【課題】高い結晶品質を有する、多様な材料からなる、完全に緩和した、又は歪んだ半導体層を積層するために絶縁体層の格子寸法を調整するための高い柔軟性を許容する、ＳＯＩ構造の作製のための基板を提供する。
【解決手段】実質的にシリコンからなる単結晶基板ウェハ１、電気絶縁性材料を含み、かつ２ｎｍ〜１００ｎｍの厚さを有する第一非晶質中間層２、立方晶系Ｉａ−３結晶構造と、（Ｍｅ１₂Ｏ₃）_-1-x（Ｍｅ２₂Ｏ₃）_xの組成と、基板ウェハの材料の格子定数と０％〜５％異なる格子定数とを有する単結晶第一酸化物層３を示される順序で含むことを特徴とする半導体ウェハ。 （もっと読む）

【課題】良好な立方晶の炭化珪素膜を形成可能な半導体基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】シリコン基板１１上にバッファ層１２を形成する第１の工程と、バッファ層１２上にシリコン膜１５を形成する第２の工程と、シリコン膜１５を炭化して炭化珪素膜１３を形成する第３の工程と、を含み、バッファ層１２は、シリコンの格子定数と炭化珪素膜１３の格子定数との間の格子定数を有する金属酸化物で構成され、第３の工程は、炭化水素系ガスの雰囲気下で行われる。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル膜の表面欠陥と、この膜の外周部のスリップとの発生を防止でき、ゲッタリングサイトを有して製造コストも低減可能なエピタキシャルウェーハおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハ１１の表層への酸素のイオン注入量を低減し、イオン注入層１５を低温のエピタキシャル成長時に熱処理し、表層に不完全埋め込み酸化膜１２を形成する。そのため、ウェーハ１１の低コスト化が図れる。また、イオン注入の不具合で酸化膜が途切れても、エピタキシャル膜１４のピットの発生が抑制され、膜１４の表面欠陥が低減される。また、膜１４の外周部の厚肉化を防ぎ、ウェーハ外周部のスリップを抑制できる。しかも、不完全埋め込み酸化膜１２はゲッタリングサイトも兼ねるので、エピタキシャルウェーハ１０の金属汚染を防げる。 （もっと読む）

【課題】素子特性のばらつきが抑制されたＭＯＳ型素子を含む半導体装置を提供すること。
【解決手段】基板の半導体領域に埋め込まれた素子分離絶縁膜と、前記素子分離絶縁膜によって素子分離され、上部が前記素子分離絶縁膜の表面よりも上に突出し、前記半導体領域の半導体層と、この半導体層にソース・ドレイン領域、ゲート絶縁膜およびゲート電極が形成され、かつ、前記ゲート電極がチャネル幅方向に平行な面の断面において前記素子分離絶縁膜上に形成されてなるＭＯＳ型素子とを具備してなり、前記ゲート電極下の前記半導体層の上面位置が、前記ゲート電極下の前記素子分離絶縁膜の上面位置よりも、２０ｎｍ以上高いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】しきい値電圧を増大させることなくバッファ層を高抵抗化して素子を高耐圧化できること。
【解決手段】電界効果トランジスタ１００は、基板１上にバッファ層２，３、半導体動作層４、ゲート絶縁膜５Ｇａおよびゲート電極５Ｇｂを順次積層して備え、バッファ層３内にあってこのバッファ層３の積層面に平行な所定面内の転位密度は、この転位密度に対するバッファ層３の体積抵抗率が極大値近傍となる密度値とされ、具体敵意は２．０×１０⁸ｃｍ^-2以上、７．０×１０¹⁰ｃｍ^-2以下とされている。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体の結晶層の結晶性を向上できる半導体基板の製造方法及び半導体基板を提供する。
【解決手段】本発明の第１側面に係る半導体基板の製造方法は、下地基板の上にクロム層を７ｎｍ以上４５ｎｍ未満の平均層厚で成膜するクロム層成膜工程と、前記クロム層を１０００℃以上の温度で窒化してクロム窒化物膜にする窒化工程とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】レーザビームの利用効率を向上させると共に、ＤＭＤにおける迷光の影響を排除し、均一なビームスポットで照射パターンを形成することのできるレーザ照射装置及びレーザ照射方法を提供する。
【解決手段】レーザ照射装置は少なくともレーザ発振器と回折光学素子と微少なミラーが二次元的に多数並べられた光学素子とを有し、該レーザ発振器から射出したレーザビームは回折光学素子によって複数のレーザビームに分割され、該レーザビームは複数のマイクロミラーにおいて偏向される。また、該前記複数に分割されたレーザビームのそれぞれは互いに等しいエネルギーを有する。 （もっと読む）

【課題】 ＺｎＯにおいては、ｐ型不純物とｎ型不純物を取り込みやすい結晶極性面は異なるため、単一極性面を用いると一方の電気伝導性の制御が困難になる。そこで両結晶極性面を同時に利用したＺｎＯデバイスを提供することを課題とする。
【解決手段】 一方の伝導型のＺｎＯを積層するために、第１の結晶極性面を有するＺｎＯ層を積層し、その上に結晶極性面反転層を挿入する。その後、他方の伝導型のＺｎＯ層を第２の結晶極性面を利用して積層し、両結晶極性面の利点を同時に利用したＺｎＯデバイスを作製する。 （もっと読む）

【課題】 優れた発光効率、逆耐電圧特性および静電耐圧特性等を有するＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造に適したＩＩＩ族窒化物半導体素子用エピタキシャル基盤を提供すること。
【解決手段】 表面粗さ（Ｒａ）が１ｎｍ以下の基板と該基板上に直接積層されたＩＩＩ族窒化物半導体層とからなり、該ＩＩＩ族窒化物半導体層は互いに接する複数の層からなり、該複数の層の少なくとも一層は転位密度が１×１０⁷ｃｍ^-2以下の層であるＩＩＩ族窒化物半導体素子用エピタキシャル基盤。 （もっと読む）