【課題】歪点の低いガラス（歪点：約６５０℃）を用いて、ガラス基板上のアモルファスシリコン膜を多結晶シリコン化することができ、かつガラス基板の軟化による変形を回避し、多結晶シリコン化のための処理時間を大幅に短縮でき、生産性を大幅に高めることができるガラス基板の熱処理方法及び装置を提供する。
【解決手段】ガラス基板１の歪点よりも高い温度で上面が所望の平面度を保持する耐熱支持板１０上にガラス基板の下面を接触させて水平に載せ、歪点よりも高い温度で熱処理して、ガラス基板上のアモルファスシリコン膜を多結晶シリコン化する。 （もっと読む）

【課題】結晶化装置において、エキシマ・レーザーの高繰り返し連続照射におけるレンズの熱膨張および基板の熱膨張を低減する。
【解決手段】結晶化装置は、レーザー光を照射する照明光学系と、このレーザー光を所定の光強度分布の光線に変調する光変調素子と、この光変調素子の変調光を基板上に結像させる結像光学系と、基板を支持すると共に基板上の二次元位置を定める位置決めステージとを備え、基板に設けられた薄膜を変調光により溶融して結晶化させる結晶化装置において、照明光学系、光変調素子、結像光学系を含む光学系、および位置決めステージを室内に収納し、室内温度を所定の一定温度に制御自在とする恒温室を備える。エキシマ・レーザーの高繰り返し連続照射による熱発生に対して、光学系および基板ステージを恒温室内に設置する構成とすることでレンズおよび基板の温度を一定とする。 （もっと読む）

【課題】基板に対する熱負荷を低減できる半導体装置の製造方法等を提供する。また、半導体素子の特性を向上させることができる半導体装置の製造方法等を提供する。
【解決手段】ノズル２２に設けられた開口部から放出される過熱水蒸気を基板１００上に走査し、基板１００上のシリコン層を熱処理する。この熱処理によって、シリコン層が再結晶化される。この際、シリコン層の表面に酸化膜が形成される。この酸化膜をゲート絶縁膜や容量絶縁膜として使用することができる。かかる処理によれば、過熱水蒸気によりシリコン層の再結晶化を行なうことができる。また、過熱水蒸気によりシリコン層の改質を行うことができる。また、ノズル２２と基板１００との距離や走査速度を調整することにより基板１００に対する熱負荷を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】形状精度が良好でかつ良質な結晶粒を規則的に配列させることが可能な半導体薄膜の結晶化方法を提供する。
【解決手段】半導体薄膜３に対してレーザ光Ｌｈ（エネルギービーム）を所定速度で走査させながら連続照射することにより、半導体薄膜３をレーザ光Ｌｈの走査にともなって結晶化させる半導体薄膜３の結晶化方法において、半導体薄膜３を完全溶融させると共に、レーザ光Ｌｈの走査中心がレーザ光Ｌｈの走査に伴って最後に結晶化されるようにレーザ光Ｌｈの照射条件を設定することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】形状精度が良好な結晶粒を規則的に配列させることにより、精度良好な高いキャリア移動度を示す結晶領域を形成することが可能な半導体薄膜の結晶化方法を提供する。
【解決手段】半導体薄膜３に対してレーザ光Ｌｈ（エネルギービーム）を所定速度で走査させながら連続照射することにより、半導体薄膜３をレーザ光Ｌｈの走査にともなって結晶化させる半導体薄膜３の結晶化方法において、レーザ光Ｌｈの照射径ｒ以下のピッチｐを保ってレーザ光Ｌｈを平行に走査させることで、レーザ光Ｌｈの走査方向ｙと異なる方向に帯状の結晶粒ｂを成長させる。 （もっと読む）

【課題】安価なガラス基板上に積層された非結晶半導体膜を、低温で結晶化することによ
り、大面積の多結晶シリコン膜を低コストで形成する。
【解決手段】水素原子を含むガスと酸素ガスとを少なくとも含む混合ガスを燃焼させて得
られる燃焼ガス１４を、シリコンの結晶化を促進する金属元素からなる網２４に吹き付け
た後に、表面が絶縁性である基板２０上に配置されている非結晶シリコン膜２２に吹き付
けて、非結晶シリコン膜２２の少なくとも表面近傍に金属元素を添加する第１の工程を含
むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】常圧又は常圧に近い低圧下で、ＧａＮのような融点の高い化合物半導体を分解することなく溶融させることができ、これにより、融液の徐冷によって化合物半導体の活性を高めることができる化合物半導体の活性化方法及び装置を提供する。
【解決手段】化合物半導体を反応容器１２内に収容し、化合物半導体の融点における平衡蒸気圧が１気圧以下の低蒸気圧ガス２により反応容器内を置換し、反応容器内を前記平衡蒸気圧以上の圧力に保持しながら低蒸気圧ガスを化合物半導体の表面に沿って流し、バンドギャップが前記化合物半導体のそれより大きいパルスレーザ３を化合物半導体の表面に照射する。これにより、低蒸気圧ガスの雰囲気温度を室温あるいは分解温度以下に保持しながら、パルスレーザの照射位置の化合物半導体のみを瞬間的に加熱して溶融させる。 （もっと読む）

【課題】従来のレーザ照射装置で用いられているガス噴射させるための板のサイズは大きく、レーザ光が最後に通過する光学系と、板との間にあまり距離を採ることができなかったため、レーザ光が最後に通過する光学系から照射されるレーザ光の状態を確認することが困難であった。
【解決手段】レーザ照射装置は、レーザ発振器と、レーザ発振器から発振されたレーザ光を整形する光学系と、気体を噴射するための開口部を有する板と、板の下部に配置されたステージと、ステージ上方に板とステージの距離を一定に固定させるための手段と、光学系と板との間に設けられ、光学系を通過したレーザ光を観察することができる手段と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 結晶性半導体膜を用いた薄膜トランジスタの作製方法において、半導体膜に対するレーザーアニールの効果を高める。
【解決手段】 本発明に係る結晶性半導体膜を用いた薄膜トランジスタの作製方法は、レーザー照射室内を、少なくとも水分子を含有する雰囲気とし、前記レーザー照射室内において、非単結晶半導体膜に対してレーザービームを照射することにより、前記結晶性半導体膜を形成することを特徴とする。これにより、結晶性、均質性が大幅に向上した結晶性半導体膜を用いて、薄膜トランジスタを作製することができる。 （もっと読む）

【解決手段】 基板２ａ上に非晶質半導体膜を積層させた被加工物２に対し、加工ヘッド６に設けられた噴射ノズルより純水を液柱Ｗ状にして噴射し、該液柱Ｗ内にレーザ光Ｌを導光する。
液柱Ｗ内を導光されたレーザ光Ｌが照射されることで、アモルファスシリコン膜２ｂはポリシリコン膜へと結晶化し、この際液柱Ｗの純水がアモルファスシリコン膜２ｂに沿って広がるので、レーザ光Ｌが照射される部分は純水によって覆われ、大気と接触しなくなる。また、レーザ光Ｌによって加熱された部分は液柱Ｗの純水によって急激に冷却され、結晶化したポリシリコンの結晶粒を大きくすることができる。
【効果】 レーザアニールの作業を容易に行うことができ、レーザアニール装置を簡易な構成とすることができる。 （もっと読む）

【課題】 結晶性半導体膜を用いた薄膜トランジスタの作製方法において、半導体膜に対するレーザーアニールの効果を高める。
【解決手段】 本発明に係る結晶性半導体膜を用いた薄膜トランジスタの作製方法は、水分子を含んだガスを非単結晶半導体膜に吹き付けつつ、前記非単結晶半導体膜に対してレーザービームを照射することにより、前記結晶性半導体膜を形成することを特徴とする。これにより、結晶性、均質性が大幅に向上した結晶性半導体膜を用いて、薄膜トランジスタを作製することができる。 （もっと読む）

【課題】 基板表面の単結晶シリコン層を短時間で均一に単結晶炭化シリコンに変成させる。
【解決手段】 アモルファス炭素／黒鉛複合炭素材料からなる炭素板４１０を基板１００の表面と対向させて配置する。炭素源としての炭化水素ガスおよび水素ガスを基板１００の表面に供給しつつ、炭素板４１０を赤外線ランプ４００からの赤外線で加熱して炭素板４１０から発生する輻射熱で基板１００の表面を加熱する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、ハロゲン化アルミニウム、より好ましくは、塩化アルミニウム(AlCl₃)と異種金属又はこれらの金属化合物とを含む混合雰囲気の低温条件で非晶質シリコン薄膜を結晶化することによって、経済的且つ効率的に多結晶シリコン薄膜を製造することを目的とする。
【解決手段】 本発明の多結晶シリコン薄膜の製造方法は、基板上に形成された非晶質シリコン薄膜をハロゲン化アルミニウムと異種金属又はこれらの金属化合物を99:1〜1:99の比で混合された雰囲気下、400℃〜600℃の温度で熱処理する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】 移動度を大きくすることが可能な薄膜トランジスタ素子、およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 基板１と、基板１上に形成されており、かつチャネル領域２１とこれを挟むソース領域２２Ａおよびドレイン領域２２Ｂとを有するポリシリコン層２と、を備える薄膜トランジスタ素子Ａであって、基板１およびポリシリコン層２の間に介在する介在部３ａとポリシリコン層２から基板１の面内方向に延びる延出部３ｂとを有し、かつ基板１よりも熱伝導率が大きい絶縁層３をさらに備えている。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、液体状の高次シランまたは高次シラン溶液によって作製された前駆体膜を、加熱または光照射によりシリコン膜に変換する際、不活性ガス雰囲気中から酸素を除去することによって、シリコン膜中に酸素が取り込まれることを防ぐ方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明は、液体状の高次シランまたは高次シラン溶液を基板に塗布し、シリコン膜の前駆体膜（１４）を形成する第一工程と、シリコン膜の前駆体膜（１４）を、加熱処理または紫外線照射処理によって、シリコン膜（１４’）に変換する第二工程と、を含み、前記第一および第二工程を不活性ガス雰囲気中で行い、該不活性ガス雰囲気には酸素と反応し高次シランとは反応しない酸素除去用ガスが添加されていることを特徴とする、シリコン膜の形成方法を提供するものである。 （もっと読む）

【課題】
線状レーザの走査回数を減少させ、レーザアニールにかかる時間を短縮させ、半導体装置の作製工程、作製時間、作製にかかるコストを短縮させることを課題とする。
【解決手段】
本発明では、線状レーザビームの照射面に重なり合うように高温の気体を局所的に噴き付ける。線状レーザビームは、レーザ発振器から射出したレーザビームをレンズに入射することにより得られる。高温の気体は、気体圧縮ポンプで圧縮された気体をノズル型ヒータにより加熱することによって得られる。加熱された気体は、線状レーザビームの照射面に重ね合わせるように噴出する。 （もっと読む）

【課題】結晶性が優秀な多結晶シリコンを形成すると同時に、結晶化時高温の結晶化温度による基板の曲がりを防止することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に非晶質シリコンを含むシリコン層を蒸着し、シリコン層をＨ_２Ｏ雰囲気、特定温度下で熱処理して非晶質シリコン層を部分結晶化する工程、部分結晶化された非晶質シリコン層をレーザ光を照射して多結晶シリコン膜を形成する工程と、多結晶シリコン層上にゲート絶縁膜を形成する工程と、ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程とを備えることによって、非晶質シリコンの固相結晶化法によって結晶化時高温の結晶化温度による基板の曲がりを防止することができ、製造された薄膜トランジスタの不良を減少させることができる。 （もっと読む）

【課題】 ランプアニールにより効果的に被処理膜を加熱処理するための方法を提供する。
【解決手段】 基板１０１の上面側からは紫外光ランプ１０４を用いて紫外光１０７が照射される。また、基板１０１の下面側からは赤外光ランプ１０８を用いて赤外光１１１が照射される。本発明では赤外光照射による振動励起効果に加えて紫外光照射による電子励起効果が付加されるため、被処理膜１０３の励起効率が大幅に高まり、効果的な加熱処理が可能となる。 （もっと読む）

【課題】 結晶性が優良な多結晶シリコンを結晶化すると同時に結晶化時高温の結晶化温度による基板の曲がりを防止する。
【解決手段】 基板上に非晶質シリコンを含むシリコンフィルムをＰＥＣＶＤ法又はＬＰＣＶＤ法によって蒸着する段階，シリコンフィルムをＨ_２Ｏ雰囲気，一定温度下で熱処理して多結晶シリコン膜を形成する段階，多結晶シリコン膜上部にゲート絶縁膜を形成する段階，多結晶シリコン膜に不純物領域を形成してソース／ドレイン領域を定義する段階，及び不純物領域を活性化する段階を含む。 （もっと読む）