【課題】圧接型半導体モジュールにおいて複数の半導体素子を備えた場合でも半導体素子と冷却部材との熱的接触性及び当該冷却部材の放熱性を維持させる。
【解決手段】半導体モジュール１は半導体素子４を介在させた積層部材２とこの部材２の両面に接触配置される一対の冷却部材３ａ，３ｂとを備える。冷却部材３ａ，３ｂの内部には冷却部材３ａ，３ｂと積層部材２との接触面３０ａ，３０ｂと重複しないように冷媒流路３１が形成されている。冷却部材３ａは付勢部材１６により積層部材２に圧接している。冷却部材３ａ，３ｂは接触面３０ａ，３０ｂと重複しない壁部３２ａ，３２ｂの壁厚が接触面３０ａ，３０ｂと重複する壁部３３ａ，３３ｂの壁厚よりも薄く設定されている。付勢部材１６は密閉部材１７の押圧を受けて壁部３３ａの面に圧接する。積層部材２間の空間には冷却部材３ａ，３ｂによって狭持される絶縁熱分離部材１５が具備される。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージモジュールの設置面積を縮小させる技術を提供する。
【解決手段】半導体パッケージモジュール１は、半導体素子を収容する扁平状の第１のパッケージ２１０、及び半導体素子を収容する扁平状の第２のパッケージ２１０を、互いの主表面同士が対向するように配置された状態でケース体１００に収容している。 （もっと読む）

【課題】小型化が容易であるとともに、加圧部材の組みつけが容易な電力変換装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】複数の半導体モジュール３０と冷却管３１０とを積層してなる積層体３と積層体３を収容するフレーム２とを有する電力変換装置１である。積層体３における積層方向の一端には積層体３を積層方向に加圧する加圧部材４が配置されている。加圧部材４は、積層体３に当接する押圧プレート４０と、フレーム２の内側面２０１に当接する支持プレート４１と、両者の間に設けられた弾性体４２とからなる。加圧部材４は、弾性体４２が積層方向に圧縮された圧縮状態で積層体３とフレーム２の内側面２０１との間に配設されている。加圧部材４は、弾性体４２が圧縮状態よりも更に圧縮された状態を維持しつつ押圧プレート４０と支持プレート４１とを互いに係合可能に構成された係合手段（係合部４１２及び被係合部４０１）を備えている。 （もっと読む）

【課題】組み立て性の良い半導体ユニットを提供する。
【解決手段】半導体ユニット１０は、複数の平板型の素子モジュール１４と冷却器（複数の平板型のヒートシンク１６）が一体となった半導体ユニットである。内部にＩＧＢＴなどの半導体素子を収めた素子モジュール１４から電極１４ａが伸びている。半導体ユニット１０はさらに、細長金属板の先端を有しており素子モジュール１４の電極１４ａと外部回路を電気的に接続するバスバー２０を備える。複数のヒートシンク１６と複数の素子モジュール１４は交互に積層している。電極１４ａとバスバー２０の先端同士が重ねられてスペーサ２２を介して両側のヒートシンク１６によって挟持固定されている。 （もっと読む）

【課題】制御基板上の発熱電子部品の放熱性を向上させる。
【解決手段】ステアリングシャフトに操舵補助力を付与する電動モータと、該電動モータの出力軸とは反対側に配置され電動モータを制御するコントロールユニットとにより構成され、該コントロールユニットは、電動モータに底部が結合された有底筒形状のＥＣＵハウジングと、該ＥＣＵハウジングの内部に収容され電動モータを駆動制御するためのＭＯＳＦＥＴ１７を実装した金属基板１６と、該ＭＯＳＦＥＴ１７を制御するためのマイコン２４を実装したプリント基板１６とを有し、金属基板１６をＥＣＵハウジング内の底面の近傍に配置する一方、プリント基板１６をＥＣＵハウジング内における金属基板１６の開口部側に配置し、該プリント基板１６の金属基板１６と対向する面にマイコン２４を実装し、該マイコン２４と金属基板１６とを熱伝達部材２６を介して接続した。 （もっと読む）

【課題】パワーモジュールと冷却器との間の隙間が変化した場合に、グリースが流出する。
【解決手段】半導体装置は、少なくとも一つの半導体チップ１０２を含む半導体モジュール１０１と、半導体モジュール１０１を冷却する冷却器１０８と、半導体モジュール１０１と冷却器１０８との間を電気的に絶縁する絶縁材１０６とを備える。絶縁材１０６にはグリース１０５、１０７が塗布されており、絶縁材１０６のグリース塗布部の周囲に、弾性体で形成されて、グリース１０５、１０７を取り囲むように絶縁材１０６から突出する凸部３０１、３０２を設け、凸部３０１、３０２を半導体モジュール１０１および冷却器１０８で挟圧する構造とした。 （もっと読む）

【課題】装置の十分な小型化を図り得るモータ駆動装置を提供する。
【解決手段】モータ１０の軸方向一端側にＥＣＵ２０が付設されたモータ駆動装置において、３組の第１〜第３パワーモジュール５１〜５３の放熱面６１ａ〜６３ａを、ＥＣＵハウジング２１内に制御基板２４と直交するように設けたヒートシンク３１〜３３の受熱面４１ａ〜４３ａに当接させる配置とすることで、前記各パワーモジュール５１〜５３の金属基板４０上における占有面積が低減され、ＥＣＵ２０の小型化に供された。 （もっと読む）

【課題】ヒートシンクを正確な位置に容易に取り付けることができ、実装密度を向上させることが可能なヒートシンクの取付構造を提供する。
【解決手段】プリント基板１１０上に配置された電子部品１２０を冷却するヒートシンク１３０の取付構造であって、前記プリント基板１１０上に立設された複数の支柱部１４０と、前記支柱部１４０の間に架け渡された梁部１５０と、を備え、前記梁部１５０は、前記ヒートシンク１３０を懸架して位置決めをする懸架部１５４を有する。 （もっと読む）

【課題】圧接により半導体素子の電極層と電極端子とを電気的に接続する半導体モジュールにおいて、半導体モジュールを構成する構成部材間にかかる圧接力の変化を低減する。
【解決手段】半導体モジュール１は、半導体素子２ａ，２ｂ、ＡＣ電極端子３、ＤＣ電極端子４，５、放熱器６を備える。放熱器６は、蓋部材８と、この蓋部材８と対向して設けられるヒートシンク９と、ばね１０より構成される。蓋部材８とヒートシンク９とを対向して設けることにより、冷媒路１２を形成し、この冷媒路１２中であって、半導体素子２ａ（若しくは、半導体素子２ｂ）の電極面の垂直方向延長上にばね１０を設ける。ばね１０により、ＡＣ電極端子３（若しくは、ＤＣ電極端子４，５）が半導体素子２ａ（若しくは、半導体素子２ｂ）方向に押圧される。 （もっと読む）

【課題】積層体や加圧部材が当接するフレームの当接部の強度を十分に確保することができる電力変換装置を提供すること。
【解決手段】電力変換装置１は、半導体モジュール２１と半導体モジュール２１を冷却する冷却管２２とを積層してなる積層体２と、積層体２における積層方向Ｘの一端側に配置され、積層体２を積層方向Ｘに加圧する加圧部材３と、積層体２及び加圧部材３を内側に収容するフレーム４とを備えている。フレーム４には、フレーム４の表面から突出して形成されていると共に、積層体２及び加圧部材３の少なくともいずれかが当接する当接面４５１を有する複数の当接部４５が設けられ、複数の当接部４５は、フレーム４と共に鋳造により一体的に成形してなる。当接部４５の当接面４５１は、フレーム４の成形時において、最終的に当接面４５１となる位置よりも突出してなる突出部を成形し、その後、突出部を除去することによって形成したものである。 （もっと読む）

【課題】パワー半導体モジュールを構成する部材に、熱膨張係数の異なる部材を用いて半田で接合した場合、温度上昇により半田にせん断応力が働いて半田に亀裂が生じ、熱抵抗が増大して端子の剥離や亀裂が生じる場合がある。
【解決手段】半導体チップを電極材や絶縁材を挟み込んで内部部品とし、その内部部品の上下面から突起部が設けられて板バネ特性を有する薄板を設ける。
この薄板と内部部品の側面をケースで被覆すると共に、冷却ブロックの内面側に冷却媒体の入出口と連通する流通用の溝を設け、この溝側を薄板の突起部側に向けて内部部品と一体的に形成してパワー半導体モジュールを構成する。 （もっと読む）

【課題】半導体モジュールにおける半導体素子の配置の自由度を向上すると共に、放熱性に優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、半導体モジュール２と、冷却部３と、ボルト４とを有している。半導体モジュール２は、半導体素子２１を樹脂部２２内に封止すると共に放熱面２３２を露出させた状態で放熱板２３を上記樹脂部２２に保持してなる。放熱板２３は、ボルト４を螺合するボルト穴２３５を、放熱面２３２に開口するように形成してなる。冷却部３は、放熱面２３２に熱的に接触して半導体モジュール２を冷却するよう構成されると共に、ボルト４を挿通するボルト挿通穴３５を貫通形成してなる。半導体装置１は、ボルト４を上記冷却部３のボルト挿通穴３５に挿通すると共に、放熱板２３のボルト穴２３５に螺合することにより、半導体モジュール２と冷却部３とが互いに固定されている。 （もっと読む）

【課題】半導体モジュールにおける半導体素子の損傷を抑制することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、２つの半導体モジュール４と、２つの半導体モジュール４を挟み込み、２つの半導体モジュール４を冷却する第１及び第２の冷却器２,３と、を備え、半導体モジュール４は、半導体素子４１と、半導体素子４１を挟み込み、半導体素子４１と接続される第１及び第２の導電板４４,４４と、半導体素子４１と第１及び第２の導電板４４,４５を封止するモールド部４６と、を有し、モールド部４６は、第２の導電板４５の第２の露出面４５２と比較して第２の冷却器３に向って相対的に突出する突起部４６１を有し、第１の導電板４４の第１の露出面４４２は、第１の冷却器２により押圧され、突起部４６１は、第２の冷却器３に押圧されて、塑性変形している。 （もっと読む）

【課題】水冷設備を準備できない使用環境でサイリスタチップを冷却する。
【解決手段】サイリスタチップ113,123を具備する圧接型大電力用サイリスタモジュール100において、複数の放熱フィン1bを有するヒートシンク1のベース部分1aに対して絶縁板11とコモンバー12とアノードサブスペーサ181とサイリスタチップ113とカソードサブスペーサ183とカソードスペーサ14とカソード端子バー18とを圧接手段19によって上下方向に圧接し、ヒートシンク1のベース部分1aに対して絶縁板21とコモンバー12とカソードスペーサ24とカソードサブスペーサ193とサイリスタチップ123とアノードサブスペーサ191とアノード端子バー22とを圧接手段29によって上下方向に圧接した。 （もっと読む）

【課題】半導体積層ユニットにおける半導体モジュールのずれを防ぐと共に、半導体積層ユニットの冷却性能の低下を抑制することのできる電力変換装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】電力変換装置１の製造方法である。電力変換装置１は、半導体積層ユニット１０と、フレーム２と、加圧部材３とを有している。半導体積層ユニット１０は、半導体モジュール１１と冷却管１２１とを積層してなる。フレーム２は、底部２１と、前方壁部２２１及び後方壁部２２２とを有している。加圧部材３は、半導体積層ユニット１０とフレーム２の後方壁部２２２との間に配置される。電力変換装置１は、フレーム２の内側に半導体積層ユニット１０及び加圧部材３を配するにあたり、少なくとも半導体積層ユニット１０に対し加圧部材３の加圧力を付与し始める加圧力付与開始時点においては、加圧部材３の加圧方向を底部２１に向かって傾斜させてある。 （もっと読む）

【課題】絶縁性及び熱放散性に優れた熱伝導性絶縁シート、金属ベース基板及び回路基板を提供する。
【解決手段】六方晶窒化ホウ素２が厚さ方向に配向している１又は複数の縦配向シート４上に、六方晶窒化ホウ素２が幅方向又は長さ方向に配向している１又は横配向シート３を積層し、熱伝導性絶縁シート１とする。その際、縦配向シート４の総厚が、横配向シート３の総厚よりも厚くなるようにする。また、金属ベース材上に、熱伝導性絶縁シート１と導体層とをこの順に、かつ横配向シート３が導体層側になるように積層して金属ベース基板とする。更に、金属ベース基板の導体層を加工して、金属ベース回路基板とする。 （もっと読む）

【課題】発生する熱を効率よく放熱可能な半導体装置、および、それを用いた駆動装置を提供する。
【解決手段】半導体装置では、ねじ６８、６９が、パワーモジュール６０をヒートシンクに押圧する。ＭＯＳ８１〜８８は、１つのねじ６８、６９に対し３つ以上配置される。また、ＭＯＳ８１〜８８は、ねじ６８、６９による押圧によりパワーモジュール６０とヒートシンクとの間に生じる圧力がＭＯＳ８１〜８８からの熱を放熱可能な所定の圧力以上である領域に配置される。これにより、少なくともＭＯＳ８１〜８８が配置されている領域では、パワーモジュール６０とヒートシンクとが密着した状態で保持され、ＭＯＳ８１〜８８から発生する熱を効率よくヒートシンクへ放熱することができる。 （もっと読む）

【課題】主回路部を構成する半導体モジュールの積層方向の寸法を増大することなく、主回路部へ付与する押圧力の変化が少なくかつ蓄圧手段に過剰な負荷を与えることのない半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体モジュール１１０と冷却器１２０とを交互に積層した主回路部１００と、主回路部に対し積層方向の押圧力を付与する押圧部２００とを備える。押圧部２００は、主回路部１００の積層方向に平行に付与される圧縮圧力を蓄積する蓄圧手段２１０と、蓄圧手段に圧縮圧力を付与する圧縮手段２３０と、蓄圧手段が蓄積した圧縮圧力を、力の方向を反転させて伝達し、主回路部１００の端部に付与する圧力伝達手段２２０とを備える。 （もっと読む）

【課題】 カーボンナノチューブの形成方法及び熱拡散装置に関し、カーボンナノチューブの直径の制御性を高め且つ成長密度を高める。
【解決手段】 基板表面に平均周期が２０ｎｍ〜１００ｎｍの微細な凹凸を有する凹凸形成層を形成し、前記凹凸形成層の表面上に前記凹凸の形状に沿った形状を有する酸素含有皮膜を形成し、前記酸素含有皮膜上に触媒金属層を形成したのち、熱処理を行うことによって前記触媒金属層を溶融して孤立した複数の触媒微粒子にし、炭素含有ガスを利用した化学気相成長法により、前記触媒微粒子上にカーボンナノチューブを成長させる。 （もっと読む）