【課題】微小構造体の作製工程中の不良を防止する構造及びその作製方法を提供する。また、微小構造体の動作中の不良を防止する構造及びその作製方法を提供する。特に、犠牲層エッチングの際の座屈、又は構造体の動作時の座屈を防止する。
【解決手段】第１の構造層１０２と、第１の構造層に空隙１０６を介して対向し、且つ一部が第１の構造層に固定されている第２の構造層１０４とを有する微小構造体１００である。第１の構造層１０２及び第２の構造層１０４は少なくとも一方が変位可能である。また、第１の構造層及び第２の構造層の対向する表面１１４，１１６は、互いに異なる粗さで粗面化されている。 （もっと読む）

【課題】基板処理の効率を高めることができるレーザー結晶化法を用いた半導体製造装置の提供を課題とする。
【解決手段】レーザー結晶化の際、複数のレーザー照射装置から照射された複数のレーザー光の重ね合わせを行う。そして、レーザーエネルギー密度と、隣り合うレーザー光のレーザーエネルギー密度のピーク間の距離と、の関係式を導くことで、結晶性の良好な半導体膜が得られるレーザーエネルギー密度の範囲から、レーザー光を重ね合わせることが可能な範囲を算出し、レーザーエネルギー密度の弱い部分を補い、かつ、レーザー光の走査回数を減らすことができる。 （もっと読む）

【課題】 チャネルの方向を一方向に揃えなくても一定の応答速度を有するＴＦＴが作製可能な針状結晶群を生成することのできる結晶化装置。
【解決手段】 本発明の光照射装置は、入射光の位相を変調するための光変調素子（１）と、光変調素子と被照射面（４）との間に配置されて、被照射面上に所定の光強度分布を形成するための結像光学系（３）とを備えている。光変調素子は、単位領域内における位相変調領域の占有面積の比率が第１方向に沿って変化する第１面積率変化構造と、単位領域における位相変調領域の占有面積の比率が第１方向とは異なる第２方向に沿って変化する第２面積率変化構造とを有する。 （もっと読む）

【課題】レーザビームの利用効率を向上させると共に、ＤＭＤにおける迷光の影響を排除し、均一なビームスポットで照射パターンを形成することのできるレーザ照射装置及びレーザ照射方法を提供する。
【解決手段】レーザ照射装置は少なくともレーザ発振器と回折光学素子と微少なミラーが二次元的に多数並べられた光学素子とを有し、該レーザ発振器から射出したレーザビームは回折光学素子によって複数のレーザビームに分割され、該レーザビームは複数のマイクロミラーにおいて偏向される。また、該前記複数に分割されたレーザビームのそれぞれは互いに等しいエネルギーを有する。 （もっと読む）

【課題】 〈１００〉方位の結晶粒を優先的に成長させた結晶質半導体膜を製造する。
【解決手段】本発明の結晶質半導体膜の製造方法は、非晶質半導体膜を用意する工程と、非晶質半導体膜の少なくとも一部に対してレーザビーム１００を第１方向に相対的に走査することにより、〈１００〉方位の結晶粒を含む結晶質領域を備えた半導体膜を得る第１結晶化工程と、第１結晶化工程の後、結晶質領域に対して連続発振レーザビーム２００を第１方向とは異なる第２方向に相対的に走査することにより、〈１００〉方位の結晶粒を優先的に成長させる第２結晶化工程とを包含する。 （もっと読む）

【課題】レーザーアニールを行うための、均質な線状レーザービームを照射するに際し、エネルギーロスの小さい光学系とし、被照射物に十分なエネルギーを与え、またレーザー光源を長寿命として使用できるレーザーアニール装置およびレーザーアニール方法を提供する。
【解決手段】パルスレーザー発振器と、レーザー光を分割拡大する複眼状のフライアイレンズと、分割拡大されたレーザー光を線状に集光する第１のシリンドリカルレンズと、線状に集光されたレーザー光の線方向の均質性を向上させる第２のシリンドリカルレンズと、均質性が向上した線状レーザー光を被照射面である半導体膜上面に集光する第３のシリンドリカルレンズと、半導体膜を前記線状に集光されたパルスレーザー光の線幅方向に相対的に移動させるステージとを有し、被照射面を上下に変化させることで、被照射面と第３のシリンドリカルレンズとの距離を変化させる。 （もっと読む）

【課題】金属元素を利用して得られた結晶性珪素膜中の当該金属元素の影響を抑え、優れた性能を備えた半導体装置を得ることを目的とする。
【解決手段】結晶化を助長する金属元素を利用して得た結晶性珪素膜で構成された活性層と、前記活性層上に形成されたゲイト絶縁膜と、を有し、前記ゲイト絶縁膜は、ハロゲン元素を含有する絶縁膜を有する。ハロゲン元素を含有する絶縁膜によって、結晶化を助長する金属元素を固定化し、ゲイト絶縁膜の機能低下を防止する。 （もっと読む）

【課題】製造効率が良く、結晶粒径の均一性を向上することができる半導体薄膜の製造方法および半導体薄膜の製造装置を提供する。
【解決手段】前駆体半導体薄膜を溶融するための第一のレーザ光と、前駆体半導体薄膜を加熱するための第二のレーザ光と、を照射して、前駆体半導体薄膜を溶融した後に再結晶化させることによって半導体薄膜を製造する方法であって、第一のレーザ光と第二のレーザ光の有効領域の形状および面積をそれぞれ同一にし、これらの有効領域が重なり合うように第一のレーザ光と第二のレーザ光とを前駆体半導体薄膜に照射する工程と、第一のレーザ光の有効領域と第二のレーザ光の有効領域とを共に同一の方向に同一の距離だけ移動する工程と、を含む、半導体薄膜の製造方法とその方法に用いられる半導体薄膜の製造装置である。 （もっと読む）

【課題】半導体膜の品質に面内ばらつきが生じることを抑制できる半導体膜の結晶化方法を提供する。
【解決手段】半導体膜の結晶化方法は、基板５１０上に形成された半導体膜５０６に、第１のレーザ光５０３を基板５１０の底面５１０ａに対して傾斜した状態で照射しつつ、第１のレーザ光５０３とは異なる発振器から発振された第２のレーザ光５０４を、基板５１０の底面５１０ａに対して第１のレーザ光５０３とは反対の方向に傾斜した状態で照射することにより、半導体膜５０６の一部を溶融させ、かつ第１及び第２のレーザ光５０３、５０４の照射位置を、該第１又は第２のレーザ光５０３、５０４が傾斜している方向に略沿って走査して、半導体膜５０６の溶融している部分を移動させることにより、半導体膜５０６を結晶化するものである。 （もっと読む）

【課題】レーザ照射パターンを切り替えながら、所望の位置に高速にレーザ照射を行う方法を提案する。
【解決手段】レーザ発振器から射出したレーザビームを偏向器に入射し、前記偏向器を通過したレーザビームを回折光学素子に入射して複数に分岐させる。そして、前記複数に分岐されたレーザビームを絶縁膜上に形成されたフォトレジストに照射し、前記レーザビームが照射されたフォトレジストを現像して前記絶縁膜を選択的にエッチングする。 （もっと読む）

【課題】結晶粒界の影響が無視し得るほど小さい半導体薄膜から動作半導体膜を形成し、極めて高い移動度の薄膜型の半導体装置を実現する。
【解決手段】幅広領域３ａと幅狭領域３ｂとを有し、幅狭領域３ｂが幅広領域３ａに対して非対称に位置するように連結されてなる形状の非晶質シリコン膜３を形成し、幅狭領域３ｂをシリコン酸化膜４を介して多結晶シリコン膜５が保温膜として側面から囲む状態で、幅広領域３ａから幅狭領域３ｂへ向かってＣＷレーザ光を走査して結晶化させ、動作半導体膜１１を形成する。 （もっと読む）

【課題】発振波長の異なる複数のレーザ発振器を用いて一部を重複させて照射領域を形成し、更にその照射領域の一部に重ねるよう次の照射を行う半導体薄膜の結晶化工程において、照射時の被処理物の温度が照射を重ねるごとに上昇することを防止する。
【解決手段】第１レーザ光の照射強度を、第１及び第２レーザ光によってできる照射領域の移動方向に関しマスクの相対的移動方向において、上流側よりも下流側で第１レーザ光の強度が強くなるよう照射分布を設ける大きくなるよう相対的移動方向において不均一な分布に設定する。 （もっと読む）

【課題】ビームエキスパンダー光学系を介して被照射物にレーザー光の照射を行う場合に、被照射物へのレーザー光の照射位置の誤差を低減するレーザー光照射装置およびレーザー光の照射方法の提供を目的とする。
【解決手段】レーザー発振器からレーザー光を射出し、レーザー光を補正レンズを介して凹レンズを有するビームエキスパンダー光学系に入射させる際、レーザー発振器の射出点を第１の共役点、第１の共役点の像が補正レンズを介して結像される点を第２の共役点、補正レンズから第２の共役点までの距離をｂ、凹レンズの焦点距離をｆ、補正レンズと凹レンズとの距離をＸとすると、Ｘが、ｂ−３ｆ≦Ｘ≦ｂ＋ｆ、を満たすようにレーザー発振器、補正レンズおよび凹レンズを配置させる。 （もっと読む）

【課題】複雑な工程を経ることなく、非単結晶半導体膜の所定領域を選択的に高結晶化する。
【解決手段】非単結晶半導体膜２０の所定領域Ａ３より離れた第１領域Ａ１に対して、溶融帯幅を略同一幅に維持してレーザアニールを実施する工程（Ａ）と、第１領域Ａ１の工程（Ａ）終了時の溶融部分の少なくとも一部を凝固させ、さらに、該凝固部分の少なくとも一部を、溶融帯幅が工程（Ａ）の溶融帯幅より幅狭となる条件で再溶融させる工程（Ｂ）と、第１領域Ａ１と所定領域Ａ３との間に位置する第２領域Ａ２に対して、溶融帯幅が、工程（Ｂ）終了時の溶融帯幅より段階的又は連続的に幅広になる条件で、レーザアニールを実施する工程（Ｃ）と、所定領域Ａ３に対して、溶融帯幅を、工程（Ｃ）終了時の溶融帯幅と略同一幅に維持して、レーザアニールを実施する工程（Ｄ）とを順次実施する。 （もっと読む）

【課題】非晶質半導体膜の結晶化に際し、当該半導体膜表面の平坦性および結晶性の双方を良好に実現させ、高性能な結晶性半導体を形成する形成方法および形成装置、並びに当該形成方法を用いた半導体装置の製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】チャンバー２と、ステージ２ａと、レーザー照射手段３と、酸素供給手段４とを備えた形成装置１を用いて、雰囲気中の酸素濃度が４×１０^２ｐｐｍから１×１０^４ｐｐｍまでの範囲となるように、雰囲気中に露出した非晶質ケイ素膜１２表面に直接酸素を供給するか、非晶質ケイ素膜１２上に酸化膜１４が形成されている場合は、雰囲気中の酸素濃度を、０を超えて、１×１０^４ｐｐｍまでの範囲となるように、非晶質ケイ素膜表面に直接酸素を供給する。 （もっと読む）

【課題】複雑な工程を経ることなく、非単結晶半導体膜の所定領域を選択的に高結晶化する技術を提供する。
【解決手段】非単結晶半導体膜２０の所定領域Ａ４より離れた第１領域Ａ１に対して、溶融帯幅を略同一幅に維持してレーザアニールを実施する工程（Ａ）と、非単結晶半導体膜２０の第１領域Ａ１の所定領域Ａ４側に隣接する第２領域Ａ２に対して、溶融帯幅が、工程（Ａ）の溶融帯幅より段階的又は連続的に幅狭になるよう、レーザアニールを実施する工程（Ｂ）と、非単結晶半導体膜２０の第２領域Ａ２と所定領域Ａ４との間に位置する第３領域Ａ３に対して、溶融帯幅が、工程（Ｂ）終了時の溶融帯幅より段階的又は連続的に幅広になるよう、レーザアニールを実施する工程（Ｃ）と、非単結晶半導体膜２０の所定領域Ａ４に対して、溶融帯幅を、工程（Ｃ）終了時の溶融帯幅と略同一幅に維持して、レーザアニールを実施する工程（Ｄ）とを順次実施する。 （もっと読む）

【課題】レーザ光の照射による損傷を抑制して効率的に半導体薄膜を製造することができる半導体薄膜の製造方法および半導体薄膜の製造装置を提供する。
【解決手段】少なくとも二種類のレーザ光を照射して前駆体半導体薄膜基板に含まれる固体状態の前駆体半導体薄膜を溶融した後に再結晶化させることによって半導体薄膜を製造する方法であって、前駆体半導体薄膜基板に照射される基準レーザ光の照射部位の反射率を検知する工程と、少なくとも一種類のレーザ光の照射時間を制御する工程と、を含むことを特徴とする半導体薄膜の製造方法と半導体薄膜の製造装置である。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの３次元形成において、特性バラツキの小さな高性能薄膜トランジスタを得ることを可能とする半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体膜の結晶化の際の起点部となる、単結晶又は略単結晶である底部を有する凹部を基板の表面に形成し、前記凹部が形成された前記基板上に半導体膜を形成し、前記半導体膜に熱処理を行って前記起点部を略中心とする略単結晶粒を形成し、前記半導体膜をパターニングし、ソース／ドレイン領域及びチャネル形成領域となるべきトランジスタ領域を形成し、前記トランジスタ領域上にゲート絶縁膜及びゲート電極を形成して薄膜トランジスタを形成し、前記トランジスタ領域を形成する際に、少なくとも前記チャネル形成領域が前記半導体膜の前記略単結晶粒内で、かつ前記基板の結晶方位における＜１１１＞の方向を含まない領域となるように選定する。 （もっと読む）

【課題】結晶化装置において、基板高さのばらつきに対して、レーザー光の結像位置の調整を高速で行う。
【解決手段】結晶化装置１は、レーザー光を照射する照明光学系２ｂと、レーザー光を所定の光強度分布の光線に変調する光変調素子２ｃと、光変調素子の変調光を基板上に結像させる結像光学系２ｄとを含む光学系２と、基板２０を支持する基板ステージ３とを備え、基板に設けられた薄膜を変調光により溶融して結晶化する。結晶化装置１は、基板２０のＺ軸方向の高さを検出する基板高さ検出部４を備える。基板ステージの高さ制御に用いる基板高さデータを予め求めておき、この基板高さデータを用いて基板ステージの高さ制御を行うことによって、基板高さのばらつきに対して、レーザー光の結像位置の調整を高速で行う。 （もっと読む）

【課題】基板が大型化するとレーザビームの走査回数が増えるため、複数のレーザ発振器を用いて一度に照射する方が生産性がよい。しかし、複数のレーザ発振器を用いて半導体膜にレーザビームを照射するときには、装置構成が大きくなるだけではなく、それぞれのレーザビームの照射位置を精密に制御することが必要になる。
【解決手段】レーザ照射装置に、レーザ発振器と、複数の中空パイプ同士が関節部において接続された関節型ビーム伝播器と、関節部におけるレーザビームの進路変更手段と、を設ける。複数の中空パイプのうち、少なくとも１つの中空パイプはレーザビームの進行方向のふらつきを抑えるための転送レンズをそれぞれ有する。関節部を持つことによりレーザ発振器の配置の自由度が生まれ、転送レンズを持つことにより、ビームプロファイルの変化を抑えることができる。 （もっと読む）