【課題】信頼性の高い半導体パッケージおよび半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体パッケージ１は、基板２１と、基板２１の一方の面側に設けられた第１導体パターン２２１と、基板２１の他方の面側に設けられ、第１導体パターン２２１と電気的に接続された第２導体パターン２２４とを備える配線基板２と、基板２１の一方の面に接合され、第１導体パターン２２１に電気的に接続される半導体素子３と、配線基板２に接合され、配線基板２よりも熱膨張係数の小さい金属製の補強部材４、５と、補強部材４の表面の少なくとも一部を覆うように設けられた絶縁性樹脂層６１と、補強部材５の表面の少なくとも一部を覆うように設けられた絶縁性樹脂層６２と、を有する。 （もっと読む）

【課題】セラミックス基板、ダイヤモンド基板等の無機系材料の放熱材料は硬度が高く難加工性であり、グラファイトフィルム、カーボンナノチューブ等の炭素系材料は放熱性が低かった。
【解決手段】グラファイト基板の表面にナノメートルのオーダの凹凸構造を加工する（ステップ３０１）。さらに、その表面に表面保護層を形成する（ステップ３０２） （もっと読む）

【課題】
高い熱伝導率と半導体素子に近い熱膨張率を兼ね備え、さらには、半導体素子のヒートシンク等として使用するのに好適なように、表面の面粗さ、平面度を改善したアルミニウム−ダイヤモンド系複合体を提供する。
【解決手段】
ダイヤモンド粒子を４０体積％〜７０体積％含有し、残部がアルミニウムを含有する金属で構成され、厚みが０．４〜６ｍｍの板状又は凹凸部を有する板状のアルミニウム−ダイヤモンド系複合材料であって、両主面が厚み０．０５〜０．５ｍｍのアルミニウム−セラミックス系複合体で被覆され、且つ側面部及び穴部がアルミニウム−ダイヤモンド系複合体が露出してなる構造であることを特徴とするアルミニウム−ダイヤモンド系複合体を提供する。 （もっと読む）

【課題】単純な構成で高い放熱特性をもった半導体モジュールを得る。
【解決手段】絶縁基板１１の裏面全面には、放熱板１７が接合されている。ここで、放熱板１７は、第１の黒鉛層１７１と第２の黒鉛層１７２が積層された構造がＤＬＣ膜１７３でコーティングされた構造である。第１の黒鉛層１７１、第２の黒鉛層１７２は、共にグラファイトで構成される。第１の黒鉛層１７１において六角形環が広がる方向を水平方向とし、第２の黒鉛層１７２において六角形環が広がる方向を垂直方向とする。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスとその製造方法において、冷却効率を高めること。
【解決手段】表面に複数の溝３０ｂが形成された基体３０と、パリレン薄膜３３を介して主面４０ａが基体３０の表面に接続された電子部品４０とを有し、主面４０ａと溝３０ｂにより冷却流体Cが通る通路が画定され、溝３０ｂの内面にパリレンが存在する電子デバイスによる。 （もっと読む）

【課題】互いに積層状に配置された金属板とセラミック板とを備えた積層材であって、最外側にＮｉを主成分とする金属板がＮｉ層として配置された積層材を安価に製造することができる積層材を提供する。
【解決手段】積層材1は、複数枚の金属板2,3,31と少なくとも１枚のセラミック板4とが、金属板2,3,31とセラミック板4とが隣接するように、且つ、少なくとも２枚の金属板3,31が互いに隣接するように積層されるとともに、隣り合う金属板3,31どうし、および、隣り合う金属板2,3とセラミック板4とが放電プラズマ焼結法により接合されている。前記少なくとも２枚の金属板のうち最外側に配置された金属板31が、Ｎｉを主成分とするＮｉ板である。 （もっと読む）

【課題】容器の変形を防ぐことで高い信頼性を維持することができ、かつ、作業性よく低コストで製造することができる熱輸送デバイス及びこれを搭載した電子機器を提供すること。
【解決手段】
熱輸送デバイス１００では、容器１内に、容器１を補強する流路部材２が設けられる。この流路部材２には、作動流体が膨張したときに、膨張した作動流体が退避する退避路としての切欠き１０が形成される。これにより、容器１の内部及び外部の圧力差による容器１の変形を防止することができ、また、膨張した作動流体の圧力により容器１が変形することを防止することができる。この結果、熱輸送デバイス１００の高い信頼性を維持することができる。切欠き１０は、例えば流路部材２をダイシング加工やプレス加工等により加工することで簡単に形成されるので、熱輸送デバイス１００を作業性よく低コストで製造することができる。 （もっと読む）

【課題】 高い熱伝導率、高い耐熱性、低コストな熱伝導性シートを提供する。
【解決手段】 熱伝導性フィラーと熱可塑性樹脂との体積基準での配合割合が熱伝導性フィラー：熱可塑性樹脂＝１０〜９０：９０〜１０からなる熱伝導性樹脂層からなり、
前記熱伝導性樹脂層が電子線の照射で架橋させてなることを特徴とし、上記熱可塑性樹脂がエチレン及びオクテンを主成分としたブロックコポリマーであり，また、加熱収縮率が５％以下であることも特徴とする。 （もっと読む）

【課題】熱輸送デバイスの内部の気密性を向上させることができる熱輸送デバイスの製造方法、その熱輸送デバイス及びこれを搭載した電子機器を提供すること。
【解決手段】環状の刃２１を有するカシメピン２０により筐体１２の注入口１ａを囲う領域が押しつぶされる（カシメる）。つまり、その刃２１により注入口１ａを囲み、カシメピン２０が押されることにより、注入口１ａの周囲が押しつぶされる。その結果、仮封止溝１ｂが形成され、これによって注入路２ｃと作用領域８との連通が遮断され、注入路２ｃが仮封止される。仮封止後、注入口が別のカシメピンにより押しつぶされ、その部分がレーザにより溶接されることで、注入口が封止される。 （もっと読む）

【課題】溶接スパッタの半導体チップ表面への付着を防止する。
【解決手段】セラミックス４上に形成されたコレクタ銅箔５と、コレクタ銅箔５上に固着された半導体チップ７と、半導体チップ７上に固着された金属ブロック９と、金属ブロック９の溶接部１６を露出させて、半導体チップ７を被覆したカバー樹脂２６と、金属ブロック９の溶接部１６にレーザ溶接で接続されたエミッタ端子１１と、を有する半導体装置では、レーザ溶接により発生した溶接スパッタ２７の半導体チップ７の表面への付着がカバー樹脂２６により防止される。 （もっと読む）

【課題】両面放熱型の半導体装置において、放熱板の平面サイズを増加させることなく、放熱性の向上を図る。
【解決手段】半導体素子１と、半導体素子１の表面側、裏面側にそれぞれ電気的および熱的に接合された放熱板２、３と、各放熱板２、３における半導体素子１とは反対側の面である放熱面２ｂ、３ｂに熱的に接合された冷却器９とを備える半導体装置１００において、それぞれの放熱板２、３のうち半導体素子１が投影された部位の放熱面２ｂ、３ｂは、当該放熱面２ｂ、３ｂに対向する冷却器９に向かって突出する凸部１０となっており、冷却器９のうち凸部１０に対向する部位は、凹部１１となっており、これら凸部１０と凹部１１とが嵌合しており、凸部１０と凹部１１との間には、これら両部１０、１１を電気的に絶縁する絶縁膜１２が設けられ、絶縁膜１２を介して凸部１０と凹部１１とが接触している。 （もっと読む）

【課題】密着性の悪い非晶質炭素被膜の密着性を向上し、より簡便に非晶質炭素被膜の表面に接合する部材に対して優れた接着性を有する放熱部材、その放熱部材を用いた半導体装置さらにそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】熱伝導性を有する基材と、該基材の表面の少なくとも一部に被覆され、主成分としての炭素および基材側よりも反基材側の表層部に多く存在する珪素を含む絶縁性の非晶質炭素被膜と、非晶質炭素被膜の表面に固定され、非晶質炭素被膜中の珪素とＳｉ−Ｏ−Ｍ結合する（Ｍ＝Ｓｉ、Ｔｉ、Ａｌ或いはＺｒ）Ｍを含む樹脂からなる接合層と、からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】発熱デバイスが発生する熱を効率よく放散することが可能であるとともに、軽量かつ放熱用サーマルモジュール等への取り付け作業が容易であり、電子モジュールに悪影響を与える炭素粉等の塵が発生しない。
【解決手段】金属シート12の主面12a及び裏面12bの双方又はいずれか一方の面にポリピロール重合体膜(10又は14)が形成された構成、あるいは、セルロースシートにポリピロール重合体が浸潤されたポリピロール浸潤シート18の主面18a及び裏面18bの双方又はいずれか一方の面に金属層(16又は20)が密着された構成、あるいは、セルロースシートにポリピロール重合体が浸潤されたポリピロール浸潤シート26の主面26a及び裏面26bの双方又はいずれか一方の面に接着部材(24又は28)を介して金属シート(22又は30)が接着された構成の放熱シートである。 （もっと読む）

【課題】窒化珪素を母材としたセラミックス基板へのアルミニウム板の接合性を向上させたパワーモジュール用基板を提供する。
【解決手段】窒化珪素を母材とするセラミックス基板２の上に回路層用アルミニウム板７をろう付け接合してなるパワーモジュール用基板の製造方法であって、窒化アルミニウム又はアルミナのうちのいずれか又はこれらの混合物からなるセラミックス粉末をガス中に分散してエアロゾル化し、そのエアロゾルをセラミックス基板２に噴射することにより、該セラミックス基板２の表面にセラミックス被膜６を形成し、その後、該セラミックス被膜６の上に回路層用アルミニウム板７をろう付け接合する。 （もっと読む）

【課題】過酷な熱サイクル環境の下でも割れ等の発生のないパワーモジュール用基板を提供する。
【解決手段】セラミックス基板２の上に回路層用金属板７をろう付け接合してなるパワーモジュール用基板の製造方法であって、セラミックス粉末をガス中に分散してエアロゾル化し、そのエアロゾルをセラミックス基板２に噴射することにより、該セラミックス基板２の表面にセラミックス被膜６を形成し、その後、該セラミックス被膜６の上に回路層用金属板７をろう付け接合する。 （もっと読む）

様々な態様によると、例示的実施形態は熱インターフェイス材料組立体を提供する。一つの例示的実施形態において、熱インターフェイス材料組立体は一般に、第一側面および第二側面を有する熱インターフェイス材料と、約０．０００５インチ（０．０１２７ｍｍ）以下の厚さを有する乾燥材料とを備える。前記乾燥材料は前記熱インターフェイス材料の第一側面の少なくとも一部に沿って配置される。
（もっと読む）

【課題】炭素元素からなる線状構造体を用いた熱伝導度及び電気伝導度が極めて高いシート状構造体及びその製造方法、並びにこのようなシート状構造体を用いた高性能の電子機器を提供する。
【解決手段】互いに第１の間隙をもって配置された複数の炭素元素からなる線状構造体を含み、互いに第１の間隙よりも大きな第２の間隙をもって配置された複数の線状構造体束１２と、第１の間隙及び第２の間隙に充填され、複数の線状構造体束１２を保持する充填層１４とを有する。 （もっと読む）

【課題】接合部の信頼性が高く、製造コストが安価で、形状精度の良好な放熱構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】放熱構造体Ａは、ヒートシンク２１の上に、溶射法（コールドスプレー法）によって形成された溶射金属層２８とを備えている。溶射法を用いて、溶射金属層２８を形成して放熱構造体Ａを形成する。その際、溶射によってヒートシンク２１の上面付近に加工ひずみが生じ、ヒートシンク２１の平面部２１ａの上面側が凸になるように、放熱構造体Ａが反る。次に、放熱構造体Ａを加熱した後プレスするか、加熱しながらプレスする。再結晶が進行するこことにより、溶射によってヒートシンク２１に生じた加工ひずみを緩和させて、放熱構造体Ａの変形を矯正する。 （もっと読む）

【課題】発熱特性の異なる複数の半導体素子が実装される場合であっても、複数の半導体素子を効率よく冷却できる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、配線基板１１と、配線基板１１の上に実装された複数の半導体素子１７と、複数の半導体素子１７の上に配置され、配線基板１７に対して水平方向に水を流すための冷却流路２２を備えた放熱板２１とを有する。複数の半導体素子１７は冷却流路２２に沿って配置されており、複数の半導体素子１７のうち、冷却流路２２の流入側には冷却流路２２の流出側に配置される半導体素子１７ａよりも発熱量が小さい半導体素子１７ｃが配置される。冷却流路２２の流入側に配置される半導体素子はメモリ素子であり、冷却流路２２の流出側に配置される半導体素子はロジック素子であるようにしてもよい。 （もっと読む）

【課題】接合部の信頼性が高く、製造コストが安価で、熱伝導度の良好な放熱構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】放熱構造体は、ヒートシンク２１の上に、溶射法（コールドスプレー法）によって形成された溶射金属層２８とを備えている。溶射法を用いて、溶射金属層２８を形成した後で、溶射金属層２８中の欠陥を低減するための熱処理を行う。熱処理によって再結晶が進行することで、結晶粒が大結晶粒に成長して結晶粒界が低減するとともに、原子空孔、転位などの格子欠陥も低減される。結晶粒界の界面におけるフォノン散乱の減少や、格子振動の非調和性の減少により、溶射金属層２８の熱伝導度が向上する。 （もっと読む）