【課題】半導体素子の一面側の素子電極にヒートシンクブロックをはんだ接合してなる半導体装置において、素子電極に発生するクラックにより、半導体基板がダメージを受けるのを極力防止する。
【解決手段】半導体基板１１の一面上に形成された素子電極１２と、その上に形成された保護膜１３と、保護膜１３の開口部１３ａから臨む素子電極１２の表面上に形成されたはんだ付け用電極１４とを有する半導体素子１を備え、半導体基板１１の一面側にヒートシンクブロック６を配置し、このブロック６とはんだ付け用電極１４とを、はんだ５を介して接合する。そして、半導体基板１１の一面側において開口部１３ａ側に位置する保護膜１３の端部とはんだ付け用電極１４との境界部の下部に、当該境界部で発生する素子電極１２のクラックの半導体基板１１側への進行を阻害するクラック防止膜１５を、素子電極１２と半導体基板１１との間に介在させている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置に対して大きな熱応力が作用したときに、素子破壊を防止することができ、長期的信頼性を向上させる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、半導体チップ２と、この半導体チップ２の両面から放熱するための一対のヒートシンク３、４とを備え、装置のほぼ全体を樹脂７でモールドしたものにおいて、半導体チップ２の厚さ寸法をｔ１とし、一対のヒートシンク３、４のうちの少なくとも一方のヒートシンク３の厚さ寸法をｔ２としたときに、ｔ２／ｔ１≧５が成立するように構成したものである。上記構成の半導体装置１に対して大きな熱応力が作用しても、素子破壊が発生しないことを試作と実験により確認した。 （もっと読む）

本発明は、コンポーネントキャリア、コンポーネントモジュールの新規な製造方法および厚膜技術を利用する該方法から製造されたキャリアおよびモジュールを提供する。ある実施形態において、これらの方法を用いて、照明デバイスチップキャリアおよびモジュールを形成する。さらなる実施形態において、これらの照明デバイスチップキャリアおよびモジュールは、ＬＥＤ用途に用いられる。
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【課題】 接合する電子デバイスなどの特性を低下させない、半田層及びそれを用いた電子デバイス接合用基板を提供する。
【解決手段】 基板１１上に形成される鉛を含まない半田層１４又はこの半田層を有する電子デバイス接合用基板１０であって、半田層１４の比抵抗を０．４Ω・μｍ以下とする。電子デバイス接合用基板１０の熱抵抗を０．５Ｋ／Ｗ以下とし、半田層１４の厚みを１０μｍ以下とすることができる。この場合、半田層１４内に含まれるボイドの最大径が０．５μｍ以下である。基板としては、サブマウント基板を用いてもよい。 （もっと読む）

【課題】接合界面に不要な反応生成物を生成させ難く、その結果クラックなどの不具合を発生させ難いパワー半導体モジュールを提供すること。
【解決手段】２つの部品の間を、Ｂｉ系ハンダ材料により接合してなるパワー半導体モジュールであって、前記２つの部品のＢｉ系ハンダ材による被接合面にＣｕ層を備える。被接合部品である上記２つの部品は、半導体素子と絶縁部、又は絶縁部と放熱板の組み合わせである。 （もっと読む）

【課題】プリント基板に表面実装されるパワートランジスタやＩＣ等の発熱デバイスの発熱を効率的に放熱して温度上昇を抑える発熱デバイスの実装装置およびそれに使用する放熱装置を提供する。
【解決手段】発熱デバイス６０のパドル６２に対応するプリント基板７０の位置に複数のサーマルビア７３を形成し、発熱デバイス６０のチップ（発熱体）６１の発熱を、発熱デバイス６０内のパドル６２およびプリント基板７０のサーマルビア７３を介してプリント基板７０の発熱デバイス６０の取付面７１とは反対面７２に密接配置する放熱装置８０へ熱伝導する。放熱装置８０のプリント基板接触面８１には、発熱デバイス６０のパドル６２の下方に凹部８３を形成し、サーマルビア７３を介してプリント基板７０の反対面７２から突出する半田漏れ７８を逃がす。 （もっと読む）

【課題】 金属からなるベース板に半導体素子を半田層により固着した半導体装置において、温度サイクルによる半田層や半導体素子に加わる応力が過大となり、半田層の亀裂や半導体素子の破損の恐れがあった。
【解決手段】 ベース板１上に第１の半田層３ａを介して固着された四角形の熱拡散板２と、熱拡散板２上に第２の半田層３ｂを介して固着された四角形の半導体素子４とを備え、熱拡散板２は四隅に面取りがなされ、その対角線の長さが半導体素子４のそれより小さい形状となっており、それにより四隅において第１の半田層３ａと第２の半田層３ｂとを繋げ該部分の半田層の厚みのみを大きくしたことにより、電気的特性や放熱特性を犠牲にすることなく、温度サイクルによる熱応力を四隅の半田層で吸収しやすくした。 （もっと読む）

【課題】Ｐｂフリーはんだを用いて半導体素子搭載基板と放熱板とを接合する半導体装置において、半導体素子搭載基板と放熱板との線膨張係数差に起因する反りを抑制できるようにする。
【解決手段】Ｐｂフリーはんだ４として、固相線温度が２００℃以下となるＳｎ−Ｉｎ系合金、Ｓｎ−Ｂｉ系合金、Ｓｎ−Ｚｎ系合金、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｂｉ系合金もしくはＩｎを用いる。これにより、Ｐｂフリーはんだ４を溶融した後の冷却によって放熱板２とＤＢＡ基板１ａ、１ｂとの熱膨張差のバイメタル効果によって反りが発生することを抑制することが可能となる。このため、反り許容範囲を超える反りが発生してしまうことが防止できる。 （もっと読む）

【課題】鉛フリーはんだによるはんだ付けを伴うとともに，従来のＳｎ−Ｐｂ系はんだを利用したときと比べて同等以上の放熱性を有する半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】パワーモジュール１００は，半導体素子１と，半導体素子１を支持する電極基板２と，電極基板２と接合する放熱板３と，これらを収容するパワーモジュールケース５とを備えている。さらに，パワーモジュール１００は，半導体素子１と電極基板２とがはんだ４１によって，電極基板２と放熱板３とがはんだ４２によってそれぞれ接合されている。はんだ４２は，Ｓｎ−Ｉｎ系の鉛フリーはんだであり，Ｉｎの含有量が１４〜２０重量％の範囲内になっている。 （もっと読む）

【課題】 異種材料の積層構造を有するセラミックス回路基板の熱的挙動を把握する技術を用いて、剥離がなく放熱性の優れたセラミックス回路基板、半導体モジュールを提供する。
【解決手段】 セラミックス回路基板１０は、窒化珪素板（Si₃N₄板）１１ａ等の絶縁層として機能するセラミックス基板１１と、セラミックス基板１１の一方の面にろう材を介して接合された回路パターン形成用金属板１２と、セラミックス基板１１の他方の面にろう材を介して接合された放熱用金属板１３とを有し、回路パターン形成用金属板と放熱用金属板はAlまたはAl合金で形成されており、かかる構成のセラミックス回路基板１１は、見掛けの熱膨張係数が、１０ｐｐｍ／ｋ以上、１７ｐｐｍ／ｋの範囲になるように制御されている。 （もっと読む）

【課題】 金属−セラミックス接合基板に放熱板を固定する場合にＰｂフリー半田を使用しても、半田クラックが発生するのを防止することができるとともに、セラミックス基板にクラックが発生するのを防止することができる、金属−セラミックス接合基板を提供する。
【解決手段】 セラミックス基板１０の一方の面にろう材１６を介して放熱板固定用金属板１８の一方の面が接合した金属−セラミックス接合基板において、この放熱板固定用金属板１８の他方の面にＰｂフリー半田２０により放熱板２２を固定するとともに、放熱板固定用金属板１８の一方の面の周縁部または周縁部付近に所定の幅の非接合部を設ける。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の温度が変化する場合に、絶縁基板を構成するセラミック基板においてクラックの発生を防止した半導体装置を提供する。
【解決手段】第１主面と第２主面とを備えたセラミック基板１と、第１主面に固定された第１金属導体２と、第２主面に固定された第２金属導体３とを含む絶縁基板１０と、第１主面の第１金属導体に搭載された半導体素子２０と、第２主面の該第２金属導体に接合され、絶縁基板を載置するベース板３０とを含む半導体装置が、第２金属導体が第２主面に固定された接合領域４と、接合領域の周りに設けられた非接合領域６とを含む。 （もっと読む）

【課題】銅製放熱部材に代表される廉価で熱伝導率が高く、高熱膨張率の金属製放熱部材（ヒートシンク）を使用したとしても、はんだクラックを抑制し得るセラミック基板、セラミック回路基板およびそれを用いた電力制御部品を提供すること。
【解決手段】セラミック板の両主面に金属板を接合してなるセラミック基板において、少なくとも一主面上の金属板のセラミック板と対向する面に、セラミック板との非接合部分を有することを特徴とするセラミック基板。 （もっと読む）