【課題】半導体工業において使用するのに十分な純度を達成するためのＣＯ_２の精製方法を提供する。
【解決手段】汚染物の除去に適した条件下で、ＣＯ_２の流れを少なくとも１種の金属の混合金属酸化物と接触させる。該混合金属酸化物は１種または複数の金属の少なくとも２つの酸化状態、あるいは異なる化学的性質を有する、類似の比較的高い酸化状態の２種の金属を含む。次いで、各吸着剤を除染／活性化することにより、吸着剤を混合酸化状態に戻し、さらなる回数の除染を可能にする。各吸着剤は、互いに補完し合い、別々の汚染物を選択的に吸着するように選択される。加えて、各吸着剤は、再生時に金属の一部のみが還元され、その１種の吸着剤が元の状態に戻されるように、異なる程度の還元を受ける。 （もっと読む）

【課題】 基板処理方法及び装置を提供すること。
【解決手段】 基板処理方法は、フォトレジスト膜が形成された基板を設け、フォトレジスト膜を除去するために処理液を基板上に提供し、処理液と接触するようにミストを基板上に提供する。ミストは、処理液と反応して水酸化ラジカルを追加的に形成し、ミストと処理液が発熱反応するため、フォトレジスト膜の除去効率を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】超純水中に含まれるアミン系の有機物などを短時間で高精度に検出し、超純水の水質を評価できる方法及び装置を提供する。
【解決手段】超純水を第１のカラム４ａに通水する。第１のカラム４ａからの流出水中の溶存水素濃度測定値が第１の濃度設定値以下まで低下するか、又はこの測定値の上昇速度が第１の濃度変化速度設定値以下まで低下したときには、循環する超純水中のシリコン汚染物質の濃度が十分に低減された可能性があると判断し、通水カラムを第１のカラム４ａから第２のカラム４ｂに切り替える。第２のカラム４ｂへの通水開始後、該第２のカラム４ｂからの流出水中の溶存水素濃度測定値が第２の濃度設定値を超えないか、又はこの測定値の上昇速度が第２の濃度変化速度設定値を超えない場合には、循環ライン２３を循環する超純水中のシリコン汚染物質の濃度が十分に低減されたと判断し、ユースポイント２４への供給ラインのバルブを開ける。 （もっと読む）

【課題】安価な装置によって過硫酸水溶液を製造することができるウェハ洗浄液の製造方法及び装置を提供する。
【解決手段】陰極２に最も近接してバイポーラ膜５が配置され、陰極２とこのバイポーラ膜５との間に陰極室６が形成されている。このバイポーラ膜５から陽極に向ってカチオン交換膜４とバイポーラ膜５とがこの順に交互に配列されている。陽極５に最も近接してバイポーラ膜５が配置されている。１対のバイポーラ膜５の間に配置されたカチオン交換膜４の陰極２側にカチオン移動室７が配置され、該カチオン交換膜４の陽極３側に処理室８が形成されている。循環用タンク１５内の過硫酸塩水溶液は、ポンプ１６及び配管１１を介して各処理室８に供給される。 （もっと読む）

化学機械研磨（ＣＭＰ）後残渣および汚染物質をその上に有するマイクロエレクトロニクスデバイスから前記残渣および汚染物質を洗浄するための洗浄組成物および方法。この洗浄組成物は、新規な腐食防止剤を含む。この組成物は、ｌｏｗ−ｋ誘電体材料または銅配線材料を損傷することなく、マイクロエレクトロニクスデバイス表面からＣＭＰ後残渣および汚染物質を非常に有効に洗浄する。 （もっと読む）

超小型電子装置前駆体構造物等のウェハ基材の表面調製及び／又は洗浄のための、超小型電子装置製造に有用な組成物。本組成物は、例えば、超小型電子装置ウェハの表面調製、プレ被覆洗浄、ポストエッチング洗浄及びポスト化学的機械的研磨洗浄等の操作において、銅メタライゼーションを含めるために更に処理されなければならないウェハ、又は更に処理することが意図されているウェハの処理のために、用いることが可能である。本組成物は（ｉ）アルカノールアミンと（ｉｉ）水酸化４級アンモニウムと（ｉｉｉ）錯化剤とを含有し、酸素曝露下において耐黒ずみ性及び耐劣化性を呈するだけでなく、貯蔵安定である。
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