【課題】工程数を増加させることなくポリシリコン半導体薄膜のレーザー活性化を均一に行うことができ且つレーザー活性化時の汚染が防止されたポリシリコン半導体薄膜を有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基材１０上にポリシリコン半導体薄膜１３を形成する工程と、ポリシリコン半導体薄膜１３（２１ｐ）にチャネル領域１３ｃ、ソース側拡散領域１３ｓ及びドレイン側拡散領域１３ｄを形成するために、ポリシリコン半導体薄膜１３（２１ｐ）上にマスク２３を形成する工程と、マスク２３の上方からイオン注入２４してポリシリコン半導体薄膜１３（２１ｐ）にソース側拡散領域１３ｓ及びドレイン側拡散領域１３ｄを形成する工程と、マスク２３を除去する工程と、マスク２３を除去したポリシリコン半導体薄膜１３（２１ｐ）上にシリコン薄膜２５を形成する工程と、シリコン薄膜２５の上方からレーザー２６を照射してポリシリコン半導体薄膜１３（２１ｐ）を活性化する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】従来の点状のプラズマジェットによる非晶質薄膜の結晶化に比べて、より短時間で、均一な多結晶薄膜を得ることができる非晶質薄膜の結晶化装置及び結晶化方法、並びに薄膜トランジスタの製造方法を提供することにある。
【解決手段】非晶質薄膜２０を形成した絶縁基板２１を、前記非晶質薄膜２０が上向きになるように載置するためのステージ３０と、前記非晶質薄膜２０と対向する位置に設けられ、内部４０ａに所定のプラズマ発生ガス５０を導入してプラズマジェットを発生し、前記非晶質薄膜２０に対して照射したプラズマ照射領域を上から取り囲むトンネル状の被覆部材４０と、該被覆部材４０の頂部外面に被覆部材４０の長手方向に線状に接触した状態で配設される上側電極６０と、前記絶縁基板２１の下方であって、かつ前記上側電極６０と対向して配設される下側電極７０と、高周波電源８０とを具える。 （もっと読む）

本発明は、次の工程を含むハイブリッド基板を製造する方法に関する：第１の単結晶領域（１２Ａ）およびアモルファス材料の第２の隣接領域（１２Ｂ）から構成された下位電気絶縁連続層（１１）によって延在された混合層を含み、上記第２の領域は、上記第１の基板の自由表面の少なくとも一部を構成する第１の基板（１０）が準備され；その表面で、所定の結晶配向を備えた基準層を含む第２の基板（２０）が、少なくとも上記アモルファス領域上に、疎水性分子結合によって上記第１の基板に結合され；固相へのアモルファス領域の少なくとも一部の再結晶が、基準層の結晶配向に従って実行され、２つの基板は結合界面で分離される。
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所定の材料の薄膜を形成する方法は次の工程を含む：表面上に上記所定の材料のアモルファスおよび／または多結晶膜１２を有する第１の基板１０が準備される；この第１の基板に疎水性直接結合（分子付着）によって、第２の基板２０が結合され、上記第２の基板は、その表面上に所定の結晶配向の単結晶参照膜２１を有する；少なくとも、アモルファスおよび／または多結晶膜に熱処理が適用され、上記熱処理は、このアモルファスおよび／または多結晶膜１２の少なくとも一部に参照膜２１の結晶配向に沿って固相再結晶を受けさせるように設計され、この参照膜は再結晶種として機能を果たす；少なくとも部分的に再結晶された膜は、参照膜の少なくとも一部から分離される。
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【課題】 薄膜トランジスタを形成する領域のみ、アモルファスシリコン薄膜を結晶化させることができるレーザー結晶化法を提供する。
【解決手段】 基板１上に成膜したアモルファスシリコン薄膜２にレーザー光を照射して結晶化する結晶化法であって、アモルファスシリコン薄膜２の所望の局所領域に吸収剤層３を印刷する吸収剤印刷工程と、吸収剤層３への吸収があってアモルファスシリコン薄膜２への吸収が無い波長を有する半導体レーザー光Ｌを、前記局所領域を含むアモルファスシリコン薄膜４に向けて照射し、吸収剤層３を加熱することにより、アモルファスシリコン薄膜２の前記局所領域を結晶化させるレーザーアニール工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長時の加熱に伴うスリップが発生せず、ウェーハ表面のボイド欠陥に起因したエピタキシャル膜の表面粗さの低下も解消可能なエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶シリコン製のシリコンウェーハの表面にアモルファスシリコン膜または多結晶シリコン膜を堆積後、この膜を高エネルギ光の照射で溶融、固化し、単結晶シリコンに変質させる。これにより、エピタキシャル膜の液層エピタキシャル成長を可能とし、エピ成長時の加熱に伴うスリップの発生を無くせる。しかも、仮にウェーハ表面にボイド欠陥が存在しても、溶融により、表面の平坦度が高いエピタキシャル膜が得られる。 （もっと読む）

【課題】レーザ光を走査しながら照射するレーザアニールにおいて、非晶質膜を均一に結晶化すること。
【解決手段】本発明は、基板１０上の非晶質膜にレーザ光を走査しながら照射して結晶化を図る工程と、レーザ光の照射および走査を行いながら基板１０からのレーザ光の反射光量を反射光量検出器ＰＤで検出するとともに、レーザ光の走査位置を反射光位置検出器ＰＳＤで検出して走査速度を求める工程と、レーザ光の反射光量およびレーザ光の走査速度と予め設定された基準との比較結果に基づきレーザ光の照射量および走査速度を制御部３０で制御する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】レーザー光の照射条件に起因する半導体装置の特性のばらつきを低減することを目的の一とする。又は、基板の熱収縮に起因する半導体装置の特性ばらつきを低減することを目的の一とする。
【解決手段】貼り合わせによりベース基板上に設けられた単結晶半導体層にレーザー光を照射した後、第１の熱処理を施してその特性を向上させ、単結晶半導体層に導電型を付与する不純物元素を添加した後、第１の熱処理の温度より低い温度で第２の熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】形成される炭化シリコン層の結晶性を悪化させることなく、従来に比べて生産性を向上させることができる炭化シリコンの製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１の表面にシリコン酸化層２を形成し、シリコン基板１内にシリコン酸化層２を通して炭素イオンを注入することによりシリコンと炭素の混在した炭素含有層３を形成し、シリコン基板１からシリコン酸化層２を選択的に除去することにより炭素含有層３を露出させ、シリコン基板１を熱処理して炭素含有層３を単結晶化させることにより単結晶炭化シリコン層４を形成し、熱処理の過程で単結晶炭化シリコン層４の表面に形成された酸化層５を除去することにより単結晶炭化シリコン層４を露出させて、ＳｉＣウエハ１０を製造する。 （もっと読む）

【課題】赤色の光の感度を充分に得ることを可能にする固体撮像素子を提供する。
【解決手段】半導体層３の内部にフォトダイオードを構成する電荷蓄積領域４が形成され、この電荷蓄積領域４の内部又は下に、電荷蓄積領域４を透過した光を反射させて電荷蓄積領域４の中央部に向かわせる反射膜１６が設けられている固体撮像素子を構成する。 （もっと読む）

【課題】レーザー光を照射することにより単結晶半導体層の結晶性を回復させる場合であっても、レーザー光の照射時に酸素が取り込まれるのを抑制し、レーザー光の照射前後において、単結晶半導体層に含まれる酸素濃度を同等又は低減することを目的の一とする。
【解決手段】貼り合わせによりベース基板上に設けられた単結晶半導体層にレーザー光を照射して当該単結晶半導体層の結晶性を回復（再単結晶化）させる工程を有し、レーザー光の照射を還元性雰囲気下または不活性雰囲気下で行う。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、レーザなどの紫外光源を用いたプロセスによりｓｐ^３−結合性ＢＮ多形（ｓｐ^３−結合性ｎＨ−ＢＮ；ｎ＝２以上の自然数）薄膜でかつ半導体特性を持つものを作製することを可能にする新たな手法、得られる材料、及びその電子デバイスへの応用に関するものである。
【解決手段】
発明１の半導体材料は、前記薄膜がＢＮはｓｐ^３−結合性ｎＨ−ＢＮ（ｎは２以上の自然数）であることを特徴とするものであり、発明２は、発明１の半導体材料の製造方法であって、半導体基板にアモルファスＢＮ薄膜が形成してある前駆体の薄膜方面に紫外光を照射して、前記薄膜をｓｐ^３−結合性ｎＨ−ＢＮ（ｎは２以上の自然数）に変性することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】有機薄膜トランジスタの活性層として使用される有機薄膜に有機溶媒の局所的な塗布やレーザーを用いた局所的な熱処理を行い、有機薄膜の結晶度を局所的に向上させる方法を提供する。
【解決手段】本発明による有機薄膜の局所的結晶化方法は、（ａ）有機半導体物質を利用して有機薄膜を形成する段階と、（ｂ）前記有機薄膜の所定領域に有機溶媒を塗布するか、レーザービームを照射し、前記所定領域の有機薄膜を軟質相に変化させる段階と、（ｃ）前記軟質相に変化した有機薄膜を所定時間乾燥し、前記所定領域の結晶度を向上させる段階と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体層の結晶性が高いＩＩＩ族窒化物半導体層貼り合わせ基板を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物半導体層貼り合わせ基板の製造方法は、ＩＩＩ族窒化物半導体基板２０の一方の主表面２０ｍから所定の深さＤの領域に水素およびヘリウムの少なくともいずれかのイオンＩを注入する工程と、ＩＩＩ族窒化物半導体基板２０の主表面２０ｍに異種基板１０を貼り合わせる工程と、ＩＩＩ族窒化物半導体基板２０をイオンＩが注入された領域２０ｉにおいて分離することにより、ＩＩＩ族窒化物半導体層貼り合わせ基板１を得る工程と、ＩＩＩ族窒化物半導体層貼り合わせ基板１を、窒素含有ガスＮの雰囲気下７００℃以上でアニールする工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】基板が設置されたステージをＸ方向やＹ方向に移動させるレーザー照射装置は、基板が大型化した場合、比例してフットプリント（処理に必要とされる平面での面積）が格段に大きくなり、装置全体の巨大化を招く問題が生じてしまう。
【解決手段】本発明のレーザ照射装置は、ガルバノミラーやポリゴンミラーによりレーザー光を半導体膜に照射して走査させ、さらにレーザー光照射の際は、常に半導体膜への入射角度θをある角度に一定に保つ。 （もっと読む）

【課題】結像レンズがレーザー光を吸収して熱膨張することによる焦点位置の位置ずれを補正する。
【解決手段】基板の高さ変化量を換算して求めた結像レンズの位置ずれ量と、レーザー光の照射積算時間に基づいて求めた結像レンズの焦点の位置ずれ量とを加算して、結像レンズの熱膨張によるビーム集光位置の変動を補正するための補正移動量を算出し、この補正移動量を用いて結像レンズ移動部を駆動して結像レンズを移動することによって焦点位置の位置ずれを補正する。 （もっと読む）

【課題】量産に適した半導体基板、及び当該半導体基板を用いた半導体装置を作製することを目的の一とする。
【解決手段】支持基板上に絶縁層、第１の電極、第１の不純物半導体層を少なくとも有する積層体を形成し、第１の不純物半導体層上に一導電型を付与する不純物元素が添加された第１の半導体層を形成し、第１の半導体層上に、一導電型を付与する不純物元素が添加された第２の半導体層を、第１の半導体層とは異なる条件により形成し、固相成長法により、第１の半導体層及び第２の半導体層の結晶性を向上させて、第２の不純物半導体層を形成し、第２の不純物半導体層に、一導電型を付与する不純物元素を添加し、一導電型とは異なる導電型を付与する不純物元素を添加し、ゲート絶縁層を介してゲート電極層を形成し、ソース電極層又はドレイン電極層を形成する。 （もっと読む）

【課題】高集積化を妨げずに、多結晶ＴＦＴのオン電流及び移動度を高めることができる半導体装置の作製方法と、それによって得られる半導体装置の提供を課題とする。
【解決手段】半導体膜に触媒元素を添加して加熱することで、結晶性が高められた第１の領域と、第１の領域と比較して結晶性が劣っている第２の領域とを形成し、第１の領域に第１のレーザー光を照射することで、第１の領域よりも結晶性が高められた第３の領域を形成し、第２の領域に第２のレーザー光を照射することで、第２の領域よりも結晶性が高められた第４の領域を形成し、第３の領域と第４の領域をパターニングして、第１の島状の半導体膜と、第２の島状の半導体膜をそれぞれ形成し、第１と第２のレーザー光は、互いにエネルギー密度が同じであり、第１のレーザー光の走査速度は第２のレーザー光の走査速度より速い半導体装置の作製方法。 （もっと読む）

【課題】基板を低温に維持したまま、膜の高温アニールまたは熱ＣＶＤ膜を基板表面に形成することができる安価な膜形成方法および膜形成装置を提供する。
【解決手段】支持台４上に密着して支持されたガラス基板１の表面にあるアモルファスシリコン膜上に、複数の高温ガスビーム２ｂ，２ｃをほぼ垂直に吹き付けてアモルファスシリコン膜をアニールする。 （もっと読む）

多結晶層の製造方法において、基材（１）上に一連の層を堆積し、前記一連の層は、非晶質初期層（４）、金属活性層（２）および初期層（４、１０）と活性層（２、１１）との間に堆積された中間層（３）を含む。中間層（３）をチタンをベースとして製造する。活性層（２）に位置する多結晶最終層を製造するために一連の層を熱処理する。 （もっと読む）