半導体回路基板としての一次元半導体基板とその製造方法、および該一次元半導体基板を用いた素子、素子アレー、モジュール、ディスプレイ、太陽電池及び太陽電池モジュールとその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の一次元半導体基板１あるいは２は、幅又は厚さ、あるいは径に対して１０倍以上の長さを持つ線状の基材３に所望の薄膜４を１層以上形成している。薄膜４に半導体を適用ことで一次元半導体薄膜が形成される。本発明の一次元半導体基板１あるいは２は、光ファイバの製造技術である線引技術を応用して製造される。 （もっと読む）

【課題】 低欠陥で実質的に緩和されたＳｉＧｅオン・インシュレータ基板材料を形成する方法を提供することにある。
【解決手段】 この方法は、Ｇｅ拡散に対する抵抗力のあるバリア層の上に存在する第１の単結晶Ｓｉ層の表面上にＧｅ含有層をまず形成するステップを含む。次に、加熱ステップは、最終的なＳｉＧｅ合金の融点に近く、Ｇｅを保持しながら積層欠陥の形成を遅らせる温度で実行される。加熱ステップは、第１の単結晶Ｓｉ層およびＧｅ含有層全体にわたってＧｅの相互拡散を可能にし、それによりバリア層の上に実質的に緩和された単結晶ＳｉＧｅ層を形成する。その上、加熱ステップは最終的なＳｉＧｅ合金の融点に近い温度で実行されるので、緩和の結果として単結晶ＳｉＧｅ層内に存続する欠陥はそこから効率よく消滅される。一実施形態では、加熱ステップは、２時間未満の期間の間、約１２３０〜約１３２０℃の温度で実行される酸化プロセスを含む。この実施形態は、最小表面ピッチングおよび低減されたクロスハッチングを有するＳＧＯＩ基板を提供する。 （もっと読む）

【課題】 ＳｉＧｅ厚さとＧｅ比とひずみ緩和との相互依存を切り離すために格子工学が使用される、ＳｉＧｅオン・インシュレータ（ＳＧＯＩ）基板を製作する方法を提供することにある。
【解決手段】 この方法は、選択された平面内格子定数と、選択された厚さパラメータと、選択されたＧｅ含有量パラメータとを有するＳｉＧｅ合金層を有するＳｉＧｅオン・インシュレータ（ＳＧＯＩ）基板材料を提供するステップであって、選択された平面内格子定数が一定値を有し、他のパラメータ、すなわち、厚さまたはＧｅ含有量の一方または両方が調整可能な値を有するステップと、選択された平面内格子定数を維持しながら、他のパラメータの一方または両方を最終選択値に調整するステップとを含む。この調整は、どのパラメータが固定され、どのパラメータが調整可能であるかに応じて、薄型化プロセスまたは熱希釈プロセスのいずれかを使用して達成される。 （もっと読む）

本発明は、核生成層（２）、多結晶性または多孔性緩衝層（４）、および支持体基板（６）を含む結晶成長用支持体を提供する。 （もっと読む）