【課題】ＴＦＴの特性ばらつきに起因する、画素間における発光素子の輝度のばらつきを低減し、信頼性が高く、画質の優れた表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】発光素子に接続するＴＦＴを複数個、少なくとも２つ設け、それぞれのＴＦＴの活性層を形成する半導体領域の結晶性を異ならせるものである。
当該半導体領域は、非晶質半導体膜をレーザーアニールにより結晶化させたものが適用されるが、結晶性を異ならせるために、連続発振レーザービームの走査方向を変えて、結晶成長の方向を互いに異ならせる方法を適用する。或いは、連続発振レーザービームの走査方向は同じとしても、個々の半導体領域間でＴＦＴのチャネル長方向を変えて、結晶の成長方向と電流の流れる方向を異ならせる方法を適用する。 （もっと読む）

【課題】チャネル形成領域の空乏化領域を増やし、電流駆動能力の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】トランジスタを有する半導体装置であって、絶縁表面上に所定の間隔を隔てて互いに平行に配列された複数の短冊状の半導体膜と、前記複数の短冊状の半導体膜の上面及び側面に接するゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜を介して前記複数の短冊状の半導体膜の上面及び側面を覆うゲート電極を有する半導体装置である。半導体膜の上部及び側部をチャネル形成領域とすることで、電流駆動能力を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ基板の単結晶半導体層中の酸素濃度を低減させる方法を提供する。
【解決手段】単結晶半導体層を溶融状態にすることによって酸素の外方拡散を促進する。具体的には、ベース基板上に設けられた酸素を含有する接合層と、前記酸素を含有する接合層上に設けられた単結晶半導体層と、を有するＳＯＩ構造を形成し、前記ベース基板の温度を５００℃以上の温度であって前記ベース基板の融点よりも低い温度に加熱した状態において、前記単結晶半導体層をレーザー光の照射により部分溶融させることによって、ＳＯＩ基板を作製する。 （もっと読む）

【課題】レーザアニールによって結晶化された半導体膜を補助容量電極として用いたとしても、表示不良を解消、あるいは目立たなくさせることができ、歩留まりを向上させることができる。
【解決手段】各補助容量７の一方の電極をなすように上記複数の画素について共通に形成された直線状の補助容量配線６と、各補助容量７の他方の電極をなすように複数の画素について個別に、かつ補助容量配線６に対向するように形成された補助容量電極１３ｆとを備え、各補助容量電極１３ｆは、補助容量配線６の長手方向と交差する方向にラスタスキャンされる連続発振レーザビーム、あるいは擬似連続発振レーザビームによりレーザアニーリングされることによって多結晶化、あるいは結晶が改質された半導体膜からなる。 （もっと読む）

【課題】半導体薄膜の結晶化アニール工程の短縮化を図りながらも、オン電流が均一な薄膜トランジスタを得ることが可能で、これにより薄膜トランジスタに接続された発光素子の輝度ムラが防止された表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上の各画素ａに形成される薄膜トランジスタＴｒ２のソースＳ／ドレインＤのレイアウトが、第１画素列Ａ１と第２画素列Ａ２とで画素ａの配列方向に反転するように、基板１上にゲート電極１４ｂを形成する。これを覆う状態で基板１上にゲート絶縁膜３１および非晶質の半導体薄膜３２をこの順に成膜する。画素列方向においてドレインＤ側からソースＳ側に向かう走査方向ｖ（−ｖ）となるようにレーザ光Ｌｈを走査させながら、ゲート電極１４ｂ上方における半導体薄膜３２に対してレーザ光Ｌｈを照射して半導体薄膜３２を結晶化させる。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極の電極幅を広げることで寄生容量を増加させることなく、チャネル領域におけるチャネル長方向の結晶性が均一化された薄膜トランジスタを得ることが可能で、これにより薄膜トランジスタに接続された発光素子の輝度ムラが防止された表示特性の良好な表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板１上にゲート電極１４ａを形成する工程と、ゲート電極１４を覆う状態でガラス基板１上にゲート絶縁膜３１および非晶質の半導体薄膜３２をこの順に成膜する工程と、少なくともゲート電極１４ａ上方における半導体薄膜３２に対して、ゲート電極１４ａの延設方向にレーザ光Ｌｈを走査させながら照射することにより、半導体薄膜３２を結晶化させる工程とを含んでガラス基板１上に複数の薄膜トランジスタを形成し、さらにこのガラス基板１上に、各薄膜トランジスタに接続された複数の発光素子を形成する表示装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】結晶粒径が大きい多結晶半導体膜を従来方法に比べてより一層高い歩留まりで形成できる多結晶半導体膜の形成方法を提供する。
【解決手段】ガラス板等からなる基板１０上にアモルファスシリコン膜を形成し、このアモルファスシリコン膜をパターニングして、先端が凸の島状又は帯状のメインパターンＰ１と、メインパターンＰ１間の隙間を埋めるサブパターンＰ２とを形成する。そして、基板１０上に連続波レーザを照射しながら、レーザ照射域をメインパターンの先端から後端に向う方向に走査して多結晶半導体膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 ２本のレーザビームを斜め入射させる場合でも、高品質の多結晶膜を製造することが可能な多結晶膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 表面にシリコン膜が形成された加工対象物(30)の該表面をｘｙ面とするｘｙｚ直交座標系を定義したとき、該加工対象物の表面上のｙ方向に長い被照射領域に、該加工対象物の表面におけるパワー密度が相対的に大きく、かつｙ方向に関する光強度分布が均一化された第１のレーザビーム(L1)を、ｘ軸の正の向きに傾けた方向に沿って入射させると同時に、該加工対象物の表面におけるパワー密度が相対的に小さく、かつｙ方向に関する光強度分布が均一化された第２のレーザビーム(L2)を、ｘ軸の負の向きに傾けた方向に沿って入射させながら、前記加工対象物をｘ軸の正の向きに移動させることにより、前記シリコン膜を多結晶化させる。 （もっと読む）

【課題】 入射光の光軸を入れ替えて出射する。
【解決手段】 第１レーザビーム（ＬＢ）の光路に配置された第１偏光ビームスプリッタ（ＢＳ）と、第１ＢＳを透過した第１ＬＢが入射する位置に配置された第２ＢＳと、第２ＢＳで反射された第１ＬＢが入射する位置に配置された第３ＢＳと、第２ＬＢの光路に配置された第４ＢＳであって、第４ＢＳを透過した第２ＬＢは第３ＢＳに入射し、第４ＢＳで反射された第２ＬＢは第１ＢＳに入射するように配置された第４ＢＳと、第１ＢＳと第２ＢＳの間の第１ＬＢの光路でＬＢの偏光面を回転させないまたは９０°回転する第１偏光面回転器と、第４ＢＳに入射する第２ＬＢの光路でＬＢの偏光面を回転させないまたは９０°回転する第２偏光面回転器とを有し、第１ＢＳを透過する第１ＬＢの出射経路と、第１ＢＳで反射される第２ＬＢの出射経路が等しく、第３ＢＳを透過する第２ＬＢの出射経路と、第３ＢＳで反射される第１ＬＢの出射経路が等しい光軸入替装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】チャネル長の長いトランジスタの高速駆動を実現するとともに、チャネル長の短いトランジスタにおける特性の変動を抑制した半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明による半導体装置（１００）は、第１多結晶領域（Ｐ１）を有する第１半導体層（１１２）と、第１ゲート電極（１１４）とを含む第１トランジスタ（１１０）と、第２多結晶領域（Ｐ２）を有する第２半導体層（１２２）と、第２ゲート電極（１２４）とを含む第２トランジスタ（１２０）とを備える。第２チャネル領域（Ｃ２）のチャネル長は第１チャネル領域（Ｃ１）のチャネル長よりも短く、第２多結晶領域（Ｐ２）の平均結晶粒径は第１多結晶領域（Ｐ１）の平均結晶粒径よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】特定の方向にラテラルに成長させた多結晶半導体膜を用いて、しきい値電圧の異なる複数の薄膜トランジスタを備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】特定の方向にラテラルに成長させた第１の結晶質半導体層１４を用いて形成された第１の薄膜トランジスタと、特定の方向にラテラルに成長させた第２の結晶質半導体層１８を用いて形成された第２の薄膜トランジスタとを備え、第１の結晶質半導体層１４の結晶成長方向１０と、第１の薄膜トランジスタのチャネル方向１５とのなす角度が±１０°以下であり、第２の結晶質半導体層１８の結晶成長方向１０と、第２の薄膜トランジスタのチャネル方向１９とのなす角度が８０°以上１００°以下である半導体装置。 （もっと読む）

【課題】非単結晶半導体の結晶化を安全かつ高効率に行なうことが可能な半導体製造装置および半導体製造方法を提供する。
【解決手段】円柱または円筒の形状の回転ステージを有するローラーと、エネルギービームを出射するエネルギービーム照射機構と、ローラーおよびエネルギービーム照射機構を収容するチャンバーと、ローラーとエネルギービームの光軸との相対的な位置関係を変化させるための照射位置移動機構とを備え、該回転ステージは、円柱または円筒の底面の中心を通り底面と垂直をなす回転軸を中心に回転可能であり、回転ステージの側面の少なくとも一部の領域に基板ステージが設けられ、照射位置移動機構は、上記側面に対してエネルギービームが螺旋状に走査されるように上記の位置関係を回転軸の方向に変化させる機構であり、チャンバーはエネルギービームを遮蔽する材質からなる、半導体製造装置に関する。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ特性の経時変化が小さくかつキャリア移動度が高速でありながらも、トランジスタ特性が均一で高精度に制御された薄膜トランジスタを画素電極のスイッチング素子として用いることにより、色ムラや輝度ムラのない表示特性の良好な表示装置を提供する。
【解決手段】複数の画素電極と各画素電極を駆動するための薄膜トランジスタＴｒ１とを配列形成した駆動基板を有する表示装置であって、薄膜トランジスタＴｒ１は、エネルギービームの照射によって多結晶化した活性領域５ａ-1を有する半導体薄膜と、活性領域５ａ-1を横切るように設けられたゲート電極９とを備えている。特に、ゲート電極９と重なる活性領域５ａ-1のチャネル部Ｃでは、結晶状態がチャネル長Ｌ方向に周期的に変化しており、略同一の結晶状態が当該チャネル部Ｃを横切っている。 （もっと読む）

本発明は、基板（３２）の照射面（３６）に細い照射線（３１）をつくりだす光学デバイスを含む大基板のレーザアニーリング用装置に関し、照射線（３１）がレーザ光線からつくりだされ、第１方向への広がりおよび第２方向への広がりのある断面を有し、第１方向への広がりが第２方向への広がりの倍数で大きく、走査デバイスが、基板の照射面の第１セクションを照射線で第２方向に走査するよう構成されている。本発明によると、装置は、第１セクション（３７）を走査した後に、基板（３２）を照射線（３１）に対して回転軸（３８）のまわりで１８０°回転させる回転装置を含み、その回転軸は照射面（３６）に垂直であり、走査デバイスは、基板（３２）の照射面（３６）の第１セクションに隣接した基板（３２）の照射面（３６）の第２セクションを、照射線（３１）で第２方向（ｙ）に走査するよう構成されている。
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【課題】グリーンレーザーのような半導体レーザーを用いて半導体薄膜の結晶化を実現する方法を提案する。
【解決手段】基板上に下地層と半導体層が順に二層以上形成させることによって、上層の半導体層に照射されたレーザーエネルギーを、上層の半導体層だけでなく、下層の半導体層にも、エネルギーを与えることによって、多層構造の半導体薄膜を１度に得る。
上層の多結晶Ｓｉ膜を透過したレーザーエネルギーを下層の非結晶Ｓｉ膜が吸収することによって生じる熱によって、下層が熱浴として働くために、上層の多結晶Ｓｉ膜に対して緩やかなアニール効果が生じて、高品質の結晶化薄膜が得られると同時に、必要なレーザーエネルギーを低減できる。メンテ、コスト、容量などの点で有利なグリーンレーザーにより高品質な薄膜を実現するものである。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置用基板を加熱処理する工程において、特に、半導体層を結晶化させる際の結晶化工程に用いた場合に、結晶粒界の発生が少なく、結晶化度が高い半導体層を形成することができる電気光学装置用基板の製造装置及び電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】加熱ユニットを備えた電気光学装置用基板の製造装置において、加熱ユニットは加熱部を含むとともに、加熱部の一端を回転中心として、加熱部と、電気光学装置用基板と、を相対的に円運動させるための回転部を備える。 （もっと読む）

【課題】膜を加工するためのシステム及び方法、並びに薄膜を提供する。
【解決手段】一部の実施形態では、膜を加工する方法を提供し、本方法は、基板上に配置されてレーザ誘起溶融が可能な膜の内部に、予結晶化される複数の離間した領域を形成する段階と、膜内に固体と液体との混合物を形成し、そこで照射領域内の膜の厚みにわたって膜の一部分が溶融するように選択されたフルエンスを有するレーザビームを発生させる段階と、この複数の離間した領域の第１の領域の少なくとも部分的な予結晶化のためにレーザビームに対して膜を位置決めする段階と、レーザビームをレーザビームの経路内の少なくとも部分反射性の移動光学要素上に向けて、移動光学要素が、第１の領域の第１の部分をビームで第１の方向に第１の速度で走査するようにビームを向け直し、第１の速度が、ビームがこの第１の領域の前記第１の部分を照射してそこに固体と液体の混合物を形成させるように選択され、第１の領域の第１の部分が、冷却して少なくとも単一方向に大部分同じ結晶配向を有する結晶粒子を形成する段階と、第１の領域の少なくとも第１の部分をレーザ誘起溶融を用いて結晶化させる段階とを含む。 （もっと読む）

【課題】多結晶化工程による特性の擾乱を防止できる周辺回路を備えた薄膜トランジスタ基板とその製造方法の提供。
【解決手段】薄膜トランジスタ基板の製造方法は、透明絶縁基板上に非晶質半導体膜を堆積する工程と、非晶質半導体膜を島状非晶質半導体膜にパターニングする工程であって、表示領域においては第１の方向に長い複数のストライプ領域内に第１の方向にチャネル長方向を有する複数の島状半導体膜をパターニングし、周辺回路領域においてはストライプ領域の延長を含む領域内に多数の島状半導体膜をパターニングする工程と、周辺回路領域の島状半導体膜は、第２の方向で移動度が高いように多結晶化し、表示領域の島状半導体膜は第１の方向で移動度が高いように多結晶化する工程と、多結晶化した島状半導体膜を用いてＴＦＴを形成する工程とを含み、周辺回路において、高速動作ＴＦＴのチャネルは、ストライプ領域の延長ＥＳＴ以外の領域に配置される。 （もっと読む）

【課題】 高価で精密な露光装置及びエッチング装置を用いることなく、性能の高い半導体装置を製造することができる半導体装置の製造方法等を提供する。
【解決手段】 絶縁膜上に形成されるスリットＳＴ内に半導体材料を塗布（充填）し、その後に熱処理を加えて非晶質半導体膜２６０を形成する（図３（ｃ）参照）。次に、非晶質半導体膜２６０にレーザ光を照射して熱処理を施すことで（図３（ｄ）参照）、非晶質半導体膜２６０のうちスリットＳＴを含む一定範囲の領域に略単結晶状態の半導体膜２６５ａを形成する（図３（ｅ）参照）。この略単結晶状態の半導体膜２６５ａを半導体装置の能動層（ソース領域、ドレイン領域及びチャネル領域）に用いることで、オフ電流値が小さく移動度の大きな優良な半導体装置を形成する。 （もっと読む）

【課題】周期的なスジ状の表示ムラが発生するのを防止すること。
【解決手段】マトリクス状に配列した画素ＰＸと、それら画素ＰＸが形成する列に対応して配列した映像信号線ＤＬとを含み、各画素ＰＸは、表示素子ＯＬＥＤと、ソースが第1電源端子ＮＤ１に接続されると共にドレインが表示素子ＯＬＥＤに接続される駆動トランジスタＤＲを含んだ画素回路とを含み、画素ＰＸが形成する行に、駆動トランジスタＤＲの特性の周期的変動が現れる表示装置が提供される。 （もっと読む）