【課題】
固体レーザ発振器を用い、アニール領域を接続して広い面積を均一に多結晶化する。
【解決手段】
固体レーザ光源から出射するレーザビームを複数本の均等なレーザビームに分割し、複数本のレーザビームの各々を均等な長尺状開口を有する複数のマスクの対応する１つに照射し、ａーＳｉ膜上の所定ピッチで配列された複数の加工位置に、それぞれＡＦを行って、複数のマスクの結像をそれぞれ照射し、ａーＳｉ膜を溶融させ、冷却期間に溶融したａーＳｉ膜をラテラル結晶成長させ、ａーＳｉ膜上で、複数のマスクの結像を短尺方向に１つのラテラル結晶成長幅未満移動して、ラテラル成長を繰り返し、ラテラル結晶をストライプ状に伸張させ、ａーＳｉ膜上で、複数のマスクの結像位置をマスクの長尺方向にずらし、前回成長したストライプ状ラテラル結晶に端部を重ねて、ストライプ状アニールを繰り返し、ストライプ状ラテラル結晶の幅を増加する。 （もっと読む）

【課題】干渉の影響を無くし、レーザビームの強度分布を均一にする。
【解決手段】ビームホモジナイザ１００は反射面を向かい合うように配置された２つの反射ミラー１０３、１０４を有する。レーザビームＬＢは、２つの反射ミラー１０３、１０４の間で反射しながら、これらの間を伝搬することで強度分布が均一にされるが、干渉もする。２つの反射ミラー１０３、１０４をレーザビームＬＢの走査方向と直交する方向に振動させることで、レーザビームＬＢの振動方向の強度分布を時間的に平均化する。 （もっと読む）

【課題】レーザビーム照射領域の結晶粒が均一な結晶性を有する半導体薄膜を製造するレーザ加工方法および結晶化装置の提供。
【解決手段】レーザ発振器と、矩形状スリット投影マスクと、被照射物上に結像する結像手段と、被照射物を支持するステージと、前記像とステージとを相対的に移動させる移動手段と、レーザ発振器と移動手段とを制御する制御手段と、前記投影マスクは、第１のスリットと、第１のスリットより幅の広い第２のスリットとを含み、前記制御手段は、第１領域内に対し第１のスリットの像を結像し、第１領域内の前駆体半導体材料を溶融し、溶融した第１領域内の前駆体半導体材料を凝固させて結晶化した後、第１領域と部分的に重畳するように前駆体半導体材料からなる層上に新たな第２領域を定め、第２領域内に第２のスリットの像を結像して溶融、凝固させて結晶化する一連の工程を繰り返す結晶化装置およびレーザ加工方法。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板、下地保護膜、及び結晶性珪素膜に亀裂が入ることを抑制することが可能な結晶性珪素膜の作製方法、及び半導体装置の作製方法を提案することを課題とする。
【解決手段】熱膨張率が６×１０^−７／℃より大きく３８×１０^−７／℃以下のガラス基板上に、半導体膜を含む層を形成し、当該層を加熱する。次に、加熱された層に、紫外光であって、レーザビームの幅が１００μｍ以下で、レーザビームの幅に対するレーザビームの長さの比が１対５００以上であり、レーザビームのプロファイルの半値幅が５０μｍ以下であるパルス発振のレーザビームを照射して、結晶性半導体膜を形成する。ガラス基板上に形成する半導体膜を含む層は、上記加熱後において全応力が−５００Ｎ／ｍ以上＋５０Ｎ／ｍ以下、好ましくは−１５０Ｎ／ｍ以上０Ｎ／ｍ以下となるような層を形成する。 （もっと読む）

【課題】面積が広く、かつ均一な強度分布のレーザビームで溶融、再結晶化を実現することにより、回路設計上の自由度を大として集積度を向上するための半導体製造装置と、その製造方法を提供する。
【解決手段】レーザビーム発生するレーザ源と、レーザビームを走査方向と交差する方向の両側に傾けて揺動させるミラー装置とを具備し、前記走査方向と交差する方向の中央部のエネルギー強度よりも両端部のエネルギー強度が大きいレーザビームを、絶縁基板上に形成された半導体膜に、絶縁基板またはレーザビームを走査しながら照射する。 （もっと読む）

【課題】簡便な製造プロセスにより、量産対象である大型のガラス基板に、信
頼性が高く、集積度の高い高性能半導体装置を得る。
【解決手段】結晶化を促進する微量の触媒元素であるニッケル１０５が導入さ
れたａ−Ｓｉ膜１０３を加熱処理して結晶化された結晶性のケイ素膜１０８の一
部の領域（高濃度不純物領域）１０８ｂに選択的に５族Ｂから選択された不純物
であるリン１１７を導入し、第２の加熱処理を行って、結晶性のケイ素膜１０８
のリン１１７が導入されていない領域（能動領域）１０８ａに含まれるニッケル
１０５を高濃度不純物領域に移動させる。この第２の加熱処理は、能動領域１０
８ａに含まれるニッケル１０５の濃度と高濃度不純物領域１０８ｂに含まれるニ
ッケル１０５の濃度とが少なくとも熱平衡状態の偏析状態に達しないように行う
。 （もっと読む）

【課題】非単結晶半導体の結晶化を安全かつ高効率に行なうことが可能な半導体製造装置および半導体製造方法を提供する。
【解決手段】円柱または円筒の形状の回転ステージを有するローラーと、エネルギービームを出射するエネルギービーム照射機構と、ローラーおよびエネルギービーム照射機構を収容するチャンバーと、ローラーとエネルギービームの光軸との相対的な位置関係を変化させるための照射位置移動機構とを備え、該回転ステージは、円柱または円筒の底面の中心を通り底面と垂直をなす回転軸を中心に回転可能であり、回転ステージの側面の少なくとも一部の領域に基板ステージが設けられ、照射位置移動機構は、上記側面に対してエネルギービームが螺旋状に走査されるように上記の位置関係を回転軸の方向に変化させる機構であり、チャンバーはエネルギービームを遮蔽する材質からなる、半導体製造装置に関する。 （もっと読む）

【課題】ビームエキスパンダー光学系を介して被照射物にレーザ光の照射を行う場合に、被照射物へのレーザ光の照射位置の誤差を低減させ、かつ、ビームエキスパンダー光学系を作り替えることなく任意の大きさのレーザ光を照射することができるレーザ光照射装置およびレーザ光の照射方法の提供を目的とする。
【解決手段】レーザ発振器と、ズーム機能を具備するビームエキスパンダー光学系と、レーザ発振器とビームエキスパンダー光学系とを共役にする位置に配置された補正レンズとを有するレーザ光照射装置であって、ビームエキスパンダー光学系は、少なくとも３枚のレンズを有し、レーザ光の進行方向において順に第１のレンズ、第２のレンズ、第３のレンズとすると、第２のレンズおよび第３のレンズはレーザ光の倍率にあわせて連動する。 （もっと読む）

【課題】非結晶半導体膜を全面高結晶化することができ、非結晶半導体膜を、略全面において、粒状結晶部分がほとんどなく、しかもつなぎ目のないラテラル結晶膜とすることも可能なレーザアニール技術を提供する。
【解決手段】粒状結晶部分及び非結晶部分が融解し、ラテラル結晶部分が融解しない条件でレーザアニールを実施し、かつ、下記式（１）を充足するよう、粒状結晶部分におけるレーザ光照射条件を非結晶部分におけるレーザ光照射条件とは変えて、レーザアニールを実施する。
｜ＥＡ−ＥＰ｜＜｜ＥＡ−ＥＰｓ｜・・・（１）
（ＥＡ：非結晶部分におけるレーザ光の単位面積当たりの吸収光エネルギー。ＥＰｓ：非結晶部分と同一のレーザ光照射条件でレーザ光を照射したときの、粒状結晶部分におけるレーザ光の単位面積当たりの吸収光エネルギー。ＥＰ：粒状結晶部分におけるレーザ光の単位面積当たりの実際の吸収光エネルギー。） （もっと読む）

【課題】非結晶半導体膜を全面高結晶化することができ、非結晶半導体膜を略全面において、粒状結晶部分がほとんどなく、しかもつなぎ目のないラテラル結晶膜とすることも可能なレーザアニール技術を提供する。
【解決手段】非結晶半導体からなる被アニール半導体膜に対して、ラテラル結晶が成長する条件でレーザ光を照射するレーザアニールを実施してラテラル結晶を成長させ、さらに、アニール領域をずらして、ラテラル結晶の外側に生成された粒状結晶の少なくとも一部及び結晶化されずに残っている非結晶の少なくとも一部を含む領域に対して、レーザアニールを再度実施して、該部分をラテラル結晶化させる操作を１回以上実施する。このとき、被アニール半導体膜の粒状結晶部分及び非結晶部分が融解し、かつ被アニール半導体膜のラテラル結晶部分が融解しない条件で、レーザアニールを実施する。 （もっと読む）

【課題】結晶粒界の方向や結晶粒の幅を制御することが可能な結晶性半導体膜の作製方法を提供する。
【解決手段】基板上に絶縁膜を形成し、絶縁膜上に非晶質半導体膜を形成し、非晶質半導体膜上に、キャップ膜を形成し、キャップ膜を透過する連続発振又は繰り返し周波数が１０ＭＨｚ以上のレーザビームが非晶質半導体膜に照射されるように走査して非晶質半導体膜を溶融させた後結晶化する。このとき、レーザビームのビームスポットにおける長さ方向のエネルギーの周期が０．５μｍ以上１０μｍ以下、好ましくは１μｍ以上５μｍ以下であり、レーザビームのビームスポットにおける幅方向のエネルギー分布はガウス分布であり、非晶質珪素膜の一領域あたりにレーザビームを５マイクロ秒以上１００マイクロ秒以下照射するようにレーザビームを走査する。 （もっと読む）

【課題】ＳＥＬＡＸ−ＴＦＴの特性向上とＥＬＡ結晶化のスループットの向上を実現する。
【解決手段】同一基板１０１上に擬似単結晶半導体１１３を用いた薄膜トランジスタと粒状の多結晶半導体１１２を用いた薄膜トランジスタの形成における結晶化前の非晶質半導体膜の膜厚を、擬似単結晶半導体部分２０５＞多結晶半導体部分２０６とした。 （もっと読む）

【課題】レーザー結晶化法により、粒界が一方向に揃った結晶質半導体膜と、その作製方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成した半導体膜を線状レーザー光により結晶化するに際して、ストライプ状に凹凸が形成された位相シフトマスクを用いる。位相シフトマスクに形成されたストライプ状の凹凸は線状レーザー光の長軸方向と垂直に近い角度をなすように形成されている。レーザー光には連続発振のレーザー光を用い、該レーザー光の走査方向はストライプ状の凹凸（溝）の方向とほぼ平行である。長軸方向に周期的にレーザー光の輝度を変化させることによって、完全溶融した半導体膜の結晶核生成位置を制御することができる。 （もっと読む）

【課題】 注入する不純物の種類または濃度が異なる３種類の半導体層を作り分けるために必要なレジストの形成に用いる露光マスクの数を１つにする。
【解決手段】 基板の上に、第１の領域および第２の領域は覆われ、第３の領域は開口した第１のレジストを、第１の領域における厚さが第２の領域における厚さよりも厚くなるように形成する第１の工程と、第１のレジストをマスクにして、第３の領域にある半導体膜のみに不純物を注入する第２の工程と、第１のレジストを薄くして、第１の領域は覆われ、第２の領域および第３の領域は開口した第２のレジストを形成する第３の工程と、第２のレジストをマスクにして、第２の領域および第３の領域にある各半導体膜に同時に不純物を注入する第４の工程と、第１の領域および第２の領域ならびに第３の領域にある各半導体膜に同時に不純物を注入する第５の工程とを有する表示装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 基板の上に成膜したアモルファス半導体膜に連続発振レーザを照射して多結晶半導体膜を形成したときの結晶性のむらを低減する。
【解決手段】 基板の上に成膜されたアモルファス半導体膜に連続発振レーザを照射し、該アモルファス半導体膜を溶融、結晶化させて多結晶半導体膜を形成する工程を有する表示装置の製造方法であって、前記多結晶半導体膜を形成する工程は、前記アモルファス半導体膜が成膜された前記基板を回転させるとともに、該基板の前記アモルファス半導体膜が成膜された面と平行な一方向に相対移動させながら前記連続発振レーザを前記アモルファス半導体膜に照射して、微結晶または粒状結晶の集合で構成される多結晶シリコン膜を形成する工程であり、前記基板の回転軸は、該基板の前記アモルファス半導体膜が成膜された面の法線方向と概ね一致しており、かつ、前記基板上を通る表示装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】熱プラズマジェット結晶化技術を更に改良し、従来よりも更に均一性を高めて半導体膜の結晶化を行うこと。
【解決手段】基板(106)上に半導体膜(104)を形成する第１工程と、熱プラズマ(103)を、上記半導体膜の表面と平行な第１軸に沿って移動させながら上記半導体膜に当てる第２工程と、上記熱プラズマを、当該熱プラズマの噴出孔(107)の直径Φの１０％以下の距離ｄだけ上記第１軸と直交する第２軸方向にずらす第３工程と、上記熱プラズマを、上記第１軸に沿って移動させながら上記半導体膜に当てる第４工程と、を含む、半導体膜の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】基板、下地保護膜、及び結晶性珪素膜に亀裂が入ることを抑制することが可能な結晶性珪素膜の作製方法、及び半導体装置の作製方法を提案することを課題とする。
【解決手段】熱膨張率が６×１０^−７／℃より大きく３８×１０^−７／℃以下、好ましくは６×１０^−７／℃より大きく３１．８×１０^−７／℃以下の基板上に、半導体膜を含む層を形成し、当該層を加熱する。次に、加熱された層にレーザビームを照射して、半導体膜を結晶化して結晶性半導体膜を形成する。基板上に形成する半導体膜を含む層は、上記加熱後においては、半導体膜を含む層の全応力が−５００Ｎ／ｍ以上＋５０Ｎ／ｍ以下、好ましくは−１５０Ｎ／ｍ以上０Ｎ／ｍ以下となるような層を形成する。 （もっと読む）

【課題】絶縁基板上に形成されたシリコン膜の膜厚ムラに起因するアニール用レーザエネルギ密度の過不足を抑制して均質な帯状結晶とする。
【解決手段】ステージ２１に載置した基板２０上の非晶質シリコン膜の膜厚を予め測定して制御装置２９のメモリ３０に格納しておき、基板２０の各パネル部分の膜厚に対して適正なエネルギ密度でレーザ照射されるように、レーザ光学系を構成する透過率連続可変フィルタ６の透過率、あるいは連続発振レーザ光３のＯＮ／ＯＦＦを行うモジュレータ７に印加する電圧を調整する。 （もっと読む）

ガラス基板のシリコン層をアニールする細いビームの指向性結晶化システムにおいて、１つのエッジにおける強度ピークを有する特定のレーザビームプロファイルが用いられる。そのシステムは、横方向結晶成長をもたらすシリコン層の空間的に制御される部分の全部を融解する。基板又はレーザを特定のステップサイズだけ進めて、シリコン層をレーザによる連続的な“ショット”の影響下に置くことにより、シリコン層全体が結晶化される。横方向結晶成長は、再融解される必要がある融解領域の中央において凸部を生成する。従って、ステップサイズは、凸部の融解を確実にするように、連続するショット間の、即ち、融解ゾーンの十分な重なりを可能にする必要がある。これは、ビーム幅の半分より小さいステップサイズを必要とする。本発明のシステム及び方法に従って用いられる特定のレーザプロファイルは、ステップサイズを増加し、それにより、スループットを高め、且つコストを低減する。
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【課題】工程時間の短縮及びコスト低減が可能な、有機発光表示装置を提供する。
【解決手段】データラインと、スキャンラインと、第１電源電圧部と、第２電源電圧部と、初期化電圧部と、有機電界発光素子に電流を供給する第１トランジスタと、第１トランジスタをダイオード接続させる第２トランジスタと、データラインと第１トランジスタとに接続される第３トランジスタと、第１電源電圧部と初期化電圧部とに接続される第１容量性素子と、第１容量性素子と初期化電圧部とに接続される第４トランジスタと、第１電源電圧部と第２トランジスタとに接続される第５トランジスタと、第１トランジスタと有機電界発光素子とに接続される第６トランジスタと、第３トランジスタと第１トランジスタとに接続される第２容量性素子と、を備え、第１容量性素子の第１電極または第２電極は、真性半導体からなることを特徴とする。 （もっと読む）