【課題】基板上の任意の位置に任意の向きの有機半導体単結晶を形成する。
【解決手段】親液性であって、結晶成長の方向を規制する形状（長方形など）を有する領域内に置かれた有機半導体に対して溶媒蒸気アニールを行うことにより、当該領域内に所定の方向に整列した有機半導体単結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】エッチング液や剥離液に対する耐性に優れているゲート絶縁層を形成することにより、このゲート絶縁層上にエッチング法により電極を形成させることができるようにすること。及び、その上に半導体材料を湿式塗布、結晶化処理しても溶出し難いゲート絶縁層を形成すること。すなわち、安価で高性能な上に、樹脂製のフレキシブル基板に適用可能な電界効果トランジスタを製造すること。
【解決手段】電界効果トランジスタのゲート絶縁層用組成物であって、重合性モノマー、重合開始剤及び架橋性基としてアリル基及び／又は（メタ）アクリロイル基を有する樹脂を含み、該重合性モノマーがエチレン性不飽和結合を２個以上有し、該架橋性基を有する樹脂の架橋性基当量が８００ｇ／ｅｑ以下であることを特徴とする電界効果トランジスタのゲート絶縁層用組成物。 （もっと読む）

【課題】さらなる低温プロセス（３５０℃以下、好ましくは３００℃以下）を実現し、安価な半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明は、結晶構造を有する半導体層１０３を形成した後、イオンドーピング法を用いて結晶質を有する半導体層１０３の一部にｎ型不純物元素及び水素元素を同時に添加して不純物領域１０７（非晶質構造を有する領域）を形成した後、１００〜３００℃の加熱処理を行うことにより、低抵抗、且つ非晶質な不純物領域１０８を形成し、非晶質な領域のままでＴＦＴのソース領域またはドレイン領域とする。 （もっと読む）

【課題】絶縁層上に結晶性の良好な半導体層を形成することができる、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁層４１上に厚さ４ｎｍ〜１μｍの非晶質の半導体層４３を形成する工程と、この半導体層４３に対して、波長が３５０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲内のエネルギービームを照射することにより、半導体層４３を結晶化させる工程とを含んで、半導体装置を製造する。 （もっと読む）

【課題】結晶の結晶片又はその集合体における被形成体に対する付着力が高い、有機結晶構造物を提供すること。
【解決手段】基板１２に直接接触して設けられた有機化合物の単結晶の結晶１４と、結晶１４が設けられた基板１２の面１８と同一面２０に直接接触し、かつ、前記結晶１４における周囲の少なくとも一部に直接接触して設けられた、有機化合物の非晶質の薄膜１６と、を有する、有機結晶構造物１０である。 （もっと読む）

【課題】基板の材質に関係なく半導体回路部分への高熱処理が可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】樹脂基板２上にシリコーン樹脂で密度が０．７ｇ／ｃｍ3以下の多孔質構造体層４を設ける。ここでシリコーン樹脂は９５質量％以上がシルセスキオキサンまたはシロキサンからなり、シルセスキオキサンはメチルシルセスキオキサンまたはフェニルシルセスキオキサンであることが好ましい。この多孔質構造体層上に半導体素子層３を設け、この半導体素子層側からのみ間欠的に光または電子線により加熱する。 （もっと読む）

【課題】半導体膜から粒径の大きな結晶相の半導体を得る工程において、以降の工程で、アライメントマークとして利用可能なマーク構造を、同一の露光工程において半導体膜に形成する。
【解決手段】この発明は、光を変調して結晶化のための光強度分布を形成する光強度変調構造ＳＰと、光強度変調構造と一体にまたは独立に設けられ、光を変調して所定形状のパターンを含む光強度分布を形成するとともに結晶化領域の予め定められた位置を示すマーク形成構造ＭＫと、を有することを特徴とする光変調素子３に関する。この光変調素子によれば、絶縁基板上に所定厚さに堆積された半導体膜の任意の位置に、結晶核を形成し、その結晶核から所定の方向に結晶を成長させるとともに、半導体膜の任意の位置にアライメントマークＡＭを、同一工程で形成できる。 （もっと読む）

【課題】フローティングゲート電極を備えた不揮発性メモリ素子の駆動電圧を高くすることなく、不揮発性メモリ素子、および厚いゲート絶縁膜を備えた高耐圧型トランジスタを同一基板上に形成する。
【解決手段】不揮発性メモリ素子の島状半導体領域とフローティングゲート電極間、および、トランジスタの島状半導体領域とゲート電極間には、第１の絶縁膜と第２の絶縁膜の積層膜が形成されている。第１の絶縁膜はフローティングゲート電極と重なる部分が除去されており、島状半導体領域とフローティングゲート電極間の絶縁膜が、トランジスタのゲート絶縁膜よりも薄くされている。トランジスタはフローティングゲート電極と同じ層に形成されている導電膜と、コントロールゲート電極と同じ層に形成されている導電膜とを有し、これら２つの導電膜は電気的に接続され、トランジスタのゲート電極として機能する。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ駆動に適した比抵抗をもつ良質な無機膜を提供する。
【解決手段】一般式Ｎ_aＭ_bＱ_cＯ_d（式中ＮはＺｎまたはＭｇ、ＭはＴｉ、ＷまたはＭｏ、ＱはＩｎまたはＦｅであり、ａ，ｂ，ｃ，ｄは正の実数である）で表される無機膜を、Ｎの酸化物、アルコキシドまたは有機金属化合物の少なくとも１つと、Ｍの酸化物、アルコキシドまたは有機金属化合物の少なくとも１つと、Ｑの酸化物、アルコキシドまたは有機金属化合物の少なくとも１つと、有機溶媒と、を含む原料液を基板上に塗布成膜し、加熱処理により製造する。 （もっと読む）

【課題】被剥離層に損傷を与えない剥離方法を提供し、小さな面積を有する被剥離層の剥離だけでなく、大きな面積を有する被剥離層を全面に渡って歩留まりよく剥離することを可能とすることを目的としている。また、様々な基材に被剥離層を貼りつけ、軽量された半導体装置およびその作製方法を提供することを課題とする。特に、フレキシブルなフィルムにＴＦＴを代表とする様々な素子を貼りつけ、軽量された半導体装置およびその作製方法を提供する。
【解決手段】基板上に第１の材料層１１を設け、前記第１の材料層１１に接して第２の材料層１２を設け、さらに積層成膜または５００℃以上の熱処理やレーザー光の照射処理を行っても、剥離前の第１の材料層が引張応力を有し、且つ第２の材料層が圧縮応力であれば、物理的手段で容易に第２の材料層１２の層内または界面において、きれいに分離することができる。 （もっと読む）

【課題】高性能で安価な半導体装置及びその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上に、単結晶半導体基板にイオンを打ち込み前記基板に貼り付けた後熱処理を加えることにより残存させた単結晶半導体層を有する第１の領域と、非単結晶半導体層を有する第２の領域と、を設ける。また、劈開単結晶半導体層に不活性雰囲気中においてレーザー光の照射を行い、非単結晶半導体層には、少なくとも一度、大気雰囲気中においてレーザー光の照射を行うとより好ましい。 （もっと読む）

【課題】比較的低温（５００℃未満）のプロセスで作製される素子を基板から剥離し、可撓性を有する半導体装置を作製する方法を提供する。
【解決手段】既存の大型ガラス基板の製造装置を用いて、ガラス基板上にモリブデン膜及びその表面に酸化モリブデン膜を形成し、酸化モリブデン膜上に非金属無機膜及び有機化合物膜を積層し、有機化合物膜上に比較的低温（５００℃未満）のプロセスで作製される素子を形成した後、その素子をガラス基板から剥離する。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ及びそれを用いる電子回路並びにＴＦＴによって形成される表示装置の製造工程において、フォトリソグラフィ工程を使用せず、さらに工程を簡略化し、生産能力を向上させる技術を提供する。
【解決手段】レーザビームを射出するレーザ発振器と、前記レーザビームを被照射体の表面において線状ビームに形成する光学系と、前記光学系と前記被照射体との間に設けられたマスクと、を有し、前記線状ビームは前記マスクを介して複数のレーザビームに分割され、前記複数のレーザビームは前記被照射体に照射される。 （もっと読む）

【課題】柔軟性を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】フィルム状の基板と、前記基板上に樹脂層を介して設けられており、半導体膜を有する薄膜トランジスタとを有する。また、可撓性の基板と、前記基板上に樹脂層を介して設けられており、半導体膜を有する薄膜トランジスタとを有する。また、フィルム状の基板上に樹脂層を形成し、前記樹脂層上にゲイト電極を形成し、前記ゲイト電極上にゲイト絶縁膜を形成し、前記ゲイト絶縁膜上に微結晶構造を有する半導体膜を形成する。また、可撓性の基板上に樹脂層を形成し、前記樹脂層上にゲイト電極を形成し、前記ゲイト電極上にゲイト絶縁膜を形成し、前記ゲイト絶縁膜上に微結晶構造を有する半導体膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】レーザ照射パターンを切り替えながら、所望の位置に高速にレーザ照射を行う方法を提案する。
【解決手段】レーザ発振器から射出したレーザビームを偏向器に入射し、前記偏向器を通過したレーザビームを回折光学素子に入射して複数に分岐させる。そして、前記複数に分岐されたレーザビームを絶縁膜上に形成されたフォトレジストに照射し、前記レーザビームが照射されたフォトレジストを現像して前記絶縁膜を選択的にエッチングする。 （もっと読む）

【課題】 良好な電気的性能を有する半導体デバイスを効率よく製造する。
【解決手段】 下記一般式Ｉ及び一般式IIで表される金属アルコキシド化合物（一般式Ｉ及び一般式IIで表される化合物はその一部が連結して複合アルコキシドを形成していてもよい）を含有し、１〜１００ｍＰａ・ｓの粘度を有する金属アルコキシド溶液を用いて半導体デバイスを作製する。
Ｚｎ（ＯＲ¹）₂ ・・・［Ｉ］
Ｍ（ＯＲ²）₃ ・・・［II］
（式中、Ｍはアルミニウム、鉄、インジウム及びガリウムの中の少なくとも一つの元素であり、比率Ｚｎ／Ｍが０．２〜１０の範囲である。Ｒ¹及びＲ²はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、炭素数が１〜２０の置換、又は無置換のアルキル基を表す。） （もっと読む）

ディスプレイ装置は、単結晶または多結晶の半導体材料の層が基板を覆って配置された基板を有し、基板は層の形成温度より低い歪点を有する。単結晶または多結晶材料は、基板を覆う自己組織化単分子層（ＳＡＭ）を提供する工程、ＳＡＭを覆う材料の層を被着する工程及び層を実質的に結晶化させる工程を含む方法によって作成される。

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プラスチック基板上にアモルファスSi層を形成し、前記アモルファスSi層をレーザ照射により結晶化して得られる結晶性Si層形成基板の製造方法において、前記レーザの発振波長の光に対する前記プラスチック基板の透過率が30〜100％であることを特徴とする方法。 （もっと読む）

【課題】性能および信頼性が高い半導体装置、かかる半導体装置を容易に効率よく製造し得る半導体装置の製造方法、前記半導体装置を備える電子デバイスおよび電子機器を提供すること。
【解決手段】図２に示す薄膜トランジスタ（半導体装置）１は、第１の基板２２０上に半導体層３１４が設けられている。この半導体層３１４には、ソース領域３１６、ドレイン領域３１８およびチャネル領域３２０が一体的に形成されており、ソース領域３１６およびドレイン領域３１８の厚さは、それぞれ、チャネル領域３２０の厚さより大きくなっている。また、半導体層３１４上には、ゲート絶縁膜３２６と層間絶縁膜３４２とを有し、これらの絶縁膜には、半導体層３１４のソース領域３１６およびドレイン領域３１８における最も厚さが大きい部分近傍に、孔部が形成されている。 （もっと読む）

結晶質または多結晶質層を形成する方法は、基板と基板上のパターンを提供する工程を有してなる。本方法は、核形成材料を提供し、核形成材料上に結晶質層を形成する各工程も含む。基板上に堆積された結晶質材料は、単結晶質であっても多結晶質であってもよい。
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