【課題】半導体素子と電極のような２種類の材質を面で接合した構造において、温度変化時に接合部に発生する熱応力を極力低減し、高温域でも高い信頼性を確保することが可能な半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】半導体素子と、この半導体素子に、接合材を介して接続され、穴が形成された第一の応力調節材と、この穴に圧入される突起が設けられた第二の応力調節材と、この第一の応力調節材とこの第二の応力調節材との間に充填された熱伝導材とを有する。 （もっと読む）

【課題】ＣＰＵなどの熱発生体を効率的に冷却できる水冷ジャケットを提供する。
【解決手段】熱輸送流体供給手段側の第１流路と、第１流通路から分岐した複数の第２流路Ｂ９ａからなる第２流路群Ｂ９と、複数の第２流路Ｂ９ａの下流側で、複数の第２流路Ｂ９ａを集合させる第３流路と、を有し、第１ベース板５１と、第１ベース板５１に立設された複数の第１フィン５２とを具える金属製の第１フィン部材５０と、第２ベース板５６と、第２ベース板５６に立設された複数の第２フィン５７とを具える金属製の第２フィン部材５５と、を備え、第１フィン部材５０と第２フィン部材５５とは、複数の第１フィン５２と複数の第２フィン５７とが噛み合わさるようにして、組み合わされており、所定間隔で配列された隣り合う第１フィン５２と第２フィン５７との間に第２流路が形成され、熱発生体は第２流路群Ｂ９で主に熱交換することを特徴する。 （もっと読む）

【課題】放熱特性に優れ、かつ、冷熱サイクル負荷時において半導体素子等の発熱体に熱応力が作用することを抑制することが可能な放熱板、この放熱板を用いた半導体装置及びこの放熱板の製造方法を提供する。
【解決手段】搭載された発熱体３から発生する熱を放散させる放熱板３０であって、黒炭素質部材中に金属材料が充填されてなる金属基複合材料からなる板本体３１と、この板本体３１の少なくとも一の板面に形成された金属スキン層３２，３３と、を備え、前記板本体を構成する金属基複合材料は、炭素質部材中に溶融した金属材料を含浸させることによって形成されており、金属スキン層３２，３３は、板本体３１の前記板面に、金属粉末を衝突させることによって形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】小型で信頼性が高く、容易に製造できる電力用半導体装置を提供する。
【解決手段】電力用半導体装置１００は、第１のリード２１に形成された第１のダイパッド部２１ａ上に載置され、表面上にゲート電極が形成された電力用半導体素子５０と、第２のリード２２に形成された第２のダイパッド部２２ａ上に載置され、表面上に複数のワイヤパッドが形成された第１の制御用半導体素子３０と、この第１の制御用半導体素子３０の表面積内に絶縁性材料７４を介して載置され、表面に複数のワイヤパッドが形成された第２の制御用半導体素子４０とを備え、電力用半導体素子５０と第２の制御用半導体素子４０とを金属線９４で電気的に直接接続したものである。 （もっと読む）

【課題】絶縁耐圧と放熱性を保ちながら、より高信頼で小型な半導体モジュールを提供する。
【解決手段】半導体素子１と、絶縁シート２と、金属ブロック３と、金属シート５と、封止樹脂部８とを備えた半導体モジュール１０１において、絶縁シート及び金属シートは、金属ブロックに接触することなく金属ブロック側へ折り曲げられた状態で樹脂封止される沿面形成用領域２０を有する。 （もっと読む）

【課題】従来普通の一般的なモジュール構成で、従来よりも安価で且つはんだ接合部の接合信頼性が確保可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、絶縁基板Ｃの両面に金属板Ｍ１，Ｍ２を各々接合してなる回路基板Ｐと、一方の金属板Ｍ１の外面に第１はんだＨ１を介して接合される少なくとも１個の半導体素子Ｓ，Ｓ′と、他方の金属板Ｍ２の外面に第２はんだＨ２を介して接合される放熱用ベース板Ｂとを備えた半導体装置において、第１，第２はんだが、同種のはんだ材で構成され、両金属板Ｍ１，Ｍ２の板厚の和ｔ_M の絶縁基板Ｃの板厚ｔ_C に対する比ａが、各はんだＨ１，Ｈ２の温度ストレスに対する耐久性を確保するために、１．５以上で且つ５．５以下の範囲内に設定される。 （もっと読む）

【課題】従来普通の一般的なモジュール構成で、従来よりも安価で且つはんだ接合部の接合信頼性が確保可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 絶縁基板の両面に金属板を各々接合してなる回路基板Ｐと、一方の金属板の外面に第１はんだを介して接合される半導体素子と、他方の金属板の外面に第２はんだを介して接合される放熱用ベース板とを備えた半導体装置の製造に当たり、
両金属板Ｍ１，Ｍ２の板厚の和ｔ_M の、絶縁基板Ｃの板厚ｔ_C に対する比ａが、同種の鉛フリーはんだである各はんだＨ１，Ｈ２の温度ストレスに対する耐久性を確保し得る所定範囲に収まるようにして、回路基板Ｐを製造する工程と、回路基板Ｐの一方の金属板Ｍ１の外面に第１はんだＨ１を介して半導体Ｓ，Ｓ′を接合する処理と他方の金属板Ｍ２の外面に第２はんだＨ２を介してベース板Ｂを接合する処理とを同一の加熱条件で同時に実行する工程とを実行する。 （もっと読む）

【課題】配線基板上にフリップチップ実装された半導体チップ上に放熱体を半田付けする際に、飛散した溶融半田液滴を捕獲して固定する手段を提供する。
【解決手段】半導体装置２０は、基板２１と、前記基板の主面上にフリップチップ状態で配設された半導体素子２２と、前記基板の主面上の前記半導体素子周囲に配設された受動部品２６と、前記基板の主面上の前記半導体素子及び前記受動素子上に配設された放熱部材２４と、を含み、前記基板の主面２１ａの表出部には、熱可塑性樹脂、または熱可塑性樹脂を含む熱硬化性樹脂よりなる樹脂層２７が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】特性の信頼性が高いパワーモジュールを安定的に製造することができるパワーモジュール製造方法等を提供する。
【解決手段】冷却器５、絶縁樹脂シート４、放熱ブロック３、半導体チップ２を積層してパワーモジュール１を製造するパワーモジュール製造方法であって、最初に、冷却器５と放熱ブロック３との間に絶縁樹脂シート４を介在させて冷却器５と放熱ブロック３とを互いに熱圧着する。次いで、放熱ブロック３の上に半導体チップ２をはんだ接合する。これにより、押圧による半導体チップ２の破損を防ぎつつ、冷却器５と絶縁樹脂シート４との接着界面４ａ、および絶縁樹脂シート４と放熱ブロック３との接着界面４ｂの接着不良を防止する。 （もっと読む）

【課題】 半導体チップの放熱性を十分に確保できながら、半導体チップの接合材の鉛フリー化を達成することができる半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 半導体チップ２と、半導体チップ２が接合されるダイパッド３と、半導体チップ２とダイパッド３との間に介在され、ＢｉＳｎ系材料からなる接合材８とを有する半導体装置１において、接合材８に、半導体チップ２とダイパッド３との間の熱伝導性を向上させるためのＡｇネットワーク９を形成する。 （もっと読む）

【課題】比較的面積の大きくても、セラミック基板の反り、割れの発生を抑制することが可能なパワーモジュール用基板、このパワーモジュール用基板の製造方法及び、このパワーモジュール用基板を用いたパワーモジュールを提供する。
【解決手段】アルミニウム又はアルミニウム合金の板材からなる金属層１３と、この金属層１３の一方の面に配設されたセラミックス基板と、このセラミックス基板の上に配設され、アルミニウム又はアルミニウム合金からなる回路層と、を備え、金属層１３は、セラミックス基板よりも面積が大きく設定されており、金属層１３には、前記一方の面側部分において、アルミニウムの母相中に第２相が分散した硬化層３１と、アルミニウムの単一相からなる軟質層３２と、が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】繰り返し冷熱サイクルを経てもなお回路側金属板と半導体素子とを接合する第一のはんだ層と放熱側金属板と放熱ベース板とを接合する第二のはんだ層に高い接合信頼性を提供する。
【解決手段】窒化珪素基板４の一面に銅または銅合金からなる回路側金属板３が接合され、他面に銅または銅合金からなる放熱側金属板５が接合され、前記回路側金属板および放熱側金属板の表面にめっき層６を形成し、前記回路側金属板には半導体素子１を無鉛はんだ２により接合し、前記放熱側金属板には無鉛はんだ８により放熱ベース板７を接合してなる窒化珪素配線基板１０であって、前記回路側金属板とおよび放熱側金属板と当該めっき層の硬さの差をビッカース硬さでＨｖ＝３３０〜５００とし、且つ前記回路側金属板および放熱側金属板と当該めっき層のヤング率の差を０〜７０ＧＰａとしたことを特徴とする窒化珪素配線基板。 （もっと読む）

【課題】冷熱サイクルに対して亀裂、剥離などの不具合を生じさせ難い信頼性の高い接合体、半導体モジュール及び接合体の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の接合体は、銅を主成分とする被接合面Ｓをそれぞれ備えた第１部材１０１及び第２部材１０２を有する。第１部材１０１と第２部材１０２との間には、錫系はんだ材料中２０２に銅を主成分とする三次元網目状構造体２０１を含有するはんだ部材２００を有する。前記被接合面と前記三次元網目状構造体２０１との間には、平均厚さが２μｍ以上２０μｍ以下の銅−錫合金２０３を有する。接合体が半導体モジュールの場合には、第１部材１０１及び第２部材１０２は、半導体素子及び絶縁基板、又は絶縁基板及び放熱板である。 （もっと読む）

【課題】高い応力緩和性能と放熱性能を両立させることによって、高い信頼性と大電力化への対応性とを兼ね備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、半導体チップと前記半導体チップを挟んで対向するベース電極ならびにリード電極とそれらを電気的に接合する接合層とが積層された半導体装置であり、前記ベース電極に放熱部材を当接させて使用される半導体装置であって、前記ベース電極は伝熱部と熱膨張拘束部との積層体で構成されており、前記半導体チップは前記接合層を介して前記ベース電極の前記伝熱部と接合されており、前記伝熱部が前記放熱部材に当接する。 （もっと読む）

【課題】放熱ベースとカーボン治具との間の隙間から半田材料の流出を効果的に防止した半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】鉛を含まない半田を用いてセラミック等の絶縁基板１を放熱用の銅ベース２上に半田接合する方法であって、２枚のカプトンシート５ａ，５ｂを半田飛散の抑止手段として、銅ベース２上のカーボン治具４との隙間に挿入するように設置し、銅ベース２上で絶縁基板１の位置決めを行う。カプトンシート５は、耐熱性を有する有機物材料からなる薄膜シートであって、カーボン治具４の開口部と同一形状の開口部５１が形成されている。 （もっと読む）

【課題】Ｂｉ含有はんだ箔の製造方法及びＢｉ含有はんだ箔を提供すること。また、耐熱性が高く緻密に接合された接合体、及びパワー半導体モジュールを提供すること。
【解決手段】本発明のＢｉ含有はんだ箔の製造方法では、ビスマス（Ｂｉ）を含むはんだ材料の粉末を粉末圧延法によりシート化する。前記はんだ材料の粉末における長辺と短辺の比は、１．２以上３．０以下が好適であり、該粉末の平均粒径は５μｍ以上２００μｍ以下が好適である。前記粉末圧延法による圧延は、−２０℃以上２６９℃以下で行なわれることが好ましい。また、本発明の接合体およびパワー半導体モジュールでは、接合部に前記Ｂｉ含有はんだ箔が用いられる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、低コストでシステムおよび半導体装置の小型化ができる半導体装置の製造方法を提供し、さらに鉛フリーはんだによる接合を採用しても信頼性への悪影響を抑制できる半導体装置の製造方法および半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】棒状電極端子が、回路パターン又は半導体素子上に直立するように、該棒状電極端子の一端を該回路パターン又は該半導体素子上に接合する。その後該棒状電極端子の長手方向に可動であるスリーブを、該棒状電極の長手方向の長さより該棒状電極と該スリーブからなる構造の長さの方が長くなるように該棒状電極端子の他端に装着する。そして型締めと同時に該スリーブを該棒状電極端子に圧入する。圧入後にキャビティ内にモールド樹脂を充填する。該モールド樹脂を充填する際には該上金型内壁と該スリーブが接触する。 （もっと読む）

【課題】発熱体から放熱体へと熱を伝える放熱方法において、発熱体及び放熱体との熱膨張係数の差にかかわらず、熱応力を良好に緩和して放熱することが可能な放熱方法を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明に係る放熱方法は、熱膨張係数の差が０．５×１０^-6／Ｋ以上である発熱体及び放熱体を接触させて発熱体から放熱体に熱を伝える放熱方法において、該放熱体が、発熱体と接触する面の少なくとも一部がＳiＣである基板と、該基板の当該面又は両面の、全面又は一部に形成されたＢＮナノチューブ層とを有し、該放熱体の基板面に形成されたＢＮナノチューブ層を発熱体と接触させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】両面放熱型の半導体装置において、放熱板の平面サイズを増加させることなく、放熱性の向上を図る。
【解決手段】半導体素子１と、半導体素子１の表面側、裏面側にそれぞれ電気的および熱的に接合された放熱板２、３と、各放熱板２、３における半導体素子１とは反対側の面である放熱面２ｂ、３ｂに熱的に接合された冷却器９とを備える半導体装置１００において、それぞれの放熱板２、３のうち半導体素子１が投影された部位の放熱面２ｂ、３ｂは、当該放熱面２ｂ、３ｂに対向する冷却器９に向かって突出する凸部１０となっており、冷却器９のうち凸部１０に対向する部位は、凹部１１となっており、これら凸部１０と凹部１１とが嵌合しており、凸部１０と凹部１１との間には、これら両部１０、１１を電気的に絶縁する絶縁膜１２が設けられ、絶縁膜１２を介して凸部１０と凹部１１とが接触している。 （もっと読む）

【課題】フリップチップ実装された半導体チップの放熱性を向上させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】フリップチップボンディングにより実装される半導体チップ１と、それに供されるチップキャリアと、前記半導体チップ１の背面に熱的に接続される冷媒を有する冷媒路からなる半導体装置において、冷媒が、半導体チップ１背面に直接、あるいは金属薄膜８を介して接触しており、冷媒路の一部が、冷媒路部材５と半導体チップ１背面とで形成される空間からなることを特徴とする。 （もっと読む）