【課題】ポリシリコン活性層を含む薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】前記製造方法は、基板にアモルファスシリコン層を堆積するとともに、前記アモルファスシリコン層に対してパターニングを行うことで、ソース領域とドレイン領域とチャンネル領域とを含む活性層を形成するステップと、前記ソース領域及び前記ドレイン領域に誘起金属を堆積するステップと、前記誘起金属が堆積された前記活性層に対して第１の熱処理を行い、前記活性層が前記誘起金属の作用によって結晶化されるステップと、前記ソース領域及び前記ドレイン領域に、前記誘起金属を集めるための第１の不純物をドープするステップと、ドープされた前記活性層に対して第２の熱処理を行い、前記第１の不純物が前記チャンネル領域に残された誘起金属に対して吸収するステップと、を備える。 （もっと読む）

【課題】往路の照射エリアと復路の照射エリアとを合致させる。
【解決手段】シャッター機構（２）が照射オン指令信号を受け取ってから照射オン状態になるまでのオン遷移時間をｔ１とするとき、照射オフ状態で基板（Ｂ）をｘ方向に移動し、ｘ方向位置検出手段（１１）で検出した基板（Ｂ）のｘ方向位置に基づいて、照射エリアの照射開始端にレーザビーム（Ｌ）が到達すると推定される時刻よりもｔ１時間だけ前に照射オン指令信号を出力する。
【効果】シャッター手段によりレーザ照射のオン／オフを行うレーザアニール装置であって、往復走査によりレーザ照射を行う場合でも、往路の照射エリアと復路の照射エリアとを合致させることが出来る。 （もっと読む）

【課題】容易に、結晶化の溶融状態、結晶粒径及び粒径バラツキを所望の状態にしたシリコン膜を形成することができるレーザ照射方法を提供する。
【解決手段】レーザ照射方法は、マルチモードのレーザ光を発振させる発振ステップ（Ｓ１０２）と、レーザ光を光ファイバーで伝送する伝送ステップ（Ｓ１０４）と、光ファイバーから出射したレーザ光を重畳し細長い形状に整形する整形ステップ（Ｓ１０６）と、整形されたレーザ光を短軸方向に走査しながらアモルファスシリコン膜に照射することで、ポリシリコン膜に結晶化する照射ステップ（Ｓ１０８）とを含み、照射ステップ（Ｓ１０８）では、走査速度Ｖ（ｍｍ／ｓ）と照射パワー密度Ｐ（ＫＷ／ｃｍ²）との関係をＫ＝Ｐ／√Ｖとし、Ｋ＞４の条件を満足する走査速度と照射パワー密度とで照射することで、レーザ照射領域に所定の溶融状態での結晶を形成させる。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ基板およびこれの製造方法を開示する。
【解決手段】本発明の薄膜トランジスタ基板は、基板上に形成されたゲート電極、前記ゲート電極上に前記ゲート電極と重なるように形成され、多結晶シリコンを含むアクティブ層、前記アクティブ層上に前記ゲート電極を中心に両側に分離して形成された第１オーミックコンタクト層、前記第１オーミックコンタクト層上に形成された第２オーミックコンタクト層および前記第２オーミックコンタクト層上に形成されたソース電極およびドレーン電極を含む。 （もっと読む）

【課題】セレクターの形成にあたり、不純物の拡散を抑制しつつ、非晶質膜を結晶化させる方法を提供する。
【解決手段】第１の不純物が添加された第１の非晶質膜を堆積し、第１の非晶質膜の上に、第３の非晶質下層膜を堆積し、第３の非晶質下層膜の上に、微結晶を形成し、微結晶を覆うように、第３の非晶質下層膜の上に、第３の非晶質上層膜を堆積し、第３の非晶質上層膜の上に、第２の不純物が添加された第２の非晶質膜を堆積する。さらに、マイクロ波を照射することにより、第１の非晶質膜を結晶化して、第１導電型結晶層を形成し、第２の非晶質膜を結晶化して、第２導電型結晶層を形成し、第３の非晶質下層膜と第３の非晶質上層膜とを結晶化して、第３導電型結晶層を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は低温ポリシリコン薄膜の製造方法に関する。
【解決手段】当該方法は、基板を予備する工程と、前記基板にバッファ層を形成する工程と、前記バッファ層に第１の非結晶シリコン薄膜を形成する工程と、前記第１の非結晶シリコン薄膜に触媒の粒子を形成する工程と、第２の非結晶シリコン薄膜で前記第１の非結晶シリコン薄膜及び触媒の粒子を覆うように第２の非結晶シリコン薄膜を形成する工程と、前記触媒の粒子を利用して前記第１の非結晶シリコン薄膜及び第２の非結晶シリコン薄膜に対して結晶化し，結晶することで低温ポリシリコン薄膜を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体膜から粒径の大きな結晶相の半導体を得る工程において、以降の工程で、アライメントマークとして利用可能なマーク構造を、同一の露光工程において半導体膜に形成する。
【解決手段】この発明は、光を変調して結晶化のための光強度分布を形成する光強度変調構造ＳＰと、光強度変調構造と一体にまたは独立に設けられ、光を変調して所定形状のパターンを含む光強度分布を形成するとともに結晶化領域の予め定められた位置を示すマーク形成構造ＭＫと、を有することを特徴とする光変調素子３に関する。この光変調素子によれば、絶縁基板上に所定厚さに堆積された半導体膜の任意の位置に、結晶核を形成し、その結晶核から所定の方向に結晶を成長させるとともに、半導体膜の任意の位置にアライメントマークＡＭを、同一工程で形成できる。 （もっと読む）

【課題】ＣＷレーザを結晶化装置に適用するとともに、その安全性を確保する。
【解決手段】ステッピングモータ１２２には、照射タイマ１４２を備えた制御回路１４０が接続され、照射タイマは、被処理基板Ｗの所定照射範囲に対応した時間の間、レーザシャッタを開状態とするための照射時間Ｔ１を設定する。これによって、照射範囲に対する適正な結晶化処理を自動化でき、ＣＷレーザを結晶化装置に適用し得るとともに、その安全性を確保することができる。制御回路には強制遮断タイマ１４４が設けられ、強制遮断タイマは、レーザシャッタが照射時間Ｔ１を超える時間、開状態だったときに、レーザシャッタを閉状態とする所定時間Ｔ２を設定する。制御回路には強制遮断スイッチ１５０が設けられ、オペレータが手動で閉成したときに、レーザシャッタを閉状態とする。 （もっと読む）

【課題】ミッシングパルスの発生を迅速に判定する。シャッタの開閉のタイミングによってミッシングパルスの発生を誤判定してしまうことを防止する。
【解決手段】シャッタ開信号ｂの立上りから所定の期間Ｇ内に閾値ｒ以上のビームセンサ信号ｂが検知されない場合にミッシングパルスがあったと判定する。ｎを自然数とし、αをシャッタの開タイミングの最大ずれ時間とするとき、ｎ×Ｔ＋α＜Ｇ＜（ｎ＋１）×Ｔ−αとする。
【効果】ｎミッシングパルスが発生した時、ただちにミッシングパルスの発生を判定することが出来る。シャッタの開閉のタイミングによってミッシングパルスの発生を誤判定してしまうことがない。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板上に薄膜半導体層を形成した３次元集積回路装置を提供する。
【解決手段】ガラス基板１１上に、単結晶もしくは準単結晶の２層の薄膜半導体層１３，１６が層間絶縁層１４を介して積層され、２層の薄膜半導体層１３，１６は、下層の第１層の薄膜半導体層１３と上層の第２層の薄膜半導体層１６とが異なる材料であり、２層の薄膜半導体層１３，１６が、層間絶縁層１４に形成された開口内を埋めて形成された、エピタキシャル層１５によって接続され、エピタキシャル層１５の表面部は、第２層の薄膜半導体層１６と同じ材料の層であり、第１層の薄膜半導体層１３及び第２層の薄膜半導体層１６のうち、１層以上に能動素子Ｔｒ２１，Ｔｒ２２が形成されている３次元集積回路装置１０を構成する。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ、その製造方法及びそれを含む有機電界発光表示装置を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上に位置するバッファ層と、前記バッファ層上に位置する半導体層と、前記半導体層と絶縁されるゲート電極と、前記半導体層と前記ゲート電極とを絶縁させるゲート絶縁膜と、前記ゲート電極と絶縁され、前記半導体層に一部が接続されるソース／ドレイン電極とを含み、前記半導体層は１つまたは複数の凹部を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ及びその製造方法に関する。また、前記薄膜トランジスタにおいて、前記基板全面に位置する絶縁膜と、前記絶縁膜上に前記ソース／ドレインと電気的に接続される第１電極、有機膜層及び第２電極とを含み、前記半導体層は１つまたは複数の凹部を含むことを特徴とする有機電界発光表示装置に関する。 （もっと読む）

【課題】相変化メモリやＲｅＲＡＭなどの記憶素子と半導体デバイスの積層により構成される半導体記憶装置を製造する際に、半導体デバイスと記憶素子の両方を高性能化し、半導体記憶装置の大容量化、高性能化、高信頼化を促進する。
【解決手段】選択素子を形成するポリシリコンをアモルファス状態で低温で成膜した後、レーザーアニールによる短時間熱処理で結晶化と不純物活性化を行う。レーザーアニールを行う際、結晶化を行うシリコンの下にある記録材料は、金属膜、または金属膜と絶縁膜により完全に覆われた状態であるため、アニール時の温度上昇を抑制でき、記録材料への熱負荷を低減できる。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタを有する半導体装置を安価に大量生産することを可能にする、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】プラスチック基板１１等の基板上にアモルファスシリコン層１３を形成する工程と、アモルファスシリコン層１３をパターニングして、薄膜トランジスタとなる所定のパターンを形成する工程と、その後、パターニングされたアモルファスシリコン層１３を結晶化する工程とを有して、薄膜トランジスタを有する半導体装置を製造する。 （もっと読む）

【課題】多結晶化の際に特性が損なわれないシリコン膜からなるシリコンアイランドを半導体膜として有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置Ｄは、絶縁基板１１と、絶縁基板１１上に設けられた絶縁膜１３と、絶縁膜１３上に設けられたポリシリコン膜からなるシリコンアイランド１４と、を備える。半導体装置Ｄは、絶縁基板１１と絶縁膜１３との間に、平面視で、シリコンアイランド１４を内包するように設けられたパターン膜１２をさらに備える。 （もっと読む）

【課題】 ディスプレーデバイス用半導体装置の製造方法において、ガラス基板に熱的に損傷を与えないで、炭酸ガスレーザーによりSiを熱処理する。
【解決手段】 上下のSiO₂膜２、３に挟まれた多結晶Si又は非晶質Si層１からなるサンドイッチ構造３０とガラス基板６の間に反射金属膜４を配置する。炭酸ガスレーザーを上側SiO₂膜からガラス基板６に向かって照射することにより多結晶もしくは非晶質Si層を熱処理し、その後、RGB配置領域２０からサンドイッチ構造３０及び反射金属膜４を除去する。 （もっと読む）

【課題】 ＳＯＩ構造の埋め込み絶縁膜の開口部における基板シリコンのダメージを防止すると共に、埋め込み絶縁膜の開口部における基板との接触面積の低下を防止する。
【解決手段】 ＳＯＩ構造を有する半導体装置において、シリコン基板１０と、シリコン基板１０上に設けられ、一部に開口部１２を有し、該開口部１２の上部を上面側が広がった順テーパー構造に形成し、且つ下部を下面側が広がった逆テーパー構造に形成した絶縁膜１１と、絶縁膜１１上及び開口部１２内に形成された単結晶シリコン層１４と、単結晶シリコン層１４に形成された半導体素子とを備えた。 （もっと読む）

【課題】キャリア移動度を向上させるために最適なチャネル方向を有し、かつ好ましいレイアウトで形成することのできるｎ型とｐ型のＦｉｎＦＥＴを形成可能な半導体基板、それらのＦｉｎＦＥＴを備えた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体基板は、第１の半導体領域と、前記第１の半導体領域上に前記第１の半導体領域と略等しい結晶から形成され、表面に垂直な方向を軸にして所定の角度だけ前記第１の半導体領域と単位格子の結晶軸の方向がずれている第２の半導体領域と、を有する。 （もっと読む）

【課題】優良な多結晶薄膜半導体装置を比較的低温で製造する。
【解決手段】基板上に形成された半導体膜を能動層として用いる半導体装置の製造方法であって、低圧化学気相堆積法で堆積温度が４３０℃未満且つ堆積速度が０．５ｎｍ／ｍｉｎ以上の状態で、高次シランを含む原料気体を用いて非晶質半導体膜を堆積する工程と、前記非晶質半導体膜を固相にて結晶化させ結晶性半導体膜を形成する工程と、前記結晶性半導体膜の一部を溶融させる工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】結晶粒径が十分に小さくて均一な結晶質半導体膜を基板上に得る。
【解決手段】好適には非晶質半導体膜９を上層に有するガラス基板８を昇温させて加熱状態を維持する。該ガラス基板８上の前記非晶質半導体膜９にレーザ光２０を照射して該非晶質半導体膜を融点を超えない温度に加熱して、前記非晶質半導体膜９を結晶化させる。ガラス基板にダメージを与えることなく、基板上に結晶粒径が小さくて均一な結晶質半導体膜を得ることができる。また、レーザ光照射前にガラス基板を加熱維持しておくことにより、レーザ光のショット毎の温度変動を均一にできる。さらにレーザ光の照射により結晶欠陥を除去し、また非晶質半導体膜内に内在する不純物や表面に付着しているコンタミネーションを除去する。 （もっと読む）

【課題】基板に対する熱負荷が軽減でき、大面積の基板の熱処理を行うことが可能な半導体装置の製造方法を提供する。また、熱処理温度の均一性を向上し、形成される半導体装置の特性を向上させる。
【解決手段】基板上にシリコン膜を形成し、このシリコン膜に対し、水素及び酸素の混合ガスを燃料とするガスバーナー（２２）の火炎を走査することにより熱処理を施す工程において、ガスバーナー（２２）の火炎Ｆを略直線状にする。その結果、熱処理温度の均一性が向上し、シリコン膜の結晶化率のばらつきを低減するなど、形成される半導体装置の特性を向上させることができる。 （もっと読む）