【課題】ＳＯＩ基板に不純物が混入するのを防ぐことができる、半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】水素ガス、ヘリウムガスおよびハロゲンガスから選ばれた１種または複数種のガスを含むソースガスを励起してイオンを生成し、該イオンをボンド基板に添加することで、ボンド基板中に脆化層を形成する。そして、ボンド基板の表面近傍、すなわち、ボンド基板のうち、脆化層よりも浅い位置から表面までの領域を、エッチングまたは研磨などにより除去する。次に、ボンド基板とベース基板とを貼り合わせた後、該ボンド基板を脆化層において分離させることで、ベース基板上に半導体膜を形成する。上記半導体膜をベース基板上に形成した後、該半導体膜を用いて半導体素子を形成する。 （もっと読む）

【課題】単結晶半導体層を有するＳＯＩ構造の基板を大面積化する。
【解決手段】矩形状の単結晶半導体基板を複数用意する。各単結晶半導体基板に、水素イオンをドープして所望の深さに損傷領域を形成し、各単結晶半導体基板の表面に接合層を形成する。損傷領域および接合層が形成された複数の単結晶基板をトレイに配置する。トレイには、単結晶半導体基板を収めるための凹部が形成されている。トレイに配置した状態で、損傷領域および接合層を形成した複数の単結晶半導体基板をベース基板と貼り合わせる。加熱処理することにより、損傷領域に沿って単結晶半導体基板を分割することで、ベース基板に薄片化された複数の単結晶半導体層が形成される。 （もっと読む）

【課題】大面積化が可能な半導体装置の作製方法を提供することを課題とする。また、効率のよい半導体装置の作製方法を提供することを課題とする。また、不純物元素を含有するような大面積基板を用いる場合において、信頼性の高い半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】半導体装置の大面積化及び作製効率の向上を可能とするために、複数の単結晶半導体基板を同時に処理して、ＳＯＩ基板を作製する。具体的には、複数の半導体基板の処理を同時に可能とするトレイを用いて、一連の工程を行う。ここで、トレイには単結晶半導体基板を保持するための凹部が設けられている。また、作製した半導体素子の特性に影響を与える不純物元素に対してバリア層として機能する絶縁層を設けることにより、半導体素子の特性の劣化を防止する。 （もっと読む）

【課題】単結晶半導体層を有するＳＯＩ構造の基板を大面積化する。
【解決手段】矩形状の複数の単結晶半導体基板をトレイに配置する。トレイには、単結晶半導体基板を収めるための凹部が形成されている。トレイに配置した状態で、水素イオンをドープして所望の深さに損傷領域し、また、複数の単結晶半導体基板表面に接合層を形成する。損傷領域および接合層を形成した複数の単結晶半導体基板をトレイに配置して、ベース基板と貼り合わせる。加熱処理することにより、損傷領域に沿って単結晶半導体基板を分割することで、ベース基板に薄片化された複数の単結晶半導体層が形成される。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ構造を有する半導体装置において、高性能化、低消費電力化を目的の一とする。また、より高集積化された高性能な半導体素子を有する半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に複数の電界効果トランジスタがそれぞれ平坦化層を介して積層しており、複数の電界効果トランジスタの有する半導体層は半導体基板より分離されており、該半導体層は絶縁表面を有する基板、又は平坦化層上にそれぞれ設けられた絶縁層に接して接合されている半導体装置とする。 （もっと読む）

【課題】閾値電圧などのばらつきを低減させることができ、信頼性の高い高性能なＴＦＴ特性を持つ半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体装置は、基板上に形成され、ソース領域４ｃ、ドレイン領域４ｄ及びチャネル領域４ｂを有する多結晶半導体層４ａと、多結晶半導体層４ａのソース領域４ｃ及びドレイン領域４ｄ上に形成された金属性導電層６と、多結晶半導体層４ａと金属性導電層６との間に形成された合金層５とを有し、多結晶半導体層４ａは、チャネル領域４ｂの膜厚が、金属性導電層６が形成された領域の膜厚より薄くなるように形成された凹部４ｅを有し、凹部４ｅの深さＸと、合金層５の膜厚Ｙと、金属性導電層６の膜厚ｔとが、次の関係を満たしている。
０．１ｔ≦Ｙ≦０．３ｔ
０．３Ｙ≦Ｘ≦２Ｙ （もっと読む）

【課題】高性能化を実現でき、かつ信頼性の高い薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る薄膜トランジスタは、ゲート電極７と、ゲート電極７の下にゲート絶縁膜６を介して形成されたチャネル領域４ｃ、このチャネル領域４ｃを挟むソース領域４ａ及びドレイン領域４ｂを有する半導体層４と、ソース領域４ａ直上に形成されたソース側−導電薄膜５ａ、ドレイン領域４ｃ直上に形成されたドレイン側−導電薄膜５ｂを有する導電薄膜５とを備え、導電薄膜５のうちの少なくともドレイン側−導電薄膜５ｂは、チャネル領域４ｂ直上まで延在されている。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板など耐熱温度が低い基板を用いた場合にも、実用に耐えうる単結晶半導体層を備えたＳＯＩ基板の製造方法を提供することを目的の一とする。また、そのようなＳＯＩ基板を用いた信頼性の高い半導体装置を作製することを目的の一とする。
【解決手段】半導体基板より分離され、絶縁表面を有する支持基板に接合された半導体層に高エネルギーを有する少なくとも一種類の粒子により該高エネルギーを供給することにより加熱し、加熱した半導体層表面に研磨処理を行う。高エネルギーの供給による加熱処理により半導体層の少なくとも一部の領域を溶融させ、半導体層中の結晶欠陥を低減させることができる。さらに、研磨処理によって半導体層表面を研磨し、平坦化することができる。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板など耐熱温度が低い基板を用いた場合にも、実用に耐えうる単結晶半導体層を備えたＳＯＩ基板の製造方法を提供することを目的の一とする。また、そのようなＳＯＩ基板を用いた信頼性の高い半導体装置を作製することを目的の一とする。
【解決手段】半導体基板より分離され、絶縁表面を有する支持基板に接合された半導体層に電磁波を照射し、電磁波の照射された半導体層表面に研磨処理を行う。電磁波の照射により半導体層の少なくとも一部の領域を溶融させ、半導体層中の結晶欠陥を低減させることができる。さらに、研磨処理によって半導体層表面を研磨し、平坦化することができる。従って、電磁波の照射と研磨処理によって、結晶欠陥が低減され、かつ平坦性も高い半導体層を有するＳＯＩ基板を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】成膜時間を増大することなく、粒径の揃った結晶粒を形成する。
【解決手段】本発明の多結晶半導体膜形成方法は、非晶質半導体膜を、この非晶質半導体膜が溶融しない条件で面方向に均一に加熱して、非晶質半導体膜内に結晶核を発生させる第１熱処理工程と、第１熱処理工程を実施した非晶質半導体膜に、非晶質半導体膜中の結晶核が溶融せず且つ非晶質半導体が溶融する条件でレーザ光を照射し、非晶質半導体を溶融及び凝固させることにより結晶化させる第２熱処理工程と、を備える。本発明の多結晶半導体膜形成装置１０は、上記の第１熱処理工程を実施する第１熱処理装置２０と、上記の第２熱処理工程を実施する第２熱処理装置３０とを備える。 （もっと読む）

【課題】レーザ処理装置における被処理体へのレーザ照射部のガス雰囲気を良好に形成する。
【解決手段】被処理体（非晶質半導体薄膜１０）にレーザ光３を相対的に走査しつつ照射して前記被処理体の処理を行うレーザ処理装置において、照射雰囲気を形成するガスを前記被処理体の前記レーザ光照射部分近傍に噴射するガス噴射部（レーザ光照射口兼ガス噴射口８）と、該ガス噴射部近傍から前記走査方向に沿って前記被処理体表面と距離を保ちつつ伸張する整流面（整流板７ａ、７ｂ）を設ける。走査方向に沿って広範囲にガス雰囲気を形成することができ、レーザ光照射時のガス雰囲気を良好にしてアニールなどのレーザ処理をより良好なものにできる。 （もっと読む）

【課題】製造コストの上昇を抑制しつつ、基板を溶融させることなく、表面が平滑化した多結晶半導体膜を形成する。
【解決手段】水素ガス３１を含み且つ非酸化性の処理雰囲気中で基板２上に形成された半導体膜３にレーザ光１を照射し、基板２の温度を融点以下に保持したまま、半導体膜３を１０００℃以上に加熱して溶融させその後凝固させることにより、半導体膜３を結晶化させる。 （もっと読む）

【課題】レーザ処理装置における被処理体へのレーザ照射部のガス雰囲気を良好に形成する。
【解決手段】被処理体（非晶質半導体薄膜２）にレーザ光６を照射して前記被処理体の処理を行うレーザ処理装置に備えられ、照射雰囲気を形成するガスを前記被処理体の前記レーザ光照射部分近傍に噴射するガス噴射手段であって、該噴射手段は、前記ガスの導入部（ガス供給管１２）と、前記ガスが前記被処理体に向けて噴射されるガス噴射口１５と、前記ガス導入部から前記ガス噴射口に至るガス流路１３を有しており、該ガス流路に、ガスの流れ方向に対面してガス流を乱すことでガスの流れ方向と交差する方向におけるガス流を均す均流面が設けられている。被処理体のレーザ光照射部付近に均等な照射雰囲気を形成でき、レーザ光の照射による処理を均等かつ良質に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】良好な特性を有するＴＦＴを実現するために、製造工程を増加、複雑化させることなく、さらに、結晶性を低下させることなく半導体層を平坦化する方法、また、半導体層表面を平坦化させゲート絶縁膜との界面を安定させる方法を実現することを目的としている。
【解決手段】窒素、水素、または不活性気体から選ばれた一種の気体雰囲気または複数種の気体の混合雰囲気において、表面の酸化膜が除去された状態でレーザ光を照射することにより、表面が平坦化された結晶質半導体膜を形成する。表面の酸化膜が除去された状態でレーザ光を照射することにより、結晶質半導体膜の表面における最高点と最低点との差を６ｎｍ以下にすることができる。 （もっと読む）

【課題】開口率を向上させることができる半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、基板上の所望の位置に形成される遮光層４１と、遮光層４１及び基板２０上に形成される下地膜２１と、下地膜２１上に形成され、ソース領域及びドレイン領域並びにチャネル領域を有する第１の半導体領域３１及び第２の半導体領域４２と、第１の半導体領域３１及び第２の半導体領域４２上に形成されたゲート絶縁膜２２と、ゲート絶縁膜２２上に、第１の半導体領域３１及び第２の半導体領域４２と対向する位置にそれぞれ形成されたゲート電極を備え、第１の半導体領域４２のチャネル領域は遮光層４１と対向する位置に形成され、非晶質半導体からなり、第２の半導体領域３１のチャネル領域は多結晶半導体からなる。 （もっと読む）

【課題】結晶性が優秀な多結晶シリコンを形成すると同時に、結晶化時高温の結晶化温度による基板の曲がりを防止することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に非晶質シリコンを含むシリコン層を蒸着し、シリコン層をＨ_２Ｏ雰囲気、特定温度下で熱処理して非晶質シリコン層を部分結晶化する工程、部分結晶化された非晶質シリコン層をレーザ光を照射して多結晶シリコン膜を形成する工程と、多結晶シリコン層上にゲート絶縁膜を形成する工程と、ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程とを備えることによって、非晶質シリコンの固相結晶化法によって結晶化時高温の結晶化温度による基板の曲がりを防止することができ、製造された薄膜トランジスタの不良を減少させることができる。 （もっと読む）

【課題】レーザ光の照射部分において十分に酸素濃度を下げることによりアニール効果のばらつきを大幅に低減することができるレーザアニール装置を提供する。
【解決手段】本発明のレーザアニール装置１は、基板ステージ１０と、ビーム長手方向に延びる長方形状開口１８をもち長方形状開口１８から不活性ガス１９を噴き出して基板２に吹き付ける吹付けノズル１７を有しレーザ光４の照射部分より広い範囲に不活性ガスを供給するガス供給機構と、基板ステージ１０の基板載置面の外端部から外側に向って延びるスカート部材３２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の動作特性を向上させ、かつ、低消費電力化を図る。特に、オフ電流値が低く、バラツキの抑えられたＴＦＴを得ることを課題とする。
【解決手段】シリコンの結晶化を助長する金属元素を用いて結晶化された第１のシリコン膜の金属元素をゲッタリングするために、希ガスを含み且つ非晶質構造を有する第２のシリコン膜を使用する。また、雰囲気を変えて２回レーザー照射を行う。２回目のレーザー照射は照射領域が不活性気体雰囲気となるようにして行うと第１のシリコン膜の平坦性が向上される。 （もっと読む）

【課題】レーザ光の照射効率が高く、高品質の半導体膜を持つ薄膜半導体素子を高い生産性、低コストで製造することができる薄膜半導体素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜半導体素子の製造方法は、非晶質Ｓｉ膜１２の一方の面に、１より大きく、非晶質Ｓｉ膜１２の屈折率より小さい屈折率を有する少なくとも１つの層からなる反射防止膜３１，３２を配置する工程と、非晶質Ｓｉ膜１２の他方の面を大気または不活性ガスに露出させた状態で、ガラス基板１１および反射防止膜３１，３２を介して非晶質Ｓｉ膜１２にレーザ光Ｌ０を照射する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 様々な結晶粒径を有する多結晶半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成する場合において、薄膜トランジスタ特性を向上させつつ、キャリア移動度など、その特性のばらつきの増加を抑制すること。
【解決手段】 絶縁基板上に形成された非晶質半導体膜をレーザー光を照射して加熱することにより作成する多結晶半導体膜において、レーザー光の波長をλとすると、単一結晶を構成する結晶粒界の当該レーザー光スキャン方向及びこれに垂直な方向の間隔がλ／２の整数倍からなり、これら２方向における間隔が異なる結晶粒界を含む半導体膜、及びこの半導体膜を用いて薄膜トランジスタを作成する。 （もっと読む）