【課題】従来のＬＰＳ膜よりも平均結晶粒径が大きく、且つ、従来の固相結晶化膜（例えば、ＣＧＳシリコン膜）よりも平均結晶粒径が小さい結晶質半導体膜の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の結晶質半導体膜の製造方法は、第１および第２主面を有する透明な基板を用意する工程と、基板の第１主面上に所定のパターンの遮光層を形成する工程と、遮光層の少なくとも一部を覆う半導体膜であって、遮光層と重ならない第１領域と、遮光層と重なる第２領域とを有する非晶質状態の半導体膜を形成する工程と、第２主面側から半導体膜に光を照射し第１領域の半導体膜だけを選択的に結晶化することによって第１結晶領域を形成する工程と、その後に、第２領域の半導体膜を固相結晶化することによって第２結晶領域を形成する工程とを包含する。 （もっと読む）

【課題】生産コストを削減することができる半導体装置の作製方法、及び該作製方法を用いる製造装置の提案を課題とする。
【解決手段】ボンド基板（半導体基板）をベース基板（支持基板）に貼り合わせた後に、該ボンド基板を劈開させて半導体膜を形成するのではなく、先にボンド基板を複数箇所において劈開することで複数の第１の半導体膜（マザーアイランド）を形成してから、該複数の第１の半導体膜をベース基板に貼り合わせる。そして、上記複数の第１の半導体膜をそれぞれ部分的にエッチングすることで、１つの第１の半導体膜から単数または複数の第２の半導体膜（アイランド）を形成し、該第２の半導体膜を用いて半導体素子を作製する。複数の第１の半導体膜は、半導体素子が有する第２の半導体膜がレイアウトされるべき領域を少なくともカバーするように、上記レイアウトに合わせてベース基板に貼り合わせる。 （もっと読む）

【課題】小面積化が可能、素子数が少なく構成が簡易、低消費電力動作、製造における高歩留まりが見込める電流記憶回路を実現する。また、この電流記憶回路をＯＬＥＤ表示装置等の電流駆動型の表示装置に適用することにより、表示装置の画素開口率の向上、高信頼性化、高性能化等を実現する。
【解決手段】ドレインまたはソースを複数有するトランジスタのような形状の新規な半導体素子を用いることを特徴とする。この半導体素子を書込み用素子と駆動用素子に用いる場合、電流値の読込み、記憶、そして電流出力が、この半導体素子二つで行うことができ、小面積化が著しく容易となる。 （もっと読む）

【課題】例えば、高圧水蒸気処理によってＰチャネル型ＴＦＴ等のトランジスタ素子の動作特性が低下させない。
【解決手段】ＴＦＴ１３０と同層に形成されたＴＦＴ３０の高圧水蒸気処理が施される際に、重なる部分４２ａに水分が回り込まないようにＴＦＴ１３０上に保護膜１３３ａ及び１３３ｂが形成されている。このような保護膜１３３ａ及び１３３ｂが形成された境界領域Ｒａ及びＲｂの夫々は、絶縁膜４２上の画素領域に形成されたＴＦＴ３０に高圧水蒸気処理が施された際に、重なる部分４２ａ、より具体的には、絶縁膜４２のうちチャネル領域１３０ａ´の両端部分に重なる部分に水分が回り込まないように重なる部分４２ａを保護可能な幅を有する領域である。 （もっと読む）

【課題】複数箇所に転置される半導体膜どうしの間隔が抑えられる、半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】第１の凸部を複数有する第１のボンド基板を、ベース基板に貼り合わせる。そして、第１のボンド基板を複数の第１の凸部において分離させることで、ベース基板上に複数の第１の半導体膜を形成する。次に、第２の凸部を複数有する第２のボンド基板を、ベース基板の第１の半導体膜とは異なる領域に、複数の第２の凸部が重なるよう、ベース基板に貼り合わせる。そして、第２のボンド基板を複数の第２の凸部において分離させることで、ベース基板上に複数の第２の半導体膜を形成する。第２のボンド基板は、複数の第２の凸部の、第２のボンド基板に対して垂直方向（深さ方向）における幅が、先に形成される第１の半導体膜の膜厚より大きいものとする。 （もっと読む）

【課題】複数箇所に転置される半導体膜どうしの間隔が抑えられる、半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】ボンド基板からベース基板への半導体膜の転置を複数回に渡って行う。そして、先に転置される半導体膜と後に転置される半導体膜とを隣接させる場合、後の転置は、端部が部分的に除去されたボンド基板を用いて行う。後の転置に用いられるボンド基板は、端部が除去された領域の、ボンド基板に対して垂直方向における幅が、先に転置される半導体膜の膜厚より大きいものとする。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜の材料または膜厚にとらわれることなく、半導体膜のキャリアが移動する領域に圧縮応力を加えることができる半導体素子を用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】トランジスタの活性層として用いる半導体膜とベース基板の間に空洞を有する。また、半導体膜のうち空洞と重なる領域が、ベース基板側に近づくように歪んでいる。そして上記トランジスタは、半導体膜の空洞と重なる領域上に、順に積層されたゲート絶縁膜と電極とを有する。よって上記トランジスタは、半導体膜の歪んでいる領域にチャネル形成領域を有している。また上記トランジスタは、チャネル形成領域に加え、ソースまたはドレインが半導体膜の歪んでいる領域に形成されていても良い。 （もっと読む）

【課題】チャネルへの可動イオンの侵入を防止するために適した薄膜トランジスタを提供することを目的とする。
【解決手段】基板上に形成された第１の窒化珪素膜と、第１の窒化珪素膜上に形成された第１の酸化珪素膜と、第１の酸化珪素膜上に形成され水素が添加された半導体層と、半導体層を覆って形成された第２の酸化珪素膜と、第２の酸化珪素膜上に形成された第２の窒化珪素膜と、第２の窒化珪素膜上に形成されたゲイト電極と、を有し、第２の窒化珪素膜は、チャネル形成領域と重なり、ソース領域及びドレイン領域とは重なっていない構造とする。 （もっと読む）

【課題】画像ムラがなく、良好な画像が得られる半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の半導体層は、第１のＮチャネル型ＴＦＴのソース及びドレインの一方と第１の配線とを電気的に接続するための第１のコンタクト領域と、前記第１のＮチャネル型ＴＦＴのソース及びドレインの他方、並びに第２のＮチャネル型ＴＦＴのソース及びドレインの他方と第２の配線とを電気的に接続するための第２のコンタクト領域と、前記第２のＮチャネル型ＴＦＴのソース及びドレインの一方と前記第１の配線とを電気的に接続するための第３のコンタクト領域とを有し、前記第１乃至第３のコンタクト領域における前記第１の半導体層のチャネル幅方向の幅よりも、前記第１の半導体層と前記第１（第２）のＮチャネル型ＴＦＴのゲート電極とが重なる領域における前記第１の半導体層のチャネル幅方向の幅の方が狭い。 （もっと読む）

【課題】同一の非晶質半導体膜を結晶化して形成されたＴＦＴおよびＴＦＤの半導体層の結晶状態を別個に制御して最適化する。
【解決手段】半導体装置は、基板１０１と、基板１０１の上に支持され、チャネル領域１１４、ソース領域およびドレイン領域１１２ａを含む半導体層１０７ｔと、チャネル領域１１４の導電性を制御するゲート電極１０９と、半導体層１０７ｔとゲート電極１０９との間に設けられたゲート絶縁膜１０８とを有する薄膜トランジスタ１２４と、基板１０１の上に支持され、少なくともｎ型領域１１３ａとｐ型領域１１７ａとを含む半導体層１０７ｄを有する薄膜ダイオード１２５とを備える。薄膜トランジスタ１２４の半導体層１０７ｔおよび薄膜ダイオード１２５の半導体層１０７ｄは、同一の非晶質半導体膜を結晶化することによって形成された結晶質半導体層であり、薄膜ダイオード１２５の半導体層１０７ｄは、薄膜トランジスタ１２４の半導体層１０７ｔのチャネル領域１１４よりも高い結晶性を有している。 （もっと読む）

【課題】セルフヒーティングによる誤動作を低減し、より安定した動作を確保することができる信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体素子が有する半導体膜と基板の間に、冷媒を流すための空洞を有する。該空洞は、凹部を有する絶縁膜を半導体膜と基板の間に設けることで形成される。そして該絶縁膜は、空洞内へ冷媒を導入するための開口部と、空洞内から冷媒を排出するための開口部とを少なくとも有する。一方の開口部から導入された冷媒は、空洞内を流れ、他方の開口部から排出される。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成された複数の半導体素子を備えた半導体装置において、半導体素子の基板側に配置された遮光層の電位を安定化させて半導体素子の特性のばらつきを抑制する。
【解決手段】半導体装置は、光透過性を有する基板１０１と、基板１０１に支持された複数の半導体素子１２５と、基板１０１と複数の半導体素子１２５との間に配置された導電性を有する複数の島状の遮光層１０３と、基板１０１と複数の半導体素子１２５との間に配置された透光性を有する導電膜１０２とを備え、複数の島状の遮光層１０３は、複数の半導体素子１２５の少なくとも２つの半導体素子と関連付けられており、かつ、導電膜１０２に電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】より単純なプロセスで、従来よりも接合容量を低減し、低消費電力化を実現することが出来る半導体装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】ベース基板に開口部を有する絶縁膜を形成し、該絶縁膜を間に挟んでボンド基板の一部をベース基板に転置することで、ベース基板との間において空洞を有する半導体膜をベース基板上に形成する。そして該半導体膜を用い、トランジスタなどの半導体素子を有する半導体装置を形成する。該トランジスタは、活性層として用いる半導体膜とベース基板との間に空洞を有する。上記空洞は単数であっても良いし、複数であっても良い。 （もっと読む）

【課題】より単純なプロセスで、従来よりも接合容量を低減し、低消費電力化を実現することが出来る半導体装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】ベース基板と、ベース基板上に形成された半導体膜と、半導体膜上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成された電極とを有し、半導体膜は、ゲート絶縁膜を間に挟んで電極と重なるチャネル形成領域を有し、半導体膜が有する凹部とベース基板の間に空洞が形成されており、チャネル形成領域は、凹部において空洞に接している。 （もっと読む）

【課題】結晶の面方位が制御された結晶性半導体膜を用いることで、均一なシリサイド膜を作製する方法及び、該シリサイド膜を用いた絶縁基板に形成された電気的特性のばらつきの小さい薄膜トランジスタの作製方法に関する。
【解決手段】キャップ膜を有する半導体膜を所定の条件でレーザ結晶化することにより結晶の面方位が一方向に制御された大粒径結晶からなる結晶性半導体膜を形成し、その結晶性半導体膜をシリサイドに用いることで、均一なシリサイド膜を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜の薄膜化を図りつつ、特性ばらつきが改善されたＴＦＴを容易に作製することができる薄膜トランジスタの製造方法及び薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】半導体層、ゲート絶縁膜、ゲート電極及びキャップ絶縁膜をこの順に備える薄膜トランジスタの製造方法であって、上記製造方法は、ゲート絶縁膜及びゲート電極上にキャップ絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜及びキャップ絶縁膜を介して半導体層に不純物を注入する薄膜トランジスタの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】薄い半導体膜を、歩留まり良く、レーザ光の照射で結晶化する。
【解決手段】絶縁膜、半導体膜、絶縁膜、および半導体膜の順で、基板上に膜を積層する。基板の上方からレーザ光を照射下層および上層の半導体膜を溶融させて、下層の半導体膜を結晶化させる。レーザ光の照射により、上層の半導体膜が液相状態になることで、レーザ光が反射されるため、レーザ光によって下層の半導体膜に過剰に加熱されることを防ぐことができる。また、上層の半導体膜も溶融することで、下層の半導体膜の溶融時間を延ばすことができる。 （もっと読む）

【課題】基板浮遊効果に起因する半導体層の電気的特性の劣化を抑制し、優れた電気的特性を示す半導体装置とその製造方法、アクティブマトリクス基板、電気光学装置および電子機器を提供する。
【解決手段】基板本体１０Ａ上にゲート電極２６が形成され、ゲート電極２６上に絶縁層２，１１を介して単結晶半導体層１が形成され、単結晶半導体層１のゲート電極２６が形成された面とは反対側の面に単結晶半導体層１の少なくともチャネル領域１ｃを覆う非単結晶半導体層４が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ゲートリーク電流および電流コラプスの少ない窒化物半導体装置を提供する。
【解決手段】基板１１の主面に形成されたＧａＮ層１３と、ＧａＮ層１３上に形成され、ＧａＮ層１３に電子を供給する第１ＡｌＧａＮ層１４と、第１ＡｌＧａＮ層１４上に形成され、水素を０．５乃至３０ａｔｏｍｓ％含有する窒化物半導体層１５と、窒化物半導体層１５上に形成されたゲート電極１６と、窒化物半導体層１５上に、ゲート電極１６をゲート長方向に挟むように形成されたソース電極１７およびドレイン電極１８と、を具備する。窒化物半導体層１５の表面近傍のダングリングボンドを水素で終端し、表面欠陥に起因する電極間リークを抑制する。 （もっと読む）

【課題】粒界が形成される位置を制御することが可能な結晶質半導体膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 基板１１に支持された非晶質半導体膜２２を用意する工程と、非晶質半導体膜にＡｒイオンを注入する工程と、工程（ｂ）の後に、非晶質半導体膜に結晶化を促進する触媒元素３５を付与する工程と、工程（ｃ）の後に、非晶質半導体膜の少なくとも一部を固相結晶化することによって、結晶質半導体膜２４を得る工程（ｄ）とを包含する。
基板１１に支持された非晶質状態の半導体膜２２を用意する工程（ａ）と、半導体膜の第１領域に第１の濃度でＡｒイオンを注入する工程（ｂ）と、工程（ｂ）の後に、半導体膜の第１領域と第１領域外の第２領域とを含む領域に、結晶化を促進する触媒元素を付与する工程（ｃ）と、工程（ｃ）の後に、半導体膜を加熱することによって半導体膜の少なくとも第２領域を固相結晶化させる工程（ｄ）とを包含する。 （もっと読む）