【課題】閉じ込め式化学表面処理のための方法及び装置
【解決手段】プロキシミティヘッドを使用して基板の表面を前処理するための装置、システム、及び方法は、基板の表面とプロキシミティヘッドのヘッド表面との間に非ニュートン流体を塗布することを含む。非ニュートン流体は、ヘッド表面と基板の表面との間で１つまたは２つ以上のサイドに沿って閉じ込め壁を画定する。非ニュートン流体を提供された１つまたは２つ以上のサイドは、ヘッド表面と基板の表面との間の基板上に処理領域を画定する。閉じ込め壁によって画定される処理領域内に実質的に閉じ込められるように、基板の表面に、プロキシミティヘッドを通してニュートン流体が塗布される。閉じ込められているニュートン流体は、基板の表面から１種または２種以上の汚染物質を実質的に除去するのに役立つ。一例では、非ニュートン流体は、雰囲気制御された隔離領域を形成するために使用されてもよく、これは、領域内における制御式の表面処理を助けることができる。別の例では、ニュートン流体の代わりに第２の非ニュートン流体が処理領域に塗布される。第２の非ニュートン流体は、基板の表面上の１種または２種以上の汚染物質に作用し、それらを基板の表面から実質的に除去する。 （もっと読む）

【課題】 １つの工程装備にインシャワー、吸入および乾燥工程を行えるようにし、基板を塗布または剥皮したり洗浄工程を行ったりする際に時間と空間的な効率性を高めることができるインシャワー、吸入および乾燥工程を行う工程装置を提供する。
【解決手段】 インシャワー、吸入および乾燥工程を行う工程装置は、インシャワーナイフ、エアナイフを含むナイフユニットおよびナイフユニットが取付けられて基板上にナイフユニットを移送することができるフレームを含む。 （もっと読む）

【課題】 ドライエッチャに洗浄工程を付加してドライエッチャの適用範囲をメタル膜エッチング工程まで拡大させるエッチング部と洗浄部とを兼備したドライエッチャを提供する。
【解決手段】 エッチングガスを注入して基板上の膜をエッチングするエッチング部と、エッチング部により処理された基板を移送させる移送部と、移送部により移送された基板を洗浄する洗浄部と、を備えるエッチング部と洗浄部とを兼備したドライエッチャ。 （もっと読む）

【課題】ドラム式回転洗浄装置を用いた洗浄等の基板処理の際において、ダミー基板の使用回数を増加させると共に破損した場合の破片の飛散を抑制することにより、半導体装置の製造コストを低減する。
【解決手段】基板処理方法は、複数の容器２０４のそれぞれに複数の被処理基板１０４を収納する工程と、被処理基板１０４と実質的に等しい質量を有し、少なくとも側面を含む２つの主面の周縁部が耐薬品性の樹脂によって被覆されている板状部材よりなるダミー基板１００を複数の容器２０４に必要枚数収納することによって、複数の容器２０４に収納された被処理基板１０４とダミー基板１００との合計枚数を複数の容器２０４の全てにおいて同数とする工程と、ダミー基板１００を収納した複数の容器２０４を回転軸に対して対称に配置すると共に回転軸を中心に回転させながら被処理基板１０４を処理する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】基板底面を均一に処理できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】前記基板処理装置は、基板を支持し、回転可能なスピンヘッドと、前記スピンヘッド上に設けられ、工程のとき、基板の底面に流体を供給する噴射ヘッドと、前記噴射ヘッドに流体を供給する流体供給ユニットと、を含み、前記噴射ヘッドは、前記スピンヘッドのセンター部に位置し、前記流体供給ユニットから流体が供給されるボディと、前記ボディから前記スピンヘッドのエッジ部に向かって延長され、前記ボディから供給された流体を前記基板の底面に噴射する噴射部材と、を含み、前記噴射部材には、前記基板のエッジ部に流体を噴射する第１噴射口と、前記基板のセンター部とエッジ部との間に位置するミドル部に流体を噴射する第２噴射口とが形成され、前記流体は、前記第１噴射口に先に供給される。 （もっと読む）

【課題】基板表面の必要な範囲に均一なめっき処理を行うためのめっき前処理を確実に行うことができるようにする。
【解決手段】基板Ｗの表面に無電解めっきを施すに先だって、めっき前処理としての洗浄処理と触媒付与処理を行うにあたり、触媒付与処理によって基板Ｗ表面に触媒を付与する範囲より広範囲に洗浄処理を行う（触媒付与範囲Ｓ_１＜洗浄範囲Ｓ_２）。触媒付与処理によって基板表面に触媒を付与する範囲は、例えば、基板Ｗ表面の均一にめっき処理を行う必要がある範囲と同じ範囲である。 （もっと読む）

【課題】ナノスケールの半導体処理のためにバブルフリーの液体を生成するためのシステムおよび方法
【解決手段】バブルフリーの液体を生成するためのシステムは、連続液体ソースと非バブル化チャンバとを含む。非バブル化チャンバは、出口と入口とを含む。入口は、供給管によって連続液体ソースの出口につながれる。非バブル化チャンバは、また、非バブル化チャンバの側壁内に少なくとも１つの口を含む。少なくとも１つの口は、非バブル化チャンバの入口から少なくとも長さＬの位置にある。バブルフリーの液体を生成するための方法も説明される。 （もっと読む）

膜スタックを処理するためのクラスタツール、処理チャンバ及び方法の実施形態が提供される。一実施形態においては、膜スタックのシリコン層と金属層をインサイチュエッチングするための方法であって、処理チャンバ内で膜スタックの金属上層をエッチングして下にあるシリコン層の一部を露出させるステップと、処理チャンバから基板を取り出さずにシリコン層におけるトレンチをエッチングするステップと、を含む前記方法が提供される。本発明は、フラットパネルディスプレイの薄膜トランジスタ製造に特に有用である。 （もっと読む）