜を形成し、前記非晶質珪素膜を４５０℃〜６５０℃
で熱処理し結晶化して、結晶性珪素膜を形成し、前記結晶性珪素膜にレーザー光
を照射し、前記結晶性珪素膜を８００℃〜１１００℃で熱アニールする。 （もっと読む）

【課題】環状のゲート電極を有するＴＦＴを備える場合に、小型化を図ることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】シリコン層と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とが基板上にこの順に配置された構造を有し、かつ導電型の異なる第１薄膜トランジスタ及び第２薄膜トランジスタを備える半導体装置であって、上記ゲート電極は、平面形状が環状であり、上記シリコン層は、ゲート電極と対向するチャネル領域と、上記チャネル領域の内側に配置された内側拡散領域と、上記チャネル領域の外側に配置された外側拡散領域とを有し、上記第１及び第２薄膜トランジスタは、互いに外側拡散領域が結合されている半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ技術で形成された単結晶シリコン薄膜から応力に起因する準位や欠陥を除去するための方法を提供する。
【解決手段】まずＳｍａｒｔ−ＣｕｔやＥＬＴＲＡＮといった代表的な貼り合わせＳＯＩ技術を用いて単結晶シリコン薄膜１０６を形成する。次に単結晶シリコン薄膜１０６をパターニングして島状シリコン層１０８とした後、ハロゲン元素を含む酸化性雰囲気中で熱酸化処理を行うことで、トラップ準位や欠陥の除去された島状シリコン層１０９を得る。 （もっと読む）