【課題】レーザビームの所望の照射位置の温度変化に伴うずれを補正して精度良くレーザビームを照射するレーザ照射装置及びレーザ照射方法を提供する。
【解決手段】レーザビームを射出するレーザ発振器と、被照射体が設けられたＸＹステージと、前記レーザビームを前記被照射体の表面において線状ビームに形成する光学系と、前記被照射体の表面に光を照射する照明と、前記被照射体表面での前記光の反射光を撮像するカメラとを有し、前記カメラで撮像した前記反射光から検出された前記線状ビームの照射位置のずれを補正する。 （もっと読む）

【課題】偏向器とｆθレンズを使用した光学系にスリットを配置し、レーザビームが照射された領域全体に占める、微結晶が形成される領域の割合を減らし、半導体膜に対して良好にレーザ処理を行うことができるレーザ照射装置及びレーザ照射方法を提供することを課題とする。またさらに、上記のようなレーザ照射装置、及びレーザ照射方法を用いた半導体製造装置の提供を課題とする。
【解決手段】光学系に、像側テレセントリック特性を有するｆθレンズ、または形状をレーザビーム入射角度に応じて変化させたスリットを使用する。またｆθレンズと照射面間にスリットを配置し、投影レンズによりスリット開口部における像を照射面に投影する。上記の構成により、レーザビームの走査範囲の全ての領域で均一にレーザ照射を行うことが可能になる。 （もっと読む）

【課題】結晶化されたシリコンの結晶粒界の数を最小化するための、垂直方向に対する特性の向上はもとより水平方向及び垂直方向に対する異方性をも改善するシリコン結晶化用のマスク、これを用いたシリコン結晶化方法及び表示装置を提供する。
【解決手段】スキャン方向に対して所定の角度で傾くスリットからなる第１のスリット群と、第１のスリット群に対して所定の角度だけ傾くスリットからなる第２のスリット群と、を備えることを特徴とするシリコン結晶化用のマスク、これを用いたシリコン結晶化方法及び表示装置。 （もっと読む）

【課題】高いｏｎ、ｏｆｆ比で、低抵抗ｎ型（またはｐ型）半導体層のＴＦＴを備えた高精細かつなめらかな動画表示を可能とした画像表示装置を得る
【解決手段】ポリシリコンのレーザアニール結晶化において、前駆半導体膜であるアモルファスシリコンに窒素（Ｎ）をイオン注入する工程と、レーザ結晶化の工程、ｎ型（またはｐ型）ドーパントのイオン注入、ドーパント活性化のためのアニール工程をこの順で行うことによって低抵抗ｎ型（またはｐ型）半導体層を作製する。ＴＦＴの作製においては，この低抵抗半導体層をソース，ドレインに用いる。またＣ、Ｎ、Ｏ不純物はＴＦＴの移動度を低下させるため、ポリシリコン中の汚染濃度がＣ濃度≦３×１０¹⁹ｃｍ^-3、Ｎ濃度≦５×１０¹⁷ｃｍ^-3、Ｏ濃度≦３×１０¹⁹ｃｍ^-3以内のポリシリコンを用いる。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコンフィルムの製造方法及びそれを適用した薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】基板に電気絶縁性熱伝導層を形成する工程と、熱伝導層上に非晶質シリコン層を形成する工程と、非晶質シリコン層をパターニングして非晶質シリコンアイランドを形成する工程と、アイランドをアニーリングして非晶質シリコンを結晶化する工程と、を含む多結晶シリコンフィルムの製造方法である。本発明によれば、従来に比べて簡単であり、追加工程なしに粒径が非常に大きい多結晶シリコンフィルム及びそれを利用した薄膜トランジスタを所望の位置に形成しうる。 （もっと読む）

【課題】小型で、ＩＣチップ等の基板の実装に伴う不良を低減し、かつ、高速な、表示部を有する半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に、高移動度を実現するＴＦＴ作製プロセスを用いて、半導体表示部および他の回路ブロックを一体形成する。具体的には連続発振レーザを用いた半導体活性層の結晶化プロセスを用いる。さらに、連続発振レーザによる結晶化プロセスを、高速動作が必要な回路ブロックのみに選択的に行うことによって、高い生産効率を実現する。 （もっと読む）

【課題】リーク電流の発生が抑制されると共に、ガラス基板が使用できる温度で素子分離をおこない微細な素子を形成できる方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板上に下地膜を形成する第１工程と、下地膜上に半導体膜を形成する第２工程と、半導体膜上に該半導体膜の酸化又は窒化を防止する膜を所定のパターンに形成する第３工程と、ガラス基板の温度を該ガラス基板の歪点より１００℃以上低い温度とし、半導体膜の所定のパターンに覆われていない領域をラジカル酸化又はラジカル窒化して素子分離をおこなう第４工程とを有し、ラジカル酸化又はラジカル窒化は、プラズマ生成領域と離間して配置された半導体膜上において、電子温度が０．５ｅＶ以上１．５ｅＶ以下好ましくは１．０ｅＶ以下、電子密度が１×１０^１１ｃｍ^−３以上１×１０^１３ｃｍ^−３以下であるプラズマ処理室でおこなわれる。 （もっと読む）

【課題】結晶粒の大きさや結晶粒界の分布が均一であり、薄膜トランジスタを形成した際に優秀な特性が得られる多結晶シリコン層、多結晶シリコン層の製造方法、及び平板表示装置を提供する。
【解決手段】基板上に非晶質シリコン層１２０を形成する段階と、非晶質シリコン層１２０の所定領域が露出するように第１パターン層１３０を形成する段階と、第２パターン層１４０を形成する段階と、第２パターン層１４０上に金属触媒層１５０を形成する段階と、基板を熱処理することにより、金属触媒が非晶質シリコン層の所定領域に拡散してシードを形成し、シードは非晶質シリコン層１２０の所定領域を少なくとも幅が３．５μｍ以上であるシード領域１７０に結晶化し、シード領域１７０の結晶性が成長して、非晶質シリコン層１２０を結晶化領域１９０に結晶化する段階と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】非接触にて、ガイドレールに沿ったステージの移動を可能とし、磨耗による定期的なボールの交換を不要にして、メンテナンスを容易にするレーザ装置を提供する。
【解決手段】レーザー発振装置と、被処理物を配置させるステージと、レーザー発振装置から出力されたレーザー光を、被処理物において線状となるように加工する光学系と、レーザー光のビームスポットが、被処理物の特定の位置を走査するように、レーザー光のビームスポットとステージとの相対的な位置を制御する位置制御手段と、を有し、位置制御手段は、スライダと、スライダを貫通して設けられたロッドと、を有し、記スライダは磁場を発生させる機能を有し、ロッドと非接触で移動することができる。 （もっと読む）

【課題】 結晶性の良好な結晶性珪素膜を提供する。
【解決手段】 非晶質珪素膜を形成し、前記非晶質珪素膜を４５０℃〜６５０℃
で熱処理し結晶化して、結晶性珪素膜を形成し、前記結晶性珪素膜にレーザー光
を照射し、前記結晶性珪素膜を８００℃〜１１００℃で熱アニールする。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置用基板を加熱処理する工程において、特に、半導体層を結晶化させる際の結晶化工程に用いた場合に、結晶粒界の発生が少なく、結晶化度が高い半導体層を形成することができる電気光学装置用基板の製造装置及び電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】加熱ユニットを備えた電気光学装置用基板の製造装置において、加熱ユニットは加熱部を含むとともに、加熱部の一端を回転中心として、加熱部と、電気光学装置用基板と、を相対的に円運動させるための回転部を備える。 （もっと読む）

【課題】必要な回路パターンに応じて長尺結晶領域を高速に、複数同時に形成することのできる半導体膜処理方法を提供する。
【解決手段】多結晶シリコン半導体膜ＰＳＩを有して高速で移動する絶縁基板ＳＵＢ上にレーザＣＬを照射するレーザ光学系の途中に、レーザを絶縁基板ＳＵＢの走査方向Ｄに連続的に遮光するようなスリット状マスクＳＭＫを設置する。設置したスリット状マスクＳＭＫの遮光領域ＬＳＤではレーザが絶縁基板ＳＵＢに照射されないため、長尺結晶シリコン半導体領域ＲＳＩと多結晶シリコン半導体領域ＰＳＩとが複数個平行に形成される。長尺結晶シリコン半導体領域ＲＳＩには高移動度が要求される薄膜トランジスタ回路を作り込み、多結晶シリコン半導体領域ＰＳＩには高移動度を要しない薄膜トランジスタ回路を作り込む。 （もっと読む）

【課題】膜を加工するためのシステム及び方法、並びに薄膜を提供する。
【解決手段】一部の実施形態では、膜を加工する方法を提供し、本方法は、基板上に配置されてレーザ誘起溶融が可能な膜の内部に、予結晶化される複数の離間した領域を形成する段階と、膜内に固体と液体との混合物を形成し、そこで照射領域内の膜の厚みにわたって膜の一部分が溶融するように選択されたフルエンスを有するレーザビームを発生させる段階と、この複数の離間した領域の第１の領域の少なくとも部分的な予結晶化のためにレーザビームに対して膜を位置決めする段階と、レーザビームをレーザビームの経路内の少なくとも部分反射性の移動光学要素上に向けて、移動光学要素が、第１の領域の第１の部分をビームで第１の方向に第１の速度で走査するようにビームを向け直し、第１の速度が、ビームがこの第１の領域の前記第１の部分を照射してそこに固体と液体の混合物を形成させるように選択され、第１の領域の第１の部分が、冷却して少なくとも単一方向に大部分同じ結晶配向を有する結晶粒子を形成する段階と、第１の領域の少なくとも第１の部分をレーザ誘起溶融を用いて結晶化させる段階とを含む。 （もっと読む）

【課題】 連続発振レーザを用いた高品質多結晶シリコン（帯状結晶）層の形成における凝集の発生を抑制して得られた高品質で均質な高品質多結晶シリコン（帯状結晶）層に薄膜トランジスタ等を作り込むことで歩留まりを向上した表示装置を提供する。
【解決手段】 ガラス基板１０１の上に窒化シリコン膜１０２と酸化シリコン膜１０３からなる下地膜上に成膜した非晶質または多結晶の半導体膜（シリコン基膜）１０４の表面に、膜厚が１．６ｎｍ以上のキャップ層３０１を形成するキャップ層形成工程と、キャップ層３０１を介して前記半導体膜１０４に連続発振レーザ１０５を照射しながら走査することにより、半導体膜１０４に帯状結晶を形成する帯状結晶形成工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】 連続発振レーザの照射による結晶化時の凝集発生を抑制して、半導体の剥離発生を最少に留めて帯状結晶化した表示装置用基板を得る。
【解決手段】 凸部を形成したガラス基板１０１に窒化シリコン膜１０２と酸化シリコン膜１０３の下地膜を成膜し、その上にシリコン基膜１０７を成膜する。シリコン基膜１０７の下層にレーザの走査方向Ｓと交差する土手２００を位置させる。レーザの走査で発生した凝集３０４は土手２００を乗り越えた部分で停止し、その後は正常に帯状結晶シリコン膜３０２の形成がなされる。 （もっと読む）

【課題】基板上にラテラル成長で帯状結晶シリコン膜を形成する際に当該帯状結晶の形成を阻害する凝集を阻止する。
【解決手段】シリコン膜を形成する基板ＳＵＢ１に塗布型下地膜ＳＰＬを設けることで当該基板の凹部欠陥ＤＦを埋めて表面状態を改善し、この下地膜ＳＰＬ上にプレカーサ膜としてポリシリコン膜ＰＳＩを成膜する。ポリシリコン膜ＰＳＩに連続発振レーザ光ＬＬを照射しながら矢印Ｓ方向に走査してアニールを施し、帯状結晶の走査方向成長における当該基板面の状態に起因する凝集の発生を阻止する。 （もっと読む）

【課題】 光学系の焦点深度が広く、マスクのレーザ強度耐性が高くかつレーザ利用効率が高い半導体薄膜の製造装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 基板上の半導体薄膜に対してレーザ光を照射することにより半導体薄膜を結晶化する半導体薄膜の製造装置であって、レーザ光のエネルギー密度分布において、最小強度１１が結晶化強度Ec以上完全溶融強度Eu以下であり、高強度領域12が完全溶融強度Eu以上であり、かつ100(mJ/cm²)/μm以上の強度勾配10を含むプロファイル条件を満たす。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタのチャネル方向を制御することにより、任意のチャネル方向を有する薄膜トランジスタを備えたポリシリコン薄膜トランジスタ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、非晶質シリコン膜を結晶化させたポリシリコン膜を備えた薄膜トランジスタ基板の製造方法であって、上記薄膜トランジスタ基板の製造方法は、非晶質シリコン膜をパターニング形成する工程と、上記非晶質シリコン膜上にシリコン酸化膜を形成する工程と、上記シリコン酸化膜のソース又はドレイン領域に開口部を形成する工程と、上記シリコン酸化膜に光を照射し、非晶質シリコン膜を融解する工程とを有することを特徴とするポリシリコン薄膜トランジスタ基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】レーザ照射による半導体膜の結晶化において、横方向結晶成長過程および横方向成長結晶粒の長さや幅を検知し、得られた検知情報からフィードバック制御を行って半導体膜の所望の領域に一様な横方向結晶長さを実現し、ＳＬＳ法で確実に横方向結晶粒を引き継いで成長させる。
【解決手段】絶縁基板上に形成された半導体膜を第一レーザ光照射によって溶融させて横方向に結晶成長させる過程が、その半導体膜における第二レーザ光の反射光または透過光を用いてモニタリングされる。検出された反射率または透過率の時間変化および変化率から結晶成長過程が横方向か縦方向かを判別でき、凝固時間から横方向成長した結晶長および結晶幅を求めることができ、これらが横方向結晶成長の制御情報として用いられ得る。 （もっと読む）

【課題】 縦方向に配置されるＴＦＴ素子の特性と横方向に設置されるＴＦＴ素子の特性とを同一にし、安定した特性のＴＦＴデバイスを形成することができるように、半導体膜に結晶成長させることのできるレーザ加工装置を提供する。
【解決手段】 レーザ加工装置３０は、光源３２から出射されるレーザ光４５を、レーザビーム投影マスク３５を通して、ステージ３８上に載置される半導体素子３１に照射することによって、半導体素子３１のシリコン膜を溶融し、凝固させて結晶成長させる。レーザビーム投影マスク３５には、ステージ３８による半導体素子３１に移動方向に対して４５度傾斜した方向に延びる光透過部分が形成されるので、シリコン膜の結晶成長方向も、半導体素子３１の移動方向に対して４５度傾斜した方向またはその方向に対して垂直な方向に揃えられる。 （もっと読む）