【課題】ＣＶＤ装置を用いてジシランガスで基板上に半導体膜を成膜する際、工程数を増やすことなく、各結晶粒のグレインサイズが略均一となるととともに、各結晶粒の平均グレインサイズが適切な大きさとなるよう半導体膜を形成することができることにより、表示不良の少ない信頼性の高いトランジスタを製造できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板を、ＣＶＤ装置内に導入して、ヒータ上に載置するステップＳ１と、ヒータを、６００℃〜６３０℃に加熱することによって基板を設定された成膜温度まで加熱するステップＳ２と、ＣＶＤ装置内に、ジシランガスを１０ｓｃｃｍ〜３０ｓｃｃｍの流量で導入して、基板上に、ａ−ｓｉ膜を成膜するステップＳ３とを具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】単結晶半導体薄膜又は実質的な単結晶半導体薄膜をチャネル形成領域として有する高性能な半導体装置を提供する。
【解決手段】高さが最大値から最大値と最小値の差分の１／２を示す領域の占める割合が、２９〜７２％である表面形状を持つ結晶性半導体薄膜を有する半導体装置。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の特性を向上させることができる連続発振のレーザー装置を用いた半導体装置の作製方法の提供を課題とする。
【解決手段】基板上に半導体膜を形成し、半導体膜を複数のレーザ光により結晶化する。複数のレーザ光は基板の垂直方向から斜めに同じ入射角度φで入射することで高性能の半導体装置を提供する。特に、ビーム幅をＷとし、基板の厚みをｄとすると、φ≧ａｒｃｓｉｎ（Ｗ／２ｄ）という関係式を満たすことにより高性能の半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板における半導体層表面の平坦性を向上させることを目的の一とする。又は、半導体基板の生産性を向上させることを目的の一とする。
【解決手段】単結晶半導体基板の一表面にイオンを照射して損傷領域を形成し、単結晶半導体基板の一表面上に絶縁層を形成し、絶縁表面を有する基板の表面と絶縁層の表面とを接触させて、絶縁表面を有する基板と単結晶半導体基板とを貼り合わせ、加熱処理を施すことにより、損傷領域において単結晶半導体基板を分離して絶縁表面を有する基板上に単結晶半導体層を形成し、単結晶半導体層をパターニングして複数の島状半導体層を形成し、島状半導体層の一に、該島状半導体層の全面を覆うように成形されたレーザ光を照射する。 （もっと読む）

【課題】非晶質薄膜の表面の酸化を抑制しつつ、短時間で、結晶粒径の大きな多結晶薄膜を得ることができる非晶質薄膜の結晶化方法及びその装置、並びに薄膜トランジスタの製造方法を提供することにある。
【解決手段】絶縁基板１０の表面１０ａ上に、所定膜厚の非晶質薄膜２０を形成し、該非晶質薄膜２０に熱源３０からの熱照射３１により、前記非晶質薄膜２０を結晶化させて多結晶薄膜２１とする方法において、前記熱源３０からの熱照射３１を、大気圧雰囲気で、基板の裏面１０ｂから基板１０内を熱透過させて行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】貼り合わせに係る不良を低減した均質な半導体基板を提供することを課題の一とする。
【解決手段】基板配置領域に複数の開口が設けられた基板支持台と、複数の開口の各々に配置された基板支持機構と、基板支持機構を昇降させる昇降機構と、基板支持台に対する基板支持機構と昇降機構の位置を調節する位置調節機構と、を有する基板貼り合わせ室の基板配置領域に第１の基板を配置し、第１の基板の上方に、第１の基板と接触しないように第２の基板を配置し、基板支持機構を上昇させることにより、第１の基板と前記第２の基板を接触させて、第１の基板と第２の基板の貼り合わせを行い、貼り合わせの後、第１の基板と前記第２の基板を搬送する前に、１５０℃以上４５０℃以下の加熱処理を施す。 （もっと読む）

【課題】比較的低温下で、結晶粒や成長方向の制御を確実に行うことができ、これにより半導体特性に優れたポリシリコン層を効率よく形成可能なシリコンの結晶化方法、熱処理を施すことにより良好な結晶化がなされる非晶質部を備える接合体、前記結晶化方法により形成された半導体部を備える半導体装置を製造する方法、および、この方法により製造された半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明のシリコンの結晶化方法は、ａ−Ｓｉ膜３０ａ（非晶質部）と、ｃ−Ｓｉの種結晶３０ｃとを用意する工程と、ａ−Ｓｉ膜３０ａの表面と種結晶３０ｃの表面に、それぞれエネルギーを付与する工程と、ａ−Ｓｉ膜３０ａと種結晶３０ｃとを接合し接合体３０５を得る工程と、接合体３０５を加熱することにより、ａ−Ｓｉ膜３０ａを結晶化する工程とを有する。これにより、ａ−Ｓｉ膜３０ａと種結晶３０ｃとの接合界面が成長核となって結晶化が進行する。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板等の耐熱性が低く、かつ撓みやすい基板をベース基板に用いても、単結晶半導体層を精度良くベース基板に固定することを可能とする半導体基板製造装置を提供する。
【解決手段】接合層として機能する絶縁層が表面に設けられ、且つ表面から所定の深さの領域に脆化領域が設けられた単結晶半導体基板と、ベース基板と、の接合面を洗浄する洗浄部と、ベース基板及び単結晶半導体基板を貼り合わせ、周波数が３００ＭＨｚ以上３００ＧＨｚ以下の電磁波を照射して単結晶半導体基板を加熱し、損傷領域を劈開面として単結晶半導体基板を分離する電磁波照射部と、ベース基板に固定された単結晶半導体層を熱処理する熱処理部と、を有する半導体基板製造装置を用いて、ベース基板上に単結晶半導体基板から分離された単結晶半導体層が固定された半導体基板を作製する。 （もっと読む）

【課題】表面の平坦性が高い単結晶半導体層を有するＳＯＩ基板を作製する。
【解決手段】半導体基板に水素をドープして、水素を多量に含んだ損傷領域を形成する。単結晶半導体基板と支持基板を接合させた後、半導体基板を加熱して損傷領域で単結晶半導体基板を分離する。単結晶半導体基板から分離された単結晶半導体層の剥離面に加熱した高純度の窒素ガスを吹き付け、マイクロ波を照射しながら、レーザビームを照射する。レーザビームの照射により単結晶半導体層を溶融させることで、単結晶半導体層の表面の平坦性を向上させ、かつ再単結晶化させる。また窒素ガスとマイクロ波を照射により溶融時間を長くし、再単結晶化をより効果的に行う。 （もっと読む）

【課題】特性を向上させた炭化シリコン膜（半導体膜）の製造方法を提供する。
【解決手段】第１シリコン膜Ｓ１上に炭素源ガスを供給することにより前記シリコン膜上に第１炭化シリコン膜３を形成する第１工程と、前記第１炭化シリコン膜上に、第２シリコン膜５を形成する第２工程と、前記第２シリコン膜上にレーザを照射する第３工程と、前記第３工程後の前記第１炭化シリコン膜上に炭素源ガスおよび珪素源ガスを供給することにより第２炭化シリコン膜を形成する第４工程と、を有する。かかる方法によれば、レーザ照射により、第１炭化シリコン膜３を改質でき、当該膜上に成長する第２炭化シリコン膜の特性が良好となる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の特性を向上させることができる連続発振のレーザー装置を用いた半導体装置の作製方法の提供を課題とする。
【解決手段】半導体膜のうち、パターニング後に基板上に残される部分をマスクに従って把握する。そして、少なくともパターニングすることで得られる部分を結晶化することができるようにレーザー光の走査部分を定め、該走査部分にビームスポットがあたるようにし、半導体膜を部分的に結晶化する。チャネル方向とレーザーの走査方向を揃えることにより高性能の半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】光アニールおよび当該光アニールにより得られる膜質の評価を行うとともに、装置のコスト抑制および構成簡略化を図ることができる半導体膜の製造方法、および、当該半導体膜の製造方法に使用する光アニール装置を実現する。
【解決手段】半導体膜の製造方法は、光源（２）から出射された光を２つ以上のビーム（Ｌ１、Ｌ２）に分割する工程と、前記２つ以上のビームのうちの少なくとも１つを膜改質光（Ｌ１）として基板上に形成された半導体膜に照射することにより前記半導体膜の結晶性を改質する工程と、前記２つ以上のビームのうちの、前記膜改質光以外の少なくとも１つのビームを検査光（Ｌ２）として前記半導体膜に照射し、前記半導体膜から得られる前記検査光（Ｌ２）の照射の応答内容を検出することにより、前記半導体膜の改質状態を評価する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】チャネル領域として用いるエピタキシャル成長結晶からゲート絶縁膜への不純物拡散による信頼性の低下を抑えた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板上に、第１の面と、前記第１の面に対して傾斜した第２の面とを有するＳｉＧｅ結晶層を形成する工程と、前記ＳｉＧｅ結晶層上に非晶質Ｓｉ膜を形成する工程と、加熱処理を施すことにより、前記ＳｉＧｅ結晶層の前記第１および第２の面をシードとして、前記非晶質Ｓｉ膜の前記第１および第２の面の近傍に位置する部分を結晶化させてＳｉ結晶層を形成する工程と、前記非晶質Ｓｉ膜の加熱処理により結晶化しなかった部分を選択的に除去、または薄くする工程と、前記Ｓｉ結晶層の表面に酸化処理を施すことにより、前記Ｓｉ結晶層の表面にゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板等の耐熱性の低いベース基板にバッファ層を介して、複数の単結晶半導体層が固定された半導体基板を作製する。
【解決手段】水素イオンを半導体基板に添加し、水素を多量に含んだ損傷領域と、バッファ層が形成された単結晶半導体基板を複数枚準備する。ベース基板に、この単結晶半導体基板を１枚または複数固定し、周波数が３００ＭＨｚ以上３００ＧＨｚ以下の電磁波を照射してベース基板上の単結晶半導体基板を損傷領域で分割する。単結晶半導体基板の固定と、電磁波の照射を繰り返して、ベース基板上に、必要な数の単結晶半導体基板が固定された半導体基板を作製する。さらに、この半導体基板の単結晶半導体層にレーザ光を照射して、溶融させ、再結晶化させる。 （もっと読む）

【課題】 非晶質シリコン半導体膜例えばアモルファスシリコン膜のレーザー結晶化を半導体レーザー光を使用して簡単且つ安定して行えるようにすることにより、半導体製品の生産性及び品質の向上と製造コストの引下げを図る。
【解決手段】 レーザー結晶化法を基板上に非晶質シリコン半導体膜を形成する工程と、非晶質半導体膜の表面に光吸収剤を塗布して光吸収剤膜を形成する工程と、光吸収剤膜に半導体発光素子からの線状のレーザー光を照射すると共に、当該線状レーザー光の走査により非晶質シリコン半導体膜を加熱してこれを結晶シリコン半導体膜とする結晶化工程とから構成する。 （もっと読む）

ＺＭＲ装置は、制御された温度のフローをシステム中に供給して、所望の結晶成長特性を与えながら、エネルギー消費を低下させる。装置は、冷却システムを含み、溶融した膜から所望量の熱を特に取り除いて、結晶化を促進することができる。さらに、装置は、チャンバー内でバックグラウンド温度を形成する加熱された壁を含むことができ、バックグラウンド温度は、チャンバー壁の冷却を減らすまたは無くすことにより、エネルギーの使用量を減らす。装置およびそれに対応する方法は、下側の基板に対して断熱を与える多孔性剥離層と直接的または間接的に結合した無機膜とともに、用いることができる。再結晶化された膜を基板から取りはずす場合、基板は再利用され得る。方法は、大きな表面積を有する、厚さが２ミクロン乃至１００ミクロンのシリコン膜に関して使用することができ、そのような膜は、光電用途および電子用途に適している。
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【課題】結晶粒径が大きい多結晶半導体膜を従来方法に比べてより一層高い歩留まりで形成できる多結晶半導体膜の形成方法を提供する。
【解決手段】ガラス板等からなる基板１０上にアモルファスシリコン膜を形成し、このアモルファスシリコン膜をパターニングして、先端が凸の島状又は帯状のメインパターンＰ１と、メインパターンＰ１間の隙間を埋めるサブパターンＰ２とを形成する。そして、基板１０上に連続波レーザを照射しながら、レーザ照射域をメインパターンの先端から後端に向う方向に走査して多結晶半導体膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】粒界に金属シリサイドが分布する領域を減らすことにより、電流特性と電子の移動度を向上させることができる薄膜トランジスタの製造方法を提供すること。
【解決手段】薄膜トランジスタの製造方法は、金属誘導結晶化方法によって非晶質シリコン薄膜を結晶化薄膜２０ｂに結晶化する過程で、熱処理条件と金属触媒のドーピング量を最適化することにより粒界に金属シリサイドが分布する領域を減らし、多結晶シリコン薄膜２０ｂの表面にＯ₂ガスまたはＨ₂Ｏ蒸気を供給して多結晶シリコン薄膜２０ｂの表面に不動態膜３０ａを形成し、それにより、電流特性と電子の移動度を向上させる。 （もっと読む）

【課題】大型の基板に対応するためにランニングコストの低いレーザー照射装置を用いたレーザーアニール法において、同心円模様が形成されない、もしくは同心円模様の形成を低減するためのレーザ照射装置を提供することを目的とする。
【解決手段】複数のレーザー光を集光する手段を備える。特に、レーザー発振装置はサイズが大きいので、ファイバーアレイによりレーザー光を近接させると、光学系を簡素化できるので装置の小型化が可能になる。 （もっと読む）

【課題】
ＤＯＥを用い、複数のレーザビーム源から出射したレーザビームを加算して、パワー密度を高めた照射光を形成する。
【解決手段】
レーザビーム照射方法は、第１のレーザビームを、第１の位置で第１の反射ミラーにより第１の方向に平行な方向に反射させ、発散光として進行させる工程と、 第２のレーザビームを、第１の位置の近傍の第２の位置で第２の反射ミラーにより第１の方向に平行な方向に反射させ、発散光として進行させる工程と、第３のレーザビームを、第１の反射ミラーと第２の反射ミラーの間を通って、第１の方向に平行に発散光として進行させる工程と、重なりを持って第１の方向に進行する、第１、第２、第３のレーザビームの合波光を受け、平行ビームにする工程と、平行ビームを回折光学素子に入射させ、回折を生じさせる工程と、を含む。 （もっと読む）