【課題】単結晶半導体薄膜のひび割れや剥がれを生じることなく貼り合わせＳＯＩ基板を作製するための技術を提供する。
【解決手段】単結晶シリコン基板上に第１酸化物層を形成し、第１酸化物層を通して単結晶シリコン基板中に水素を添加して水素添加層を形成し、第２酸化物層を設けた支持基板と単結晶シリコン基板とを、第１酸化物層と第２酸化物層で貼り合わせ、第１熱処理を行い、単結晶シリコン基板を水素添加層に沿って分断して支持基板上に単結晶シリコン薄膜を形成し、単結晶シリコン薄膜を選択的にエッチングして、複数の島状単結晶シリコン層を形成し、複数の島状単結晶シリコン層に９００〜１２００℃で熱処理を行い、複数の島状単結晶シリコン層上にゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体と絶縁性材料との界面に形成される界面準位が低減した半導体装置を提供する。
【解決手段】閃亜鉛鉱型の結晶構造を有する３−５族化合物半導体と、３−５族化合物半導体の（１１１）面、（１１１）面と等価な面、または、（１１１）面もしくは（１１１）面と等価な面から傾いたオフ角を有する面に接する絶縁性材料と、絶縁性材料に接し、金属伝導性材料を含むＭＩＳ型電極とを備える半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】動作性能および信頼性の高い半導体装置の提供を課題とする。
【解決手段】シリコン基板上に設けられた酸化シリコン膜と、単結晶シリコン基板の一部よりなりＴＦＴの活性層となる単結晶の島状シリコン層となる前の単結晶シリコン基板を熱酸化して得られ、酸化シリコン膜に貼り合わせ界面にて貼り合わせて設けられた膜厚が０．０５μｍ〜０．５μｍの酸化シリコン膜と、活性層を熱酸化して設けられた他の面の酸化シリコン膜と、により取り囲まれた活性層と、活性層上に設けられたゲート電極と、を有し、単結晶の島状シリコン層は、膜厚が０．０５μｍ〜０．５μｍの酸化シリコン膜を介して水素が導入された単結晶シリコン基板を水素が導入された部分で分断して得られたものである半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】ａ−Ｓｉプロセスと、ポリ−Ｓｉプロセスとを組み合わせることが可能なプロセスを提供することである。
【解決手段】プロセス８００は、アモルファスシリコン又はアモルファスシリコンに適合可能なプロセスを用いて、ディスプレイパネル用のポリ−最終構造を形成する（ブロック８１０）。ポリ−最終構造は、チャネルシリコン前駆体を有する。次に、プロセス８００は、ポリシリコン固有のプロセスを用いて、ポリ−最終構造からディスプレイパネルを形成する（ブロック８２０）。 （もっと読む）

【課題】工程数の増加を伴うことなく、結晶の異方性が異なる複数の領域を有する結晶化半導体膜を形成することができる結晶化半導体膜の製造方法を提供する。
【解決手段】レーザビーム６を走査している最中に、レーザビーム６の単位時間当たりの照射量を複数の領域３・４・５に応じた照射量に連続して変えることにより、結晶の異方性の異なる複数の領域３・４・５からなる結晶化半導体膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の作製工程において、高調波のＣＷレーザを半導体膜上に相対的に走査させながら照射すると、走査方向に延びた長い結晶粒がいくつも形成される。このようにして形成された半導体膜は前記走査方向においては実質的に単結晶に近い特性のものとなるが、高調波のＣＷレーザの出力が小さくアニールの効率が悪い。
【解決手段】第２高調波に変換されたＣＷレーザと同時に基本波のＣＷレーザを半導体膜の同一部分に照射することで、出力の補助を行う。通常、基本波は１μｍあたりの波長域に入り、この波長域では半導体膜に対する吸収が低い。しかしながら、可視光線以下の高調波を基本波と同時に半導体膜に照射すると、高調波により溶かされた半導体膜に基本波はよく吸収されるため、アニールの効率が著しく上がる。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明による半導体装置（１００）は、絶縁層（１２５）の一部および半導体層（１２６）を覆う第１層間絶縁膜であって、絶縁層（１２５）のうちの下側電極（１４２）上の領域を覆わない第１層間絶縁膜（１０２）と、絶縁層（１２５）および第１層間絶縁膜（１０２）を覆う第２層間絶縁膜（１０４）と、第１層間絶縁膜（１０２）および第２層間絶縁膜（１０４）に設けられたコンタクトホールを介して半導体層（１２５）のソース領域およびドレイン領域と電気的に接続されたソース電極（１２８）およびドレイン電極（１３０）と、ソース電極（１２８）およびドレイン電極（１３０）と同じ材料から形成され、絶縁層（１２５）および第２層間絶縁膜（１０４）に設けられたコンタクトホールを介して下側電極（１４２）と電気的に接続された上側電極（１４４）とを備える。 （もっと読む）

【課題】連続発振レーザビーム、あるいは擬似連続発振レーザビームによりレーザアニーリングされることによって多結晶化された半導体膜において、結晶異方性が存在したとしても、その結晶異方性によるトランジスタの特性差を抑制することができるとともに、実用上の設計およびプロセス制約を緩和することのできる表示装置用基板を提供する。
【解決手段】上記第１のトランジスタ５は、上記半導体膜５ａにおける、結晶の長軸方向Ｄ２と、ソース領域からドレイン領域に向かう方向である半導体チャネル長方向Ｄ１とのなす角が、上記第２のトランジスタ６における上記なす角より大きく、上記第１のトランジスタ５に設けられた絶縁膜における絶縁膜容量の和Ｃａは、上記第２のトランジスタ６に設けられた絶縁膜における絶縁膜容量の和Ｃａより大きい。 （もっと読む）

【課題】レーザアニールによって結晶化された半導体膜を補助容量電極として用いたとしても、表示不良を解消、あるいは目立たなくさせることができ、歩留まりを向上させることができる。
【解決手段】各補助容量７の一方の電極をなすように上記複数の画素について共通に形成された直線状の補助容量配線６と、各補助容量７の他方の電極をなすように複数の画素について個別に、かつ補助容量配線６に対向するように形成された補助容量電極１３ｆとを備え、各補助容量電極１３ｆは、補助容量配線６の長手方向と交差する方向にラスタスキャンされる連続発振レーザビーム、あるいは擬似連続発振レーザビームによりレーザアニーリングされることによって多結晶化、あるいは結晶が改質された半導体膜からなる。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタにおいて、ソース／ドレイン領域に高抵抗不純物領域（ＨＲＤ
または低濃度不純物領域）を自己整合的に形成する方法を提供する。
【解決手段】ゲイト電極１０５上面にマスク１０６を残し、比較的低い電圧でポーラスな
第１の陽極酸化膜１０７をゲイト電極の側面に成長させる。この陽極酸化膜をマスクとし
てゲイト絶縁膜１０４’をエッチングする。必要に応じては比較的高い電圧でバリア型の
第２の陽極酸化膜１０８をゲイト電極の側面および上面に形成する。第１の陽極酸化膜を
選択的にエッチングする。不純物ドーピングをおこなうと、ゲイト電極の下部にはドーピ
ングされず、ゲイト電極に近い領域では、不純物濃度の低い高抵抗領域１１１，１１２と
なる。ゲイト電極から遠い領域では、不純物濃度の高い低抵抗領域１１０，１１３となる
。 （もっと読む）

【課題】ソース−ドレイン領域の半導体膜と走査線の下にある半導体膜とが接続されていることに起因して生じる不具合をなくすことができる、アクティブマトリクス方式のディスプレイ用薄膜トランジスタ基板を提供する。
【解決手段】基板１０側から、少なくとも、半導体膜１３、ゲート絶縁膜１４ｇ、ゲート電極１５ｇの順で設けられたＴＦＴ２０を有するアクティブマトリクス方式のディスプレイ用薄膜トランジスタ基板１において、ゲート電極１５ｇをその一部として含む走査線３１が所定の隙間Ｇを隔てて分断された導電性パターン３２と、その導電性パターン３２の下に設けられた半導体膜１３と、分断された導電性パターン３２を接続する配線膜３３とを有するように構成した。 （もっと読む）

【課題】半導体膜に混入する不純物濃度を制御した活性層を有する半導体回路を備えた半導体装置を提供するものである。
【解決手段】上記目的を解決するため、ガラス基板上に２００ｎｍ〜５００ｎｍの膜厚の第１の窒化珪素膜と、前記第１の窒化珪素膜上に第２の窒化珪素膜と、前記第２の窒化珪素膜上にチャネル形成領域となる領域を含む非晶質半導体膜と、を有する構成において、前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜との界面において、ボロンを有する。 （もっと読む）

【課題】 電気光学装置の製造コストを低減する技術を提供する。
【解決手段】 電気光学装置を形成するＴＦＴの作製方法において、必要とするパターニング回数を極力低減することにより、製造コストの低減を図る。具体的には、ゲート配線をマスクとして活性層に不純物元素を添加した後、該ゲート配線の線幅をパターニング工程を施すことなく狭め、再度不純物元素を添加する。これによりパターニング回数を増やすことなくＬＤＤ領域を形成できる。 （もっと読む）

【課題】 照射されたレーザ光の一部が被結晶化薄膜を透過する結晶化において、均一性に優れた結晶化を行うことが可能な結晶化装置を提供する。
【解決手段】 光透過性を有する基板１上に形成された被結晶化薄膜（アモルファスシリコン薄膜３）に対してレーザ光を照射して結晶化を行う結晶化装置である。アモルファスシリコン薄膜３が形成された基板１を支持する基板ステージＳを有する。基板ステージＳは、表面が例えば鏡面化され、アモルファスシリコン薄膜３の結晶化領域全体における反射率が略均一である。照射するレーザ光の波長域は、可視領域であり、例えば固体レーザの高調波である。 （もっと読む）

【課題】 フルメルト法による結晶化とパーシャルメルト法による結晶化を１回のレーザ照射によって簡単に実現することが可能なレーザアニール装置を提供する。
【解決手段】 光透過性を有する基板１上に形成された被結晶化薄膜（アモルファスシリコン薄膜３）に対してレーザ光（固体レーザの高調波）を照射して結晶化を行うレーザアニール装置である。被結晶化薄膜が形成された基板１を支持するステージ４１を有し、ステージ４１の表面は、基板１上に形成される回路のレイアウトに応じてレーザ光に対する反射率が変更されている。例えば、液晶表示パネルの作製において、ステージ４１表面の反射率は、パネル領域２１の画素部分３１と周辺回路部分３２とで異なる。 （もっと読む）

【課題】合成石英上にスマートカット法を利用して単結晶シリコン層を形成するには、熱膨張係数の差という問題があって貼り合わせ工程が煩雑になるという欠点がある。また、高価な石英基板を用いることは全体のコストを増加させるため、好ましいものではない。本願発明は、スマートカット法で得られる単結晶シリコン薄膜を用いた半導体装置を、安価な製造コストで実現するための技術を提供する。
【解決手段】歪点７５０℃以上のガラス基板と水素打ち込み層を有するシリコンウェハとを、ガラス基板に形成された絶縁性シリコン膜を挟むように、室温で貼り合わせ、貼り合わせ後、加熱処理し、加熱処理後、シリコンウェハの水素打ち込み層の部分で、シリコンウェハの一部を剥離する。 （もっと読む）

【課題】動作性能及び信頼性を向上させた半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】単結晶シリコン基板の一部からなる単結晶シリコン薄膜を、単結晶シリコン基板を熱酸化して得られた第１の酸化シリコン膜上に有し、第１の酸化シリコン膜が、シリコン基板上に設けられた第２の酸化シリコン膜に貼り合わされたシリコン基板を用いる半導体装置の作製方法であって、単結晶シリコン薄膜から複数の島状シリコン層を形成し、複数の島状シリコン層の熱酸化工程後に、複数の島状シリコン層上にポリシリコンでなるゲート電極を形成し、ゲート電極の側面にサイドウォールを形成し、複数の島状シリコン層にソース領域及びドレイン領域を形成し、ゲート電極、ソース領域、ドレイン領域に金属膜を形成し、加熱してゲート電極、ソース領域、ドレイン領域にシリサイドを形成し、複数の島状シリコン層を覆って、層間絶縁膜を形成する半導体装置の作製方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴに接続された各配線を形成する際のプラズマエッチング工程においてチャージアップに起因するプラズマダメージが生じることを防止する。
【解決手段】ＴＦＴ１０のソース領域１３ｓに接続されたソース配線１７ｓ、ＴＦＴ１０のドレイン領域１３ｄに接続されたドレイン配線１７ｄ、およびＴＦＴ１０に対して電気的に接続されない配線１８を共通のプラズマエッチング工程によって形成する際、ソース配線１７ｓとドレイン配線１７ｄとの間隔を、ソース配線１７ｓと配線１８との間隔およびドレイン配線１７ｄと配線１８との間隔よりも狭くする。 （もっと読む）

【課題】非晶質半導体薄膜の結晶化と選択的な高濃度不純物拡散をひとつの工程で行うことにより薄膜トランジスタの製造工程を簡単にし，製造コストを低減する。
【解決手段】絶縁基板上の非晶質半導体薄膜上に堆積した不純物を含む皮膜を所定の形状にパターン形成し、外方拡散防止膜で被覆したのち，連続発振レーザを照射することにより該非晶質の結晶化と同時に，該皮膜から不純物を該薄膜に選択的に高濃度に拡散させることにより半導体薄膜トランジスタを製造する。 （もっと読む）

【課題】欠陥を低減することが可能な非晶質半導体層及びその作製方法を提供する。または、薄膜トランジスタに代表される半導体素子の動作特性が改善されるように、非晶質半導体層の膜質を制御する。または、非晶質半導体層の堆積過程を制御して、ＴＦＴに代表される半導体素子の特性向上を図る。または、薄膜トランジスタのオン電流及び移動度を向上させる。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に、ゲート電極を覆うゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上に非晶質半導体層と、非晶質半導体層上に一導電型を付与する不純物元素を含む半導体層と、を有し、非晶質半導体層はＮＨ基を有するトランジスタとする。非晶質半導体層において、ダングリングボンドをＮＨ基で架橋することにより、非晶質半導体層の欠陥を低減する。 （もっと読む）