【課題】半田との接合界面が、低温で水素雰囲気では還元されにくい材質で構成されている場合でも、低いボイド率で半田付けを行う。
【解決手段】半田を介して重ね合わせられている第１の接合部材および第２の接合部材が設置されたチャンバー内の空気を排気し、少なくとも水素を含むガスを導入して、大気圧よりも低い第１の圧力の状態に設定するステップＡ１と、第１の圧力の状態を保持したまま、半田の液相線温度よりも高い第１の温度まで加熱するステップＡ３と、第１の温度の状態を保持したまま、第１の圧力よりも低い第２の圧力まで減圧するステップＡ４と、第１の温度の状態を保持したまま、チャンバー内に少なくとも水素または窒素を含むガスを導入して、大気圧まで加圧するステップＡ５と、大気圧の状態を保持したまま、半田の固相線温度よりも低い第２の温度まで冷却するステップＡ６とを含む。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕが用いられた放熱体に対して、ＡｌＮまたはＳｉ3Ｎ4の絶縁基板を組み合わせた場合において、冷熱サイクル寿命を向上させ、信頼性を向上させる半導体装置を提供する。
【解決手段】絶縁基板１２と、絶縁基板１２の第１の主面上に搭載された、少なくとも１つの半導体素子１１と、絶縁基板１２の半導体素子１１が搭載された第１の主面とは反対側の第２の主面にはんだ部材１４を介して接合された放熱体１３と、を有し、はんだ部材１４は少なくとも錫、アンチモンを含有し、アンチモンの含有量が７重量％以上、１５重量％以下である半導体装置１０が提供される。これによって、半導体装置１０の信頼性が向上する。 （もっと読む）

【課題】第１のはんだを介してＳｉ素子とヒートシンクとをはんだ接合して複合体を形成する第１のはんだ付け工程の後、第２のはんだを介して複合体と基板とをはんだ接合する第２のはんだ付け工程を行って形成されるはんだ接合体において、はんだとは別体の位置ずれ防止部材を用いることなく、第２のはんだ付け工程時にＳｉ素子の位置ずれを防止する。
【解決手段】第１のはんだ付け工程では、第１のはんだ５１の面積をＳｉ素子１０の被接合面の面積よりも大きくして、第１のはんだ５１の周辺部がＳｉ素子１０の外周からはみ出すように、Ｓｉ素子１０とヒートシンク２０との重ね合わせを行う。次に、Ｓｉ素子１０の外周からはみ出している第１のはんだ５１の周辺部の表面を酸化して、第２のはんだ５２の加熱温度よりも高い融点を有する酸化膜としての被膜６０を形成し、その後、第２のはんだ付け工程を行う。 （もっと読む）

【課題】ボンディングワイヤが接続された半導体チップを一対の放熱板によって挟んでなる半導体装置において、厚さ確保用のブロックを用いずに両放熱板の対向間隔を狭くしても、ボンディングワイヤ側に位置する放熱板と当該ワイヤとの接触を回避する。
【解決手段】ボンディングワイヤ８を、半導体チップ１の一面から離れる方向に凸となったループ状をなすものとし、第１の放熱板３における半導体チップ１の一面と対向する対向面３ａを、ボンディングワイヤ８の頂部８ａよりも半導体チップ１の一面に近くに位置させ、第１の放熱板３の対向面３ａのうちボンディングワイヤ８に対向する部位を開口した開口部３ｄとし、ボンディングワイヤ８の頂部８ａ側の部位を、第１の放熱板３とは離れた状態で開口部３ｄに入り込ませている。 （もっと読む）

【課題】光通信モジュール全体から見た鉛フリー化並びにレーザダイオードの光軸ずれ防止に有用な金スズ接合ペルチェ素子熱電変換モジュールの提供。
【解決手段】サーモモジュール１０は、放熱側のセラミック基板１１と冷却側のセラミック基板１２との間にＰ型熱電半導体素子１３ａとＮ型熱電半導体素子１３ｂを複数対接合し、セラミック基板１１のリード線取付ランド部１１２ａ−１に電力供給用のリード線１５またはポスト１６を接合して成る。セラミック基板１１のリード線取付ランド部１１２ａ−１とリード線１５またはポスト１６との間は、金スズ層により接合される。金スズ層１１３，１２３としては、金の含有量が概ね８０重量パーセントの金スズ共晶組成ハンダが用いられる。 （もっと読む）

【課題】放熱板の放熱特性を損ねることなく、電位の発生を防止しうる樹脂封止型半導体装置および半導体装置を構成するための組立構造を提供する。
【解決手段】実装用組立構造Ａは、放熱板１１と、放熱板１２を固定している樹脂キャリア１２と、放熱板１１の上に載置された電極パターン１４付きのサブマウント１３と、樹脂キャリア１２に固定されたインナーリード２１ａとを備えている。サブマウント１３上の電極パターン１４の上に、半導体チップ３０が搭載され、ワイヤボンディングにより、半導体チップ３０上の各電極及び電極パターン１４と、インナーリード２１ａとがワイヤ３１，３２，３３によって接続される。その後、全体が封止樹脂３５によって封止されて、樹脂封止型半導体装置Ｂが形成される。 （もっと読む）

【課題】 カーボンナノチューブシート、その製造方法、及び、電子装置に関し、配向方向の揃ったカーボンナノチューブシートと被放熱部材或いは発熱部材との接触界面の熱抵抗を低減する。
【解決手段】 カーボンナノチューブ束の群とめっき金属からなり、カーボンナノチューブ束の配向方向がシートの垂直方向に保持されているとともに、カーボンナノチューブ束の少なくとも先端部が前記めっき金属により結合されており、且つ、カーボンナノチューブ束の先端部と反対側に空洞を設ける。 （もっと読む）

【課題】反りの発生や熱サイクル負荷時の回路層と絶縁基板の界面及び金属層と絶縁基板の界面での剥離を防止することができるヒートシンク付パワーモジュール用基板及びヒートシンク付パワーモジュールを提供する。
【解決手段】絶縁基板１２の一方の面に回路層１３が形成されるとともに他方の面に金属層１４が形成されたパワーモジュール基板１１と、金属層１４側に接合され、パワーモジュール基板１１を冷却するヒートシンク１７とを備えたヒートシンク付パワーモジュール用基板１０であって、金属層１４とヒートシンク１７との間には、ヒートシンク１７及び金属層１４と接合する前の状態において純度９９％以上のアルミニウムからなる緩衝層１５が形成されており、緩衝層１５の厚さｔが、０．５ｍｍ≦ｔ≦７ｍｍとされていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】亜鉛を主成分とするはんだ材料を用いたときの濡れ性の向上によって、被接合部材が均一に接合された接合体、パワー半導体モジュール及びこれらの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の接合体３００は、第１部材１０１と第２部材１０２を有する。第１部材１０１と第２部材１０２の間は、亜鉛を主成分とするはんだ材料５０によって接合される。第１部材１０１と第２部材１０２の被接合面には、各々ニッケル層１１１，１１２を備え、更に、前記ニッケル層１１１，１１２の表面は、亜鉛との反応性が高く亜鉛と合金を生成する金属表面層１２１，１２２を備える。接合後の接合面では、前記金属表面層１２１，１２２が消失している。接合部材がパワー半導体モジュールの場合には、第１部材１０１と第２部材１０２が、パワー半導体素子と絶縁基板、又は絶縁基板と放熱板に相当する。 （もっと読む）

【課題】細長い形状のセラミックス基板が用いられる場合でも、冷熱サイクルに対する半導体モジュールの耐久性を高める。
【解決手段】この半導体モジュール１０においては、セラミックス基板２１がこのように細長い形状の場合に、その長辺において、セラミックス基板２１を金属放熱板２３よりも突き出した形状としている。ａ／ｂ比が０．２〜０．４の範囲であれば、セラミックス基板の長辺における突き出し量を１〜２ｍｍの範囲と設定することによって、冷熱サイクルに対する耐久性を高くすることができる。 （もっと読む）

【課題】製造時あるいは運転時に生ずる熱応力ないし熱歪みを緩和し、長期にわたって安定して稼動し得る信頼性が高い半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１１は、半導体基体２０と、半導体基体を搭載する絶縁セラミックス板３０と、熱応力を緩和する応力緩衝部４０と、を有している。応力緩衝部は、半導体基体と絶縁セラミックス板との間、および絶縁セラミックス板の両面のうち半導体基体が搭載される側とは反対側の面の少なくとも一方に設けられている。応力緩衝部は、Ａｌと第２相とを少なくとも含む組織から形成され、第２相がＡｌ_４Ｘ（Ｘ＝アルカリ土類金属元素の少なくとも一種）である。 （もっと読む）

【課題】
Ｐｂフリーはんだの高温系はんだとして、Ｓｎ−（５〜１０）Ｓｂ（融点：２３５〜２４３℃）が一般に知られている。この組成では階層用としては２３５℃で制約されるので、公知のＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系Ｐｂフリーはんだを２３５℃以内で接続することは難しい。例え接続できたとしても、この系のはんだは耐クリープ性はあっても、クリープ変形ができず、残留応力が高く、パワーモジュールの＃２はんだとしての温度サイクル寿命が短いことが分かった。
【解決手段】
Ｐｂフリーの階層はんだで高信頼性とはんだ付けプロセスを両立する方法として、高温系はんだとして、Ｓｎ−（１１〜２０）Ｓｂ（固相線温度は２４６℃）、低温系はんだとして２４０℃以下での接続が可能なＳｎ−３Ａｇ−０.５Ｃｕ−５Ｉｎを用いること。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の放熱性に優れた１つの熱伝導性の良好なベース基板に対して半導体素子の放熱性を良好にすることにより、大掛かりな構成にする必要のない電子回路基板の放熱構造体を提供すること。
【解決手段】電子回路基板の放熱構造体１１は、発熱部品１６ａを実装した回路基板１２と、回路基板１２の発熱部品１６ａの頭部１６ａ１が位置する側に、回路基板１２とほぼ平行に所定の間隔をおいて設けられるベース基板１３と、前記間隔内において、発熱部品１６ａの頭部１６ａ１に隣接して設けられるヒートパス１８ａと、当該ヒートパス１８ａと発熱部品１６ａの頭部１６ａ１とを接着接合する接着剤層１７ａと、ヒートパス１８ａとベース基板１３とを熱伝導的に結合する半田層１９ａとを備える。 （もっと読む）

【課題】はんだ工程の温度管理によって、はんだ接合部におけるボイドの生成を抑えた半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体素子１１と絶縁基板１３との間の素子下はんだ１２について行う第１はんだ工程と、絶縁基板１３とヒートシンク１５との間の基板下はんだ１４について行う第２はんだ工程を有し、素子下はんだ１２及び基板下はんだ１４は、すずからなるＳｎはんだであり、半導体素子１１には、電極層２２を挟んで密着層２１と酸化防止層２３とを備えた電極部２０が形成されたものであって、第１はんだ工程では、素子下はんだ１２のすずと電極層２２を構成する材料との合金層２５を形成する温度で加熱を行い、更にその第１はんだ工程と前記第２はんだ工程では、合金層２５を素子下はんだ１２中に分離させない温度で加熱を行うようにし半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高充填率で接着剤に混入するのに適したフィラー構造、およびこれを用いた接着剤層およびパワーモジュールを提供する。
【解決手段】パワーモジュール１０は、半導体チップ１１と、ヒートシンク２１と、金属配線２３と、金属配線２３とヒートシンク２１との間に設けられた絶縁性樹脂膜２６と、半田層１４とを備えている。絶縁性樹脂膜２６は、接着剤ＥにフィラーＦを混入して形成された第１の接着剤層２６ａと、第１の接着剤層２６ａの上面および下面の上に設けられた、実質的に接着剤のみからなる第２の接着剤層２６ｂとを有している。第２の接着剤層２６ｂにより、フィラーＦのために接着強度が比較的低い第１の接着剤層２６ａと被接着面との間の接着強度を高めている。 （もっと読む）

【課題】安価で汎用性があり、従来のＰｂ含有の高温系はんだの代替が可能になる新規な合金接合材を提供する。
【解決手段】第１金属被接合材１と第２金属被接合材２とを薄層接合材３を介して積層し積層体４を形成する。薄層接合材３は、ＴｅとＡｇとを主成分にし、Ｓｎ、ＺｎおよびＣｏからなる群から選択された１種以上の元素を含む非鉛系の合金接合材、あるいはＴｅとＡｇとを主成分にし、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｍｇ、Ｐｔ、ＭｎおよびＦｅからなる群から選択された１種以上の元素を含む非鉛系の合金接合材の例えばシートハンダである。この積層体４を３５０℃〜４５０℃の範囲の温度で加熱することによって、高耐熱性を有する接合層５を通して接合された接合体６が得られる。 （もっと読む）

【課題】 異種金属を組み合わせて製造することを容易化する構造を持つフィン付放熱部品およびそれを用いた放熱構造体を提供する。
【解決手段】 金属製の熱伝導板１と、フィン３ａと熱伝導板と異なる金属製の基部３ｂとで構成される、基部付フィン３とを備え、熱伝導板１と基部３ｂとは接合され、熱伝導板と基部の相対向する面の少なくとも一方に、当該面の端へと通じる開通路となる溝３ｃが設けられ、相対向する面の間に接合に用いた金属５が充填されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】耐熱性、導電性（放熱性）および冷間鍛造性に優れる半導体収容金属容器用銅合金線材を提供する。
【解決手段】Ｃｒ０．２〜１．１質量％を含み、残部がＣｕと不可避的不純物とからなる銅合金線材、またはＣｒ０．２〜１．１質量％を含み、さらにＳｎ０．１〜１．０質量％、Ｚｎ０．１〜１．５質量％のうち１種以上を含み、残部がＣｕと不可避的不純物とからなる銅合金線材であって、最大伸びが１０％以上、導電率が５０％ＩＡＣＳ以上、冷間鍛造後４００℃で１時間加熱を行ったときの硬さがＨｖ１３５以上であることを特徴とする半導体収容金属容器用銅合金線材。本発明の銅合金線材は、所定長さに切断し、これを冷間鍛造により円板体とし、さらに皿状の金属容器１に加工される。 （もっと読む）

【課題】一対の金属板の間に半導体素子を挟んだものをモールド樹脂で封止した後、樹脂封止工程におけるワーク固定用のピンによって形成された穴部を封止材で封止してなる半導体装置の製造方法において、封止材とモールド樹脂との剥離を防止する。
【解決手段】ワーク１１０を支持するピンとして、その外周の側面のうち両金属板３、４の内面の間に対応する部位であって且つ第２の金属板４寄りの部位に段差を有するものを用いて樹脂封止工程を行うことによって、穴部１１として、ピンの段差に対応した部位に段差１１ａを有するものを形成し、封止材充填工程では、穴部１１の段差１１ａを越えないように穴部１１に封止材を充填する。 （もっと読む）

【課題】環境に及ぼす影響を考慮した高信頼性の半導体装置を提供する。
【解決手段】セラミック基板２ａの両面に導体層２ｂ，２ｃを形成した絶縁基板２が放熱ベース６上に半田層５を介して半田接合されると共に、その絶縁基板２上にＩＧＢＴ等の半導体チップ４が半田層３を介して半田接合されたパワー半導体モジュール１を形成する際、絶縁基板２と半導体チップ４の接合、および絶縁基板２と放熱ベース６の接合に鉛フリー半田を用いる。また、絶縁基板２と放熱ベース６の接合時には、接合前にあらかじめ放熱ベース６に絶縁基板２が半田接合される面と反対の面側に接合後に平坦か平坦に近い状態が得られるような凸状の反りを与えておく。これにより、放熱ベース６を冷却フィン等に取り付けた際、それらの熱抵抗が低く抑えられ、半導体チップ４の熱が効率的に放散されて異常な温度上昇が防止される。 （もっと読む）