【課題】減少されたゲート高さを有する集積回路トランジスタを形成する方法およびシステムを開示すること。
【解決手段】本方法は、基板、基板の上のゲート導体（１３）、およびゲート導体（１３）の上の少なくとも１つの犠牲層（１４〜１６）を有する積層構造を形成する。このプロセスは、積層構造を基板から延びる少なくとも１つのゲート・スタックにパターン形成し、ゲート・スタックに隣接してスペーサ（６０）を形成し、ゲート・スタックに隣接してソースおよびドレイン領域（７１）を形成するようにスペーサで保護されていない基板の領域にドーピングし、そして、スペーサ（６０）および犠牲層（１４〜１６）を除去する。 （もっと読む）

集積回路（１００）の形成方法（９００）およびその構造を提供する。半導体基板（１０２）上にゲート誘電体（１０４）が形成され、ゲート誘電体（１０４）上にゲート（１０６）が形成される。半導体基板（１０２）に浅いソース／ドレイン接合部（３０４）（３０６）が形成される。ゲート（１０６）の周りに側壁スペーサ（４０２）を形成する。この側壁スペーサ（４０２）を使用して、半導体基板（１０２）中に深いソース／ドレイン接合部（５０４）（５０６）が形成される。浅いソース／ドレイン接合部および深いソース／ドレイン接合部（５０４）（５０６）を形成した後、側壁スペーサ（４０２）上にシリサイドスペーサ（６１０）を形成する。シリサイドスペーサ（６１０）に隣接する深いソース／ドレイン接合部（５０４）（５０６）上にシリサイド（６０４）（６０６）を形成し、半導体基板（１０２）上に誘電体層（７０２）をたい積する。その後、誘電体層（７０２）においてシリサイド（６０４）（６０６）へのコンタクトを形成する。
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ＭＩＳＦＥＴの高性能化を実現する高移動度歪みシリコン構造に、低欠陥かつ低コストで移動度を向上した半導体装置を提供する。ＭＩＳＦＥＴの高性能化を実現する高移動度歪みシリコン構造として、空洞を有するシリコン基板上に、格子緩和シリコン・ゲルマニウム膜／濃度傾斜シリコン・ゲルマニウム膜を形成し、さらにその上に歪みシリコン膜を形成する。これにより、空洞近傍の格子の束縛が緩み、自由度が増すことにより、シリコン・ゲルマニウム膜の薄膜化が実現できるため、低欠陥かつ低コストで移動度を向上した半導体装置を提供できる。 （もっと読む）

【課題】 ｐ型電界効果トランジスタ（ＰＦＥＴ）およびｎ型電界効果トランジスタ（ＮＦＥＴ）を有する集積回路を提供することにある。
【解決手段】 第１の歪みは、ＮＦＥＴではなくＰＦＥＴのみのソースおよびドレイン領域内に配置されたシリコン・ゲルマニウムなどの格子不整合半導体層を介してＮＦＥＴではなくＰＦＥＴのチャネル領域に加えられる。ＰＦＥＴおよびＮＦＥＴを形成するプロセスが提供される。ＰＦＥＴのソースおよびドレイン領域になるためのエリア内にトレンチがエッチングされ、それに隣接するＰＦＥＴのチャネル領域に歪みを加えるために、格子不整合シリコン・ゲルマニウム層をそこにエピタキシャル成長させる。シリコン・ゲルマニウム層の上にシリコンの層を成長させ、シリコンの層からサリサイドを形成して、低抵抗ソースおよびドレイン領域を提供することができる。 （もっと読む）

複数の積層された層群を有する超格子を形成するステップによって、半導体装置を製作する方法である。また当該方法は、前記超格子を通って、前記積層された層群と平行な方向に、電荷キャリアの輸送が生じる領域を形成するステップを有する。超格子の各層群は、基本半導体部分を定形する複数の積層された基本半導体分子層と、該基本半導体部分上のエネルギーバンド調整層と、を有する。前記エネルギーバンド調整層は、基本半導体部分に隣接する結晶格子内に取りこまれた、少なくとも一つの非半導体分子層を有し、前記超格子は、超格子が存在しない場合に比べて、前記平行な方向において大きな電荷キャリア移動度を有する。また前記超格子は、共通のエネルギーバンド構造を有しても良い。

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半導体装置は、基板と、該基板に隣接する少なくとも一つのMOSFETとを有する。MOSFETは、超格子チャンネルを有し、該超格子チャンネルは、複数の積層された層群を有する。またMOSFETは、超格子チャンネルと水平方向に隣接するソースおよびドレイン領域と、超格子上に設置されたゲートと、を有し、超格子チャンネルを通って、積層された層群と平行な方向に電荷キャリアの輸送が生じる。超格子チャンネルの各層群は、基本半導体部分を定形する複数の積層された基本半導体分子層と、該基本半導体部分上のエネルギーバンド調整層と、を有する。エネルギーバンド調整層は、基本半導体部分に隣接する結晶格子内に取り込まれた、少なくとも一つの非半導体分子層を有し、超格子チャンネルは、平行な方向において、エネルギーバンド調整層がない場合に比べて大きな電荷キャリア移動度を有する。

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【課題】 ひずみＳｉ／Ｓｉ_1-XＧｅ_Xデバイス基板において、極めて浅い接合を形成する方法およびそれによって得られる半導体構造を提供する。
【解決手段】 半導体デバイスを形成する方法（およびその結果として得られる構造）は、基板上に、ドーパントおよび少なくとも１つの種を注入するステップと、基板をアニールするステップであって、少なくとも１つの種が、基板のアニールの間のトーパントの拡散を遅らせるステップと、を含む。 （もっと読む）

半導体装置は、複数の積層された層群を有する超格子を有する。超格子の各層群は、基本半導体部分を定形する複数の積層された基本半導体分子層と、該基本半導体部分上のエネルギーバンド調整層と、を有する。さらにエネルギーバンド調整層は、少なくとも一つの非半導体分子層を有し、この層は、連接する基本半導体部分の結晶格子内に閉じ込められる。従って超格子は、平行な方向において、エネルギーバンド調整層がない場合に比べて大きな電荷キャリア移動度を有する。
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集積回路（１００）の形成方法（９００）およびその構造体が提供される。半導体基板（１０２）上にゲート誘電体（１０４）が形成され、半導体基板（１０２）上のゲート誘電体（１０４）上にゲート（１０６）が形成される。半導体基板（１０２）にソース／ドレイン接合部（５０４／５０６）が形成される。ソース／ドレイン接合部（５０４／５０６）上に超均一シリサイド（６０４／６０８）が形成され、半導体基板（１０２）の上方に誘電体層（７０２）が堆積される。次いで、誘電体層（７０２）に、超均一シリサイド（６０４／６０８／６０６）へのコンタクトが形成される。
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【課題】 従来のＭＯＳＦＥＴデバイスに比べてＧＩＤＬ電流が小さい低ＧＩＤＬ電流ＭＯＳＦＥＴデバイス構造を提供する。
【解決手段】 ＭＯＳＦＥＴデバイス構造は、縁部がソース／ドレイン拡散にわずかに重なる場合（８２）がある中央ゲート導体と、薄い絶縁性の拡散バリア層によって中央ゲート導体から分離した側方ウイング・ゲート導体とを含む。また、側方ウイング・ゲート導体の左右の横方向の縁部が、前記ソース拡散領域および前記ドレイン拡散領域の一方に重なる場合（８０）も含まれる。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上のＳｉ_１−ｘＧｅ_ｘ層を用いた素子構造において、電流駆動能力の高いＭＩＳＦＥＴを含む半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】シリコン基板１０１上に、Ｓｉ_１−ｘＧｅ_ｘ層１０３を形成し、このＳｉ_１−ｘＧｅ_ｘ層１０３にＭＩＳＦＥＴを形成する。ソース層及びドレイン領域１０６，１０７の接合深さを、前記Ｓｉ_１−ｘＧｅ_ｘ層１０３とシリコン層とが接する面を越えないようにする。 （もっと読む）